【課題】薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタ上に形成される配線の段切れを防止する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられ、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、ソース領域とチャネル領域との間及びドレイン領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域と、を含む半導体層と、半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、ゲイト電極の表面に設けられたゲイト電極の酸化物と、ゲイト電極の酸化物を介してゲイト電極の側面に設けられ、且つゲイト電極の側面から低濃度不純物領域と重なる領域まで延在するように設けられた窒化珪素膜と、窒化珪素膜及びゲイト電極の酸化物を介してゲイト電極の側面に設けられ、且つ窒化珪素膜を介して低濃度不純物領域と重なるように設けられたサイドウォールと、を有する薄膜トランジスタを含む。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流を低減する構造を持ち簡易なプロセスで製造できるＴＦＴを提供する。
【解決手段】 絶縁基板上に下地絶縁膜１１を堆積する。次に、シリコン薄膜を堆積し、レーザアニール法によりポリシリコン薄膜１２を形成する。ポリシリコン薄膜１２をアイランド化してゲート絶縁膜１３を堆積する。次に下層ゲート電極としてマイクロクリスタルシリコン薄膜１４を堆積した後、上層ゲート電極として金属膜１５を続けて堆積する。これらをパターニングして多層ゲート電極を形成するとき、下層ゲート電極を上層ゲート電極よりも大きく形成する。その後、イオン注入法等によりゲート絶縁膜１３を介してポリシリコン薄膜１２に選択的に不純物を導入するとＬＤＤ領域１９とソース・ドレイン領域１８が同時に形成される。その後、上層ゲート電極をマスクとして、下層ゲート電極が露出した部位をエッチングすることにより、目的のＴＦＴ１０を得る。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率を高める。
【解決手段】液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上の互いに異なる層に夫々形成されており、第２層間絶縁膜４２を介して互いに電気的に絶縁された上部容量電極３００及び下部容量電極７１、サイドウォール９１、接続用導電膜９３、誘電体膜７５及びコンタクトホール８５を備えている。接続用導電膜９３によれば、コンタクトホールを形成する際のマージンを確保するために広げざるを得なかった下部容量電極７１及び上部容量電極３００の面積を低減でき、画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域を低減することが可能である。これにより、画素における非開口領域の幅Ｗ１をサイドウォール９１の幅Ｗ２に応じて低減でき、非開口領域を狭めることによって画素における開口率を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜を均一に形成することによって薄膜トランジスタの特性を改善する。
【解決手段】
本発明は、基板、前記基板上に形成され、互いに交差する第１及び第２信号線と、前記第１信号線と連結されているソース電極と、前記ソース電極と対向するドレイン電極と、前記ドレイン電極と連結されている画素電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成され、下部が上部より広い開口部を有する隔壁と、前記開口部に位置し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と少なくとも一部重畳する有機半導体と、前記第２信号線と連結され、前記有機半導体と一部重畳するゲート電極とを含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ピクセル構造を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電層を形成し、第１のマスクを用いてパターニングしてゲートを形成する。基板の上方に誘電層を形成し、ゲートを覆う。誘電層の上方に半導体材料層および第２の導電層を順次形成する。第２のマスクを用いて第２の導電層をパターニングし、ピクセル電極を形成する。第１のマスクを再度用いてパターニングされたフォトレジスト層を形成することにより、ゲートの上側の半導体材料層を保護する。ピクセル電極およびパターニングされたフォトレジスト層をエッチングマスクとして用いて半導体材料層をパターニングして半導体層を形成する。パターニングされたフォトレジスト層を除去する。第３のマスクを用いて第３の導電層を形成し、パターニングしてソース／ドレインを形成する。ドレインはピクセル電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液晶表示装置の開口率の向上と透過率・反射率の向上、高視野
角の実現にある。
【解決手段】データ線１１０とタイミング（ゲート）線１０２が格子状に配置され、前記
データ線１１０とタイミング（ゲート）線１０２の交点に駆動手段１１２が配置された基
板１０１を一方の基板とした液晶装置１００であって、１つ以上のストライプ構造の画素
電極１０８と、凸部を有する共通電極１０６が相対向するように載置される。 （もっと読む）

【課題】正確な情報の入力を行うようにする為の、高精細な表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する画素を複数有し、薄膜トランジスタの上方に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の上方に設けられた有機樹脂からなる絶縁膜と、絶縁膜の上方に設けられた画素電極と、画素電極に対向して設けられた対向電極と、を有する表示装置であって、アレイ状に配列されたＬＥＤをバックライトとして用いる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の段差部、及び当該段差部近傍の上層を被覆する導電層が、電気的に段切れしてショートすることを抑制することができる薄膜積層基板等を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る薄膜積層基板は、基板上に、段差構造部を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に形成されて少なくとも前記段差構造部を被覆する導電層と、を備える薄膜積層基板であって、前記段差構造部は、前記基板から離れるに従って段差部の底辺の幅が狭くなるように形成された順テーパー形状をなしており、少なくとも前記絶縁層の前記段差構造部に、少なくとも１種類の不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減でき、かつ、製造歩留りを向上させることが可能なＴＦＴ基板及びＴＦＴ基板の製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】ガラス基板１０と、ゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート絶縁膜３０と、ｎ型酸化物半導体層４０と、酸化物導電体層６０を具備し、チャンネル部４１を保護するチャンネル部用エッチストッパー５３と、酸化物導電体層６０を有する、ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】スタンプ製造方法、それを利用した薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板との接触性が向上したスタンプ（Ｓｔａｍｐ）の製造方法を提供し、前記スタンプを利用して、基板上に帯電された領域を作った後に、前記帯電領域の電荷と反対電荷に帯電されたナノ物質を塗布又はメッキさせて、セルフアセンブリ（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）を介して自己組織化単分子膜（ＳＡＭ；ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を形成することによって、精密なナノパターンを有する薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供し、これによって素子の性能を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はフォトレジスト組成物及び前記フォトレジスト組成物を用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト組成物はノボラック樹脂及びアクリル樹脂を含む混合樹脂１００重量部及びナフトキノンジアゾスルホン酸エステル１０〜５０重量部を含む。前記ノボラック樹脂の重量平均分子量は３００００以上であり前記アクリル樹脂の重量平均分子量は２００００以上である。前記アクリル樹脂の含量は全体混合樹脂の１〜１５重量％である。前記フォトレジスト組成物は薄膜トランジスタ基板の製造工程のパターン形成の際、リフローによるプロファイルの角度変化を最小化し、パターンの構造の安定性及び残膜厚さ均一性を向上させることで配線のショート及びオープン不良を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ又はＧＯＬＤ構造を有し、微細化に対応できるとともに歩留まりを向上させることができ、工程を簡略化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体膜上の全面にレジストを形成し、第１遮光部９１ａと、第１透光部９１ｂと、第１遮光部９１ａと第１透光部９１ｂとの間に配置された半遮光部９１ｃとを備えたハーフトーンレクチル９１と、露光時に少なくとも第１遮光部９１ａおよび半遮光部９１ｃの一部が配置されるべき位置に位置合わせされる第２遮光部９２ａと第２遮光部９２ａに隣接して配置された第２透光部９２ｂとを備えたバイナリレクチル９２とを用いてレジストを露光することによってソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域に対応するレジストの膜厚を、ソース側低濃度領域、ドレイン側低濃度領域及びチャネル領域に対応するレジストの膜厚より薄く形成するレジスト形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の遮光性及び配向性を同時に改善する。
【解決手段】基板１１上に透明な画素電極３１を駆動するための薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極１１の下層の位置に導電性の遮光層が設けられている液晶表示装置において、第一の平坦化膜２５が薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成されており、その平坦化された第一の平坦化膜２５の上に遮光層が配され、第二の平坦化膜２９が遮光層の段差を埋める様に形成されており、その平坦化された第二の平坦化膜２９の上に画素電極３１が配されており、導電性の遮光層は、第一の遮光層２７と第二の遮光層２８とに分離しており、第一の遮光層２７は画素電極３１に接続しており、第二の遮光層２８は共通電位にある。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリクス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、保持容量を大きくし、高品位の画像表示を行う。
【解決手段】 電気光学装置は、基板上に、相互に交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素電極と、一対の電極及び誘電体膜が積層されてなる蓄積容量とを備える。更に、一対の電極の一方及び誘電体膜を貫通して開口された開口部の内側壁上に設けられた第１の絶縁膜からなるサイドウォールと、一対の電極の他方から見て、前記一方に対して反対側に配置され、サイドウォールと同時に自己整合的に形成されサイドウォールに囲まれたセルフアラインコンタクトホールを介して他方と電気的に接続された第１の導電膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】階調表示を実現させるための全く新しい方法を提案する。
【解決手段】複数の画素を含む画素領域と、複数の画素と電気的に接続された保護回路とを有し、前記複数の画素は、第１の電極と第２の電極、第１の電極と第２の電極の間に印加される電圧によって配向状態が制御される液晶とを有し、１画像を表示する期間において、第１の電極に信号電圧を複数回入力してアナログの階調を表示し、前記第２の電極にはオフセット電圧を入力する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕに添加する添加元素が、Ｃｕ部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してＣｕの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリックス状に交叉する電極線１７、１８と、その交点に配置された液晶画素２０と、外部の駆動回路に接続された端子電極とを有するアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において、電極線１７、１８、電極、配線層、端子電極のうちの少なくとも一つを銅を主成分とし、基板との界面に銅に添加した添加元素の酸化物層を形成する銅合金で形成する。この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】遮光性能を向上させ、光リーク電流による画質低下を抑えることができる表示装
置を提供する。
【解決手段】石英ガラス基板１１上に画素電極３１の駆動用の多結晶ＳｉＴＦＴが設けら
れた表示装置において、第１の金属層２７、２８を多結晶ＳｉＴＦＴの上層でかつ画素電
極３１の下層の平坦化された層間絶縁膜２５上に設け、第２の金属層２１、２２を多結晶
ＳｉＴＦＴの上層でかつ第１の金属層２７、２８の下層の位置に設ける。第１の金属層２
７、２８は、画素部において第２の金属層２１、２２と接続された部分を有しかつその端
部が平坦化された層間絶縁膜２５上に設けられる。第１の金属層２７、２８と第２の金属
層２１、２２とが重なり合って画素開口領域以外の領域を覆う。 （もっと読む）

【課題】マスク工程をさらに単純化して製造費用を節約し、製造時間を短縮することによって、工程収率を改善することのできる液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、第２マスク工程時、相互に異なるスリットの幅の半透過部を有するマスクを利用して製造される。ここれにより、感光層をアッシングする工程で、配線が位置した部分と、そうではない部分に対するエッチングの比率を合わせることができるために、配線の表面に欠陥が発生する不良を防げる長所がある。また、本発明では、アレイ基板を３マスク工程により製造することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、下部電極をフォトマスクに利用して、絶縁膜上に下部電極と概ね同一パターン形状の撥液領域と概ね反転パターン形状の親液領域を形成して、親液領域内に導電性インクを塗布焼成して、下部電極に対して概ね反転パターン形状の上部電極を自己整合して形成するため、印刷法を用いても位置ずれが発生しない。このため、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板などの半導体装置が印刷法を用いて形成できる。
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