【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止することが可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成される。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】粒界が形成される位置を制御することが可能な結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１に支持された非晶質半導体膜２２を用意する工程と、非晶質半導体膜にＡｒイオンを注入する工程と、工程（ｂ）の後に、非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素３５を付与する工程と、工程（ｃ）の後に、非晶質半導体膜の少なくとも一部を固相結晶化することによって、結晶質半導体膜２４を得る工程（ｄ）とを包含する。
基板１１に支持された非晶質状態の半導体膜２２を用意する工程（ａ）と、半導体膜の第１領域に第１の濃度でＡｒイオンを注入する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、半導体膜の第１領域と第１領域外の第２領域とを含む領域に、結晶化を促進する触媒元素を付与する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、半導体膜を加熱することによって半導体膜の少なくとも第２領域を固相結晶化させる工程（ｄ）とを包含する。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置において、各画素に設けられた蓄積容量を構成する誘電体膜の膜質を向上させる。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板（１０）上の画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、基板上でトランジスタより上層側に配置されており、固定電位側電極（３００ａ）、誘電体膜（７５）及び画素電位側電極（７１）が下層側から順に積層されてなる蓄積容量（７０）と、蓄積容量よりも層間絶縁膜（４３）を介して上層側に配置されており、画素毎に設けられると共に層間絶縁膜に開孔された第１のコンタクトホール（８９）を介して画素電位側電極と電気的に接続され、且つ、画素電位側電極とトランジスタとを電気的に中継接続する中継電極としても機能する画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の向上を図った表示装置の提供。
【解決手段】基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、
前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、
前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成している。 （もっと読む）

【課題】画素部や駆動回路の要求に合わせてＴＦＴの構造を最適化しようとす
ると製造工程が複雑となってしまう。また、触媒元素を添加して結晶質半導体膜
を形成した場合、触媒元素の濃度を十分に低減しないでＴＦＴを形成するとオフ
電流が突発的に上がってしまう等の問題がある。
【解決手段】第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設け
られた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦ
Ｔの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の
外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲ
ート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側
に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形
成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触
媒元素を移動させる。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置における開口率低下を抑制する。
【解決手段】中継層９３は、第２層間絶縁層４２の上面４２ａから第２層間絶縁層４２の端面４２ｂ及び下部容量電極７１の端面７１ｂに延びている。中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。したがって、液晶装置１によれば、非開口領域に形成された下部容量電極７１と、中継層９３との接続領域を小さく、或いはまったく無くすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に薄膜トランジスタアレイを形成したアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１と、プラスチック基板１上に形成された複数の走査配線２と、絶縁膜を介して走査配線２と交差する複数の信号配線５と、プラスチック基板１上に形成され、対応する走査配線２上の走査信号に応答して動作する複数の薄膜トランジスタ１０と、薄膜トランジスタ１０を介して信号配線５と電気的に接続される複数の画素電極１４とを備えている。対応する画素電極１４と薄膜トランジスタ１０は、導電部材９によって相互接続されており、画素電極１４および導電部材９は、それぞれ、隣接する異なる走査配線と交差している。 （もっと読む）

【課題】 薄型軽量画像表示装置の、衝撃や曲げに対する耐久性を向上し、湾曲させた利用や曲面実装を可能にし、さらに製造工程数の削減による製造コストを低減し、大型化を容易にすること。
【解決手段】 複数の画素により構成された表示部と、表示部の制御を行う周辺集積回路を有する画像表示装置において、表示装置を衝撃や曲げに対する耐久性の高い支持基板上に設け、画素回路を有機半導体ＴＦＴで構成し、周辺集積回路を低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、この周辺集積回路を製造した時の支持基板を除去して表示装置の支持基板上に設け、画素回路と周辺集積回路を同一配線層で接続する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、該基板に形成され、相互に交差し、薄膜トランジスタと画素電極を有し、該薄膜トランジスタと該画素電極とは電気的に接続されたサブ画素領域を形成する少なくとも一本のゲートラインと少なくとも一本のデータラインと、第一の電極とゲートラインとは接続し、第二の電極と画素電極とは接続している補償寄生コンデンサ構造と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低電気抵抗配線を実現すると共に微細加工性に優れ、且つ製造工程で加わる熱履歴にも十分耐える耐熱性を有するアルミニウム合金配線を備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に、透明導電膜と薄膜トランジスタを電気的に接続するアルミニウム合金配線膜が配置された表示装置において、該アルミニウム合金配線膜は、Ｎｉ，Ａｇなど特定の元素群Ｑから選ばれる１種以上の元素と、希土類元素やＭｇなど特定の元素群Ｒから選ばれる１種以上の元素を特定量含むアルミニウム合金からなる第一層（Ｘ）と、該第一層（Ｘ）よりも電気抵抗率の低いアルミニウム合金からなる第二層（Ｙ）とを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）が透明電極膜と直接接している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法を提供する。
【解決手段】この発明に係るパターン修正方法では、貫通孔３Ｂａを開けた下方フィルム３Ｂの上に貫通孔３Ａａを開けた上方フィルム３Ａを重ね、孔３Ｂａの開口部を欠陥部２ａに所定の隙間を開けて対峙させ、修正ペースト１０が付着した塗布針９先端で孔３Ａａ，３Ｂａおよびその周辺を基板１に押圧して欠陥部２ａに修正ペースト１０を塗布する。したがって、修正ペースト１０の一部を２枚のフィルム３Ａ，３Ｂの隙間１１に吸い込ませ、基板１とフィルム３Ｂの隙間に修正ペースト１０が吸い込まれることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】画素毎の開口領域に形成され、該開口領域を互いに隔てる非開口領域に延在する第２部分９ａｂを有する画素電極９ａと、非開口領域に形成され、画素電極９ａと接続された下部容量電極７１と、Ｘ方向に沿って延びる非開口領域Ｄ１にＸ方向に沿って形成され、下部容量電極７１より上層側に配置された容量線３００と、容量線３００より上層側であって画素電極９ａより下層側に配置され、下部容量電極７１とコンタクトホール８４を介して接続されると共に第２部分９ａｂとコンタクトホール８５を介して接続された中継層９３とを備える。更に、コンタクトホール８４及び８５は、非開口領域Ｄ１において、互いに重ならないようにＹ方向にずれて配置され、容量線３００は、コンタクトホール８４を避けるように切り欠かれてなる凹部３１０を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスク数を減らして工程を単純化し得るフラットパネルディスプレイに使用される薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高性能のトップゲート型ＴＦＴを印刷方式で製造することを可能にする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体薄膜層２を形成するステップと、その上に、ＴＦＴのチャネル領域を画成するギャップ５が形成されたドープトガラスパターン４を印刷するステップと、チャネル領域の上又は上方に、ゲート誘電体膜及びこの上のゲート伝導体３を有するゲート電極を形成するステップと、ドープトガラスパターンから半導体薄膜層にドーパントを拡散させるステップとを含む自己整合トップゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそのような薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流の発生によって、画像の保持特性が低下することと、反転駆動時においてフリッカや残像が発生することとを防止し、画像品質を向上する。
【解決手段】画素スイッチング素子１０２と信号配線２０２との間の層間絶縁膜１６を、第２のソース・ドレイン領域１０２ｂに対応する領域に形成された第１の厚さＤ１が、ゲート電極１０２ｇに対応する領域の第２の厚さＤ２よりも厚くなるように形成する。これにより、反転駆動する際に第２のソース・ドレイン領域１０２ｂと信号配線２０２とにおいて生ずるオフ時のリーク電流を、高電位ＨＩＧＨでの駆動の場合と低電位ＬＯＷでの駆動の場合とのそれぞれにおいて等しくする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、薄膜トランジスタの特性を向上させる液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、基板２０１上に、チャンネル部２１５ａと、チャンネル部２１５ａの両側のオーミックコンタクト部２１５ｂを有して、エッジ部の側面は、テーパー状である半導体層２１５と、半導体層２１５を覆うゲート絶縁膜２２０と、ゲート絶縁膜２２０上に位置して、チャンネル部２１５ａに対応するゲート電極２３５と、半導体層２１５と接触するソース電極２５０及びドレイン電極２５３と、ドレイン電極２５３と接触する画素電極２７０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い移動度と移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さいＴＦＴを得ることができる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に設けた４０乃至１００ｎｍの非単結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する際に、基板表面上で逆ピークパターンを有する光強度分布を形成して、この光強度分布の光強度勾配を制御して、幅より結晶成長方向に長い形状で粒長方向に｛１００｝に優先配向した結晶化粒４を配列させた結晶化粒列を形成し、この結晶化粒列の複数の結晶化粒に跨がり結晶成長方向に電流が流れるようにソース領域およびドレイン領域を設けてＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性（Ｉｄ−Ｖｇ特性）にばらつきが生じる場合があった。
【解決手段】酸化物膜を半導体層１１として有する電界効果型トランジスタであって、酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有している。または、酸化物膜の中に、チャンネル部位１８とソース部位１６とドレイン部位１７とを有し、ソース部位とドレイン部位との水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きい。ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。 （もっと読む）