【課題】結晶核の均一化を図り、結晶性の良好な半導体膜を有する薄膜トランジスタを具備する表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】表示部を備える基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極が順次積層されて構成される薄膜トランジスタを具備する表示装置の製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜はその表面に水素を含ませて形成し、前記半導体膜は反応性熱ＣＶＤ法を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金をソース・ドレイン電極に用いたＴＦＴにおいて、コンタクト膜に対して酸化処理を施す場合であっても、良好なオン特性を維持する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層４と、銅と１種類の添加元素とを含む銅合金層を有するソース電極１０およびドレイン電極９と、ソース電極１０及びドレイン電極９のそれぞれの電極と半導体層４との間に形成されるコンタクト膜５と、それぞれの電極とコンタクト膜５との間に形成される酸化物膜８と、を含む薄膜トランジスタ基板を有する表示装置であって、コンタクト膜５は、不純物とシリコンとを含み、酸化物膜８は、シリコン、不純物および酸素を含むとともに、酸化物膜８における不純物濃度がコンタクト膜５における不純物濃度よりも低い、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】外光反射によるコントラスト低下を防止し、しかも装置の小型、薄型化が可能である。
【解決手段】液晶表示装置は、第１の基板１０と第２の基板１１間に配向膜１２，１３及び液晶１４を挟持させ、ギャップ保持材１５、及びシール剤１６を介して貼合され、第１の基板１０は、プラスチックフィルム基板１０ａ上に遮光層１０ｂと、着色層１０ｃと、共通電極層１０ｄが形成された基板であり、第２の基板１１は、予め能動素子１７が形成されたガラス基板１１ａが、プラスチックフィルム基板１１ｂ上に貼合された基板であり、プラスチックフィルム基板１０ａ，１１ｂの少なくとも一方には、片面または両面にバリア膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣを使用せずに信号や電力を入力することができる新規な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板とを有する半導体装置であって、受信用のアンテナが第１の基板の表面側に設けられ、第２の基板には、送信用のアンテナと集積回路とが設けられ、第２の基板は、第１の基板の裏面側に貼り付けられており、受信用のアンテナと送信用のアンテナとは、第１の基板を介して重なっている。これにより、アンテナ間の距離を一定に保つことができ、信号や電力を高効率で受信することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】画像表示機能の低下を抑え、かつ十分に低消費電力化を図ることのできる液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶表示装置において、電源をオフする前に、液晶に電界がかからないように、容量素子に固定電位を入力して容量素子の電極間の電位差をなくし（容量をほぼゼロとし）、液晶を初期状態とする。初期状態画像を表示した後に電源を停止すれば、液晶はオフ状態において不必要な電界をかかり続けることはなく安定な初期状態でいることができるので、液晶の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネルエッチストッパ構造を有する薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させた表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に形成されるゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上層に積層される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の一部の領域の上層に、前記第１の半導体層に接して積層される酸化シリコン膜と、前記第１の半導体層の上層に前記一部の領域以外に接して積層される不純物が添加された２つの第２の半導体層と、保護膜とを有する薄膜トランジスタを備える表示装置であって、前記２つの第２の半導体層は、前記酸化シリコン膜の側面と上面の一部と接し、且つ所定の離間距離を有して前記上面で互いに対向し、前記保護膜は少なくとも前記酸化シリコン膜の前記上面のうち、前記第２の半導体層と接していない領域と接して形成され、前記酸化シリコン膜の膜厚は２００ｎｍ以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、表示装置の高画質化を図りつつ、消費電力を低減すること及び表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極と、画素電極と対向電極との間に設けられた液晶層とを有するサブユニットを複数有するユニットが、一又は複数設けられたピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルにおいて、オフ電流が、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満であるトランジスタを用いる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性（例えば、オフ電流がきわめて低減されている）を有するトランジスタで構成される表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを形成するための半導体材料としてシリコン半導体よりも禁制帯幅（バンドギャップ）の広い半導体材料を用い、好ましくは、かかる半導体材料のキャリア供与体となる不純物の濃度を低減することでオフ電流の低減を図る。そのために、トランジスタの半導体層（チャネル領域を形成する層）としてエネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用い、該酸化物半導体に含まれるキャリア供与体となる不純物の濃度を低減させている。それにより、トランジスタのオフ電流を、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満と極めて低いレベルにまで低減させることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、段差及びクラックの発生を防止しつつ、好適に遮光性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、電気光学物質（５０）を挟持した一対の基板（１０，２０）と、一対の基板のうち一方の基板に設けられたスイッチング素子（３０）と、一方の基板の少なくともスイッチング素子に対向する位置に設けられており、第１層（１１ｂ）、第２層（１１ａ）及び第３層（１１ｃ）を有する遮光膜（１１）とを備える。遮光膜において、第１層は、第２層の上層において第２層より狭い範囲に設けられ、第３層は、第１層を上層側から覆うように第２層と重なる領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】周囲が薄暗い環境下でも画像表示が認識できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透光性を有する領域との双方を有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層中に逆錐形状の結晶粒を含ませ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、ソースとドレインの間に高抵抗な領域を配し、電界効果移動度が高くオン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの下地層に「結晶核の生成を抑制する不純物」を含ませ、または下地層の表面に「結晶核の生成を抑制する不純物」を存在させ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】表示装置に置いて、多階調表示を実現することを目的とする。
【解決手段】トランジスタ及び表示素子を有する画素がマトリクス状に配置された画素部と、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたゲートドライバと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続されたソースドライバと、前記ソースドライバに信号を出力するデータ処理回路とを有し、前記トランジスタは、酸化物半導体を用いており、前記データ処理回路は、入力されるｍビットのデジタルデータのうち、ｎビットのデジタルデータ（ｍ、ｎは共に正の整数、かつｍ＞ｎ）を電圧階調に用い、（ｍ−ｎ）ビットのデジタルデータを時間階調に用いる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】画素の電圧変動を低減することにより、多階調表示を実現できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置において、並設された複数本のソース信号線１０，２０と、ソース信号線と交差するように並設された複数本のゲート信号線３０と、ソース信号線とゲート信号線との交差部近傍に設けられた酸化物半導体を用いたトランジスタ４０を介して、ソース信号線の信号電圧が印加される画素電極７０と、を備え、隣接する一対のソース信号線間に設けられる画素電極の側縁部を、ソース信号線の側縁部に重畳させ、かつ、一方のソース信号線との重畳面積を、他方のソース信号線との重畳面積と等しくする。 （もっと読む）

【課題】画素駆動用のスイッチング回路に用いる電界効果トランジスタのＯＦＦ電流特性の抑制およびＯＮ電流特性の向上を同時に図ることができ、スイッチング回路の高性能化により画質の向上を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有するスイッチング回路において、少なくとも一つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層１５の少なくとも一部の幅をチャネル長方向に連続的に変化させる。例えば、チャネル部における半導体層１５のソース側の部分の幅をＷ₅₀からＷ₅₁に直線的に減少させ、他の部分は一定の幅Ｗ₅₁とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】駆動回路部及び画素部を有する表示パネルと、駆動回路部を駆動する制御信号及び画素部に供給する画像信号を生成するための信号生成回路と、画像信号をフレーム期間毎に記憶する記憶回路と、記憶回路でフレーム期間毎に記憶された画像信号のうち、連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出する比較回路と、比較回路で差分を検出した際に連続するフレーム期間の画像信号を選択して出力する選択回路と、比較回路で差分を検出した際に制御信号及び選択回路より出力される画像信号の駆動回路部への供給を行い、比較回路で差分を検出しない際に制御信号を駆動回路部への供給を停止する表示制御回路と、を有する。 （もっと読む）