【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。このため、共通電極２１のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極２１の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極２１の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層２９の上層には絶縁層２７が形成されているため、遮光層２９に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極２１に段差切れが発生しない。 （もっと読む）

【課題】光配向を用いたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、配向膜が柱状スペーサによって削れることを防止する。
【解決手段】対向基板２００に形成された柱状スペーサ２０４がＴＦＴ基板１００に接触する部分に、画素電極１０８よりも高い、台座１１４を形成する。画素電極１０８および台座１１４の上に２層構造の配向膜１１３を塗布すると、レベリング効果によって、台座１１４上の配向膜１１３は薄くなる。この状態で光配向すると、台座上の光分解した上配向膜１１２は消失し、機械的な強度の大きい下配向膜１１１が残る。したがって、配向膜削れを防止できる。一方、画素電極１０８上では、上配向膜１１２は元々厚いので、液晶を配向させるための所定の膜厚を確保できる。 （もっと読む）

【課題】無機配向膜が基板間導通用電極部の表面を覆っている場合でも、簡素な構成で、基板間導通用電極部と導電粒子とを導通させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、素子基板１０および対向基板２０からなる一対の基板のうち、対向基板２０では、配向膜２６が基板間導通用電極部２５ｔの表面を覆う無機配向膜である。但し、基板間導通用電極部２５ｔが導電粒子２０９ｂより低硬度のアルミニウム合金膜により形成されていることから、導電粒子１０９ｂが配向膜２６を突き破って基板間導通用電極部２５ｔに食い込み、基板間導通用電極部２５ｔと導通している。このため、対向基板２０では、全面に配向膜２６を形成することができ、マスク蒸着を行う必要がない。 （もっと読む）

【課題】多重分割のためのパターン構造を形成して視野角を拡大し、分割配向のためのパターンを形成する工程を単純化した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成されているゲート線と、第１基板上に形成されている画素電極と、第１基板と対向する第２基板と、第２基板上に形成されている共通電極と、第１基板と第２基板のうちの一つに形成されており、ゲート線に対して斜めの方向に伸びている第１部分と、第１部分の一端から斜めの方向に伸びている第２部分とを含む第１ドメイン制御手段と、第１基板と前記第２基板のうちの一つに形成されており、ゲート線と実質的に平行な方向に伸びている第３部分を含む第２ドメイン制御手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることのでき、しかも、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板２０，３０の対向面側に設けられた第１配向膜２２及び第２配向膜３２、並びに、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を有する液晶表示素子を備えており、第１配向膜２２は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する第１の高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、第２配向膜３２は、第２の高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、液晶分子４１Ａには、第１配向膜２２によってプレチルトが付与され、且つ、液晶分子４１Ｂは、第２配向膜３２によって垂直配向されている。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、重合性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、液晶層に電圧を印加しながら重合性成分を重合して液晶配向を安定化させるポリマーを用いたプレチルト角付与技術を用いて液晶の配向方位を規制して、広い視野角が得られると共に、中間調の応答時間を短くできる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向配置された２枚の基板２０、３０間に、液晶分子のプレチルト角および駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶層２４が封止されている。液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン８が配列している。 （もっと読む）

【課題】コントラスト比と広視野角を同時に確保することができ、液晶分子の応答速度を速くすることができるだけでなく、優れた表示特性を示す液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる液晶表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１および第２基板の間に介在しており、液晶分子を含む液晶層と、第１基板の上に配置されており、互いに分離されている第１画素電極および第２画素電極とを含み、第１画素電極および第２画素電極の１つは、データ線を介して第１電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極の残りの１つは、電圧伝達線を介して第２電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極は、幹部と、幹部から延びた複数の枝電極とを含み、第１画素電極の枝電極と第２画素電極の枝電極は交互に配置されており、第１画素電極および第２画素電極の幹部は、電圧伝達線と少なくとも一部重畳する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第１の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第２の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）を少なくして半導体装置を作製する。該半導体装置はＴＧＢＣ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置は、相対向する第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板の上に配設される一対の電界生成電極と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持され、正の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層と、前記一対の電界生成電極の上に配設される配向膜と、を備え、前記配向膜は、主鎖と、前記主鎖に連結されている１以上の側鎖と、を有し、前記側鎖は垂直官能基又は極性基を含む。 （もっと読む）

【課題】容易に簡素な構成でフリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素電極１２を備えた素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された、対向電極２２を備えた対向基板２０と、素子基板１０と前記対向基板２０との間に挟持された液晶層３０と、素子基板１０の液晶層３０の側に設けられた第１配向膜１５と、対向基板２０の液晶層３０の側に設けられた第２配向膜２５と、を備え、画素電極１２を構成する材料の仕事関数が、対向電極２２を構成する材料の仕事関数に比べて小さく、第１配向膜１５の密度と第２配向膜２５の密度とが概ね等しく、且つ、第１配向膜１５の厚みｄ１が第２配向膜２５の厚みｄ２よりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１方向に沿って延出したゲート配線と、第１方向に直交する第２方向に沿ってそれぞれ延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との略中間に位置し第２方向に沿って延出した帯状の第１主電極を含む画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線の直上に配置され第２方向に沿って延出した帯状の第２主電極を含む対向電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のセルギャップに保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第１主電極極と前記第２主電極との第１方向に沿った電極間距離をＬとし、前記セルギャップをＧＰとしたとき、ｔａｎΘ＝ＧＰ／Ｌの関係で表されるなす角度Θは、前記液晶分子のプレチルト角αよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート配線と、ソース配線と、液晶分子の初期配向方向に対して左回りに鋭角に交差する第１交差線方向に沿って延出した帯状の第１主電極及び前記初期配向方向に対して右回りに鋭角に交差する第２交差線方向に沿って延出した帯状の第２主電極を含む画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され前記第１交差線方向に沿って延出した帯状の第３主電極及び前記第２主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され前記第２交差線方向に沿って延出した帯状の第４主電極を含む対向電極と、前記対向電極を覆う第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素電極及び共通電極が一つの表示板に形成された構造の液晶表示装置の透過率を高め、データ線と画素電極間の容量結合による光漏れを防止し、さらにデータ線の負荷を減らす。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板、第１基板と第２基板の間に介在される液晶層、第１基板の上に位置する第１データ線、第１基板の上に位置し、第１データ線からデータ電圧が印加される画素電極、第１基板の上に位置し、画素電極の少なくとも一部分と第１データ線と重畳する共通電極、及び誘電定数が３．５以下である物質から成り、共通電極と第１データ線の間に位置する第１部分を含む保護膜を備え、画素電極と共通電極のうちのいずれか一方は離隔している複数の枝電極を含み、他方の電極は面状である。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れると共に、十分な光学的距離を確保することができ、かつ応答速度を向上することができる多重構造液晶光学素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多重構造液晶光学素子は、内側面上にセグメント電極が形成された基板と内側面上にコモン電極が形成された基板との間に液晶が封入された液晶素子が複数個互いに積層されて構成されており、セグメント電極が形成された基板とコモン電極が形成された基板とは、液晶が封入された状態で所定厚さに薄く加工されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧および広い周波数範囲で安定に駆動することができ、滑らかで連続的な光学位相差特性を有し良好な光学特性を持つ液晶光学デバイスを実現する。
【解決手段】透明な電極２１を有する第１の基板１１、透明な電極を有する第２の基板１２の問に収容された液晶分子を一方向に配向させた液晶層３１を備え、少なくとも一方の基板面における電極は所定の電圧に保持された複数のパターン電極群から形成され、前記液晶層の実効的な屈折率の分布を可変調整することで動作する液晶光学デバイスであって、複数の透明なパターン電極と前記液晶層の間に透明な絶縁層及び透明なインピーダンス層による二重層を配置する。 （もっと読む）

【課題】セグメント表示を行う強誘電性液晶パネルにおいて、セグメント表示の周囲において、初期の配向状態で白表示または黒表示のいずれかの表示が得られて、その表示の単安定性が得られる液晶パネルを提供する。
【解決手段】一対の基板のそれぞれ内側に、セグメント形状のセグメント電極と対向電極とを備え、強誘電性液晶を用いた強誘電性液晶パネルであって、セグメント電極と対向電極の上には、それぞれ配向膜を設け、セグメント電極と配向膜との間、または対向電極と配向膜の間のどちらか一方にのみ絶縁膜を設ける。また、セグメント電極の周囲または対向電極の周囲には電気的に閉鎖されているダミー電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】帯電の解消を可能とするとともに、特有の表示ムラが低減されて、マルチプレックス駆動に好適な垂直配向型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、表面に前面電極５１を有する基板と、背面電極５２を有する基板とにより液晶層を挟持し、液晶層は電圧無印加時に電極面に垂直となるよう配向され、マルチプレックス駆動による電圧印加によって、画素内で基板と平行となるよう配向変化する。液晶層の比抵抗は１×１０^１０Ωｃｍ〜２×１０^１１Ωｃｍの範囲にあり、前面電極５１に設けられた画素分割手段であるスリット５４により、１つの画素５０が複数のサブ画素５５に分割され、スリット５４を挟んで隣接するサブ画素間では、電圧印加時の液晶層の配向変化の方向が異なるようにするとともに、サブ画素の形成ピッチＰ１が５０μｍ〜１００μｍの範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）