本発明は、転傾を回避するための液晶表示装置（１）であって、第１及び第２の基板（２及び３）を備え、前記第１及び第２の基板（２及び３）は、これらの間に液晶材料層（６）を挟んで互いに対向して配置され、前記第１及び第２の基板（２及び３）には、それぞれ第１及び第２の電極（４及び５）が設けられ、前記第１及び第２の電極（４及び５）は、前記第１及び第２の基板（２及び３）の液晶側に形成され、それにより、前記液晶材料層（６）はゼロプレチルトを示し、前記電極（４及び５）の少なくとも一方は、電極間に電圧勾配を形成するために、その端部（７，９；８，１０）が少なくとも一つの第１及び第２の互いに異なる調整可能な電圧源に接続されるとともに、前記端部（７，９；８，１０）間において電気抵抗を示すようになっている、液晶表示装置に関する。
（もっと読む）

アクティブマトリックスディスプレイに、ディスプレイ基板の上、しかし表示領域（６３）の外側で、ディスプレイの端に沿って延びる、導体ライン（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ）が設けられる。これらの導体ラインは、画素のアレイを定義する薄膜層に追加される、少なくとも１つの層（９０）を備える。行ドライバ回路および／または列ドライバ回路は、表示領域（６３）の外側で共通基板に設けられた、導体ラインに接続する部分（４０，５０）を有する。専用の処理を、導体ラインのために用いて、低抵抗のラインを形成することができる。これらは、行または列ドライバ回路の、共通基板への集積化または実装を助ける。
（もっと読む）

回路欠陥解析及びプロセス問題識別を実行するための方法は、テスト信号を回路に印加するステップと、テスト信号に応答して生成された応答信号を得るステップと、応答信号を参照情報と比較するステップと、比較するステップの結果に基づいて回路内の欠陥を分類するステップと、欠陥分類に基づいて、欠陥を引き起こした製造プロセスにおける問題を識別するステップとを有している。参照情報は、製造プロセス中に発生する可能性がある予め定義されたタイプの欠陥に対応する１つ又は複数の信号プロフィルを含むことができる。欠陥の分類は、応答信号が、信号プロフィルのうちの１つ又は複数内に入るかどうか判定することによって実行されることが好ましい。応答信号が２つ以上の信号プロフィル内に入る場合には、各プロフィルについて確率を決定することができる。次いで、欠陥は、その信号プロフィルがより高い確率を有する欠陥タイプに対応するものとして分類することができる。処理システムは、同様の方法を使用して、欠陥の分類及びプロセス問題識別を実行する。 （もっと読む）

【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省スペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】各種電子デバイスの小型化（特に、小面積化）に貢献し得る接続線の形成方法、電子デバイス用基板、および、この電子デバイス用基板を備える電子デバイス、電子機器を提供すること。
【解決手段】接続線の形成方法は、基板７の少なくとも一方の面に、形成される接続線８１に接続される配線パターン７１を形成する工程と、基板７の縁部７２に、基板７の両面７２１、７２２および端面７２３に亘って、導電層８を形成する工程（第１の工程）と、導電層８の一部を除去して、互いに導通しない複数の接続線８１に分割する工程（第２の工程）とを有している。また、導電層８を形成する工程（第１の工程）において、導電層８の少なくとも一部は、基板７を切り出す前の原板に形成されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、視認性に優れた多重ドメイン液晶表示装置及びそれに用いられるトランジスタ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板、絶縁基板上に第１方向に形成されている第１信号線、絶縁基板上に第２方向に形成されていて第１信号線と絶縁されて交差している第２信号線、第１信号線及び第２信号線に連結されている第１薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタが連結されている第１信号線及び第２信号線に連結されている第２薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタに連結されている第１画素電極、第２薄膜トランジスタに連結されている第２画素電極を含み、第１薄膜トランジスタの第１ドレーン電極及びゲート電極の間に形成される第１静電容量、第２薄膜トランジスタの第２ドレーン電極及びゲート電極の間に形成される第２静電容量が互いに異なる薄膜トランジスタ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 パターニングフリーの能動素子基板の提供。
【解決手段】 能動素子基板は、基板上に形成された能動素子１と、能動素子１上に形成された導電膜２とを有する。導電膜２は、能動素子１から出力された電気信号を有限範囲内に伝達する。 （もっと読む）

【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の使用中に導通不良が生じた場合、ＩＣのラッチアップや破壊等が引き起こされる。このような導通不良が生じた場合にこれを直ちに検出し、この検出結果をもとに信号や電源供給を停止させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置Ｌのガラス基板１ａに断線検出用配線２１，２４Ａ，２４Ｂを形成し、フレキシブル配線基板１２に断線検出用配線２２Ａ，２２Ｂを形成し、コントロール基板１０に断線検出用配線２３Ａ，２３Ｂを形成し、これらを直列に接続して断線検出ループ２５を形成し、コントロール基板１０に形成された導通確認回路１５において断線検出ループ２５の導通もしくはインピーダンスの変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】 光効率の向上を図る。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板ＳＵＢの一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極ＰＸとこの画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極ＣＴを備え、前記画素電極および対向電極はそれぞれ一方向に延在し該方向に交差する方向に交互に配置される帯状の複数の電極からなり、これら各電極のうち他の電極よりも幅広に設定される電極を備え、この幅広に設定された前記電極とそれに隣接する電極の離間幅は、他の隣接する電極の離間幅よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 基板実装面積を削減し、カラー液晶ディスプレイの解像度や階調電圧の個数が異なっても共通の基板やＴＣＰを用いることができ、基板やＴＣＰ、表示装置を安価に構成できるようにする。
【解決手段】 開示されるカラー液晶ディスプレイの駆動回路は、データ電極駆動回路２２において、制御回路２１から供給される、階調情報Ａ５〜Ａ０と階調電圧情報Ｄ７〜Ｄ０とからなるシリアルデータＳＤＡＴＡに基づいて階調電圧特性に応じた階調電圧Ｖ_Ｒ０〜Ｖ_Ｒ１７、Ｖ_Ｇ０〜Ｖ_Ｇ１７、Ｖ_Ｂ０〜Ｖ_Ｂ１７を生成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示領域最外周画素部に設けられた画素電極のパターニング不良を無くし、表示品位の向上した液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】表示領域の最外周に沿って位置した画素部の着色層２５Ｂを黒着色層からなる額縁パターン３２側へ延在させて延在部２７を形成することにより、着色層と額縁パターンとの段差部分を画素電極３０から離して配置する。また、着色層の延出部の下方に、液晶表示素子を構成する金属配線を配置して、画素電極と額縁パターンとの間の領域を遮光する。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率を向上する事が可能で、反射光の方向を容易にコントロールできる液晶光スイッチング素子及び製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】全反射により光を伝えているガラス板等の導光体１０１に、液晶１０７を接触させ、電圧を印加する事により液晶分子の方向をコントロールする事により、実効的な屈折率を変化させ、全反射条件を満たさないようにし、光をスイッチングし、かつ斜面を有する反射膜により光の方向を変えて導光体１０１からほぼ垂直方向に取り出す。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）