【課題】 フィードスルーを防止する。
【解決手段】電気光学装置は、第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子（１３）と、第１期間においてデータ電位が供給される第１データ線及び第１電極間に設けられる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、第２期間においてデータ電位が供給される第２データ線及び第２電極間に設けられる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、第１・第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を、これら第１・第２スイッチング素子に供給する走査線（３）と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、その少なくとも一部が、前記走査線と重なるように形成され、前記第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成される。 （もっと読む）

【課題】 クロストークを防止する。
【解決手段】画素回路（Ｐ１）は、第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子（１３）と、第１期間においてデータ電位が供給される第１データ線及び第１電極間に設けられる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、第２期間においてデータ電位が供給される第２データ線及び第２電極間に設けられる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、第１・第２スイッチング素子がオフ状態である場合において、前記第１又は第２データ線の電位の変動によって、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を等しくするクロストーク防止手段とを備える。図中、当該手段は、第１〜第４コンデンサー（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２）からなり、これらの容量値はすべて等しい。 （もっと読む）

【課題】 クロストーク等を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子と、データ電位が供給される第１データ線（６ａ）及び第１電極間に設けられ、第１期間でオン状態、第２期間でオフ状態となる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、データ電位が供給される第２データ線（６ｂ）及び第２電極間に設けられ、第１期間でオフ状態、第２期間でオン状態となる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、第１電極を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】 フィードスルーを防止する。
【解決手段】画素回路（Ｐ１）は、第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子（１３）と、第１期間においてデータ電位が供給される第１データ線及び第１電極間に設けられる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、第２期間においてデータ電位が供給される第２データ線及び第２電極間に設けられる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、第１・第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を、これら第１・第２スイッチング素子に供給する走査線（３）と、第１・第２スイッチング素子がオン状態からオフ状態へと遷移する場合において、走査線の電位の変動によって、第１電極、及び、第２電極が受ける電位変動の影響の双方を等しくするフィードスルー防止手段とを備える。図中、当該手段は、第１・第２コンデンサー（Ｃ１３，Ｃ２３）からなり、これらの容量値は等しい。 （もっと読む）

【課題】表示装置内に多くのセンサを設けた場合でも消費電力の増加を抑制しつつ安定した検出を行うことができるようにすること。
【解決手段】本発明は、複数の画素を備える表示部と、表示部内に設けられ、外部からの圧力によって閉じるスイッチ３０ａと、スイッチ３０ａからの信号と基準信号との比較によってスイッチ３０ａが閉じているか否かを検出する検出部３０と、検出部３０で検出を行う前に、スイッチ３０ａの一方の電極と導通する配線にプリチャージ電位を与えるプリチャージ部２５と、検出部３０で検出を行う際に、スイッチ３０ａの他方の電極と導通する配線に所定の電位を与える検出部用電位供給部７１とを有する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】位置検出用のセンサを表示部に内蔵しても、表示用の駆動信号の影響を受けずに正確に検出できるようにすること。
【解決手段】本発明は、ＴＦＴ基板１と対向基板２とが対向配置される領域で複数の画素を備える表示部１０と、ＴＦＴ基板１と対向基板２とが対向配置される領域内に設けられ、外部からの圧力によって２つの電極が閉じるスイッチを有するセンサ部１１と、スイッチからの信号と基準信号との比較によってスイッチが閉じているか否かを検出する検出部３０と、検出部３０で検出を行う前に、スイッチの一方の電極と導通する配線にプリチャージ電位を与えるプリチャージ部とを有する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、第１電位ノード〔VDD〕と接続された第１ノード〔VOUT〕と、第１ノード〔VOUT〕と第１電位ノードより低電位である第２電位ノード〔VSS〕との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスタ〔NT1〕および第２のｎチャネル型トランジスタ〔NT2〕を有し、第１のｎチャネル型トランジスタ〔NT1〕の一端は、第２電位ノード〔VSS〕に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスタの一端に接続され、ゲート端子は、第２ノード〔VIN〕に接続され、第２のｎチャネル型トランジスタ〔NT2〕の他端は、第１ノード〔VOUT〕に接続され、ゲート端子は、第１電位ノード〔VDD〕と第２電位ノード〔VSS〕との間に位置する第１中間電位〔VM1〕に接続されている。第２のｎチャネル型トランジスタにより分圧され、各トランジスタに印加される電圧を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 １つの画素が第１の副画素と第２の副画素からなる液晶表示装置の消費電力の低減と、画質の劣化の防止を両立させる。
【解決手段】 隣接する２本の走査信号線の間に、第１のＴＦＴ素子および第１の画素電極ならびに第１の保持容量電極を有する第１の副画素と第２のＴＦＴ素子および第２の画素電極ならびに第２の保持容量電極を有する第２の副画素とが配置されており、第１のＴＦＴ素子と第２のＴＦＴ素子とはゲートが異なる走査信号線に接続しており、第１の保持容量電極と第２の保持容量電極とが電気的に接続しており、１フレーム期間中に第１の画素電極に加える階調電圧と共通電極との電位差と、第２の画素電極に加える階調電圧と共通電極との電位差との関係が同じ関係である場合、第１の保持容量電極および第２の保持容量電極の電位は、第１のＴＦＴ素子または第２のＴＦＴ素子のいずれかがオンになっている期間に変動する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 画素メモリ内蔵型の液晶表示装置であって、更なる低消費電力を実現すると共に、高品質の画像を表示することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上にマトリクス状に配置された液晶画素ＰＸと、列毎に設けられ、各列のそれぞれの液晶画素と接続して当該液晶画素に映像信号に対応する２値信号を供給する信号線Ｓと、行毎に設けられ、各行のそれぞれの液晶画素と接続し、行単位に液晶画素を選択して映像信号に対応する２値信号を書き込み・保持させる複数の制御信号を供給する制御線Ｇとを有し、液晶画素は、映像信号に対応する２値信号を取り込むスイッチ素子Ｗと、取り込んだ２値信号を保持するスタティックメモリ１０と、保持された２値信号の極性を制御する極性制御部１３と、極性が制御された２値信号から液晶に印加する電圧を生成する印加電圧生成部１４と、印加された電圧に対応して透過率を変更する液晶ＣＬＣとを備えた液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低下させ、画質を向上させたダイナミックメモリ内蔵の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数のソース線と複数のゲート線の交点に設けられた、周期的にリフレッシュが行われて出力状態が反転する少なくとも一つのダイナミックメモリセル（ＤＲＡＭ）と、このダイナミックメモリセルのディジタル出力により透過率が制御される液晶素子（ＬＱ）とを画素単位として、該画素単位がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ダイナミックメモリセルの出力と前記液晶素子との間に、これらの接続を制御信号（ＥＮＡＢＬＥ）により制御可能なスイッチ素子（５）を備えたことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 一本のデータ線を用いて、差動書き込みによる理想的な、画素回路の交流駆動を実現し、寄生容量に起因するクロストークを防止し、レイアウトを容易化する。
【解決手段】 画素回路は、第１電極１ａと、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給されるデータ線１０ａとの間に設けられ、第１期間においてオン状態となり第２間においてオフ状態となる第１スイッチング素子１１０と、第２電極１ｂとデータ線１０ａとの間に設けられ、第１期間においてオフ状態となり、第２期間においてオン状態となる第２スイッチング素子１２０と、第１電極１ａと第１基準電位ノードＮ１との間に設けられ、第１期間においてオフ状態となり、第２期間においてオン状態となる第３スイッチング素子１３０と、第２電極１ｂと第２基準電位ノードＮ２との間に設けられ、第１期間においてオン状態となり、第２期間においてオフ状態となる第４スイッチング素子１４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】動画及び静止画のいずれも表示可能な、マルチビットＭＩＰ技術を用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ装置等を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に従うディスプレイ装置は、行及び列のマトリクス状に配置された複数の画素Ｐ１と、それら複数の画素へアナログ又はデジタルのいずれか一方のデータ形式で画像データを供給するソースドライバ２０とを有する。複数の画素Ｐ１の夫々は、複数のサブ画素ＳＰ１１〜ＳＰ１４に分割され、それら複数のサブ画素の夫々に、表示素子Ｃ１１〜Ｃ１４と、ソースドライバ２０から供給されるデジタル画像データに含まれる各表示素子のための階調表示データを記憶する記憶手段４０と、記憶手段４０に記憶される階調表示データ又はソースドライバ２０から供給されるアナログ画像データのいずれか一方が各表示素子へ供給されるよう切り替わるデータ切替手段４４とを設けられる。 （もっと読む）

【課題】 画像の乱れを防止し、画像表示面上の物体位置検出を高精度に行うことが可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】画像表示面上のある地点を指示する指、ペン先等の物体の位置の検出は、光量検出素子が計測する該画像表示面全体の光量に基づいて行われる。前記画像は、第１及び第２電極、並びに、これらに挟持され且つ所定の電位が供給されることによってその光学的特性が変化する液晶、からなる液晶素子によって表示される。この場合、これら第１及び第２電極間に与えられる電位差の極性は所定の周期で反転させられる（図中“ＶＣＯＭ”は第１及び第２電極のうちの一方の電位の波形を表す。）。そして、前述の位置検出は、前記極性の反転タイミング（Ｋ１，Ｋ２）における前記光量検出素子の計測結果を除いた計測結果に基づいて、行われる（図中“読出信号”の波形参照）。 （もっと読む）

【課題】ドレインを画素電極に接続し、ソースをソースバスに接続し、ゲート電圧に応じて前記画素電極の印加電圧を制御する第１のトランジスタとを有し、フリッカを低減する表示装置、電子装置、電子システムを提供する。
【解決手段】画素電極とドレインが前記画素電極に、ソースをソースバスに接続し、ゲートに印加されるゲート電圧に応じて前記画素電極印加電圧を制御する画素駆動用トランジスタとを有し、前記画素駆動用トランジスタのゲートに接続し、前記トランジスタのゲートに印加する電圧を保持するキャパシタンスと、ドレインがトランジスタのゲートと前記キャパシタンスとの接続点に接続され、ソースが前記ソースバスに接続され、ゲートがゲートラインに接続され、前記キャパシタンスの印加電圧を制御するゲート駆動電圧制御用トランジスタと、前記キャパシタンス電圧を、隣接するソースバスで、異なる電圧となるように交互に切り換える。 （もっと読む）

【課題】画質への悪影響を抑えつつ、高速な表示駆動動作を簡易に実現することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲートドライバ５２によるＴＦＴ素子２４の動作制御に応じて、同一のフレーム期間内で映像信号Ｄinに基づく駆動電圧が互いに逆極性に印加される液晶素子２２Ａ，２２Ｂ同士を、電気的に接続するようにする。これにより、前後のフレーム期間における駆動電圧の大きさには依存せずに、各液晶素子２２Ａ，２２Ｂに対し、映像信号Ｄinに基づく駆動電圧の印加前に、低輝度電圧が簡易に印加可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルの製造工程数の増大を招くことなく、視野角依存性の機差を液晶パネルの製造後においても容易に補正可能にする。
【解決手段】表示画素Ｐ（ｉ，ｊ）は、互いの画素電極が分離された第一副画素Ｐ１（ｉ，ｊ）と第二副画素Ｐ２（ｉ，ｊ）とを有し、第一副画素と第二副画素とのそれぞれが、画素電極と共通電極との間に液晶が挟持された液晶容量と、画素電極と補助容量線との間に固体からなる誘電体が挟持された補助容量と、を有していると共に、第一副画素及び第二副画素の何れか一方は、画素電極と昇圧用容量線との間に固体からなる誘電体が挟持された昇圧用容量を有しており、共通電極と補助容量線とに共通の第一電圧を印加する第一電圧印加手段１４と、昇圧用容量線に第一電圧とは異なる第二電圧を印加する第二電圧印加手段１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】選択信号供給部の出力回路に要求される高い電流供給能力及び高速動作を実現しつつ、非選択期間の選択線にそれぞれ接続されている各アクティブ素子及び選択信号供給部の出力回路に要求される電流の低減とを実現することができる画像表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス回路１０１の複数の選択線１２１に選択信号を所定のタイミングで順次供給する選択信号供給部１０２と、同回路１０１の複数の画素信号線１２２に画素信号を選択信号が供給されている選択期間中の所定のタイミングで供給する画素信号供給部１０４とを備える。選択信号供給部の出力回路１０３は、有機半導体のｐチャネルＦＥＴが用いられ、そのＦＥＴが選択信号の供給されない非選択期間中にオフになるように構成されている。アクティブマトリックス回路の複数のアクティブ素子１２３は、有機半導体のｎチャネルＦＥＴで構成されている。 （もっと読む）

【課題】各表示画素毎にメモリ部を配置した表示装置において、各表示画素のメモリ部に記憶されたデータ値を読み出す。
【解決手段】複数の表示画素と、前記表示画素に映像データを入力する映像線とを有する表示パネルを備え、前記表示画素は、前記映像データを記憶するメモリ部を有し、前記メモリ部は、入力端子が第１のノードに接続され、出力端子が第２のノードに接続される第１のインバータ回路と、入力端子が前記第２のノードに接続され、出力端子が前記第１のノードに接続される第２のインバータ回路とで構成され、前記表示画素は、前記第２のインバータ回路の前記出力端子と前記映像線との間に接続される第１トランジスタと、前記第１のノードと前記映像線との間に接続される第２トランジスタを有し、前記映像データの読み出し時に、前記第２トランジスタはオフ、前記第１トランジスタはオンとなり、前記メモリ部に記憶された前記映像データを前記映像線に出力する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で正確に人の指やペンの接触を検出する。
【解決手段】画素回路Ｐａは、走査線３０とノードＮとの間にトランジスタ３３、データ線３１と増幅トランジスタ４１との間にトランジスタ４３を備える。増幅トランジスタ４３のゲートはノードＮを介してトランジスタ３３に接続されている。ノードＮには液晶容量３７、基準容量４４、および保持容量４５が接続される。プレチャージ期間にノードＮにはプレチャージ電位が書き込まれ、センシング期間においてセンシング信号ＳＥＮｉがハイレベルになると、電荷の移動が起こり、ノードＮの電位が変動する。この電位変化は計測信号Ｉdet[i]として読み出される。 （もっと読む）

【課題】データ駆動部等を交換することなく液晶表示装置が利用できる画素電圧範囲を増加させて、透過率を向上させることができ、駆動部の製造費用を節減し、表示板の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、第１基板及び第２基板の間に配置され液晶分子を含む液晶層と、第１基板上に形成されゲート信号を伝達するゲート線と、第１基板上に形成され異なる極性の第１データ電圧及び第２データ電圧をそれぞれ伝達する第１及び第２データ線と、ゲート線及び第１データ線に接続される第１スイッチング素子と、ゲート線及び第２データ線に接続される第２スイッチング素子と、第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子に各々接続され、互いに分離されている第１画素電極及び第２画素電極とを有し、液晶層は正の誘電率異方性を有する液晶分子を含む。 （もっと読む）