電気光学装置及び電子機器
【課題】 クロストーク等を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子と、データ電位が供給される第１データ線（６ａ）及び第１電極間に設けられ、第１期間でオン状態、第２期間でオフ状態となる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、データ電位が供給される第２データ線（６ｂ）及び第２電極間に設けられ、第１期間でオフ状態、第２期間でオン状態となる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、第１電極を覆うように形成される。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子と、データ電位が供給される第１データ線（６ａ）及び第１電極間に設けられ、第１期間でオン状態、第２期間でオフ状態となる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、データ電位が供給される第２データ線（６ｂ）及び第２電極間に設けられ、第１期間でオフ状態、第２期間でオン状態となる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、第１電極を覆うように形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶等を含む電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学物質として液晶等を含む電気光学装置が提供されている。この電気光学装置では、液晶等に、画像データに応じた電位差を与えることで、その光透過率等の電気光学特性の変更が可能である。これを、当該液晶等を含む電気光学素子の複数の各々に個別的に適用すれば、画像の表示が可能となる。なお、前記電位差の液晶等への付与にあたっては、例えば、適当な形状、配置をもつ電極が利用される。
【０００３】
この電位差の液晶等への付与の仕方には様々な方法が提案されている。その中には、液晶等へ、一定の期間ごとに前とは逆極性の電位差を与える方法がある。これを実現するためには、例えば、２つの電極を用意するとともに、その双方の電極の各々に電気的に接続される２本のデータ線（それぞれ、前記画像データを供給する）を用意し、かつ、これら２組のデータ線及び電極間の導通・非導通を司る２つのスイッチング素子を設ける構成が知られている。これによると、ある期間において、一方のデータ線から一方の電極に対して画像データを供給するときは、他方の電極を接地電位等の基準電位に維持し、また、別の期間において、他方のデータ線から他方の電極に対して画像データを供給するときは、一方の電極を前記基準電位に維持する、等といった動作が行われる。これにより、液晶等へは交互に逆極性の電位差が与えられることになる。
このような電気光学装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０６５３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したような電気光学装置においては、解決すべき様々な問題がある。
例えば、第１には、電気光学装置によって表示される画像の品質に関わる問題がある。より具体的には、電気光学物質が前述のように液晶を含む場合には、当該液晶がある所定の光透過率をもつ状態に設定されたときには、それが可能な限り維持されることが好ましいし、あるいは、コントラスト比は常に高く維持されることが好ましい。さらには、隣接し合う画素間で、いわゆる混色が生じることも回避されるのが好ましい。
また、第２に、電気光学装置の製造に関わる問題がある。上述の電気光学装置は、前記電極等を製造するに当たって様々な半導体プロセスが利用されるのが一般的であるが、その場合、当該電極、あるいはその周囲の各種構造・構成要素等には可能な限り欠陥等を生じさせないような配慮がなされるべきである。
さらに、第３に、製造後の電気光学装置の駆動に関わる問題がある。すぐ上に述べたように、前記電極、配線その他の回路要素は、様々な半導体プロセスによって製造されることが一般的であるが、その配置態様によっては、無用な寄生容量の生成等によって、各回路要素の反応速度の低落等が懸念されることになる。
【０００６】
加えて、第４に、いわゆるクロストークの問題がある。すなわち、上述の電気光学装置においては、液晶素子等の電気光学素子をマトリクス状に配列することが行われているが、その場合、前記画像データの供給は、その配列中のある特定の電気光学素子（例えば、ある特定の行に位置する電気光学素子）ごとに行われるのが一般的である。この場合、供給されてきた画像データに（いわば）反応すべきは、当該特定の電気光学素子だけであるべきことが当然想定されている。
しかしながら、この際、当該特定の電気光学素子以外の電気光学素子が、当該画像データに反応してしまうことがある。これは、前記データ線が通常、マトリクス状配列の各行を貫くように延在していること、また、そのデータ線と当該電気光学素子との間に意図に沿わない寄生容量が形成されること、等を主要因とする。これが、クロストークである。
このような現象は、当然、画質に影響を与える。特に、上述したような構成、即ち、それぞれ２つずつの、電極、データ線及びスイッチング素子を備える電気光学装置においては、各データ線が時宜に応じていわば交互に利用されるようなかたちとなること（ここで「利用」とは、現に画像データ供給用の配線として機能することを意味する）、また、各データ線と各電極との配置関係の設定如何、等々の要因が、前記主要因に重畳すること等によって、問題をより複雑にするおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上に形成される第１電極と、前記第１電極の上に絶縁膜を介して形成され且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、前記第１電極及び前記第１データ線間に形成される第１スイッチング素子と、前記第２電極及び前記第２データ線間に形成される第２スイッチング素子と、を備え、前記基板を平面視して、前記第２電極は、その側端部の少なくとも一部が、前記第１電極の側端部の外方に位置するように、形成される。
【０００９】
本発明によれば、第１及び第２電極並びに電気光学物質から、電気光学素子が構成される。電気光学物質が液晶ならば、この電気光学素子は液晶素子である。また、本発明においては、第１期間においては、第１電極がデータ電位、第２電極が例えば基準電位となり、第２期間においては、その逆に、第１電極が例えば基準電位、第２電極がデータ電位となることが可能である。これを連続させれば、液晶等の電気光学物質に、交互に逆極性の電位差が与えられる。このような構成によると、まず、スイッチング素子が２つ備えられていることから、前記制御信号のＯＮ・ＯＦＦ間の遷移に応じたフィードスルー（電気光学素子に印加される電圧の変化）の影響が第１及び第２電極に関してちょうど相殺されるかのようになることによるフリッカ低減効果、あるいは、電気光学素子に印加すべき電位差は原理的には１種だけ準備すればよいことによる消費電力低減効果等々の各種効果が享受される。
そして、本発明では特に、第１及び第２電極の配置関係が、上述のように規定されていることにより、以下の作用効果が奏される。すなわち、本発明において、第２電極の側端部の少なくとも一部は第１電極の側端部の外方に位置する、あるいは、第２電極は第１電極の周縁部の少なくとも一部を覆うように形成されることになる。したがって、前記絶縁膜の存在も考慮すると、これら第１及び第２電極からなる積層構造は、その局部的構造として、第１電極の側端部及び当該第１電極が形成される下地膜の双方を跨ぐように存在する絶縁膜と、当該側端部及び当該絶縁膜の全体を包み込むように存在する第２電極、という構造を含むことになる。
これによると、例えば第１及び第２電極の側端部がともに揃えられている場合に比べて、絶縁膜にクラック等の欠陥を生じさせるおそれが低くなる。なぜなら、そのような場合には、絶縁膜には、前述した、“跨ぐように存在する絶縁膜”に係る部分に、第１電極の高さ分に相当する段差が生じることになり、当該部分において前記欠陥を生じさせるおそれが高いのに対して、本発明では、当該部分を包み込むように第２電極が存在することになるからである。また、本発明によれば、仮に当該部分に前記欠陥が生じたとしても、それを覆い隠すように第２電極が存在することから、例えば第２電極形成時のエッチャントが前記欠陥に浸入していくなどといった不具合も殆ど生じえない。
このように、本発明によれば、第１及び第２電極の相対的配置関係という構造上の工夫により、欠陥のないより高品質な電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
なお、本発明にいう「電気光学素子」の具体的な構造や材料は基本的に自由に定められ得るが、例えば、既に言及した液晶素子のほか、場合によっては有機ＥＬ材料や無機ＥＬ材料からなる発光層を電極間に介在させた素子が本発明の「電気光学素子」として採用され得る。
また、本発明にいう「外方に位置する」を満たす具体的態様は、第１及び第２電極の具体的形状のあり方如何等により、様々なものが想定され得る。後述する本発明の実施形態においては、その一具体例が、図３等が参照されながら、説明される。
これに関連して、本発明においては、第２電極の側端部の少なくとも一部が第１電極の側端部の外方に位置するようにされるが、より好ましくは、第２電極の側端部の全部が第１電極の側端部の外方に位置するようにされるとよい。これによって、上述した本発明に係る効果がより実効的になることは言うまでもない。
【００１１】
この発明の電気光学装置では、前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上でマトリクス状配列に従って配列され、前記第１及び第２データ線は、それぞれ、前記マトリクス状配列の各列方向に沿って延びるように、かつ、前記組の各々に含まれる前記第２電極の両側辺に沿うように、かつ、前記基板上且つ前記第１電極よりも下層に位置付けられるように、形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２データ線の形成態様が、上述のように規定されていることにより、以下の作用効果が奏される。すなわち、本態様において例えば第１データ線に着目すると、まず（ｉ）第１データ線は、第１電極よりも下層に位置付けられるように形成され、かつ、既述のように（ｉｉ）第２電極は第１電極の上に形成される、ということからすると、第１データ線及び第１電極間に生じる寄生容量の容量値（以下、「容量値Ａ」ということがある。）は、第１データ線及び第２電極間に生じる寄生容量の容量値（以下、「容量値Ｂ」ということがある。）よりも大きくなる。ところが他方、この第１データ線は、本態様において（ｉｉｉ）第２電極の一方の側辺に沿うように形成され、また、前述のように（ｉｖ）第２電極の側端部が第１電極の側端部の外方に位置する、ということを併せ考えると、第１データ線が極めて異常な形状となるなどの特別の事情がない限り、一般的には、第１データ線は、第２電極により近く、第１電極により遠い、という位置づけを与えられるということがいえる。したがって、これらによれば、前記とは逆に、容量値Ａは容量値Ｂよりも小さくなる。なお、以上の事項は、第２データ線についても同様にあてはまる。
結局、これら（ｉ）（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）（ｉｖ）の事情を併せ考えると、本発明の特徴の１つである「外方に位置する」要件（特にその具体的な充足のあり方）によって、容量値Ａと容量値Ｂとを相互に近づけさせる、最好適には一致させることが可能になる。そして、これによれば、第１及び第２スイッチング素子がオフ状態にある場合において、第１又は第２データ線の電位の変動により、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を等しくすることが可能になる。
よって、本態様によれば、第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止され、前述したようなクロストークに係る問題を有効に解決することができる。
【００１２】
この態様では、前記マトリクス状配列中、前記組の各々に含まれる前記第１電極及び前記第１又は第２データ線間の距離は、第２電極の側端部と第１電極の側端部との間の距離以上である、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１電極と第１又は第２データ線との間の距離が一定程度以上に確保されるので、これらの間に生じる寄生容量の容量値を小さくすることが可能になる。したがって、第１又は第２データ線を用いたデータ電位の供給におけるタイミングマージンをより大きくとること、あるいは、第１及び第２電極をより高速に駆動すること、等が可能になる。
【００１３】
前述の、第１電極等からなる一組がマトリクス状配列に従って配列される態様では、前記電気光学物質は、前記第２電極の上に配置され、前記マトリクス状配列中、隣り合う前記組の各々に含まれる前記第２電極の側端部間の距離は、当該第２電極に対応する前記第１電極の側端部間の距離以下である、ように構成してもよい。
この態様によれば、第２電極間の距離が一定程度以下に抑制されるので、前記第１及び第２データ線に起因して発生する電界が、第２電極上に位置する電気光学物質に影響を及ぼす可能性を低めることができる。この電界は、例えば電気光学物質が液晶である場合、本来実現したい光透過率をより高め又はより低める原因となるから、所望の階調での画像表示を行うための外乱要因（殊に、コントラスト比を貶める要因）となる。また、この電界は、前記マトリクス配列上、隣に位置する第２電極上の液晶に作用する場合には、いわゆる混色の問題を生じさせる要因ともなる。
本態様によれば、このような不具合が生じないのである。
なお、このような効果を得るために、本態様は、第２電極は、第１電極よりも、より稠密に（あるいは、相互により接近して）配列される、と表現することも可能である。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、クロストークの影響が事前に回避されるなどの結果、高品質な画像を表示することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図２】図１の電気光学装置を構成する画素回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１の電気光学装置の一例としてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’断面図である。
【図５】本実施形態によって奏される作用効果（クラック等欠陥の発生防止）を説明するための説明図である。
【図６】本実施形態によって奏される作用効果（寄生容量（Ｃ１１）の容量値低減）を説明するための説明図である。
【図７】本実施形態によって奏される作用効果（画質改善）を説明するための説明図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図４を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図４に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００１７】
本発明の本実施形態に係る電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いる。電気光学装置１は、主要部として液晶パネルＡＡ（電気光学パネルの一例）を備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor;「ＴＦＴ」）を形成した素子基板と対向基板とを互いに対向させ、かつ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持している。
【００１８】
図１は本実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。この電気光学装置１は、液晶パネルＡＡ、制御回路３００、及び画像処理回路４００を備える。この液晶パネルＡＡは透過型であるが、半透過型であってもよいしあるいは反射型であってもよい。
液晶パネルＡＡは、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、及びデータ線駆動回路２００を備える。制御回路３００は、Ｘ転送開始パルスＤＸ及びＸクロック信号ＸＣＫを生成してデータ線駆動回路２００に供給するとともに、Ｙ転送開始パルスＤＹ及びＹクロック信号ＹＣＫを生成して走査線駆動回路１００に供給する。
画像表示領域Ａには、複数の画素回路Ｐ１がマトリクス状に形成されており、画素回路Ｐ１ごとに透過率を制御することができる。バックライト（図示略）からの光は、画素回路Ｐ１を介して射出される。これによって、光変調による階調表示が可能となる。また、画像処理回路４００は入力画像データＤｉｎに画像処理を施して出力画像データＤｏｕｔを生成し、これをデータ線駆動回路２００に出力する。
【００１９】
次に、画像表示領域Ａについて説明する。画像表示領域Ａには、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線３が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）組の第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。くわえて、基準電位ＧＮＤを供給する電位線（図１において不図示。ただし、図２の符号３０参照）がＸ方向に沿って平行に配列して形成される。そして、走査線３と第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂとの交差に対応して、ｍ（行）×ｎ（列）個の画素回路Ｐ１が配置される。
【００２０】
ｎ本の第１データ線６ａには第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａが各々供給され、ｎ本の第２データ線６ｂには第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂが各々供給される。また、各走査線３には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加される。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、ｉ行の走査線３の走査信号Ｙｉがアクティブになると、第１データ線６ａを介して供給される第１電位Ｘｊａ及び第２データ線６ｂを介して供給される第２電位Ｘｊｂを取り込む。
【００２１】
図２にｉ行ｊ列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）の回路図を示す。なお、他の画素回路Ｐ１も同様に構成されている。この図に示すように画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、導電型がｎチャネルの第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２、第１保持容量Ｃｓｔｇ１、第２保持容量Ｃｓｔｇ２、第３保持容量Ｃｓｔｇ３、並びに電気光学素子１３等を備える。
【００２２】
電気光学素子１３は、第１電極１３１と第２電極１３２の間に電気光学物質を挟持して構成される。電気光学物質は、印加電圧に応じて光学特性が変化するものであればいかなるものであってもよいが、この例では、液晶ＬＣを用いる。
電気光学素子１３の第１電極１３１は第１ノードＺａに接続される一方、その第２電極１３２が第２ノードＺｂに接続される。また、第１ノードＺａと電位線３０との間には第１保持容量Ｃｓｔｇ１が設けられ、第２ノードＺｂと電位線３０との間には第２保持容量Ｃｓｔｇ２が設けられる。
さらに、電気光学素子１３と並列に第３保持容量Ｃｓｔｇ３が設けられる。
ここで、第１乃至第３保持容量Ｃｓｔｇ１、Ｃｓｔｇ２、及びＣｓｔｇ３の一部又は全部は、容量素子として形成してもよいし、あるいは、第１電極１３１と第２電極１３２との間に付随する寄生容量や第１ノードＺａ又は第２ノードＺｂと電位線３０との間に発生する寄生容量であってもよい。
【００２３】
第１トランジスターＳＷ１０１は、第１ノードＺａと第１データ線６ａとの間に設けられており、第２トランジスターＳＷ１０２は、第２ノードＺｂと第２データ線６ｂとの間に設けられている。
これら第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のゲートは走査線３と接続される。走査信号Ｙｉがハイレベル（アクティブ）になると、第１トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２は共にオン状態となる。すると、第１電位Ｘｊａが電気光学素子１３の第１電極１３１に印加されるとともに第１保持容量Ｃｓｔｇ１によって保持される。また、第２電位Ｘｊｂが電気光学素子１３の第２電極１３２に印加されるとともに第２保持容量Ｃｓｔｇ２によって保持される。これによって、電気光学物質たる液晶ＬＣに電圧が印加され、透過率が制御される。
【００２４】
このような透過率制御を基本として、本実施形態に係る画素回路Ｐ１は特に、以下のように動作する（図２の下方参照）。
〔ｉ〕最初の期間では、走査線駆動回路１００は、走査線３にハイレベルの走査信号Ｙｉを供給することによって、第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２をともにオン状態とする。この際、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとして基準電位ＧＮＤを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１がデータ電位Ｖｄａｔａ、第２電極１３２が基準電位ＧＮＤとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。
〔ｉｉ〕次の期間でも、走査線駆動回路１００に起因する第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のオン状態への遷移は同様に行われる。ただ、この場合、前記の〔ｉ〕とは逆に、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとして基準電位ＧＮＤを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１が基準電位ＧＮＤ、第２電極１３２がデータ電位Ｖｄａｔａとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。このように、仮に、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの差が前記〔ｉ〕の場合と同じであったとしても、少なくともその極性は反転することになる（もちろん当該差が同じでなくても、その極性は同様に反転する。）。
〔ｉｉｉ〕以後は、以上の〔ｉ〕〔ｉｉ〕の動作が繰り返し行われる（図２の下方参照）。
なお、以上の場合において、データ電位Ｖｄａｔａは、各画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）別に応じて、それぞれ固有の具体的な値を持ちうることは言うまでもない。その具体的な値は、主に入力画像データＤｉｎの値如何による。
【００２５】
ブロック図（図１）ないし回路図（図２）としては以上のような構成をもつ電気光学装置１は、実際上は、例えば図３及び図４に示すような構造をもつ。ここに図３は、電気光学装置の一例としてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。図４は、図３に示す液晶装置の一部を拡大して示す概略的な断面図である。
【００２６】
これら図３及び図４においては、平面視して略長方形状をもつ第１電極１３１及び第２電極１３２が、前述した図２に示す電気光学素子１３を構成する第１電極１３１及び第２電極１３２に該当する（以下、同様にして、対応する要素については、その名称及び符号を共用する。）。このうち第１電極１３１は、図３に示すように、その長方形状の図中左下角部を一部切り欠いたような形状をもつ。他方、第２電極１３２は、逆に、図中右下角部分を一部切り欠いたような形状をもつ。この切り欠かれた部分に該当する領域は、第１電極１３１と第１データ線６ａ、又は第２電極１３２と第２データ線６ｂとの電気的接続を実現するためのコンタクトホールを形成するための領域などに利用される。図３においては、第１トランジスターＳＷ１０１を構成する半導体層（ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を含む層）１１１と第１電極１３１とがコンタクトホールＣＨ２を介して電気的に接続されるとともに、当該半導体層１１１と第１データ線６ａとがコンタクトホールＣＨ１を介して電気的に接続されている。また、同様にして、第２トランジスターＳＷ１０２を構成する半導体層１２１と第２データ線６ｂとはコンタクトホールＣＨ４を介し、半導体層１２１と第２電極１３２とはコンタクトホールＣＨ３を介して、それぞれ電気的に接続される。
【００２７】
第２電極１３２はまた、図３及び図４に示すように、複数のスリット１３２ｓをもつ。本実施形態において、スリット１３２ｓは、図３中上下方向に長い略長方形状をもち、その１本１本が互いに平行となるようにして並べられる。
【００２８】
これら第１電極１３１及び第２電極１３２は、図３及び図４に示すように、前者が下層、後者が上層の関係となるように重なり合う。両者間には、図４に示すように、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の適当な材料からなる層間絶縁膜３０３が形成され、当該両者間の電気的短絡が防止される。なお、これら第１電極１３１及び第２電極１３２と、その間に介在する層間絶縁膜３０３とによって、第３保持容量Ｃｓｔｇ３は構成される（図４参照）。
このような、第１電極１３１及び第２電極１３２の一組の重なり合いからなる構成が、前述した画素回路Ｐ１の基本を形作る。
【００２９】
また、これら第１電極１３１及び第２電極１３２は、図３に示すように、後者が前者を覆うように形成される。より詳細には、以下のようである。
すなわち、まず、第２電極１３２は前述のように図３中右下角部を一部欠く長方形状をもつが、その他の部分については、第２電極１３２の輪郭形状は、第１電極１３１のそれよりも一回り大きい。つまり、図４に示すように、第２電極１３２の側端部１３２ＭＳと、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳとの間には一定の距離Ｄｓがある、あるいは、側端部１３１ＭＳの位置を基準としてみれば、側端部１３２ＭＳの位置は、第１電極１３１の中心位置から距離Ｄｓ分だけ遠のくのである。
もっとも、第２電極１３２は、前述の切り欠き部分をもつため、この部分については、第１電極１３１は第２電極１３２によって覆われない（図３参照）。
このように、一部の例外はあるものの、第２電極１３２は、その側端部が第１電極１３１の側端部の外方に位置するように、あるいは、第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように、形成される。なお、第２電極１３２は、前述のようにスリット１３２ｓをもつが、このスリット１３２ｓの存在も、「第２電極が、第１電極を覆う」という場合の非該当性を基礎付けるものと考えてはならない。第２電極１３２がスリット１３２ｓをもっていたとしても、図３及び図４に示すところから明らかなように、「第２電極が、第１電極を覆う」と十分に言いうる場合は無限にある。
【００３０】
この液晶装置ではまた、図４中、第１電極１３１中の更に下層に位置付けられるようにして第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが形成される。
なお、第１データ線６ａの図３中の左側辺は、第２電極１３２の同図中左側辺に概ね一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。同様に、第２データ線６ｂの図３中の右側辺は、第２電極１３２の同図中右側辺に概ね一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。
また、第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂと、第１電極１３１との間には、図４に示すように、層間絶縁膜３０２が形成される。
【００３１】
以上の第１電極１３１、第１データ線６ａ等々の各要素は、図４に示すように、ガラス等からなる素子基板７を素地として形成される。
また、図４においては、この素子基板７と前記層間絶縁膜３０２との間に層間絶縁膜３０１が形成されることが描かれているが、これは、前述した走査線３、電位線３０（これらについては図３参照）、さらには第１保持容量Ｃｓｔｇ１（これについては図３及び図４において不図示）、等々の各種回路要素を形成するため、あるいは、そのような回路要素間の電気的短絡の防止、さらには当該回路要素間の好適な立体的配置関係の設定のため等に利用される（ただし、図３及び図４では、それらの回路要素及びその接続態様等の全部又は一部についての図示は省略している。）。
【００３２】
なお、図３及び図４では、以上のほか、第２電極１３２上の配向膜、液晶ＬＣ、あるいは各画素回路Ｐ１間の光の混色を防止するためのブラックマトリクス等々の各種要素が備えられ得るが、その図示は省略した。また、図３及び図４は単なる一例であるから、上述した層間絶縁膜３０１〜３０３以外のその他の層間絶縁膜等を設けることによって、前述した各種回路要素の配置態様とは異なる配置態様が採用されてよい。本発明は、基本的に、どのような配置態様でも、その範囲内に含む。
【００３３】
このような構成において、第１電極１３１と第２電極１３２との間に駆動電圧を印加すると、これらの電極の形状に応じた電界が生じる。より詳しくは、第２電極１３２の上面から出て第２電極１３２のスリット１３２ｓを通り第１電極１３１の上面に至る電気力線を有する電界が発生する。このとき、第２電極１３２の上方（即ち、液晶ＬＣが配置されている領域）における電界は、素子基板７に平行な成分を有する横電界となる。液晶分子は、この横電界によって駆動され、素子基板７に平行な面内で配向方向を変える。ＦＦＳモードの液晶装置によれば、上記のように液晶分子が常に素子基板７に対して平行な状態で駆動されることに起因して、広い視野角が得られる。
【００３４】
次に、本実施形態における特徴部分、特に第１電極１３１と第２電極１３２との配置関係等から導き出される作用効果について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５乃至図７の各図面を参照しながら説明する。
【００３５】
（１） まず、本実施形態においては、上述のように第２電極１３２の側端部が第１電極１３１の側端部の外方に位置するように、あるいは、第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように形成されるので、例えば第１及び第２電極１３１及び１３２の側端部がともに揃えられるような場合に比べて、構造上、より欠陥の少ない電気光学装置を提供することができる。
図５〔Ａ〕及び〔Ｂ〕は、この事情を表現する。すなわち、図５〔Ａ〕は図４の一部を拡大したものであり、第２電極１３２の側端部１３２ＭＳが、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳの外方（図中左方）に位置する様子を表す。一方、図５〔Ｂ〕では、第２電極１３２の側端部１３２ＭＳと、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳとが揃えられている場合（図中破線ＳＬ参照）の例が示されている。
【００３６】
これら図５〔Ａ〕及び〔Ｂ〕においては、層間絶縁膜３０３の一部に段差ＳＲが生じることが示されている。この段差ＳＲは、第１電極１３１が一定の高さをもって成膜される以上、殆ど必然的に生じる。しかし、この段差ＳＲの存在によると、図５〔Ｂ〕に示すように、クラックＱ等の欠陥を生じさせやすい。これは、第側端部１３１ＭＳ周囲の層間絶縁膜３０３の成膜厚さの不足や、あるいは、応力集中の生じ易さ等を原因とする。そして、このようなクラックＱ等が生じると、第１に、第３保持容量Ｃｓｔｇ３の性能に悪影響を及ぼす（場合によっては、第１及び第２電極１３１及び１３２間の絶縁を破壊する）、第２に、第２電極１３２の製造段階におけるエッチング工程等において、そのエッチャントが当該クラックＱに浸入する、などの様々な不具合を生じさせるおそれがある（後者の場合さらに、クラックＱが第１電極１３１にまで達していると、形成済みの第１電極１３１のエッチングを進行させてしまうおそれがある。）。
【００３７】
この点、本実施形態に係る図５〔Ａ〕においては、以上に述べたような不具合を被る可能性は極めて低い。というのも、図から明らかなように、本実施形態では、第２電極１３２が、段差ＳＲの全体を包み込むように存在することになるため、そもそも、クラックＱ等の欠陥が発生しにくい状況となっているからである。また、図５〔Ａ〕において仮に図５〔Ｂ〕に示すようなクラックＱが発生したとしても、第２電極１３２は、それを覆い隠すように存在することから、例えば前述のような第２電極１３２製造時のエッチャント浸入などといった不具合も殆ど発生し得ない。
このように、本実施形態によれば、第１及び第２電極１３１及び１３２の相対的配置関係という構造上の工夫により、欠陥のないより高品質な電気光学装置を提供することができる。
【００３８】
（２） 次に、本実施形態においては、クロストーク問題を有効に解消することが可能である。
上で参照した図２及び図４においては、第１電極１３１と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間、及び、第２電極１３２と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間に、第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２が生じる様子を併せ示しておいた。ここで、第１寄生容量Ｃ１１は、第１電極１３１と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第２寄生容量Ｃ１２は、第１電極１３１と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である。また、第３寄生容量Ｃ２１は、第２電極１３２と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第４寄生容量Ｃ２２は、第２電極１３２と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である。
【００３９】
これら第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、クロストークの原因となる。すなわち、本実施形態の電気光学装置１を構成する全画素回路Ｐ１（図１参照）は、上述のように、走査線３が線順次に選択されていく過程を通じて駆動されるが、この場合、本来であれば、選択の対象となっている画素回路Ｐ１以外の画素回路Ｐ１は、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂを介して供給されてくるデータ信号Ｖｄａｔａに反応してはならない。しかしながら、図４に示したような、第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、図２に示す第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２がオフ状態にあったとしても、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂの電位変動を、第１又は第２電極１３１又は１３２の電位変動にいわば中継してしまうおそれがある。
【００４０】
この点、本実施形態においては、まず、図３及び図４に示すように、第１データ線６ａは、第１電極１３１よりも下層に位置付けられ、また、第２電極１３２は第１電極１３１の上に形成される、ということから、第１寄生容量Ｃ１１の容量値γ１は、第３寄生容量Ｃ２１の容量値γ３よりも大きくなる。
他方、本実施形態においては、同じく図３及び図４に示すように、（ｉ）第１データ線６ａが第２電極１３２の側辺に沿うように延びる、（ｉｉ）第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように形成される、ということから、第１データ線６ａは、第２電極１３２により近く、第１電極１３１により遠いという位置付けが与えられる。これによると、前記とは逆に、容量値γ１は容量値γ３よりも小さくなる。
そうすると、このうちの特に、（ｉｉ）に係る、第２電極１３２によって第１電極１３１が覆われる程度、換言すると、図４に示す距離Ｄｓの大きさの如何によっては、容量値γ１と容量値γ３とを相互に近づけさせる、最好適には一致させることが可能になる。そして、これによれば、第１及び第２スイッチング素子ＳＷ１０１及びＳＷ１０２がオフ状態にある場合において、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂの電位の変動により、第１電極１３１、及び、第２電極１３２が受ける電位変動の影響、の双方を等しくすることが可能になる。
このように、本実施形態によれば、第１及び第２電極１３１及び１３２が意図しない挙動を示すことが未然に防止され、クロストークに起因する悪影響を有効に回避することができる。
【００４１】
なお、以上のことは、第２データ線６ｂについてもいえる。ちなみに、図４左方では、図４右方に示す第１電極１３１に隣接する第１電極１３１の右側端が描かれているが、当該右側端は、図４右方に示される第１電極１３１の右側端の状態を描いたものとみなすことが可能である。
【００４２】
（３） さらに、本実施形態によれば、第１データ線６ａが第２電極１３２の側辺に沿うように形成され、かつ、第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように形成されていることから、第１データ線６ａと第１電極１３１との間には一定程度大きな距離が置かれることになる。少なくとも図６に示すように、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳと、第１データ線６ａの側端部とが揃うような場合に比べて、本実施形態に係る場合のほうが、第１電極１３１の第１データ線６ａからの距離は遠ざかるということがいえる（図４及び図６対比参照）。そうすると、第１寄生容量Ｃ１１の容量値γ１の値は、図４の場合のほうが、図６の場合よりも小さくなる。
これにより、本実施形態によれば、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂを用いたデータ電位Ｖｄａｔａの供給におけるタイミングマージンをより大きくとること、あるいは、第１及び第２電極１３１及び１３２をより高速に駆動すること、等が可能になる。
【００４３】
（４） 加えて、本実施形態においては、図３及び図４に示すように、隣り合う第２電極１３２間の距離が一定程度狭い（図７〔Ａ〕も参照）。したがって、本実施形態によれば、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂに起因して発生する電界が、第２電極１３２上に位置する液晶に影響を及ぼす可能性を低めることができる。図７〔Ａ〕及び〔Ｂ〕は、この事情を表現する。すなわち、図７〔Ｂ〕に示すように、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳと第２電極１３２の側端部１３２ＭＳとが揃えられている場合には、前記電界が、液晶分子の存在する領域にいわば漏れ出るようなかたちになる（図中実線矢印参照）。これは、図示する２つの画素回路Ｐ１において本来実現したい光透過率をより高め又はより低める原因となるから、所望の階調での画像表示を行うための外乱要因（殊に、コントラスト比を貶める要因）となる。また、この電界は、前記マトリクス配列上、隣に位置する第２電極上の液晶に作用する場合には、いわゆる混色の問題を生じさせる要因ともなる（図中破線矢印参照）。
本実施形態においては、図７〔Ａ〕に示すように、前記電界が第２電極１３２によっていわば遮蔽されるようなかたちになるので、そのような不具合を抑制することが可能となる。つまり、本実施形態に係る電気光学装置１によれば、より高品質な画像を表示し、あるいは、画像の品質を向上・維持することが可能になる。
【００４４】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置ないし画素回路は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記実施形態においては、第２電極１３２の側端部が第１電極１３１の側端部の「外方に位置する」という場合の具体的形態について、図３等を参照して説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
想定され得る第１及び第２電極の具体的形状は様々である。例えば「マトリクス状」が、図１に示すような配列態様を意味する場合もあれば、行方向に並ぶ画素回路が１個ごと段違いに並ぶ場合（いわば画素回路全体が市松模様状に並ぶ場合）もあり、それに応じて、好適な第１及び第２電極の形状も変わってくる可能性がある。それ以外にも、様々な理由で、第１及び第２電極の具体的形状は上記実施形態と比べて変更を受ける可能性があるが、本発明は、基本的に、どのような形状であっても適用が可能である。
【００４５】
これに関連して、ここでは上記実施形態の特徴等について改めてまとめておく。
まず、（α）上記実施形態では、図３に示したように、第２トランジスターＳＷ１０２の形成領域に対応する部分において、第２電極１３２の側端部が、第１電極１３１の側端部の外方に位置するようにはなっていないが、このことは、第１電極１３１と当該第２トランジスターＳＷ１０２その他の回路要素との電気的接続を無理なく図ること等の他の目的に貢献している。つまり、「外方に位置する」とはいっても、それが第２電極１３２の側端部の全部について充足される必要は必ずしもない。むしろ、それが充足されない部分で、他の効果（例えば、すぐ上に述べた、無理なき電気的接続等）が享受される可能性があることからすると、外方に位置「しない」部分を設ける可能性について、積極的な考慮が払われてもよい。
【００４６】
（β） とはいえ、上記実施形態の説明において述べたように、第１及び第２電極１３１及び１３２と、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの関連によって奏される効果は、本発明においてより重視されるべきであるから、第２電極１３２の側端部のうち、当該第１及び第２電極１３１及び１３２の形成領域に対応する部分については、より強く、第１電極１３１の側端部の外方に位置することが推奨される。なお、この点を重視すると、図３中、第２電極１３２の上辺及び下辺については、さほど強くは、「外方に位置する」ことは要求されない。
【００４７】
（γ） なお、以上によると、部分的には、本発明の観点とは逆に、第１電極１３１の側端部が第２電極１３２の側端部の外方に位置する、という状況も生じうることになるが、言うまでもなく、そのことが直ちに、本発明の範囲から外れることを意味するわけではない。本発明にいう「第２電極…の側端部の少なくとも一部が、前記第１電極の側端部の外方に位置する」というのは、その「少なくとも一部」以外の部分をどうすべきかについて、基本的には、自由に委ねる。
【００４８】
（２） 上記実施形態においては、第２電極１３２の各スリット１３２ｓは互いに平行であり、一定の間隔をおいて配置されるようになっているが、本発明はかかる形態に限定されない。
要は、第１電極１３１と第２電極１３２との間の斜め方向の電界により、液晶ＬＣ内の液晶分子が制御されるように、第２電極１３２のスリットは形成されていればよいから、例えば、第２電極１３２の各スリットは、走査線３の延在方向に沿って設けられていてもよく、あるいは、走査線３の延在方向に対し、所定の角度を持つように設けられていてもよい。さらには、走査線３の延在方向に対し、第１の角度を持つように設けられた第１スリットと、第２の角度を持つように設けられた第２スリットとがあってもよい。
【００４９】
（３） 上記実施形態においては、画素回路Ｐ１の動作について、〔ｉ〕から〔ｉｉｉ〕までの段階に分けて説明を行ったが、これに関連して、データ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様ないしタイミングには、様々なものが想定される。
例えば、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの切替えはフレーム単位で行われてよい。この場合には、図１に示す全画素回路Ｐ１が一通り駆動されるまでは、当該全画素回路Ｐ１に関し、例えば第１データ線６ａには常にデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには常に基準電位ＧＮＤが供給されるなどということになる（Ｖ反転方式）。
あるいは、当該切替えはデータ線ごと（列ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）に対応する第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、その隣の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ＋１）に対応する第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｓ反転方式）。
あるいは更に、当該切替えは走査線ごと（行ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ，１），…，Ｐ１（ｉ，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、次の行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ＋１，１），…，Ｐ１（ｉ＋１，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｈ反転方式）。
あるいは加えて、前記のＳ反転方式及びＨ反転方式を併用したドット反転方式が行われてもよい。
【００５０】
いずれにしても、このようなデータ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様は、ある特定の１個の画素回路Ｐ１に着目するとき、それ自身に対応する第１及び第２データ線６ａ及び６ｂ以外のデータ線の電位変動が、当該画素回路Ｐ１に含まれる第１及び第２電極１３１及び１３２に与える影響に相違をもたらす可能性がある。前述した各寄生容量（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ３１，Ｃ３２）の容量値及びその関係を決定するにあたっては（即ち、第２電極１３２が第１電極１３１を「覆う」ということの具体的態様を定めるにあたっては）、場合により、このような事情への配慮が加えられると好適である。
【００５１】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。
図８は、上記実施形態に係る電気光学装置１を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図９に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
図１０に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００５２】
本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００５３】
１……電気光学装置、１００……走査線駆動回路、２００……データ線駆動回路、Ｐ１，Ｐ２……画素回路、１３……電気光学素子、１３１……第１電極、１３２……第２電極、３……走査線、３０……電位線、６ａ……第１データ線、６ｂ……第２データ線、Ｃｓｔｇ１，Ｃｓｔｇ２，Ｃｓｔｇ３……第１〜第３保持容量、ＳＷ１０１……第１トランジスター、ＳＷ１０２……第２トランジスター、Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２……第１〜第４寄生容量
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶等を含む電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学物質として液晶等を含む電気光学装置が提供されている。この電気光学装置では、液晶等に、画像データに応じた電位差を与えることで、その光透過率等の電気光学特性の変更が可能である。これを、当該液晶等を含む電気光学素子の複数の各々に個別的に適用すれば、画像の表示が可能となる。なお、前記電位差の液晶等への付与にあたっては、例えば、適当な形状、配置をもつ電極が利用される。
【０００３】
この電位差の液晶等への付与の仕方には様々な方法が提案されている。その中には、液晶等へ、一定の期間ごとに前とは逆極性の電位差を与える方法がある。これを実現するためには、例えば、２つの電極を用意するとともに、その双方の電極の各々に電気的に接続される２本のデータ線（それぞれ、前記画像データを供給する）を用意し、かつ、これら２組のデータ線及び電極間の導通・非導通を司る２つのスイッチング素子を設ける構成が知られている。これによると、ある期間において、一方のデータ線から一方の電極に対して画像データを供給するときは、他方の電極を接地電位等の基準電位に維持し、また、別の期間において、他方のデータ線から他方の電極に対して画像データを供給するときは、一方の電極を前記基準電位に維持する、等といった動作が行われる。これにより、液晶等へは交互に逆極性の電位差が与えられることになる。
このような電気光学装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０６５３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したような電気光学装置においては、解決すべき様々な問題がある。
例えば、第１には、電気光学装置によって表示される画像の品質に関わる問題がある。より具体的には、電気光学物質が前述のように液晶を含む場合には、当該液晶がある所定の光透過率をもつ状態に設定されたときには、それが可能な限り維持されることが好ましいし、あるいは、コントラスト比は常に高く維持されることが好ましい。さらには、隣接し合う画素間で、いわゆる混色が生じることも回避されるのが好ましい。
また、第２に、電気光学装置の製造に関わる問題がある。上述の電気光学装置は、前記電極等を製造するに当たって様々な半導体プロセスが利用されるのが一般的であるが、その場合、当該電極、あるいはその周囲の各種構造・構成要素等には可能な限り欠陥等を生じさせないような配慮がなされるべきである。
さらに、第３に、製造後の電気光学装置の駆動に関わる問題がある。すぐ上に述べたように、前記電極、配線その他の回路要素は、様々な半導体プロセスによって製造されることが一般的であるが、その配置態様によっては、無用な寄生容量の生成等によって、各回路要素の反応速度の低落等が懸念されることになる。
【０００６】
加えて、第４に、いわゆるクロストークの問題がある。すなわち、上述の電気光学装置においては、液晶素子等の電気光学素子をマトリクス状に配列することが行われているが、その場合、前記画像データの供給は、その配列中のある特定の電気光学素子（例えば、ある特定の行に位置する電気光学素子）ごとに行われるのが一般的である。この場合、供給されてきた画像データに（いわば）反応すべきは、当該特定の電気光学素子だけであるべきことが当然想定されている。
しかしながら、この際、当該特定の電気光学素子以外の電気光学素子が、当該画像データに反応してしまうことがある。これは、前記データ線が通常、マトリクス状配列の各行を貫くように延在していること、また、そのデータ線と当該電気光学素子との間に意図に沿わない寄生容量が形成されること、等を主要因とする。これが、クロストークである。
このような現象は、当然、画質に影響を与える。特に、上述したような構成、即ち、それぞれ２つずつの、電極、データ線及びスイッチング素子を備える電気光学装置においては、各データ線が時宜に応じていわば交互に利用されるようなかたちとなること（ここで「利用」とは、現に画像データ供給用の配線として機能することを意味する）、また、各データ線と各電極との配置関係の設定如何、等々の要因が、前記主要因に重畳すること等によって、問題をより複雑にするおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上に形成される第１電極と、前記第１電極の上に絶縁膜を介して形成され且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、前記第１電極及び前記第１データ線間に形成される第１スイッチング素子と、前記第２電極及び前記第２データ線間に形成される第２スイッチング素子と、を備え、前記基板を平面視して、前記第２電極は、その側端部の少なくとも一部が、前記第１電極の側端部の外方に位置するように、形成される。
【０００９】
本発明によれば、第１及び第２電極並びに電気光学物質から、電気光学素子が構成される。電気光学物質が液晶ならば、この電気光学素子は液晶素子である。また、本発明においては、第１期間においては、第１電極がデータ電位、第２電極が例えば基準電位となり、第２期間においては、その逆に、第１電極が例えば基準電位、第２電極がデータ電位となることが可能である。これを連続させれば、液晶等の電気光学物質に、交互に逆極性の電位差が与えられる。このような構成によると、まず、スイッチング素子が２つ備えられていることから、前記制御信号のＯＮ・ＯＦＦ間の遷移に応じたフィードスルー（電気光学素子に印加される電圧の変化）の影響が第１及び第２電極に関してちょうど相殺されるかのようになることによるフリッカ低減効果、あるいは、電気光学素子に印加すべき電位差は原理的には１種だけ準備すればよいことによる消費電力低減効果等々の各種効果が享受される。
そして、本発明では特に、第１及び第２電極の配置関係が、上述のように規定されていることにより、以下の作用効果が奏される。すなわち、本発明において、第２電極の側端部の少なくとも一部は第１電極の側端部の外方に位置する、あるいは、第２電極は第１電極の周縁部の少なくとも一部を覆うように形成されることになる。したがって、前記絶縁膜の存在も考慮すると、これら第１及び第２電極からなる積層構造は、その局部的構造として、第１電極の側端部及び当該第１電極が形成される下地膜の双方を跨ぐように存在する絶縁膜と、当該側端部及び当該絶縁膜の全体を包み込むように存在する第２電極、という構造を含むことになる。
これによると、例えば第１及び第２電極の側端部がともに揃えられている場合に比べて、絶縁膜にクラック等の欠陥を生じさせるおそれが低くなる。なぜなら、そのような場合には、絶縁膜には、前述した、“跨ぐように存在する絶縁膜”に係る部分に、第１電極の高さ分に相当する段差が生じることになり、当該部分において前記欠陥を生じさせるおそれが高いのに対して、本発明では、当該部分を包み込むように第２電極が存在することになるからである。また、本発明によれば、仮に当該部分に前記欠陥が生じたとしても、それを覆い隠すように第２電極が存在することから、例えば第２電極形成時のエッチャントが前記欠陥に浸入していくなどといった不具合も殆ど生じえない。
このように、本発明によれば、第１及び第２電極の相対的配置関係という構造上の工夫により、欠陥のないより高品質な電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
なお、本発明にいう「電気光学素子」の具体的な構造や材料は基本的に自由に定められ得るが、例えば、既に言及した液晶素子のほか、場合によっては有機ＥＬ材料や無機ＥＬ材料からなる発光層を電極間に介在させた素子が本発明の「電気光学素子」として採用され得る。
また、本発明にいう「外方に位置する」を満たす具体的態様は、第１及び第２電極の具体的形状のあり方如何等により、様々なものが想定され得る。後述する本発明の実施形態においては、その一具体例が、図３等が参照されながら、説明される。
これに関連して、本発明においては、第２電極の側端部の少なくとも一部が第１電極の側端部の外方に位置するようにされるが、より好ましくは、第２電極の側端部の全部が第１電極の側端部の外方に位置するようにされるとよい。これによって、上述した本発明に係る効果がより実効的になることは言うまでもない。
【００１１】
この発明の電気光学装置では、前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上でマトリクス状配列に従って配列され、前記第１及び第２データ線は、それぞれ、前記マトリクス状配列の各列方向に沿って延びるように、かつ、前記組の各々に含まれる前記第２電極の両側辺に沿うように、かつ、前記基板上且つ前記第１電極よりも下層に位置付けられるように、形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２データ線の形成態様が、上述のように規定されていることにより、以下の作用効果が奏される。すなわち、本態様において例えば第１データ線に着目すると、まず（ｉ）第１データ線は、第１電極よりも下層に位置付けられるように形成され、かつ、既述のように（ｉｉ）第２電極は第１電極の上に形成される、ということからすると、第１データ線及び第１電極間に生じる寄生容量の容量値（以下、「容量値Ａ」ということがある。）は、第１データ線及び第２電極間に生じる寄生容量の容量値（以下、「容量値Ｂ」ということがある。）よりも大きくなる。ところが他方、この第１データ線は、本態様において（ｉｉｉ）第２電極の一方の側辺に沿うように形成され、また、前述のように（ｉｖ）第２電極の側端部が第１電極の側端部の外方に位置する、ということを併せ考えると、第１データ線が極めて異常な形状となるなどの特別の事情がない限り、一般的には、第１データ線は、第２電極により近く、第１電極により遠い、という位置づけを与えられるということがいえる。したがって、これらによれば、前記とは逆に、容量値Ａは容量値Ｂよりも小さくなる。なお、以上の事項は、第２データ線についても同様にあてはまる。
結局、これら（ｉ）（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）（ｉｖ）の事情を併せ考えると、本発明の特徴の１つである「外方に位置する」要件（特にその具体的な充足のあり方）によって、容量値Ａと容量値Ｂとを相互に近づけさせる、最好適には一致させることが可能になる。そして、これによれば、第１及び第２スイッチング素子がオフ状態にある場合において、第１又は第２データ線の電位の変動により、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を等しくすることが可能になる。
よって、本態様によれば、第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止され、前述したようなクロストークに係る問題を有効に解決することができる。
【００１２】
この態様では、前記マトリクス状配列中、前記組の各々に含まれる前記第１電極及び前記第１又は第２データ線間の距離は、第２電極の側端部と第１電極の側端部との間の距離以上である、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１電極と第１又は第２データ線との間の距離が一定程度以上に確保されるので、これらの間に生じる寄生容量の容量値を小さくすることが可能になる。したがって、第１又は第２データ線を用いたデータ電位の供給におけるタイミングマージンをより大きくとること、あるいは、第１及び第２電極をより高速に駆動すること、等が可能になる。
【００１３】
前述の、第１電極等からなる一組がマトリクス状配列に従って配列される態様では、前記電気光学物質は、前記第２電極の上に配置され、前記マトリクス状配列中、隣り合う前記組の各々に含まれる前記第２電極の側端部間の距離は、当該第２電極に対応する前記第１電極の側端部間の距離以下である、ように構成してもよい。
この態様によれば、第２電極間の距離が一定程度以下に抑制されるので、前記第１及び第２データ線に起因して発生する電界が、第２電極上に位置する電気光学物質に影響を及ぼす可能性を低めることができる。この電界は、例えば電気光学物質が液晶である場合、本来実現したい光透過率をより高め又はより低める原因となるから、所望の階調での画像表示を行うための外乱要因（殊に、コントラスト比を貶める要因）となる。また、この電界は、前記マトリクス配列上、隣に位置する第２電極上の液晶に作用する場合には、いわゆる混色の問題を生じさせる要因ともなる。
本態様によれば、このような不具合が生じないのである。
なお、このような効果を得るために、本態様は、第２電極は、第１電極よりも、より稠密に（あるいは、相互により接近して）配列される、と表現することも可能である。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、クロストークの影響が事前に回避されるなどの結果、高品質な画像を表示することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図２】図１の電気光学装置を構成する画素回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１の電気光学装置の一例としてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’断面図である。
【図５】本実施形態によって奏される作用効果（クラック等欠陥の発生防止）を説明するための説明図である。
【図６】本実施形態によって奏される作用効果（寄生容量（Ｃ１１）の容量値低減）を説明するための説明図である。
【図７】本実施形態によって奏される作用効果（画質改善）を説明するための説明図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図４を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図４に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００１７】
本発明の本実施形態に係る電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いる。電気光学装置１は、主要部として液晶パネルＡＡ（電気光学パネルの一例）を備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor;「ＴＦＴ」）を形成した素子基板と対向基板とを互いに対向させ、かつ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持している。
【００１８】
図１は本実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。この電気光学装置１は、液晶パネルＡＡ、制御回路３００、及び画像処理回路４００を備える。この液晶パネルＡＡは透過型であるが、半透過型であってもよいしあるいは反射型であってもよい。
液晶パネルＡＡは、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、及びデータ線駆動回路２００を備える。制御回路３００は、Ｘ転送開始パルスＤＸ及びＸクロック信号ＸＣＫを生成してデータ線駆動回路２００に供給するとともに、Ｙ転送開始パルスＤＹ及びＹクロック信号ＹＣＫを生成して走査線駆動回路１００に供給する。
画像表示領域Ａには、複数の画素回路Ｐ１がマトリクス状に形成されており、画素回路Ｐ１ごとに透過率を制御することができる。バックライト（図示略）からの光は、画素回路Ｐ１を介して射出される。これによって、光変調による階調表示が可能となる。また、画像処理回路４００は入力画像データＤｉｎに画像処理を施して出力画像データＤｏｕｔを生成し、これをデータ線駆動回路２００に出力する。
【００１９】
次に、画像表示領域Ａについて説明する。画像表示領域Ａには、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線３が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）組の第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。くわえて、基準電位ＧＮＤを供給する電位線（図１において不図示。ただし、図２の符号３０参照）がＸ方向に沿って平行に配列して形成される。そして、走査線３と第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂとの交差に対応して、ｍ（行）×ｎ（列）個の画素回路Ｐ１が配置される。
【００２０】
ｎ本の第１データ線６ａには第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａが各々供給され、ｎ本の第２データ線６ｂには第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂが各々供給される。また、各走査線３には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加される。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、ｉ行の走査線３の走査信号Ｙｉがアクティブになると、第１データ線６ａを介して供給される第１電位Ｘｊａ及び第２データ線６ｂを介して供給される第２電位Ｘｊｂを取り込む。
【００２１】
図２にｉ行ｊ列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）の回路図を示す。なお、他の画素回路Ｐ１も同様に構成されている。この図に示すように画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、導電型がｎチャネルの第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２、第１保持容量Ｃｓｔｇ１、第２保持容量Ｃｓｔｇ２、第３保持容量Ｃｓｔｇ３、並びに電気光学素子１３等を備える。
【００２２】
電気光学素子１３は、第１電極１３１と第２電極１３２の間に電気光学物質を挟持して構成される。電気光学物質は、印加電圧に応じて光学特性が変化するものであればいかなるものであってもよいが、この例では、液晶ＬＣを用いる。
電気光学素子１３の第１電極１３１は第１ノードＺａに接続される一方、その第２電極１３２が第２ノードＺｂに接続される。また、第１ノードＺａと電位線３０との間には第１保持容量Ｃｓｔｇ１が設けられ、第２ノードＺｂと電位線３０との間には第２保持容量Ｃｓｔｇ２が設けられる。
さらに、電気光学素子１３と並列に第３保持容量Ｃｓｔｇ３が設けられる。
ここで、第１乃至第３保持容量Ｃｓｔｇ１、Ｃｓｔｇ２、及びＣｓｔｇ３の一部又は全部は、容量素子として形成してもよいし、あるいは、第１電極１３１と第２電極１３２との間に付随する寄生容量や第１ノードＺａ又は第２ノードＺｂと電位線３０との間に発生する寄生容量であってもよい。
【００２３】
第１トランジスターＳＷ１０１は、第１ノードＺａと第１データ線６ａとの間に設けられており、第２トランジスターＳＷ１０２は、第２ノードＺｂと第２データ線６ｂとの間に設けられている。
これら第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のゲートは走査線３と接続される。走査信号Ｙｉがハイレベル（アクティブ）になると、第１トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２は共にオン状態となる。すると、第１電位Ｘｊａが電気光学素子１３の第１電極１３１に印加されるとともに第１保持容量Ｃｓｔｇ１によって保持される。また、第２電位Ｘｊｂが電気光学素子１３の第２電極１３２に印加されるとともに第２保持容量Ｃｓｔｇ２によって保持される。これによって、電気光学物質たる液晶ＬＣに電圧が印加され、透過率が制御される。
【００２４】
このような透過率制御を基本として、本実施形態に係る画素回路Ｐ１は特に、以下のように動作する（図２の下方参照）。
〔ｉ〕最初の期間では、走査線駆動回路１００は、走査線３にハイレベルの走査信号Ｙｉを供給することによって、第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２をともにオン状態とする。この際、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとして基準電位ＧＮＤを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１がデータ電位Ｖｄａｔａ、第２電極１３２が基準電位ＧＮＤとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。
〔ｉｉ〕次の期間でも、走査線駆動回路１００に起因する第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のオン状態への遷移は同様に行われる。ただ、この場合、前記の〔ｉ〕とは逆に、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとして基準電位ＧＮＤを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１が基準電位ＧＮＤ、第２電極１３２がデータ電位Ｖｄａｔａとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。このように、仮に、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの差が前記〔ｉ〕の場合と同じであったとしても、少なくともその極性は反転することになる（もちろん当該差が同じでなくても、その極性は同様に反転する。）。
〔ｉｉｉ〕以後は、以上の〔ｉ〕〔ｉｉ〕の動作が繰り返し行われる（図２の下方参照）。
なお、以上の場合において、データ電位Ｖｄａｔａは、各画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）別に応じて、それぞれ固有の具体的な値を持ちうることは言うまでもない。その具体的な値は、主に入力画像データＤｉｎの値如何による。
【００２５】
ブロック図（図１）ないし回路図（図２）としては以上のような構成をもつ電気光学装置１は、実際上は、例えば図３及び図４に示すような構造をもつ。ここに図３は、電気光学装置の一例としてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。図４は、図３に示す液晶装置の一部を拡大して示す概略的な断面図である。
【００２６】
これら図３及び図４においては、平面視して略長方形状をもつ第１電極１３１及び第２電極１３２が、前述した図２に示す電気光学素子１３を構成する第１電極１３１及び第２電極１３２に該当する（以下、同様にして、対応する要素については、その名称及び符号を共用する。）。このうち第１電極１３１は、図３に示すように、その長方形状の図中左下角部を一部切り欠いたような形状をもつ。他方、第２電極１３２は、逆に、図中右下角部分を一部切り欠いたような形状をもつ。この切り欠かれた部分に該当する領域は、第１電極１３１と第１データ線６ａ、又は第２電極１３２と第２データ線６ｂとの電気的接続を実現するためのコンタクトホールを形成するための領域などに利用される。図３においては、第１トランジスターＳＷ１０１を構成する半導体層（ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を含む層）１１１と第１電極１３１とがコンタクトホールＣＨ２を介して電気的に接続されるとともに、当該半導体層１１１と第１データ線６ａとがコンタクトホールＣＨ１を介して電気的に接続されている。また、同様にして、第２トランジスターＳＷ１０２を構成する半導体層１２１と第２データ線６ｂとはコンタクトホールＣＨ４を介し、半導体層１２１と第２電極１３２とはコンタクトホールＣＨ３を介して、それぞれ電気的に接続される。
【００２７】
第２電極１３２はまた、図３及び図４に示すように、複数のスリット１３２ｓをもつ。本実施形態において、スリット１３２ｓは、図３中上下方向に長い略長方形状をもち、その１本１本が互いに平行となるようにして並べられる。
【００２８】
これら第１電極１３１及び第２電極１３２は、図３及び図４に示すように、前者が下層、後者が上層の関係となるように重なり合う。両者間には、図４に示すように、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の適当な材料からなる層間絶縁膜３０３が形成され、当該両者間の電気的短絡が防止される。なお、これら第１電極１３１及び第２電極１３２と、その間に介在する層間絶縁膜３０３とによって、第３保持容量Ｃｓｔｇ３は構成される（図４参照）。
このような、第１電極１３１及び第２電極１３２の一組の重なり合いからなる構成が、前述した画素回路Ｐ１の基本を形作る。
【００２９】
また、これら第１電極１３１及び第２電極１３２は、図３に示すように、後者が前者を覆うように形成される。より詳細には、以下のようである。
すなわち、まず、第２電極１３２は前述のように図３中右下角部を一部欠く長方形状をもつが、その他の部分については、第２電極１３２の輪郭形状は、第１電極１３１のそれよりも一回り大きい。つまり、図４に示すように、第２電極１３２の側端部１３２ＭＳと、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳとの間には一定の距離Ｄｓがある、あるいは、側端部１３１ＭＳの位置を基準としてみれば、側端部１３２ＭＳの位置は、第１電極１３１の中心位置から距離Ｄｓ分だけ遠のくのである。
もっとも、第２電極１３２は、前述の切り欠き部分をもつため、この部分については、第１電極１３１は第２電極１３２によって覆われない（図３参照）。
このように、一部の例外はあるものの、第２電極１３２は、その側端部が第１電極１３１の側端部の外方に位置するように、あるいは、第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように、形成される。なお、第２電極１３２は、前述のようにスリット１３２ｓをもつが、このスリット１３２ｓの存在も、「第２電極が、第１電極を覆う」という場合の非該当性を基礎付けるものと考えてはならない。第２電極１３２がスリット１３２ｓをもっていたとしても、図３及び図４に示すところから明らかなように、「第２電極が、第１電極を覆う」と十分に言いうる場合は無限にある。
【００３０】
この液晶装置ではまた、図４中、第１電極１３１中の更に下層に位置付けられるようにして第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが形成される。
なお、第１データ線６ａの図３中の左側辺は、第２電極１３２の同図中左側辺に概ね一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。同様に、第２データ線６ｂの図３中の右側辺は、第２電極１３２の同図中右側辺に概ね一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。
また、第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂと、第１電極１３１との間には、図４に示すように、層間絶縁膜３０２が形成される。
【００３１】
以上の第１電極１３１、第１データ線６ａ等々の各要素は、図４に示すように、ガラス等からなる素子基板７を素地として形成される。
また、図４においては、この素子基板７と前記層間絶縁膜３０２との間に層間絶縁膜３０１が形成されることが描かれているが、これは、前述した走査線３、電位線３０（これらについては図３参照）、さらには第１保持容量Ｃｓｔｇ１（これについては図３及び図４において不図示）、等々の各種回路要素を形成するため、あるいは、そのような回路要素間の電気的短絡の防止、さらには当該回路要素間の好適な立体的配置関係の設定のため等に利用される（ただし、図３及び図４では、それらの回路要素及びその接続態様等の全部又は一部についての図示は省略している。）。
【００３２】
なお、図３及び図４では、以上のほか、第２電極１３２上の配向膜、液晶ＬＣ、あるいは各画素回路Ｐ１間の光の混色を防止するためのブラックマトリクス等々の各種要素が備えられ得るが、その図示は省略した。また、図３及び図４は単なる一例であるから、上述した層間絶縁膜３０１〜３０３以外のその他の層間絶縁膜等を設けることによって、前述した各種回路要素の配置態様とは異なる配置態様が採用されてよい。本発明は、基本的に、どのような配置態様でも、その範囲内に含む。
【００３３】
このような構成において、第１電極１３１と第２電極１３２との間に駆動電圧を印加すると、これらの電極の形状に応じた電界が生じる。より詳しくは、第２電極１３２の上面から出て第２電極１３２のスリット１３２ｓを通り第１電極１３１の上面に至る電気力線を有する電界が発生する。このとき、第２電極１３２の上方（即ち、液晶ＬＣが配置されている領域）における電界は、素子基板７に平行な成分を有する横電界となる。液晶分子は、この横電界によって駆動され、素子基板７に平行な面内で配向方向を変える。ＦＦＳモードの液晶装置によれば、上記のように液晶分子が常に素子基板７に対して平行な状態で駆動されることに起因して、広い視野角が得られる。
【００３４】
次に、本実施形態における特徴部分、特に第１電極１３１と第２電極１３２との配置関係等から導き出される作用効果について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５乃至図７の各図面を参照しながら説明する。
【００３５】
（１） まず、本実施形態においては、上述のように第２電極１３２の側端部が第１電極１３１の側端部の外方に位置するように、あるいは、第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように形成されるので、例えば第１及び第２電極１３１及び１３２の側端部がともに揃えられるような場合に比べて、構造上、より欠陥の少ない電気光学装置を提供することができる。
図５〔Ａ〕及び〔Ｂ〕は、この事情を表現する。すなわち、図５〔Ａ〕は図４の一部を拡大したものであり、第２電極１３２の側端部１３２ＭＳが、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳの外方（図中左方）に位置する様子を表す。一方、図５〔Ｂ〕では、第２電極１３２の側端部１３２ＭＳと、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳとが揃えられている場合（図中破線ＳＬ参照）の例が示されている。
【００３６】
これら図５〔Ａ〕及び〔Ｂ〕においては、層間絶縁膜３０３の一部に段差ＳＲが生じることが示されている。この段差ＳＲは、第１電極１３１が一定の高さをもって成膜される以上、殆ど必然的に生じる。しかし、この段差ＳＲの存在によると、図５〔Ｂ〕に示すように、クラックＱ等の欠陥を生じさせやすい。これは、第側端部１３１ＭＳ周囲の層間絶縁膜３０３の成膜厚さの不足や、あるいは、応力集中の生じ易さ等を原因とする。そして、このようなクラックＱ等が生じると、第１に、第３保持容量Ｃｓｔｇ３の性能に悪影響を及ぼす（場合によっては、第１及び第２電極１３１及び１３２間の絶縁を破壊する）、第２に、第２電極１３２の製造段階におけるエッチング工程等において、そのエッチャントが当該クラックＱに浸入する、などの様々な不具合を生じさせるおそれがある（後者の場合さらに、クラックＱが第１電極１３１にまで達していると、形成済みの第１電極１３１のエッチングを進行させてしまうおそれがある。）。
【００３７】
この点、本実施形態に係る図５〔Ａ〕においては、以上に述べたような不具合を被る可能性は極めて低い。というのも、図から明らかなように、本実施形態では、第２電極１３２が、段差ＳＲの全体を包み込むように存在することになるため、そもそも、クラックＱ等の欠陥が発生しにくい状況となっているからである。また、図５〔Ａ〕において仮に図５〔Ｂ〕に示すようなクラックＱが発生したとしても、第２電極１３２は、それを覆い隠すように存在することから、例えば前述のような第２電極１３２製造時のエッチャント浸入などといった不具合も殆ど発生し得ない。
このように、本実施形態によれば、第１及び第２電極１３１及び１３２の相対的配置関係という構造上の工夫により、欠陥のないより高品質な電気光学装置を提供することができる。
【００３８】
（２） 次に、本実施形態においては、クロストーク問題を有効に解消することが可能である。
上で参照した図２及び図４においては、第１電極１３１と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間、及び、第２電極１３２と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間に、第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２が生じる様子を併せ示しておいた。ここで、第１寄生容量Ｃ１１は、第１電極１３１と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第２寄生容量Ｃ１２は、第１電極１３１と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である。また、第３寄生容量Ｃ２１は、第２電極１３２と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第４寄生容量Ｃ２２は、第２電極１３２と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である。
【００３９】
これら第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、クロストークの原因となる。すなわち、本実施形態の電気光学装置１を構成する全画素回路Ｐ１（図１参照）は、上述のように、走査線３が線順次に選択されていく過程を通じて駆動されるが、この場合、本来であれば、選択の対象となっている画素回路Ｐ１以外の画素回路Ｐ１は、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂを介して供給されてくるデータ信号Ｖｄａｔａに反応してはならない。しかしながら、図４に示したような、第１〜第４寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、図２に示す第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２がオフ状態にあったとしても、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂの電位変動を、第１又は第２電極１３１又は１３２の電位変動にいわば中継してしまうおそれがある。
【００４０】
この点、本実施形態においては、まず、図３及び図４に示すように、第１データ線６ａは、第１電極１３１よりも下層に位置付けられ、また、第２電極１３２は第１電極１３１の上に形成される、ということから、第１寄生容量Ｃ１１の容量値γ１は、第３寄生容量Ｃ２１の容量値γ３よりも大きくなる。
他方、本実施形態においては、同じく図３及び図４に示すように、（ｉ）第１データ線６ａが第２電極１３２の側辺に沿うように延びる、（ｉｉ）第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように形成される、ということから、第１データ線６ａは、第２電極１３２により近く、第１電極１３１により遠いという位置付けが与えられる。これによると、前記とは逆に、容量値γ１は容量値γ３よりも小さくなる。
そうすると、このうちの特に、（ｉｉ）に係る、第２電極１３２によって第１電極１３１が覆われる程度、換言すると、図４に示す距離Ｄｓの大きさの如何によっては、容量値γ１と容量値γ３とを相互に近づけさせる、最好適には一致させることが可能になる。そして、これによれば、第１及び第２スイッチング素子ＳＷ１０１及びＳＷ１０２がオフ状態にある場合において、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂの電位の変動により、第１電極１３１、及び、第２電極１３２が受ける電位変動の影響、の双方を等しくすることが可能になる。
このように、本実施形態によれば、第１及び第２電極１３１及び１３２が意図しない挙動を示すことが未然に防止され、クロストークに起因する悪影響を有効に回避することができる。
【００４１】
なお、以上のことは、第２データ線６ｂについてもいえる。ちなみに、図４左方では、図４右方に示す第１電極１３１に隣接する第１電極１３１の右側端が描かれているが、当該右側端は、図４右方に示される第１電極１３１の右側端の状態を描いたものとみなすことが可能である。
【００４２】
（３） さらに、本実施形態によれば、第１データ線６ａが第２電極１３２の側辺に沿うように形成され、かつ、第２電極１３２が第１電極１３１を覆うように形成されていることから、第１データ線６ａと第１電極１３１との間には一定程度大きな距離が置かれることになる。少なくとも図６に示すように、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳと、第１データ線６ａの側端部とが揃うような場合に比べて、本実施形態に係る場合のほうが、第１電極１３１の第１データ線６ａからの距離は遠ざかるということがいえる（図４及び図６対比参照）。そうすると、第１寄生容量Ｃ１１の容量値γ１の値は、図４の場合のほうが、図６の場合よりも小さくなる。
これにより、本実施形態によれば、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂを用いたデータ電位Ｖｄａｔａの供給におけるタイミングマージンをより大きくとること、あるいは、第１及び第２電極１３１及び１３２をより高速に駆動すること、等が可能になる。
【００４３】
（４） 加えて、本実施形態においては、図３及び図４に示すように、隣り合う第２電極１３２間の距離が一定程度狭い（図７〔Ａ〕も参照）。したがって、本実施形態によれば、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂに起因して発生する電界が、第２電極１３２上に位置する液晶に影響を及ぼす可能性を低めることができる。図７〔Ａ〕及び〔Ｂ〕は、この事情を表現する。すなわち、図７〔Ｂ〕に示すように、第１電極１３１の側端部１３１ＭＳと第２電極１３２の側端部１３２ＭＳとが揃えられている場合には、前記電界が、液晶分子の存在する領域にいわば漏れ出るようなかたちになる（図中実線矢印参照）。これは、図示する２つの画素回路Ｐ１において本来実現したい光透過率をより高め又はより低める原因となるから、所望の階調での画像表示を行うための外乱要因（殊に、コントラスト比を貶める要因）となる。また、この電界は、前記マトリクス配列上、隣に位置する第２電極上の液晶に作用する場合には、いわゆる混色の問題を生じさせる要因ともなる（図中破線矢印参照）。
本実施形態においては、図７〔Ａ〕に示すように、前記電界が第２電極１３２によっていわば遮蔽されるようなかたちになるので、そのような不具合を抑制することが可能となる。つまり、本実施形態に係る電気光学装置１によれば、より高品質な画像を表示し、あるいは、画像の品質を向上・維持することが可能になる。
【００４４】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置ないし画素回路は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記実施形態においては、第２電極１３２の側端部が第１電極１３１の側端部の「外方に位置する」という場合の具体的形態について、図３等を参照して説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
想定され得る第１及び第２電極の具体的形状は様々である。例えば「マトリクス状」が、図１に示すような配列態様を意味する場合もあれば、行方向に並ぶ画素回路が１個ごと段違いに並ぶ場合（いわば画素回路全体が市松模様状に並ぶ場合）もあり、それに応じて、好適な第１及び第２電極の形状も変わってくる可能性がある。それ以外にも、様々な理由で、第１及び第２電極の具体的形状は上記実施形態と比べて変更を受ける可能性があるが、本発明は、基本的に、どのような形状であっても適用が可能である。
【００４５】
これに関連して、ここでは上記実施形態の特徴等について改めてまとめておく。
まず、（α）上記実施形態では、図３に示したように、第２トランジスターＳＷ１０２の形成領域に対応する部分において、第２電極１３２の側端部が、第１電極１３１の側端部の外方に位置するようにはなっていないが、このことは、第１電極１３１と当該第２トランジスターＳＷ１０２その他の回路要素との電気的接続を無理なく図ること等の他の目的に貢献している。つまり、「外方に位置する」とはいっても、それが第２電極１３２の側端部の全部について充足される必要は必ずしもない。むしろ、それが充足されない部分で、他の効果（例えば、すぐ上に述べた、無理なき電気的接続等）が享受される可能性があることからすると、外方に位置「しない」部分を設ける可能性について、積極的な考慮が払われてもよい。
【００４６】
（β） とはいえ、上記実施形態の説明において述べたように、第１及び第２電極１３１及び１３２と、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの関連によって奏される効果は、本発明においてより重視されるべきであるから、第２電極１３２の側端部のうち、当該第１及び第２電極１３１及び１３２の形成領域に対応する部分については、より強く、第１電極１３１の側端部の外方に位置することが推奨される。なお、この点を重視すると、図３中、第２電極１３２の上辺及び下辺については、さほど強くは、「外方に位置する」ことは要求されない。
【００４７】
（γ） なお、以上によると、部分的には、本発明の観点とは逆に、第１電極１３１の側端部が第２電極１３２の側端部の外方に位置する、という状況も生じうることになるが、言うまでもなく、そのことが直ちに、本発明の範囲から外れることを意味するわけではない。本発明にいう「第２電極…の側端部の少なくとも一部が、前記第１電極の側端部の外方に位置する」というのは、その「少なくとも一部」以外の部分をどうすべきかについて、基本的には、自由に委ねる。
【００４８】
（２） 上記実施形態においては、第２電極１３２の各スリット１３２ｓは互いに平行であり、一定の間隔をおいて配置されるようになっているが、本発明はかかる形態に限定されない。
要は、第１電極１３１と第２電極１３２との間の斜め方向の電界により、液晶ＬＣ内の液晶分子が制御されるように、第２電極１３２のスリットは形成されていればよいから、例えば、第２電極１３２の各スリットは、走査線３の延在方向に沿って設けられていてもよく、あるいは、走査線３の延在方向に対し、所定の角度を持つように設けられていてもよい。さらには、走査線３の延在方向に対し、第１の角度を持つように設けられた第１スリットと、第２の角度を持つように設けられた第２スリットとがあってもよい。
【００４９】
（３） 上記実施形態においては、画素回路Ｐ１の動作について、〔ｉ〕から〔ｉｉｉ〕までの段階に分けて説明を行ったが、これに関連して、データ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様ないしタイミングには、様々なものが想定される。
例えば、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの切替えはフレーム単位で行われてよい。この場合には、図１に示す全画素回路Ｐ１が一通り駆動されるまでは、当該全画素回路Ｐ１に関し、例えば第１データ線６ａには常にデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには常に基準電位ＧＮＤが供給されるなどということになる（Ｖ反転方式）。
あるいは、当該切替えはデータ線ごと（列ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）に対応する第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、その隣の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ＋１）に対応する第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｓ反転方式）。
あるいは更に、当該切替えは走査線ごと（行ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ，１），…，Ｐ１（ｉ，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、次の行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ＋１，１），…，Ｐ１（ｉ＋１，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｈ反転方式）。
あるいは加えて、前記のＳ反転方式及びＨ反転方式を併用したドット反転方式が行われてもよい。
【００５０】
いずれにしても、このようなデータ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様は、ある特定の１個の画素回路Ｐ１に着目するとき、それ自身に対応する第１及び第２データ線６ａ及び６ｂ以外のデータ線の電位変動が、当該画素回路Ｐ１に含まれる第１及び第２電極１３１及び１３２に与える影響に相違をもたらす可能性がある。前述した各寄生容量（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ３１，Ｃ３２）の容量値及びその関係を決定するにあたっては（即ち、第２電極１３２が第１電極１３１を「覆う」ということの具体的態様を定めるにあたっては）、場合により、このような事情への配慮が加えられると好適である。
【００５１】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。
図８は、上記実施形態に係る電気光学装置１を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図９に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
図１０に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００５２】
本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００５３】
１……電気光学装置、１００……走査線駆動回路、２００……データ線駆動回路、Ｐ１，Ｐ２……画素回路、１３……電気光学素子、１３１……第１電極、１３２……第２電極、３……走査線、３０……電位線、６ａ……第１データ線、６ｂ……第２データ線、Ｃｓｔｇ１，Ｃｓｔｇ２，Ｃｓｔｇ３……第１〜第３保持容量、ＳＷ１０１……第１トランジスター、ＳＷ１０２……第２トランジスター、Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２……第１〜第４寄生容量
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される第１電極と、
前記第１電極の上に絶縁膜を介して形成され且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、
前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、
第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、
第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、
前記第１電極及び前記第１データ線間に形成される第１スイッチング素子と、
前記第２電極及び前記第２データ線間に形成される第２スイッチング素子と、
を備え、
前記基板を平面視して、
前記第２電極は、
その側端部の少なくとも一部が、前記第１電極の側端部の外方に位置するように、形成される、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上でマトリクス状配列に従って配列され、
前記第１及び第２データ線は、それぞれ、
前記マトリクス状配列の各列方向に沿って延びるように、かつ、
前記組の各々に含まれる前記第２電極の両側辺に沿うように、かつ、
前記基板上且つ前記第１電極よりも下層に位置付けられるように、
形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記マトリクス状配列中、前記組の各々に含まれる前記第１電極及び前記第１又は第２データ線間の距離は、第２電極の側端部と第１電極の側端部との間の距離以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記電気光学物質は、前記第２電極の上に配置され、
前記マトリクス状配列中、隣り合う前記組の各々に含まれる前記第２電極の側端部間の距離は、
当該第２電極に対応する前記第１電極の側端部間の距離以下である、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される第１電極と、
前記第１電極の上に絶縁膜を介して形成され且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、
前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、
第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、
第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、
前記第１電極及び前記第１データ線間に形成される第１スイッチング素子と、
前記第２電極及び前記第２データ線間に形成される第２スイッチング素子と、
を備え、
前記基板を平面視して、
前記第２電極は、
その側端部の少なくとも一部が、前記第１電極の側端部の外方に位置するように、形成される、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上でマトリクス状配列に従って配列され、
前記第１及び第２データ線は、それぞれ、
前記マトリクス状配列の各列方向に沿って延びるように、かつ、
前記組の各々に含まれる前記第２電極の両側辺に沿うように、かつ、
前記基板上且つ前記第１電極よりも下層に位置付けられるように、
形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記マトリクス状配列中、前記組の各々に含まれる前記第１電極及び前記第１又は第２データ線間の距離は、第２電極の側端部と第１電極の側端部との間の距離以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記電気光学物質は、前記第２電極の上に配置され、
前記マトリクス状配列中、隣り合う前記組の各々に含まれる前記第２電極の側端部間の距離は、
当該第２電極に対応する前記第１電極の側端部間の距離以下である、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−２１７４８７（Ｐ２０１０−２１７４８７Ａ）
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６４０１２（Ｐ２００９−６４０１２）
【出願日】平成２１年３月１７日（２００９．３．１７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１７日（２００９．３．１７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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