【課題】ＣＡＰコーターを用いて基板表面にレジスト膜を形成する場合、基板面内の塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクの製造方法、及び基板面内の塗布膜厚の均一性を向上させることができる塗布装置を提供する。
【解決手段】転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤２１を収容した液槽２０からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。このレジスト膜形成工程において、被塗布面へのレジスト剤２１の塗布中は、前記液槽２０内へレジスト剤を補給しながら液槽内のレジスト剤の液面高さが一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＰコーターを用いて基板表面にレジスト膜を形成する場合、基板面内の塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクの製造方法、及び基板面内の塗布膜厚の均一性を向上させることができる塗布装置を提供する。
【解決手段】転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤２１を収容した液槽２０からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。このレジスト膜形成工程において、前記液槽２０と連通し、レジスト剤を収容する緩衝槽６０を配置することにより、被塗布面へのレジスト剤の塗布中は、液槽内のレジスト剤の液面高さの変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＰコーターを用いて基板表面にレジスト膜を形成する場合、塗布ムラを低減し、塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクの製造方法、及び基板面内の塗布膜厚の均一性を向上させることができる塗布装置を提供する。
【解決手段】転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。このレジスト膜形成工程において、被塗布面へのレジスト剤の塗布中は、液槽内に浸漬させたノズル２２の隙間２３を気泡が塞がないように、隙間２３近傍からノズル外側に連通する通路孔３０ａ，３０ｂを経て、気泡を隙間２３以外の部位へ誘導させる。 （もっと読む）

【課題】スリットコータ装置を用いレジスト液の塗布を行う場合に、塗布ムラの発生を防止マスクブランクの製造方法等を提供する。
【解決手段】基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する基板を準備する工程と、前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】レベンソンマスクにおける基板の掘り込み部の側壁からの光を適切に抑制することができ、解像度や焦点深度を改善し、転写特性を向上させることができるレベンソンマスクを提供する。
【解決手段】レベンソンマスクの製造方法は、（ａ）工程と（ｂ）工程とを具備している。ここで、（ａ）工程は、透明基板２表面に、第１パターン４と、第２パターン５とを、互いの近傍に形成する。ただし、第１パターン４は光が透過する。第２パターン５は、光が透過し、位相シフト用の凹部６を有する。（ｂ）工程は、凹部６の側壁部７にレーザを照射して、露光用の光の透過率を凹部６の底面部９よりも低くするように側壁部７を変質する。 （もっと読む）

【課題】表面が平坦で、微粒子の付着を効率良く防止することができる遮光パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】石英等からなる透明基板１の上にレジスト２を塗布する（ａ）。そして、リソグラフィ工程により、遮光部分となる部分のレジスト２を除去する（ｂ）。続いて、残ったレジスト２をマスクとして、ＲＩＥエッチングにより透明基板１をエッチングする（ｃ）。そして、残った透明基板１とレジスト２の表面に、Cr等の遮光膜３を成膜する（ｄ）。このとき、遮光膜３の成膜厚さは、ＲＩＥエッチングにより透明基板１が減厚された厚さと同一とし、透明基板１上の遮光膜３の表面と、エッチングされなかった透明基板１の表面が同一面となるようにする。最後に、残ったレジスト２を溶解することにより、レジスト２とその上に成膜された遮光膜３を除去すると、表面が平坦な遮光パターンが形成される（ｅ）。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの破損を抑制することが可能なメンブレン構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板内に配置され、自立薄膜を有するメンブレン構造体の製造方法において、前記半導体基板の加工に付される面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基板の加工に付される面の逆側の面に保護層を配設する工程と、前記半導体基板を前記保護層と一体の状態で、前記マスクを加工用マスク材として用いて前記半導体基板の厚み方向にエッチングして所定の厚さの自立薄膜を形成する工程と、前記自立薄膜形成後に前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＰコータなどのスリットコータ装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合に、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止できるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、基板の被塗布面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記被塗布面に前記レジスト液を接液させる際に、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、基板の被塗布面の表面形態にかかわらず、良好なレジスト液の塗布膜を形成することのできるマスクブランクの製造方法等を提供する。
【解決手段】一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、
基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと前記被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多数のホットスポットから欠陥がより生じ易いホットスポットを抽出する。
【解決手段】情報記憶部１０には、検査対象の半導体デバイスについてのホットスポット情報１２、表面形状情報１３、ＣＡＤ情報１１が、入力情報として記憶される。情報処理部２０は、表面形状情報１３、ＣＡＤ情報１１を参照して、ホットスポット情報１２に記憶されているホットスポットの各位置における表面形状データ、機能ブロック名などのデータを表面属性情報として取得し、情報付加ホットスポット情報１４を生成する（付加情報生成部２３）。また、入力部５０から入力される情報に基づき、絞り込み条件情報１５を生成し（絞り込み条件設定部２４）、情報付加ホットスポット情報１４を参照して、設定した絞り込み条件に適合するホットスポットを抽出し、絞り込みホットスポット情報１６を生成する（ホットスポット絞り込み部２５）。 （もっと読む）

【課題】所望パターンとマスクのパターンとの検証処フローのＴＡＴの向上を図る。
【解決手段】所望パターンと該パターンに対応するマスクパターンを用意する工程と、所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する工程と、光強度を求める計算式を用いてベストフォーカス時の前記評価点での光強度を算出する工程と、ベストフォーカス時の前記計算式の前記評価点での一階微分値を求める工程と、光強度を求める計算式を用いてデフォーカス時の前記評価点での光強度を算出する工程と、デフォーカス時の前記計算式の前記評価点での一階微分値を求める工程と、ベストフォーカス及びデフォーカス時の一階微分値から、露光量マージンを求める工程と、ベストフォーカス及びデフォーカス時の光強度の差分、求められた露光量マージン、及び予め決められたスペックとから、レイアウトを検証する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く、簡単且つ安価にレチクルを製造する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板を透過する光に対する遮光マスクパターンとを備えたレチクルの製造方法であって、透明基板上に無機レジスト層を形成する工程と、この無機レジスト層に、前記遮光マスクパターンのパターン形状に応じて光ビームを選択的に照射して、光ビームの照射部分の少なくとも一部の相状態を変化させる工程と、前記無機レジスト層に対してエッチング処理を行って、光ビームの照射による相状態の変化部分または未変化部分を選択的に除去し、残留したレジスト層により遮光マスクパターンを形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト剤の塗布を行う場合について、乾燥ムラが発生しないように、塗布されたレジスト剤を乾燥させることのできる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供する。
【解決手段】一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対して平行な方向から清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いることなく、安価に製造でき、基板の歪みが回避され高い精度でパターン形成された荷電粒子線用ステンシルマスクを提供する。
【解決手段】シリコン基板１００の一方の面に、ステンシルマスク１０開口部に相当する形状のレジストパターン１１０を形成した後、金属膜１２０を形成してレジストパターン１１０を覆う。そしてレジストパターン１１０が露出されるまで金属膜１２０を研磨した後、露出されたレジストパターン１１０を除去することで貫通孔３を形成する。次いで、シリコン基板１００の反対面にレジスト１５を塗布してエッチングを行い、貫通孔３が形成された部分にあるシリコン基板１００を除去して基板孔５を形成する。基板孔５を形成することにより作製されたメンブレン部３０では、金属薄膜２がシリコン基板１と接さず、基板の歪みが回避される。 （もっと読む）

【課題】安いコストで１００％近いフィルファクターを達成するマイクロレンズを作製するためのグレイスケールレチクルの製造方法を提供する。
【解決手段】クオーツウエハ基板を準備するステップと、クオーツ基板の表面にＳＲＯ層を堆積するステップと、多段式のリソグラフィを用いて、ＳＲＯ層をパターニングしてエッチングすることにより、最初のマイクロレンズを形成するステップと、ＳＲＯ層をパターニングしてエッチングすることにより、ＳＲＯ層に凹部パターンを形成するステップと、ＳＲＯ層上に不透明薄膜を堆積するステップと、不透明薄膜をパターニングし、エッチングするステップと、平坦化層を堆積し、平坦化するステップと、クオーツウエハを選択したレチクルブランクよりも小さい大きさの長方形片に切断するステップと、を含む。撮像機器のマイクロレンズアレイは、以上のように製造したグレイスケールレチクルを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】透光性基板上に、半透光性膜と、遮光性膜とが順次形成されたマスクブランクか
ら、前記遮光性膜及び前記半透光性膜をパターニングして、フォトマスクを製造するフォ
トマスクの製造方法において、前記半透光性膜のウエットエッチングに伴って発生するガ
スによる前記半透光性膜及び／又は前記遮光性膜のパターン欠陥を防止できる、フォトマ
スクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、露光光に対する透過量を調整する機能を有し、金属及び珪
素を含む材料からなる半透光性膜と、露光光を遮光する遮光性膜とが順次形成されたマス
クブランクから、前記遮光性膜及び前記半透光性膜をパターニングして、フォトマスクを
製造するフォトマスクの製造方法であって、
前記半透光性膜のパターニングは、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウム
から選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、硫酸から選ばれる少な
くとも一つの酸化剤とを含むエッチング液を用いたウエットエッチングによって行われ、
前記エッチング液は、該エッチング液中の前記弗素化合物と前記酸化剤のモル比を、ウ
エットエッチングに伴って発生するガスによるパターン欠陥を防止するモル比に設定した
エッチング液とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に遮光膜と半透過膜とが積層した構造を備えるハーフトーンマスクにおいて、アライメント装置によって第１層目と第２層目とのアライメントを行った際に発生する、第１層目と第２層目との間にアライメント誤差により必要なパターンが得られなくなるという問題を解決する。
【課題を解決するための手段】
最終的に得られるマスクパターンの形状において、高い精度が要求される重要な箇所と、比較的誤差が許容できる箇所とを区別し、前者を優先するようにマスクパターンの描画データを設計する。具体的には、
（１）透明基板の表面全体を第１の膜が覆うフォトマスクブランクスを必須パターンデータで描画して第１層目の膜をパターニングする工程と、
（２）パターニングされた前記第１の膜を覆う第２の膜を形成する工程と、
（３）前記第２の膜を冗長パターンデータで描画して第２層目の膜をパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板と基板保持手段とのガタツキ、更には基板と遮蔽部材のガタツキを抑制して、不要膜除去後のレジスト膜端部の形状精度（不要膜除去幅の均一性）を良好にする。
【解決手段】マスクブランクスを面内回転するように保持する回転保持手段に、前記マスクブランクスの中心が前記回転保持手段の回転中心と一致するように、前記マスクブランクスを機械的に押付けて固定した状態で、前記マスクブランクス表面にレジスト膜を回転塗布する工程と、前記マスクブランクス主表面の除去領域において前記マスクブランクス主表面と一定の間隔が形成されるとともに、前記マスクブランクス主表面の非除去領域において前記間隔よりも大きい空間が形成されるように前記マスクブランクス主表面を覆う遮蔽部材を、回転中心とが一致するように位置決めして前記基板保持手段に固定した状態で、前記基板保持手段を回転させながら前記間隙中に薬液を供給する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク構造とエッチング方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクは半透明な基板と、基板上に配置された不透明な多層型吸収層を含む。不透明な多層型吸収層はバルク吸収層上に配置された自己マスク層を備える。自己マスク層は窒素化タンタル・ケイ素系材料（ＴａＳｉＯＮ）、タンタル・ホウ素酸化物系材料（ＴａＢＯ）、又は酸化及び窒素化タンタル系材料（ＴａＯＮ）の１つを含む。バルク吸収層は、ケイ化タンタル系材料（ＴａＳｉ）、窒素化ホウ化タンタル系材料（ＴａＢＮ）、又は窒化タンタル系材料（ＴａＮ）の１つを含む。バルク吸収層エッチング工程中の自己マスク層のエッチング速度は低いため、自己マスク層はハードマスクとして機能する。 （もっと読む）

【課題】露光精度の向上を図ることができるＥＵＶ露光用ステンシルマスクを提供する。
【解決手段】ＥＵＶ露光用ステンシルマスク１９の少なくともＥＵＶ光が照射される側にＥＵＶ光を反射する多層膜反射層６を設ける。 （もっと読む）