【課題】精度良くデータ処理時間を見積もることのできるデータ処理時間の予測方法及び処理時間予測装置を提供する。
【解決手段】レイアウトデータＤ１１を複数の領域に分割しＳ１、分割された各領域に含まれる図形数Ｆを集計するＳ２。次に、集計した図形数Ｆに基づいて複数のクラスにクラス分けしＳ３、各クラスから代表サンプルを１つ選択してＳ５、その代表サンプルに対してデータ処理を実行するＳ６。続いて、各代表サンプルのデータ処理にかかった処理時間を集計しＳ７、その処理時間と代表サンプルの図形数Ｆとから単位図形当たりの処理時間を算出する。そして、算出した単位図形当たりの処理時間に各クラスの総図形数を乗算して各クラスにおける予測処理時間Ｔ１ｂを算出するＳ８。 （もっと読む）

【課題】露光処理、現像処理をして良好に網点を再現して製版可能とし、簡素な構成で制御が容易で廉価に製作可能な装置で露光処理をできるようにする。
【解決手段】光ラジカル重合反応を利用した画像記録層を設けた光重合性平版刷版に対し画像データに基づいて変調された光ビームを画像形成レベルの出力で照射して潜像を形成すると共に、画像記録層における非画像形成部に対して予備レベルの低出力の光ビームを照射して画像の形成に関与しない潜像を形成し、現像部で画像記録層に現像液を付けてブラッシングすることにより、画像形成レベルの光ビームで形成された潜像を残し、予備レベル光ビームで形成された潜像を除去して潜像を顕在化して製版する。 （もっと読む）

【課題】４階調フォトマスクをフォトリソグラフィ工程により少ない描画回数で製造できること。
【解決手段】透光性基板上に、互いのエッチングに対して耐性を有する材料からなる第１半透光膜と遮光膜とが順次成膜されたフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクに遮光膜をエッチングした後、第１半透光膜をエッチングし、更に第１レジストパターンを剥離する工程と、透光性基板及び遮光膜上に第２半透光膜を成膜する工程と、第２半透光膜上に第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクに第２半透光膜及び遮光膜をエッチングした後、第２レジストパターンを除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アライメントずれによる描画パターンの位置ずれが発生してもパターン欠陥とならないグレートーンマスクの製造方法。
【解決手段】基板２１上に遮光膜２２が形成されたマスクブランクス２０上の遮光部及び透光部上に第１のレジストパターン２４を形成し、該レジストパターンをマスクとして露出した遮光膜をエッチングし半透光部領域の基板を露出させる工程と、残存した第１のレジストパターンを除去し、基板上の全面に半透光膜２３を成膜して半透光部を形成する工程と、遮光部領域及び半透光部領域に対応する領域に第２のレジストパターン２５を形成し、該レジストパターンをマスクとして露出した半透光膜及び遮光膜をエッチングして透光部及び遮光部を形成する工程とを有し、少なくとも、半透光部領域と隣接する透光部領域上に形成する第１のレジストパターンの一部又は全部を透光部側に設計値よりも微小量小さく形成する。 （もっと読む）

【課題】 吸収膜の膜厚を薄くしてパターン精度を向上するとともに、斜入射の影響を小さくできるＥＵＶ用反射型フォトマスクブランクおよび反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】 吸収膜の膜厚が大きいためにパターンの寸法制御が困難であり、また、露光光が斜入射であるために、パターン端部の影によるパターン空間像劣化が大きかった。そこで、吸収膜にインジウムを含む膜を用いることにより、ＥＵＶ光露光によるパターン転写露光時のみならず、ＤＵＶ光によるパターン検査時においても、反射領域に対して良好な反射コントラストが得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】膜剥がれがなく低欠陥のフォトマスクブランクを製造する方法を提供すること。
【解決手段】透明基板上に形成された光学膜に閃光照射に起因する膜剥がれや欠陥の低減のために、閃光照射に先立ってパーティクルや汚れを充分に除去するためのメガソニック洗浄を施すようにした。この洗浄は、基板の端面および基板主面の周辺領域（端面近傍）で充分なパーティクル・汚れ除去がなされるように施されることが効果的である。この洗浄により光学膜上の直径０．１μｍ以上のパーティクル数を５０個以下とすると、閃光照射後のパーティクル増加数は顕著に抑制され、パーティクル数を１０個以下となるように洗浄を施すと、パーティクル増加数はさらに抑制される。また、チャンバ内圧力を真空（減圧）状態にしたまま閃光照射処理を施すと、基板表面上でのパーティクルの増加は顕著に抑制される。 （もっと読む）

本発明は真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する方法を提供する。同方法は、真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する前に同基体を目標温度にまで冷却し、同真空室に少なくとも１種類のプロセス・ガスを導入し、同基体が目標温度に達したならば同プロセス・ガスからのプラズマを着火してそれによって同基体を処理し、そして同処理が終了したならば同基体を同真空室から取り出す。
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【課題】描画露光装置を用いて選択的に描画露光してパターニング行う描画露光処理と、現像処理、エッチング処理等を含む一連の処理プロセスを、繰り返し行う階段状回折光学素子の作製方法において、作製エラーに起因する光学素子の特性の劣化をなくし、更には飛躍的に量産性を向上させた回折光学素子とその作製方法を提供。
【解決手段】加工用基板の一面上に、感光性材層を配設し微細なドットパターンの分布状態により、露光する際の透過光量（露光量）分布を制御するレチクルマスクを用い、投影露光方式で、前記感光性材層を露光し、現像して、前記感光性材層を素材とした第１の凹凸パターンを形成する工程と、前記第１の凹凸パターン形成側から、エッチングして、前記第１の凹凸パターンが無くなり、前記加工用基板の一面自体に前記第１の凹凸パターンの凹凸形状に対応した、第２の凹凸パターンを回折光学素子の凹凸として形成する工程。 （もっと読む）

【課題】目的とするフォトマスクの品質仕様に適合したブランクスを効率良く選択できる選択装置を提供する。
【解決手段】マスクブランクスの遮光膜欠陥情報を蓄積する遮光膜欠陥情報データベース１２５と、遮光膜欠陥登録部１２０と、描画すべきパターンの描画情報を蓄積する描画情報データベース１９０と、描画情報登録部１８０と、ＬＳＩレイアウト設計データ２００からパターンの重要情報と非重要情報とを取り込んだ設計情報を蓄積する設計情報データベース２２０と、設計情報登録部１８０と、前記各データベースに蓄積された遮光膜欠陥情報と描画情報と設計情報とから、１つ以上の手段で目的とする製品に適合するマスクブランクスを選択する選択部１３０とを有し、該選択部によりマスクブランクスを選択する基板選択装置である。 （もっと読む）

【課題】マスク加工プロセスに必要な耐薬品性（硫酸に対して等）及び機械強度をもち、液晶カラーディスプレイ製造のコストダウン化技術に必要であり、優れた加工性を有したグレートーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスクにおいて、半透光部を形成する半透光膜が第一の薄膜として形成した金属Ｃｒ膜と、この第一の薄膜上に第二の薄膜として形成した酸化Ｃｒ膜、又は酸窒化Ｃｒ膜、又は窒化Ｃｒ膜とで構成される。
また、グレートーンマスクの製造方法は、フォトリソ工程で形成したＣｒ膜フォトマスクの開口部の一部に半透光膜を形成することから成る。 （もっと読む）

【課題】 マスクブランクの中央付近と外周付近の感度相違に基づく露光用マスクのマスクパターンにおける面内ＣＤばらつき等を抑制し、例えば、半導体デバイスにおけるハーフピッチ６５ｎｍノードに適合できるようにする。
【解決手段】 ノズル２２からレジスト液を基板１５の表面に滴下する際、レジスト液が基板表面に滴下した位置において他の位置と比べてレジストの高感度化を抑制するように、レジスト液滴下位置の基板回転中心からの偏心位置Ｑと基板の回転数を以下の範囲で調整してレジスト液を滴下し、この滴下したレジスト液を広がらせて基板中央部近傍にレジスト溜りを形成し、このレジスト溜りを遠心力によって基板表面の周辺部に拡散させ、その後、乾燥させてレジスト膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化が容易で、応力制御が可能であるとともに、加工性が高く、しかも膜の強度が高く、パターン精度の高い、電子線照射特性の優れたステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、この基板により支持され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、Ｘ線回折により得られる結晶面（ミラー指数）が（２２０）及び（１１１）に対応するピークの強度比、すなわち（２２０）／（１１１）が、０．４以下であるダイヤモンド膜からなることを特徴とするステンシルマスク。ダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が０．０６以上であるＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽膜を真空成膜装置を用いずに大面積に容易に形成することができるため、大面積のディスプレイパネル用フォトマスクを安価に製造する。
【解決手段】ガラス基板１に貴金属の有機金属化合物を主成分とするペーストを塗布して塗布膜２を形成する工程と、塗布膜２を大気雰囲気中で焼成して紫外線遮蔽膜となる膜厚が０．０８〜０．５μｍ程度の金属膜３を形成する工程と、金属膜３をパターニングする工程とを含み、真空成膜法によらずに紫外線遮蔽膜をガラス基板１に形成する。 （もっと読む）

如何なるレジスト種を用いた場合であっても、基板周縁部のレジスト膜を除去した後の盛り上がりを抑えられ、かつレジスト残滓のないマスクブランクスを得る。 マスクブランクス製造工程中の、所定の遮光膜１２上にレジスト膜１３が形成された基板１０から不要なレジスト膜を除去する不要膜除去工程において、レジスト膜１３が形成された側の基板表面をカバー部材３０で覆い、まず、基板１０を所定の回転数Ｒ１で回転させながら、薬液５０にて不要なレジスト膜を溶解し、次に、所定の回転数Ｒ２で回転させて溶解した不要なレジスト膜を除去し、さらに、所定の回転数Ｒ３で回転させてレジストが除去された領域を乾燥させる際、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の条件を（Ｉ）Ｒ１＝１００〜５００ｒｐｍ、（ＩＩ）Ｒ２≧３００ｒｐｍ、（ＩＩＩ）Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３とする。
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基板１０上に被転写体に転写すべく転写パターンを有する転写マスクの原版であるフォトマスクブランクス１００において、フォトマスクブランクス１００は、基板１０上に前記転写パターンとなる遮光膜２０と、レジスト膜３０とを有し、遮光膜２０をパターニングして得られる転写パターンを有する転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持したときに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、基板１０主表面の周縁部に形成されたレジスト膜３０が、露光装置の基板保持部材により支持されるフォトマスクブランクス１００の被支持領域３１における所定領域において除去されている。このような構成により、ステッパーの基板保持部材にレチクルを装着したときに、レチクルの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることを可能にしている。
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クロムを含む材料からなるクロム系薄膜を有する被処理体における前記薄膜を、レジストパターンをマスクとしてエッチングし、かつ、ハロゲン含有ガスと酸素含有ガスを含むドライエッチングガスに、プラズマ励起用パワーを投入してプラズマ励起させ、生成した化学種を用いて前記薄膜をエッチングする。前記薄膜のエッチングを、前記プラズマ励起用パワーとして、プラズマの密度ジャンプが起こるプラズマ励起用パワーよりも低いパワーを用いてエッチングを行う。
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【課題】 簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる基板位置補正装置および方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｗは複数の支持ピン５により滑動自在に支持されながらも基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力で支持ピン５に保持されながらスピンベース３の回転中心Ａ０回りに回転する。そして、基板Ｗが回転する間に回転中心Ａ０から最も離れた基板の端面位置（偏心位置）を検出センサ７４により検出した後、該端面位置を押圧ブロック７１により回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置Ｐ１まで押動する。これにより、偏心位置が既定位置Ｐ１に合わされ、基板中心Ｗ０が回転中心Ａ０から所定の範囲内に位置決めされる。したがって、大がかりな機構を必要とせず、簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる。 （もっと読む）

【課題】 透明基板、半透過層及び遮光層を持つハーフトーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のハーフトーンマスク及びその製造方法によれば、一つのマスクを複数サイクルのフォトリソグラフィ工程に適用できるので、製造工程が減り、低コストが図られる。また、該ハーフトーンマスクの半透過層は、酸素（Ｏ）含有のクロム（Ｃｒ）膜の均一度、すなわち、スパッタリングの均一度によって形成しようとするパターンを均一に形成できるので、ハーフトーンマスクの大きさに制限を受けない。 （もっと読む）

【課題】薄膜化が容易で、応力制御が可能であるとともに、加工性が高く、しかも膜の強度が高く、パターン精度の高い、電子線照射特性の優れたステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体と、この基体により支持され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするステンシルマスク。ダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び０．５％以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】パターン精度ならびに歩留まりの高いステンシルマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にマスク材料層を形成した構造を準備する工程、前記マスク材料層上に無機レジスト層を形成する工程、前記無機レジスト層上に有機レジスト層を塗布した後、リソグラフィーによりパターニングし、有機レジストパターンを形成する工程、前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記無機レジスト層をエッチングし、無機レジストパターンを形成する工程、前記基板の裏面を加工し、ステンシルマスク基体を形成する工程、前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記マスク材料層をエッチングし、マスク母体を形成する工程、及び前記無機レジストパターンを除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）