【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化性物質を含む硫酸溶液に水溶液を混合して電子材料を洗浄する際に、水溶液使用量、廃液処理量、硫酸濃度の低下を招く課題を解決する。
【解決手段】過硫酸物質を含む硫酸濃度７０質量％以上の硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより前記洗浄液を前記電子材料に接触させて前記電子材料を洗浄する枚葉式の電子材料洗浄方法において、前記洗浄液に水溶液を混合させて、混合直後に該洗浄液を前記電子材料に接触させる第１洗浄工程と、該第１洗浄工程の後に、前記洗浄液に前記水溶液を混合させることなく前記洗浄液を前記電子材料に接触させる第２洗浄工程とを含むことで、洗浄効果を良好に維持したままで、水溶液使用量、廃液使用量、硫酸濃度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に形成された遷移金属を含有するケイ素系材料を含む膜上にレジストパターンを形成する工程、上記膜のレジストパターンが形成されていない部分の表層を酸化して表層材料組成の酸素含有比を上げる工程、上記酸化工程後、レジストパターンを非酸化条件で剥離する工程、及び上記レジストパターン剥離工程後、上記酸化された表層をエッチングマスクとして、レジストパターンが形成されていて上記酸化工程で酸化されなかった部分を、酸素を含有する塩素系ドライエッチングによりエッチングする工程を含むレジストパターンの転写方法。
【効果】遷移金属を含有するケイ素系材料の加工において、より精細なパターンを、より薄いレジストパターンによって高精度に転写することが可能であり、特に、フォトマスクブランクに形成された光学機能膜を加工するフォトマスクの製造において、高精度加工が適用できる。 （もっと読む）

【課題】合成石英ガラス基板から成る半導体フォトマスクやナノインプリントテクノロジーにおいて、使用されているレジスト膜と、レジスト膜の上に形成されている保護膜を同時に除去することができ、不要となった膜成分を容易に回収でき、剥離させるための溶剤を長く使用することができると共に、レジスト膜又は保護膜の除去能力及び膜の除去にかかるタクトタイムを改善できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面にレジスト膜が被覆された合成石英ガラス基板を、テルペン類が溶解している溶剤に浸漬して、上記レジスト膜を剥離し、次いで当該基板を水リンスする。 （もっと読む）

【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層２、半透光層３及び遮光層４がこの順で積層されたマスクブランクス１’上にフォトレジストＲを塗布し、露光することで第１のレジスト領域Ｒ１と、第２のレジスト領域Ｒ２と、第３のレジスト領域Ｒ３を形成し、第１のレジスト領域Ｒ１を現像液で除去することで、第１の遮光層領域４ａをエッチングするためのマスクを形成し、第１の遮光層領域４ａをエッチングし、半透光層領域３ａをエッチングし、第２のレジスト領域Ｒ２を現像液で除去することで、第２の遮光層領域４ｂをエッチングするためのマスクを第３のレジスト領域Ｒ３によって形成し、第２の遮光層領域４ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性の悪化を抑制する。
【解決手段】転写パターンとなる薄膜が形成された薄膜付き基板上にレジスト膜が形成されたマスクブランクスである。レジスト膜は、前記基板の周縁部におけるレジスト膜の不要部分が除去されている。また、レジスト膜は、転写パターンが形成される領域において、膜厚の最も厚い位置におけるレジスト膜の膜厚と、膜厚の最も薄い位置におけるレジスト膜の膜厚との差異が５０オングストローム以下である。 （もっと読む）

【課題】水蒸気と水とを組み合わせて照射する洗浄方法において、水分子の浸透時間に制限されず対象物を傷めることなく確実に洗浄する方法の提供。
【解決手段】水蒸気供給部Ａ、純水供給部Ｂ、水蒸気流体調整部Ｃ、混相流体照射部Ｄ、ウェハ保持・回転・上下機構部Ｅを有する構成であって、混相流体照射部Ｄの混合部１４４は、照射ノズル１４１の上流側に設置されており、該混合部１４４及び照射ノズル１４１は内壁面が略連続的な曲面を形成するとともに、該混合部１４４内壁面の一部に水導入部を有し、該照射ノズル１４１は、ノズル上流側からノズル出口へと向かうに従って縮径し、更に、最小断面積となるのど部を境に、拡径する末広構造を有し、前記混合部１４４内を流動する水蒸気に水を混合して、前記ノズル１４１の出口から混相流体として噴射することにより、対象物に液滴が衝突する際のキャビテーションを制御する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体から選ばれるフォトマスク関連基板を洗浄した場合に、簡便な方法で硫酸イオンに対する洗浄効率を上げることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】硫酸イオンにより汚染された、フォトマスク用基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体から選ばれるフォトマスク関連基板を純水により洗浄するとき、該洗浄に用いる純水に、予め、溶存気体を脱気する脱気工程を行うフォトマスク関連基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバークリーニングの前半はＣｌ₂ を用いたＣｌ₂ クリーニングであり、後半はＯ₂ を用いたＯ₂ クリーニングであり、該Ｃｌ₂ クリーニングと該Ｏ₂ クリーニングとの間に真空引きを行うこと。前記Ｃｌ₂ クリーニングの処理時間内に、複数回の真空引きを行うこと。 （もっと読む）

【課題】極端紫外線露光用マスクの製造工程である、ドライエッチング工程でのエッチング停止判断を行う装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のドライエッチング終点判定装置は、該反射型マスクに波長２００ｎｍ未満の領域を含む光を入射させ、エッチング対象材料とその下地層の特定波長における反射率の差を利用してエッチング終点を検出することを特徴とする。これにより、エッチング終点を精密に判定することができ、マスクの製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト剥離後に、静電気で引き寄せられて再付着したゴミを洗浄するためのマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら２２２ｎｍＵＶ光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するＳＣ−１洗浄機と、前記ＳＣ−１洗浄機で洗浄した後、１７２ｎｍＵＶ光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するＵＶ洗浄機と、前記ＵＶ洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】加工性の向上と低コストを可能にしたグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上にＣｒ膜を形成したＣｒ膜ブランクス１０にＣｒエッチング液を用いるエッチングを施すことにより基板Ｓ上に第一開口１１ａを形成する工程する。次いで、第一開口１１ａに、Ｎｉ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、及びこれらの酸化物、酸窒化物、窒化物からなる群から選択される少なくともいずれか一種からなる半透光膜１４を成膜することにより第一開口１１ａに半透光部１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面に突起状の異物が存在しても、露光の際に遮光膜パターンを被処理基板の表面に形成されたフォトレジスト膜に密着、或いは密着に近い状態で接近させることが可能なアライナ用露光マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板２１と、この基板の一面に設けられて所定のパターン形状を有する遮光膜１６ａと、基板の一面に、遮光膜が設けられている領域を残して設けられた凹部２４と、を有するアライナ用露光マスク２０である。凹部は、このアライナ用露光マスクを用いて被露光物を露光する際に、被露光物の表面に付着した異物を収容する収容部となる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク等の遮光材料の製造に好適であり、表面の平滑性が高い金属パターン材料が得られる製造方法、及び、該製造方法により得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）ガラス基板上に、金属粒子との相互作用を形成しうる官能基、或いは、金属イオン又は金属塩との相互作用を形成しうる官能基を有し、且つ、少なくとも該ガラス基板に片末端で直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（Ｂ）前記ポリマー層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンの形成領域及び非形成領域のいずれか一方の領域におけるポリマー層に、金属粒子を含有する領域をパターン状に形成する工程と、を有することを特徴とする金属パターン材料の製造方法、及び該製造方法により得られた金属パターン材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスク端面のレジストを薬液のみで洗浄するフォトレジスト端面剥離・洗浄装置及び方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、コの字型に凹んだスリットにマスク端面のフォトレジストを除去する薬液が噴射されるノズルを設置したスリットノズルと、前記スリットノズル上方に設けたマスク端部に保護流体を噴射するシャワーノズルとからなることを特徴とするフォトレジスト端面剥離・洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄することができるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、ヘリコン波プラズマを発生させる石英ベルジャーを連設した真空チャンバーと、石英ベルジャーに高周波電圧を印加する高周波発振器と、ヘリコン波プラズマを制御する磁界を発生させるために石英ベルジャーの周囲に配置した電磁コイルと、真空チャンバー内に設けた酸素ガス及び水蒸気ガスを導入するための導入口と、真空チャンバーの下部に設けたマスクを載置するためのステージと、石英ベルジャー及び真空チャンバー内を真空にする真空ポンプとからなることを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】層又は層積層体内に異なる構造深さを有する構造が製造されかつ露光工程を１工程しか必要としないフォトマスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板表面１０上に第１の露光感度を有する第１のレジスト材料２と第１の感度より低い感度の第２のレジスト材料３を塗布してレジスト積層体２０を製造する工程、レジスト積層体を局所的に異なる露光量に暴露する工程、レジスト積層体が第２の露光量に暴露された位置のみ基板表面を暴露させてレジスト積層体を現像する工程、基板表面が露出している位置において基板の第１及び第２の構造層１１、１２をエッチングする工程、第２のレジスト材料を除去する工程、レジスト積層体が第１の露光量に暴露された位置の基板表面を露出させて第１のレジスト材料を現像する工程、基板表面が露出している位置において基板の第２の構造層をエッチングする工程および第１のレジスト材料を除去する工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】不要膜除去後のレジスト膜端部の形状精度（不要膜除去幅の均一性）を良好にし、且つ膜厚の偏りを抑えて、不要膜除去後の不要膜残滓の発生を防止する。
【解決手段】薬液を供給して、不要な膜部分を除去する不要膜除去装置であって、基板保持手段と、前記薬液を供給する薬液供給手段と、除去領域において、前記マスクブランクス主表面と一定の間隙が形成され、且つ、非除去領域において、前記間隙よりも大きい空間が形成される遮蔽部材と、前記薬液の流路を形成する薬液案内部材とを有し、基板用可動保持手段を備え、前記遮蔽部材及び前記薬液案内部材の回転中心と前記基板保持手段の回転中心とが一致するように、固定した状態で、前記基板保持手段を回転させながら、前記薬液供給手段により前記流路及び前記間隙中に薬液を供給することで、前記マスクブランクス主表面の除去領域における不要な膜を除去する。 （もっと読む）