【課題】コーティング時の膜厚の面内均一性が良好で保存安定性が良好な感光性樹脂組成物、並びに硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置の提供。
【解決手段】ポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリイミド前駆体構造、及びポリベンゾオキサゾール前駆体構造からなる群から選ばれる１種以上の構造を有する樹脂を含むアルカリ可溶性樹脂（Ａ）１００質量部、テトラヒドロフルフリルアルコール及びフルフラール、フランカルボン酸アルキルエステルで代表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む溶剤（Ｂ）１０〜１０００質量部、並びに感光剤（Ｃ）０．１〜１００質量部、を含有する感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングにおける２回目のレジスト液の供給量を少量に抑えつつ、基板上に所定のレジストパターンを形成する
【解決手段】被処理膜Ｆが形成されたウェハＷ上にレジスト液を塗布して第１のレジスト膜Ｒ１を形成する（図７（ｂ））。その後、第１のレジスト膜Ｒ１を選択的に露光し、現像して第１のレジストパターンＰ１を形成する（図７（ｃ））。その後、第１のレジストパターンＰ１の表面Ｐ１ａにエーテル類の表面改質剤を塗布し、当該表面Ｐ１ａを改質する（図７（ｄ））。その後、第１のレジストパターンＰ１が形成されたウェハＷ上にレジスト液を塗布して第２のレジスト膜Ｒ２を形成する（図７（ｅ））。その後、第２のレジスト膜Ｒ２を選択的に露光し、現像して、第１のレジストパターンＰ１と同じ層に第２のレジストパターンＰ２を形成する（図７（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】現像時に、処理液をミスト状に発生させてレジスト膜の現像を行うために、スプレー現像のような現像液の液滴によるレジストへのインパクト（衝撃）や、パドル現像のような基板に盛った現像液を振り切る際の現像液との摩擦によるパターン倒壊がなく、良好なレジスト膜のパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクまたは半導体製造の微細加工におけるレジストのパターン形成方法において、現像液及び処理液をミスト状に発生させてレジストのパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセス中に基板の位置合わせをする方法を説明する。
【解決手段】少なくとも１つのアライメントマークを含む第１のレジスト層を基板上に形成する。この第１のレジスト層を現像した後、第１のレジスト層の上に第２のレジスト層を堆積し、それによって平坦な上部面を残す（すなわちトポグラフィがない）。第２のレジスト層を適切にベークすることによって、対称アライメントマークを第２のレジスト層内に、第１のレジスト層内のアライメントマークからのオフセットエラーなく、またはほとんどなく形成する。第２のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第１および第２のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ライン幅ラフネスをより低減することが可能なレジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびレジスト膜処理方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成部と、露光されたレジスト膜を現像するレジスト現像部１８と、レジスト現像部１８で現像されてパターン化されたレジスト膜を、気相雰囲気下で、当該レジスト膜に対して溶解性を有する第１の溶剤に晒す溶剤気相供給部１００と、第１の溶剤に晒されたレジスト膜に、当該レジスト膜に対して溶解性を有する第２の溶剤を供給する溶剤供給部１００とを備えるレジスト塗布現像装置１を開示する。 （もっと読む）

【課題】新規な塗布液の塗布方法、塗膜の形成方法、ならびにそれを利用したパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、塗布液と希釈液とを含む混合液からなる液溜まりを形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。あるいは、基板上に希釈液を滴下して、前記基板の全面を前記希釈剤で覆う工程と、前記希釈剤上に塗布液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液が存在する領域を形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面洗浄を確実に行うことができる洗浄方法、塗布方法、現像方法及び回転処理装置を提供する。
【解決手段】一方面に基板１を周縁部が突出した状態で保持すると共に、前記一方面３の面内方向で回転される回転部材２１と、前記回転部材２１に設けられて洗浄液１００を前記基板１の前記回転部材２１に保持された保持面２側に供給する洗浄ノズル２６と、前記洗浄ノズル２６に前記洗浄液１００を供給する洗浄液供給部２７と、を具備する回転保持治具２０を用いて、前記基板１を回転させながら前記洗浄ノズル２６から前記基板１の前記保持面２ａに前記洗浄液１００を供給して、前記基板１の前記保持面２ａを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】現像後のレジストパターンのディフェクトの発生を抑制できるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。また、異物経時特性（保存安定性）に優れるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。そして、さらに好ましくは、処理前後で感度やレジストパターンサイズの変化が起こりにくいホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。
【解決手段】樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、有機溶剤（Ｃ）とを含むホトレジスト組成物を、孔径が０．０４μｍ以下のナイロン膜からなる第１の膜を備えた第１のフィルタを通過させる工程を有し、且つ前記第１のフィルタを通過させる工程の前後の一方又は両方に、さらに、該ホトレジスト組成物を、ポリオレフィン樹脂またはフッ素樹脂製の第２の膜を備えた第２のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】処理室内部の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内のメンテナンスを外部から容易に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布処理室２１は、縦フレームＦａを含むフレームにより形成された開口部２１ｚを有する。フレームには開口部２１ｚを開閉可能にメンテナンス用扉Ｄが設けられる。開口部２１ｚを取り囲むように、フレームに溝付きトリム５０１が設けられる。溝付きトリム５０１は、開口部２１ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態でメンテナンス用扉Ｄに接触することによりメンテナンス用扉Ｄに対向する溝５０１ｇを有する。開口部２１ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態で、溝付きトリム５０１の溝５０１ｇとメンテナンス用扉Ｄとにより形成された空間の雰囲気が吸引ユニットにより吸引される。溝５０１ｇの内側の空間が外部に対して陰圧に保たれる。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】長期間保管した後においても、表面張力が増加せず、ストリエーションの発生等の問題を生じることのない塗布膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】レジスト膜に直接接する被膜を形成するための塗布膜形成用組成物であって、少なくとも（ａ）膜形成成分、（ｂ）酸性成分、及び（ｃ）界面活性剤を含有し、且つ前記塗布膜形成用組成物の調製直後からの表面張力の経時変化量が６０℃において、０．２０ｍＮ／ｍ・ｄａｙ以下である塗布膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスが容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を備える。現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を備える。熱処理部１２３，１３３は、搬送部１２２，１３２から離間する方向に移動可能に設けられる。熱処理部１２３，１３３を移動させることにより、熱処理部１２３と搬送部１２２との間に作業スペース２００が形成され、熱処理部１３３と搬送部１３２との間に作業スペース３００が形成される。 （もっと読む）

【課題】先発ロットＡの基板と後発ロットＢの基板との間で、加熱モジュールの加熱処理温度を変更する場合に、スループットの向上を図ること。
【解決手段】先発ロットＡの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットＢの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成し、前記所定の実行サイクルを終了後次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルの実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するようにメインアームを制御する。 （もっと読む）

【課題】露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を低減して、レジスト膜の適正なパターニングを実現可能なレジスト処理装置を提供する。
【解決手段】開示するレジスト処理装置１０は、基板Ｗに形成されたレジスト膜に対して処理を行うレジスト処理装置１０であって、内部を真空に維持することができる処理容器１２と、処理容器１２内に設けられ、レジスト膜が形成された基板Ｗが載置される載置台１４と、化学的に不活性な第１のガスおよび第２のガスを含む混合ガスを所定の流量にて載置台１２に向けて噴出するガス供給部１６と、ガス供給部１６から所定の流量で噴出される混合ガスが処理容器内で分子線になり得る真空度に処理容器１２を排気することが可能な排気部１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの作製に好適な被膜形成方法を提供する。
【解決手段】第１の塗布工程ではホットプレート４によって塗布液を加熱してリフローする。この加熱処理によって、塗布液は下方に下がり、少なくとも凹部の底部から壁部の中間深さ位置に至るまで被膜７を形成することができる。そして、第２の塗布工程では、スプレーノズルから噴霧された塗布液９は、凹部の底部までは届きにくいため凹部の中間深さ位置から凸部３の上面に至るまでの領域に被膜１０が形成され、この被膜１０をベークする。この被膜１０と前記被膜７によって、凹部の全面に均一な厚さの被膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の周期的な構造を有する３次元モールドを、製造効率良く製造する方法と、この製造方法によって得られる３次元モールド、加工物、及び樹脂成形品を提供する。
【解決手段】本発明の３次元モールドの製造方法では、レジスト層を基体上に備える被加工物を準備する工程、第一の加熱工程、照射工程、第二の加熱工程、及び現像工程を少なくとも有する。レジスト層は、下記一般式（１）で表されるアルコキシシランの加水分解物および縮合物の少なくとも一方を含む。下記一般式（１）において、Ｒ^１は水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。第二の加熱工程ではレジスト層を３００℃以上で加熱する。更にこの製造方法によって得られる３次元モールドをモールドとして、加工物及び樹脂成形品を作製する。
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【課題】フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される、新規なフォトレジスト用化合物、上記フォトレジスト用化合物を用いたフォトレジスト液、および上記フォトレジスト液を使用して、所望の表面をエッチングするエッチング方法の提供。
【解決手段】アゾ化合物または該化合物と金属イオンとの錯体化合物であるフォトレジスト用化合物。前記フォトレジスト用化合物を含むフォトレジスト液。前記フォトレジスト液を使用する被加工表面のエッチング方法。 （もっと読む）