【課題】光電気配線板表面上に光インタフェースを備えたＬＳＩパッケージを実用性の高い方法で搭載し、光電気配線板と光インタフェースとを充分な精度で光学的に接続する。
【解決手段】光伝送路１ｂ、ガイドピン１ｃ及びミラー１ｄを有する光電気配線板１上にソケットピン４ｂ及びガイドピン４ｃを有する配線板側ガイド部材４をはんだ付け固定する。光インタフェース３に嵌合穴５ｂが開設された光インタフェース側ガイド部材５を接着し、光インタフェース３をＬＳＩパッケージ２のインタポーザ２ｂ上に実装する。インタポーザ２ｂに開設された嵌合穴２ｅに光電気配線板１のガイドピン１ｃを嵌合させると共に、ガイド部材５の嵌合穴５ｂにガイド部材４のガイドピン４ｃを嵌合させる。 （もっと読む）

【課題】偏波依存性を小さくした石英系光導波路部品を提供する。
【解決手段】フィルム状石英系光導波路部品は、石英系材料で形成されたコアと、該コアを収容する石英系材料で形成されたクラッド層とを備え、前記クラッド層は、平板状である。また、石英系光導波路部品は、基板と、前記フィルム状石英系光導波路部品と、前記基板と前記フィルム状石英系光導波路部品の少なくとも一部とを接着する接着層とを備える。さらに、前記接着層は、前記石英系光導波路部品の前記コアと、該コアと対向する前記基板との間に中空部分を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は電気配線板との熱膨張係数差が小さく、かつプロセス温度が近く、かつ光伝搬損失が小さく、かつ電気配線板との複合化に適した光配線用樹脂組成物と、光電気複合配線基板を提供する。
【解決手段】平均粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である無機フィラーと樹脂を有し、無機フィラーの屈折率ｎ_fと樹脂の屈折率ｎ_rの比ｎ_f／ｎ_rが０．８以上１．２以下を満たす樹脂組成物であり、樹脂組成物の熱膨張係数が−１×１０^−５／℃以上４×１０^−５／℃以下、および−２０℃から９０℃における屈折率の真の温度依存性が−１×１０^−４／℃以上１×１０^−４／℃以下であり、波長０．６〜０．９μｍ、もしくは波長１.２〜１.６μｍにおいて実質的に光吸収がない光配線用樹脂組成物。 （もっと読む）

基板（１０）と１個以上の位相特徴とを備える光学素子構造（２２）。位相特徴は、重合性バインダーと未硬化モノマーから形成されたポリマー複合材料からなる。位相特徴は、制御された位相プロファイル及び位相特徴に沿って制御された屈折率を有する。光学素子構造は、多モード導波デバイス、単一モード導波デバイス、光データ記憶デバイス、熱光学スイッチ、レンズ又はマイクロ電子機械システムとすることができる。
（もっと読む）

【課題】 半導体素子搭載部を有するポリマ導波路基板の量産性の優れた製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリマ導波路と基板の密着性を向上するための接着層を導波路部のみに設けた後に、基板全面にポリマ導波路を作製する。搭載部と導波路部の境界のポリマ層を切断し、搭載部の不要なポリマを剥離・除去して除去する。 （もっと読む）

装置は、ベース基板と、ベース基板上の導電層と、導電層上のソルダレジスト層とを含む基板と、光学領域を含み、基板にフリップチップボンディングされるダイと、光学領域と光学的に結合され、ダイとベース基板との間に少なくとも部分的に位置し、かつ、ソルダレジスト層および導電層内に形成されたトレンチ内に配置される光相互コネクタとを含む。プロセスは、ベース基板と、ベース基板上の導電層と、導電層上のソルダレジスト層とを含む基板を提供する段階と、導電層およびソルダレジスト層内にトレンチを形成する段階と、トレンチ内で導波路を位置決めする段階と、ダイを基板にフリップチップボンディングする段階とを含む。ダイは、光学領域を含み、光学領域は、導波路に光学的に結合される。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率の高い２次元フォトニック結晶光共振器及び光反射器を提供する。
【解決手段】 スラブ状の本体１１に、本体１１とは異なる屈折率の領域(空孔)１２を周期的に配置することにより２次元フォトニック結晶を作製する。その中で空孔１２を線状に設けないことにより導波路１３を形成する。導波路の長手方向に距離Lだけ離れた２個の空孔１２を大きくすることにより、２個のアクセプタ型点欠陥１４を形成する。この構成において、適切な距離Lを選択することによって、点欠陥１４における光の反射や透過が抑制され、点欠陥１４で共振する光を効率よく取り出すことができる。距離Lの選択によっては、点欠陥１４における光の反射率が増大し、２個の点欠陥１４間で光が共振する光共振器や、２個の点欠陥１４で光を反射する光反射器として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 光路変換部の形成位置等の設計自由度が高く、且つ漏光及び散乱損失の発生が抑制された光導波路デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本光導波路デバイスの製造方法は、基部３と、基部３上に配置された下部クラッド部２１と、下部クラッド部２１上に積層され且つ光を伝搬するコア部１と、コア部１上に配置された上部クラッド部２２と、基部３上に形成されており且つコア部を伝搬した光の光路を変換する光路変換部４１、４２と、を備える光導波路デバイス１００を製造する方法であり、上記基部３と、基部３上に形成された上記下部クラッド部２１及び上記光路変換部４１、４２と、を備える積層体上に、コア部形成用未硬化フィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程と、上記コア部１を形成するコア部形成工程と、上記上部クラッド部２２を形成する上部クラッド部形成工程と、を備える。 （もっと読む）

光学回路及び素子の形成及び動作に、光の波長未満の直径を有するナノリボン及びナノワイヤが用いられる。そのようなナノ構造は、光集積用の基本ビルディングブロックを形成するサブ波長光導波路として機能する。これらの構造における、通常とは異なる長さ、柔軟性及び強度により、それらを表面上で操作することが可能となる。この操作には、ナノリボン/ナノワイヤ導波路及び他のナノリボン/ナノワイヤ素子を正確に位置設定し、両者を光学的に結合させることで、光ネットワーク及び光学素子を形成することが含まれる。それに加えて、そのような構造は、液中での導波路を提供することで、光学プローブ及びセンサのような他の応用でさらに用いられることを可能にする。
（もっと読む）

【課題】エバネッセントカプラに一体化されたリフレクタを有する光出力カプラを提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、装置は、第１および第２の光路を含む。光ビームは、第１の光路を介し導かれる。装置は、前記エバネッセントカプラに含まれ、かつ、第１および第２の光路内に一体化されたリフレクタもさらに含む。第１の光路を介し導かれる光ビームは、第１のリフレクタから反射され、それと同時に第１の光路から第２の光路へとエバネッセント結合される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 ＳＯＩベースの構造内に形成された導波路の間に光クロスオーバを提供する構成が、前記ＳＯＩ構造内にパターン形成したジオメトリを使用している。このジオメトリは、信号がオーバーラップする領域においてクロストーク効果を低減するように選択されている。好ましくは、光信号が、直交する方向に伝達する（あるいは波長が異なる）ように固定されて、クロストーク効果を最小限にする。ＳＯＩ構造のジオメトリは、所定のテーパ及び／又は反射面を具えるようにパターン形成されて、伝達光信号を方向付ける／方向を定める。光クロスオーバ領域内のパターン形成された導波路領域は、上に横たわるポリシリコンセグメントを有するように形成して、伝達ビームを更に適合させて、クロスオーバ構成のカップリング効率を改善するようにしてもよい。 （もっと読む）

シームレスに集積されたハイブリッド光ネットワーク素子。素子は：シリコン基板(11)中のキャビティに設けられている半導体光源(10)及び、半導体光源(10)によって放出される光子の光導波路として機能する、シームレスに半導体光源(10)と集積されたフォトニックバンドギャップ(PBG)構造(22)を有する。半導体光源(10)は非シリコン材料で作製され、PGB構造(22)はシリコン基板を直接エッチングすることで形成される。
（もっと読む）

Ｐ個の入力ｓ（１≦ｓ≦Ｐ、かつ、Ｐ≧１）とＮ個の出力ｋ（１≦ｋ≦Ｎ、かつ、Ｎ≧１）とを含む少なくとも１つの波長の光コードを生成して処理するのに適した光デバイスにおいて、時間間隔τを持つＣ個（Ｃ≧２）のチップから成るＮ_Ｃ個（Ｎ_Ｃ≧２）の位相および／または振幅の光コードを同時に生成して処理するのに適していることを特徴とし、入力ｓから出力ｋへの伝達関数Ｔ_ｓｋ（ｆ）は、次式


を満足することを特徴とする。ただし、Ｆν（ｆ）（ν＝０，１，．．．，Ｖ−１）は、光フィルタの伝達関数、ａν（ν＝０，１，．．．，Ｖ−１）は、一定値、Ｓ_ｓｋ（Ｓ_ｓｋ∈Ｚ）は、整数、Ｎ_ｋ（ｋ＝１，２，．．．，Ｎ）は、一定値、Ｖ（１≦Ｖ≦ｌｏｇ_２Ｎ）は、正の整数である。更に、特に光デバイスにより生成されるのに適し、光デバイスを含むネットワークおよび装置に適した一組の光コードが提供される。
（もっと読む）

光導波路および埋め込まれた光電子エレメントを備えるプリント回路基板エレメントを開示する。

（もっと読む）

本発明は予め定められた波長範囲内の光を案内する光導波路に関し、該光導波路は光を閉じ込めるためのコア領域及びクラッド領域を含み、該コア領域と一つ又は複数のクラッド領域との少なくとも一方は基質上に形成されているとともに化学量論的組成Ｓｉ_ａＯ_ｘＮ_ｙＸ_ｚＨ_ｖの材料を含む。本発明は更に光導波路を製造する方法に関し、該方法により得られた光導波路及びそのような導波路を含む光学装置に関する。本発明の目的は、水素結合に由来する吸収の低減による光学損失の低い光導波路を提供することにある。その問題は、ＸをＢ、Ａｌ、Ｐ、Ｓ、Ａｓ、Ｓｂ及びそれらの組み合わせからなる元素より選択し、かつｙ／ｚ比を１より大きくすることにより解決される。これは導波路内の低光吸収を、可能性としては広い波長範囲にて達成するという利点を有する。更に、比較的低温によるアニーリングは比較的低誘導のひずみを得るために使用され、それにより複屈折の低いものが得られる。光導波路は例えばＰＥＣＶＤ法により製造され、当該方法は低損失導波路を更に処理するのには理想的である。本発明に従う導波路は９００ｎｍ乃至１６００ｎｍにおいて０．０５ｄＢ／ｃｍ未満の損失により特徴付けられる優れた伝搬性を示す。特に、Ｓｉ：Ｎ−Ｈ振動の第二のオーバートーンによる吸収は、検出レベル以下の値に低減され得る。本発明は、例えば光通信システム、特に、構成要素を分けるため（例えば、スパッタ）、及び例えば、電気通信システム、ファイバ−−トゥ−ザ−ホーム等のような波長分割多重システム（ＷＤＭ）用の構成要素のために使用され得る。
（もっと読む）

本発明は入力された電磁信号のパワーを相対的な位相差１８０°を有すると共に等しい伝播遅延を有する２つの等しいパワーの信号に分割する方法に関する。本発明の方法は結合空洞を基礎として互いに近接して配置された２つの平行な導波路から成るフォトニック結晶結合器を使用する。この方法はその対称性のため場の最大値が1つの導波路において隣の導波路の最小値と合致し、それによって相対位相差が１８０°になることを確実にする結合器の奇数モードを励起することから成っている。非常に急なカーブを介して高い伝送効率を有するフォトニック結晶内の導波路による特性を使用して、結合器を形成する導波路の空間的な分離によって２つの出力信号が得られる。この方法においては、構造体のサイズを非常に減少させることができる。本発明の方法は、二次元および三次元フォトニック結晶の両方に対して使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、回路基板（１）における信号伝送方法に関する。少なくとも１つの光チャネル（２）は回路基板（１）に形成され、該光チャネルに光信号は光送信器（４）によって入力され、光チャネル（２）に入力された光信号は少なくとも１つの光受信器（６）によって受信される。光チャネル（２）は、少なくとも２つの焦点（３．１，３．２）が形成されるように設計される。光送信器（４）は一方の焦点（３．１，３．２）に実質的に関連して配置され、光受信器（６）は他方の焦点（３．１，３．２）に実質的に関連して配置される。

（もっと読む）

ＳＯＩ構造のサブミクロン表面層に生成することができ、あるいはＳＯＩ表面層とその上を覆っている多結晶シリコン層のサブミクロンの厚さの組合せの中に生成することができる一組のプレーナ型二次元光デバイスである。従来のマスキング／エッチング技法を使用して様々な受動デバイスおよび光デバイスをこのＳＯＩプラットフォームの中に形成することができる。デバイスの様々な領域をドーピングして能動デバイス構造を形成することができる。また、多結晶シリコン層を個別にパターン化して、伝搬する光信号に実効モード・インデックス変化領域を提供することも可能である。

（もっと読む）