【課題】反射型の偏波変換デバイスにおいて、出力光の偏波消光比の劣化を効果的に防止する。
【解決手段】偏波変換デバイスは、第１導波路２に入力された光の偏波状態、すなわち、光のＴＥ／ＴＭモードを変換して第１導波路２から出力する。第１導波路２に入力されたＴＭモードの光は、接続導波路４を伝搬する間に１／４波長板２０を２回通過してＴＥモードに変換され（モード変換部）、偏波ビームスプリッタ１０に入力する。偏波ビームスプリッタ１０は、入力した光をＴＥモードの光とＴＭモードの光とに分離し、ＴＥモードの光を第１導波路２に出力する（偏波分離部）。 （もっと読む）

【課題】高速で駆動電圧が低く、かつバイアス電圧が小さく、製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１に形成された光導波路と、高周波電気信号用の中心導体及び接地導体からなる進行波電極と、バイアス電圧用の中心導体１５ａ及び接地導体１５ｂからなるバイアス電極とを有し、光導波路には進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなる光変調器において、バイアス電極は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路を構成するＹ分岐アームに沿ってバイアス電圧を印加するよう形成される。 （もっと読む）

【課題】２つの光デバイスの端面間の距離を高精度に測定して光接続した光モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】光モジュール１００は、第１ＰＬＣ１１０と第２ＰＬＣ１２０の２つのＰＬＣを接続して構成されている。そして、第１ＰＬＣ１１０および第２ＰＬＣ１２０を跨いでＭＺＩ回路１０１が形成されている。ＭＺＩ回路１０１は、一部が第２ＰＬＣ１２０に形成され、他の部分が第１ＰＬＣ１１０に形成されている。ＭＺＩ回路１０１を端面距離測定用光回路として用い、これにより端面間距離Ｄを高精度に測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡素な駆動回路で駆動可能な光変調器を提供する。
【解決手段】光を長手方向に透過するべく所定の幅及び厚みを有し長手方向に延びたコア層２と、コア層２を厚み方向から挟む第１クラッド層３ｕ及び第２クラッド層３ｄとを有する光変調器１であって、コア層２が電界に応じて屈折率が変化する電気光学効果光学材料で形成され、第１クラッド層３ｕ及び第２クラッド層３ｄの、厚み方向、かつ、コア層２と接しない側の面のそれぞれに、コア層２内に電界を形成する第１電極４ｕ及び第２電極４ｄが形成され、上記第１電極４ｕ及び第２電極４ｄの少なくとも一方が、長手方向に対して光の入射側から幅方向に傾斜した辺５を有する。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有する基板の厚みが１０μｍ以下の場合でも、光波とマイクロ波との速度整合を実現しながら、インピーダンス整合を行い、さらに、駆動電圧Ｖπを低減を図ることが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成され、厚みが１０μｍ以下の基板１と、該基板上に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを有する光導波路素子において、該制御電極は、信号電極３と接地電極４とから構成され、該信号電極と該接地電極との間のギャップが１５μｍ以上２５μｍ未満であり、該制御電極の厚みは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層を利用することなく、瞬間的なＤＣドリフトによって発生するサージ現象を低減し、薄板化された基板の破損を防止することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板上に形成された光導波路４と、該光導波路に電界を印加するための制御電極２，３とを有する光導波路素子において、該基板の厚さが３０μｍ以下であり、該制御電極は信号電極２と接地電極３とを有し、少なくとも該信号電極における該基板と接触する表面部には、低誘電率層５，６が形成されていることを特徴とする。
好ましくは、該低誘電率層の厚みは、１０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする。
さらに好ましくは、該低誘電率層は、アニール処理によって形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光伝送損失の少ない機能性光素子をＳｉ基板に集積する。
【解決手段】シリコン細線光導波路１２ａ，１２ｂと、シリコン細線光導波路に対して光結合可能な距離だけ離間してシリコン細線光導波路と一直線上に設けられたＬｉＮｂＯ_３細線光導波路１４とを備える。このＬｉＮｂＯ_３細線光導波路は周期的分極反転構造２６を有し、シリコン細線導波路１２ａより入射する基本光の波長を変換し、変換光をシリコン細線導波路１２ｂより出射する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長の光信号を取り扱うときに、フィルタの数の減少を図ることのできる光デバイスおよび光信号選択方法を得ること。
【解決手段】光導波路層１０２には、入射導波路１０５₀と、第１および第２の出射導波路１０５₁、１０５₂が形成されている。入射導波路１０５₀の傾斜導波路部分１１２₀が多層膜フィルタ板１０４の面となす入射角と、第１および第２の出射導波路１０５₁、１０５₂の傾斜導波路部分１１２₁、１１２₂が多層膜フィルタ板１０４の面となす反射角は等しくなっている。また、傾斜導波路部分１１２₀〜１１２₂が多層膜フィルタ板１０４と接する位置がそれぞれ相違している。これにより、第１および第２の出射導波路１０５₁、１０５₂はそれぞれ異なる波長の光信号を入射する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１、光導波路３、進行波電極、凹部により構成されるリッジ部を具備し、リッジ部は中心導体用リッジ部と接地導体用リッジ部からなる光変調器において、凹部は第１〜第３の凹部でなり、第１の凹部の中心線に対し対称な位置に第２、３の凹部が形成され、第１、２の凹部の上方には接地導体が形成されておらず、第３の凹部の上方には、中心導体４ａよりも導体が薄く形成された部分４ｂ^（５）'と中心導体と同じ厚みを持つ部分４ｂ^（５）とが、光導波路方向に交互に形成され、第２の凹部に隣接する中心導体用リッジ部でない側の基板上に形成された接地導体には、中心導体の中心線で第３の凹部と対称となる位置に、中心導体よりも導体が薄く形成された部分４ｃ^（５）'と中心導体と同じ厚みを持つ部分４ｃ^（５）とが光導波路方向に交互に形成される。 （もっと読む）

ＤＣバイアス変動を低減するためのニオブ酸リチウム変調器構造体（３０）が提供されており、前記ニオブ酸リチウム変調器構造体（３０）は、一又は複数のＤＣセクション（３８、４０）とＲＦセクション（４２）を有する光導波管（３４）の上にパターン化された高ドープ半導体層（４４、５４）を含み、金属層又は金属接合（５０）は、半導体層（４４、５４）の一部と接触し、緩衝層（４６）はＲＦセクション（４２）に形成される。また、上述した構造体を有するニオブ酸リチウム電気光学変調器を作製する方法も提供されている。
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【課題】機械的強度を落とさずにディップを抑制可能な構造をもった光変調素子を提案する。
【解決手段】本提案に係る光変調素子は、電気光学効果をもつ結晶基板１０と、結晶基板内に形成された光導波路２０と、結晶基板上に形成され、光導波路２０に対して電界を印加する電極３０と、電極３０が形成された結晶基板の表面１１及びこれに対向する裏面１２の両方から離隔した結晶基板内部における電極下領域に、光導波路２０を避けて埋設された低誘電率の埋設層５０と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成および工程によって、基板上に並列して形成された２つの光導波路のうち一方の光導波路のみを切断する溝を有する光導波路デバイスの生産性を向上させる。
【解決手段】光導波路デバイスは、基板の上面に並列して形成された２つの光導波路のうち、一方の光導波路のみを切断する溝を有し、該溝は、基板の上面から底面まで貫通している。このような溝は、基板１の上面に並列して形成された２つの光導波路２，３のうち、切断しようとする一方の光導波路２が上側に、切断しない他方の光導波路３が下側に位置するように基板１の一方の側面を支持台４に固定し、ダイシングブレード５を基板１の底面側から上面側へと進行させることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】デバイスの製造時における光導波路の放電破壊を回避すること。
【解決手段】パターン形成工程によって、折り返し部１２３ａを有する導波路パターン１２０ａと、折り返し部１２３ａの外周側に位置する導体パターン３１２と、折り返し部１２３ａと導体パターン３１２を接続するダミーパターン１３０ａと、を誘電体基板１１０上に形成する。つぎに、パターン形成工程によってパターン形成された誘電体基板１１０を熱拡散処理して導波路パターン１２０ａを光導波路にする。 （もっと読む）

【課題】動作点（バイアス点）を所望の位置にすることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器１０Ａは、基板１１と、基板１１に形成された光導波路１２と、基板１１上に設置された変調電極１４とを有する。光変調器１０Ａでは、幅寸法Ｗが位相シフト光導波路１２ｂの残余の箇所のそれよりも大きい位相調節部１５が位相シフト光導波路１２ｂの一部に形成され、変調電極の印加電圧と光導波路を伝搬して出力光導波路から出射する出力光との関係を表す特性曲線上の動作点（バイアス点）が所望の位置になるように、位相調節部１５の延伸方向の長さ寸法Ｌが調節されている。 （もっと読む）

【課題】光の波長の違いがあっても、出力光の変化が小さい光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】光導波路デバイスにおいて、直交する光の偏光に対して異なる屈折率を有する基板１０と、基板上に構成され、出力する偏光の光の波長に対して波長特性を有する偏光子６と、基板上で偏光子と接続され光を干渉させる光干渉路４，５を構成し、偏光子の出力する偏光の光の波長に対して波長特性を打ち消す方向の波長特性を有する干渉計と、干渉計を構成する該光導波路の位相を制御するための電極７，８とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面から離れた基板内部に形成される光導波路であっても、その曲げ導波路に対してクラッドを備えることの可能な光デバイスの構造を提案する。
【解決手段】本提案に係る光デバイス１は、結晶基板２と、結晶基板２に形成された光導波路３と、光導波路３の曲げ導波路３ａ，ｂに隣接させて結晶基板２に形成されたアモルファス領域４，５と、を含んで構成される。アモルファス領域４，５は、超短パルスレーザの照射によって形成される。 （もっと読む）

【課題】光導波路デバイスにおいて、複雑で精密な製造工程なしに信号光Poutと同相でモニタリングを行う構成を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の面内に形成された、入力用光導波路と出力用導波路を有する光導波路と、前記基板上に、前記光導波路に対応して形成されている電極と、前記出力用導波路上に該出力用導波路の光軸に対して法線が所定角度を持って形成された反射溝と、前記反射溝により反射される出力光をモニタするモニタ素子を有する。 （もっと読む）

【課題】光変調素子において、光ファイバー伝搬光と光導波路の伝搬光との間のモードフィールドの不整合による光挿入損失を低減すると共に、素子に対して温度サイクルが加わった場合にも挿入損失の増大と消光比の悪化を防止することである。
【解決手段】光変調器２４は、支持基板５、電気光学材料からなる変調用基板１１、変調用基板の一方の主面３０側に設けられている光導波路１２、および基板１１の他方の主面３１を支持基板５に接着する接着層６を備えている。基板１１が、光導波路１２に対して電圧を印加し、伝搬光を変調する高周波相互作用部１１ｃ、光導波路に対して光を入射する入射部１１ａおよび光導波路からの光を出射する出射部１１ｂを備えている。変調用基板１１の主面３０側において相互作用部１１ｃが入射部１１ａおよび出射部１１ｂから凹んでおり、相互作用部１１ｃの厚さが入射部１１ａの厚さおよび出射部１１ｂの厚さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】温度変化にさらされた時に改善される性能を伴う集積光素子が開示される。
【解決手段】光素子または集積光素子またはＭＩＯＣは、上面、＋Ｚ面および−Ｚ面を有する。素子は、リチウム ニオブ酸縁等の高い電子−光係数を有する結晶から形成される。開示される光素子の部品を方向付ける目的で、＋Ｚ結晶軸が＋Ｚ面から外側に伸び、このＺ軸は、それを横断して熱電気効果が示される軸となる。上面はＺ軸と直交している。上面上の入力導波路は、入力ポートから光信号を受信し、この信号を導波路ネットワークを介して、導波路ネットワークを出力ポートに接続する出力導波路に通す。＋Ｚおよび−Ｚ面の一部は、伝導性被覆物で少なくとも部分的に被覆される。伝導パスが＋Ｚおよび−Ｚ面を結合して、光素子の温度変化と熱電気効果に起因して電荷差が＋Ｚおよび−Ｚ面間に展開するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】
３０μｍ以下の厚みを有する基板を用いた場合でも、光損失の増加や消光比の劣化を改善することが可能な光導波路素子を提供すること。さらには、光導波路素子全体をより小型化することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚さが３０μｍ以下の基板１と、前記基板に形成された光導波路２１〜２８と、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極（信号電極３）とを有する光導波路素子において、該基板１は、対向する２つの端面（１０，１１）と２つの側面（１２，１３）を有し、該光導波路に該変調電極の電界が主として作用する光導波路の作用領域は、該側面（１２，１３）と略平行に配置され、該光導波路の入射側端部２１は、該側面１３に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）