【課題】ＡｌＧａＮ系の窒化物半導体を用い、均質な組成で十分な光閉じ込めができるクラッド層による光導波路が構成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第１窒化ホウ素層１０２を備え、第１窒化ホウ素層１０２の上に接して形成されたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第１半導体層１０３を備え、第１半導体層１０３の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）からなるコア層１０４が形成されている。また、コア層１０４の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第２半導体層１０５が形成され、第２半導体層１０５の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第２窒化ホウ素層１０６が接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気記録ヘッドに関連付けられたスライダにおける導波路に光を方向付けることを、低コスト、高い位置合わせ許容度および高い光伝達効率で実現する。
【解決手段】導波路３００は、屈折率ｎ₃を有する第１のクラッディング層３１０と、第１のクラッディング層３１０に隣接して位置する、屈折率勾配（ＧＲＩＮ）層３１５と、屈折率ｎ₂を有する、屈折率勾配層に隣接して位置するアシスト層３２０と、屈折率ｎ₁を有する、アシスト層３２０に隣接して位置するコア層３２５と、屈折率ｎ₄を有する第２のクラッディング層３３０とを備える。屈折率ｎ₁は、屈折率ｎ₂，ｎ₃，ｎ₄よりも大きく、屈折率ｎ₂は、屈折率ｎ₃，ｎ₄よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 クラッドによるＸ線の閉じ込め効果を高めることで、高い伝搬効率で位相の揃ったＸ線を導波することが可能なＸ線導波路を提供する。
【解決手段】 Ｘ線を導波させるコアとクラッドを有するＸ線導波路であって、前記コアは、Ｘ線の導波方向に垂直な方向において、屈折率実部が異なる複数の物質を含む周期構造を有し、前記コアと前記クラッドとの間に平坦化層が設けられ、前記コア及び前記平坦化層は、前記クラッドと接しており、前記クラッドと前記平坦化層および前記コアとの界面における全反射臨界角が、該コアの周期性に起因するブラッグ角よりも大きいことを特徴とするＸ線導波路。 （もっと読む）

【課題】集積光学にレーザインスライダ光供給を効果的に行うための装置を提供する。
【解決手段】光源２０２は入力面に結合され、光源からの光を導波路２０５のコア層２０６に、および導波路の伝搬長さの一部に沿ってコア層の横に配置される屈折率分布型材料層２１６に、向ける。光は光源から入力面に放射される。これに対応して、屈折率分布型材料層は光を少なくとも伝搬長さの部分に沿ってコア層に向ける。 （もっと読む）

【課題】材料を無駄にすることなく、希土類化合物を用いた光素子が製造できるようにする。
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層１０５をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば１０００℃に加熱することで、希土類含有層１０５を溝部１０４に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部１０６を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部１０６は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。 （もっと読む）

【課題】焦点位置の位置合わせの不要な光学情報伝達素子を提供する。
【解決手段】光学情報伝達素子１０１は光学情報を入力面から出力面に伝達する。光学情報伝達素子１０１は光学異方性を有する部材により形成される。入力面と出力面とを結ぶ少なくとも一つの直線が、光学異方性を有する部材の等周波曲面の原点を通る任意の断面による曲線において位相速度が最大となる方向に揃えられる。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さとが異ならしめて形成され、ＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さが、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さよりも低く成る。 （もっと読む）

【課題】光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易な光ファイバコネクタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光ファイバガイド部材１０と、光導波路２０とが並設された光ファイバコネクタであって、前記光ファイバガイド部材の２つのコア間が光ファイバを固定するための溝を形成し、該溝の幅が固定される光ファイバの直径以上であり、前記基板表面からファイバガイド用コアパターン上面までの高さが該光ファイバの半径以上であり、基板表面からファイバガイド用コアパターン上の第１の上部クラッド層の表面までの高さが該光ファイバの直径以上であり、かつ該光ファイバが、前記光導波路の光信号伝達用コアパターンに光信号を伝達可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる光ファイバコネクタである。 （もっと読む）

【課題】複数の光導波路と光ファイバのような複数の光学素子とをそれぞれ接続する際の位置合わせのトレランスが確保できる光導波路基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】光素子のような光ファイバ５が接続される光導波路基板１０は、基板２０の上面２２ａの上方に形成された、光ファイバ５に光学的に接続する光導波路であるコア層３２と、基板２０の上面２２ａの上方に形成されたガイド部４０と、を備える。ガイド部４０の壁部４４及び下部ガイド層としての第２下部クラッド層４２は、光ファイバ５の端部６の位置がコア層３２の端部３５の位置に合うように各光ファイバ５の端部６を案内するためのガイド溝部４５を形成する。ガイド溝部４５の底面４１は、光ファイバ５が挿入方向Ｘに進むに従って光ファイバ５の端部６がコア層３２の端部３５に光学的に接続できるように、一対の側面４３の間に形成された傾斜面４６を含む。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】安価で容易に作製可能な光カプラを実現すること。
【解決手段】光カプラ１は、石英基板１０と、石英基板１０の両面にそれぞれ形成されたＡｇからなる金属膜１１、１２と、を有している。金属膜１１は、石英基板１０の一方の表面１０ａに形成され、金属膜１２は、石英基板１０の他方の表面１０ｂの全面に形成されている。金属膜１１には、その金属膜１１を貫通する孔１３が複数形成されている。孔１３の石英基板１０の主面に平行な面での断面は円形である。孔１３の直径は、１５０ｎｍである。孔１３は正方格子状に配列されており、その孔１３の間隔は５００ｎｍである。この光カプラ１では、石英基板１０内の入射光１４の一部を、入射光１４の伝搬方向に対して１１１°の方向に分岐光１５として放射させることができる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を高めたリング共振型の微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置を提供する。
【解決手段】微小物質検出センサは、リング状の第１の導波路を有する、光リング共振器と、光リング共振器と近接して配置された第２の導波路とを含む。光リング共振器は、第１の導波路の断面における特定の辺に対応する表面部分で被検出物質と接触するように構成されている。光リング共振器は、コアと、コアに隣接し、かつ、第１の導波路の断面において被検出物質が接触する表面部分に対応する辺とは異なる辺を構成するクラッドと、コアに隣接し、かつ、第１の導波路の断面において被検出物質が接触する表面部分に対応する辺を構成するとともに、その値がクラッドの屈折率より高く、かつ、コアの屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層とを含む。 （もっと読む）

【課題】検出感度を高めたリング共振型の微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置を提供する。
【解決手段】リング状の第１の導波路からなる光リング共振器と、光リング共振器と近接して配置された第２の導波路とを含む。第１の導波路は、方形状の断面形状を有するコアを含む。光リング共振器は、コアの断面における特定の辺に対応する表面部分で被検出物質と接触するように構成されている。コアの断面形状は、コアから被検出物質へ向かう方向と平行な方向の第１の長さが、コアから被検出物質へ向かう方向と垂直な方向の第２の長さと比較して、より短くなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】高速駆動が可能であり、駆動電圧のより一層の低減が可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、薄板１に形成された光導波路５２、５３と、光導波路５２、５３を伝播する光を制御するための光制御部を複数有する光制御素子において、光制御部の少なくとも一部には、光導波路５２、５３に電界を印加するための制御電極が、第１電極と第２電極とから構成される。第１電極は信号電極３３、３４と接地電極６１、６２とを有すると共に、第２電極は少なくとも接地電極６３を有し、第１電極の信号電極３３、３４と協働して光導波路５２、５３に電界を印加するように構成される。複数の光制御部の間は、コプレーナ型線路、コプレーナ型線路と裏面に配置された接地電極、又はマイクロストリップラインのいずれかで構成される制御信号配線で接続し、光と電気信号の到達時間がほぼ同じになるように設定する。 （もっと読む）

【課題】高い感度を維持しつつ、高精度な光検出測定を可能とする光導波路型バイオセンサチップ、あるいはその製造方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板と、前記基板上に形成された、前記基板より屈折率が高い光導波路層と、前記光導波路層で光を伝播させるために前記光導波路層へ光を入射する第１グレーティングと、前記光導波路層で伝播した光を前記光導波路層外へ光を出射する第２グレーティングと、前記光導波路層上に形成された金属酸化膜と、前記金属酸化膜上に架橋剤を介して固定化された発色剤を少なくとも有するセンシング膜と、を有することを特徴とする光導波路型バイオセンサチップ。 （もっと読む）

【課題】
薄板化した主基板を伝播する信号光の光学的な特性劣化を抑制し、製品の光学特性を向上させることが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該光導波路基板の該補強基板側の面上であって、該光導波路が形成された部分にバッファ層が形成され、
該バッファ層を覆うように該光導波路基板の該補強基板側に、光吸収膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧のより一層の低減が可能な光導波路素子を提供すること。また、駆動電圧の低減により、光導波路素子の小型化や利用する駆動装置の低コスト化を図ること。
【解決手段】
厚みが１０μｍ以下の電気光学効果を有する薄板１と、該薄板に少なくとも一つのリッジ型光導波路が形成された光導波路素子において、該薄板の該リッジ型光導波路が形成された面の反対面上であって、該リッジ型光導波路の下部に該当する部分に、該薄板より屈折率の高い高屈折率膜１０を配置し、該高屈折率膜の幅が、該リッジ型光導波路の幅と同じか、又は当該幅より狭く構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板の基板側端子と光素子の素子側基板とが確実に電気的に接続されている光素子搭載基板を提供すること。
【解決手段】光素子搭載基板１は、基板本体８と、基板本体８の上面に設けられ、第１の基板側端子７１ａ〜７１ｄと第２の基板側端子７２ａ〜７２ｄとを有する電気回路７とで構成された回路基板６と、回路基板６に搭載され、光を発光する光素子５であって、板片状をなし、その面に第１の基板側端子７１ａ〜７１ｄと電気的に接続される第１の素子側端子５２ａ〜５２ｄと、第２の基板側端子７２ａ〜７２ｄと電気的に接続される第２の素子側端子５３ａ〜５３ｄとを有する光素子５とを備えている。そして、回路基板６には、光素子５が搭載される際に第１の素子側端子５２ａ〜５２ｄと第１の基板側端子７１ａ〜７１ｄとの間と、第２の素子側端子５３ａ〜５３ｄと第２の基板側端子７２ａ〜７２ｄとの間の距離を規制する規制部９Ａが設けられている。 （もっと読む）