【課題】
【解決手段】 ＳＯＩベースの構造内に形成された導波路の間に光クロスオーバを提供する構成が、前記ＳＯＩ構造内にパターン形成したジオメトリを使用している。このジオメトリは、信号がオーバーラップする領域においてクロストーク効果を低減するように選択されている。好ましくは、光信号が、直交する方向に伝達する（あるいは波長が異なる）ように固定されて、クロストーク効果を最小限にする。ＳＯＩ構造のジオメトリは、所定のテーパ及び／又は反射面を具えるようにパターン形成されて、伝達光信号を方向付ける／方向を定める。光クロスオーバ領域内のパターン形成された導波路領域は、上に横たわるポリシリコンセグメントを有するように形成して、伝達ビームを更に適合させて、クロスオーバ構成のカップリング効率を改善するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 フリースペース伝播光学信号と、シリコン−オン−絶縁体（ＳＯＩ）構造の上側シリコン層に形成された超薄型シリコン導波管の間に光学カップリングを提供する構成が、ＳＯＩ構造の上側シリコン層（ＳＯＩ層）中に形成され、超薄型シリコン導波管に接続されたシリコンナノテーパ構造を具える。誘電絶縁層の屈折率より大きく、シリコンの屈折率より小さい屈折率を有する誘電体導波管カップリング層が、ＳＯＩ層の関連部分が除去された領域における誘電絶縁層の一部の上に横たわるように配置されている。誘電体導波管カップリング層の端部は、シリコンナノテーパの端部に重なって配置されており、フリースペース伝達光学信号と超薄型シリコン導波管との間にモード変換領域を形成する。フリースペース光学カップリング構成（プリズムまたはグレーティングなど）は、誘電体導波管カップリング層の上に配置されており、フリースペースと誘電体導波管カップリング層の間を伝達する光学信号を、後に超薄型シリコン導波管内にカップリングするように用いられる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板層（２）と少なくとも１つの光チャネル（３）とを有する回路基板（１）に関する。回路基板（１）の少なくとも１つの基板層（２）はプラスチックから成る。基板層（２）を形成するためにモールドが用いられている。基板層（２）は光チャネル（３）の形状に実質的に対応する形状を備えている。光チャネル（３）は、前記基板層に形成された形状に形成される。本発明はまた、回路基板（１）を製造する方法ならびに連続加工で回路基板を製造する方法に関する。
（もっと読む）

第１の光導波路（２４；５２；８０；９４；１２０；１４０）と、第２の光導波路（２６；４２；５４；８２；９６；１２２；１４２）とを含む可変光減衰器（ＶＯＡ）デバイス（２０；４０；５０；９０）が述べられる。前述の第１及び第２の光導波路の少なくとも一方に対して制御可能な配向を有するマイクロ電気機械式システム（ＭＥＭＳ）ベースの部品のような可動反射素子（２８；８４；１０６；１２４；１４４）が与えられる。第１及び第２の導波路は、中空コア光導波路として形成される。
（もっと読む）

光増幅器の入力ステージ及び出力ステージのための光回路が述べられる。入力ステージの回路（４２）は、増幅されるべき信号ビームを搬送する第１の光導波路（４６）と、ポンプ・ビームを搬送する第２の光導波路（６２）と、該第１及び第２の光導波路（４６、６２）に光学的に結合されて、合成された信号／ポンプ・ビームを生成するビーム合成手段（５８）と、該合成された信号／ポンプ・ビームを増幅光ファイバ（６３）に光学的に結合するための手段とを含む。出力ステージの回路（４４）は、第１の出力光導波路（６４）と、増幅光ファイバ（６３）を受け取るように配置された光ファイバ取り付け手段と、出力光ファイバ（７６）を受け取るように配置された光ファイバ取り付け手段とを含み、該増幅光ファイバ（６３）からの光は、該第１の出力光導波路（６４）を介して、出力光ファイバ（７６）に光学的に結合される。第１及び第２の光導波路（４６、６２）並びに第１の出力光導波路（６４）は、基板においてチャネルとして形成された中空コア光導波路である。このような光回路を含むファイバ増幅器、特にエルビウム添加ファイバ増幅器もまた述べられている。
（もっと読む）