【課題】シリコンウェハーのスライシング加工などに供するレジンボンドワイヤーソーで、ワイヤーソー自体に通電性を持たせ、且つ、砥粒保持力が高く、切れ味の良いワイヤーソーを提供する。
【解決手段】金属被覆砥粒の一端を金属芯線１に接触させ、且つ、一部分をボンド面より露出させることでワイヤーソーの外表面から芯線に通電性を持たせ、加工中の断線検知を可能とする。又、金属被覆砥粒２を用いることでボンドとなる樹脂３との接合性を良くした上、金属芯線１に銅又は銅合金メッキすることでボンド３との接合性をより高め、砥粒の脱落やボンド剥離をなくす。２ヶの導電性ロールを用いて上記ワイヤーソーの断線検査を行う。 （もっと読む）

【課題】ドレッサにおいて機材に埋め込まれたダイヤモンドの状態について確実に評価、検査することができるドレッサ検査装置およびドレッサの検査方法、並びにこれらを適用したＣＭＰ装置、およびＣＭＰ装置の検査方法を得る。
【解決手段】基材の表面にダイヤモンド粒子が埋め込まれてなるドレッサの異常を検査するドレッサ検査装置であって、ドレッサにおけるダイヤモンド粒子が埋め込まれた面に対して、ダイヤモンド粒子が埋め込まれた面と略水平な方向に光を照射する光源手段１１と、光源手段からの照射光がダイヤモンド粒子が埋め込まれた面において反射した反射光を集光してダイヤモンド粒子が埋め込まれた面の画像を取得する反射像取得手段１３と、反射像取得手段で取得した複数の画像の合成処理を行って合成画像を生成する画像処理手段１５と、合成画像に基づいてドレッサの異常を検出する異常検出手段１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 駆動モータの数を減らすことにより低コスト化可能にする。
【解決手段】 ベース（１１）と、被加工物（５１）を保持する複数の保持部（７０）を備えていてベースのベース面（１２）上に配置された搬送部（６０）と、ベース面上に配置されていて第一および第二の加工ヘッド（２４、３４）を備えた加工部（２０）と、加工部を第一および第二の加工ヘッドと共にベース面に沿って摺動させる第一の駆動部（２５）と、第一および第二の加工ヘッドをベース面に対してそれぞれ垂直に移動させる第二の駆動部（２６、３６）とを具備する加工装置が提供される。さらに、搬送部を回転させる第三の駆動部（６５）を具備し、複数の保持部のそれぞれは搬送部の回転上面に設けられるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 研磨パッド表面のスラリーに対するなじみ具合を定量的に評価できる研磨パッドの表面状態の評価方法の実現。
【解決手段】 パルス法ＮＭＲのＣＰＭＧ法により、研磨パッド13の表面の水の対象核¹Ｈの自由誘導減衰信号を観測し、自由誘導減衰信号の変化を評価する。自由誘導減衰信号を、時定数の小さな吸湿水成分による自由誘導減衰信号と、時定数の大きな自由水成分による自由誘導減衰信号とに分解し、少なくとも一方の自由誘導減衰信号の変化を評価する。 （もっと読む）

【課題】着色された眼鏡レンズやコーティングされた眼鏡レンズ等においても、吸着治具の装着位置を特定することができる吸着治具取付装置を提供する。
【解決手段】吸着治具取付装置は、眼鏡レンズを開口部内に配置できる載置台と、開口部に載置された眼鏡レンズの画像を撮影する撮像手段と、撮像された前記眼鏡レンズの画像から吸着治具の取付位置を特定する位置決定手段と、吸着治具を眼鏡レンズの取付位置に配置する装着手段とを備えている。しかも、位置決定手段は、撮像手段の光量を調整し、眼鏡レンズの種類に応じて露光時間を変化させ、眼鏡レンズの輪郭を検出し、撮像できなかった箇所を点線Ｓａで表示させるように制御し、検出した眼鏡レンズの輪郭をもとに眼鏡レンズにおける吸着治具の装着位置を求めるようになっている。 （もっと読む）

【課題】研削盤における前記砥石旋回軸線Ｂから研削先端点ｃ１までの各軸方向距離の算出を治具や測定器などを使用しないで従来の場合よりも比較的簡便且つ正確に行えるようにする。
【解決手段】旋回台４がこれの基準位置から任意な大きさの第１特定旋回角度（０度）だけ旋回された状態の下で、ドレッサ２ａの頂点ａ１と砥石１２ａの研削先端点ｃ１とが点接触されたときの、砥石旋回軸線ＢのＸ方向座標値Ｘ１、及び、ドレッサ２ａの頂点ａ１のＺ軸方向座標値Ｚ１を特定し、一方では、旋回台４がこれの基準位置から第１特定旋回角度とは相違する大きさの第２特定旋回角度だけ旋回された状態の下で、ドレッサ２ａの頂点ａ１と砥石１２ａの研削先端点ｃ１とが点接触されたときの、砥石旋回軸線ＢのＸ方向座標値、及び、ドレッサ２ａの頂点ａ１のＺ軸方向座標値を特定するように実施する。 （もっと読む）

【課題】 ガイドリングを無駄に捨てることなくほぼ使用限界まで使用できる、ＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＭＰ装置１１は、半導体ウエハ４４を吸着して保持するトップリング４６と、半導体ウエハ４４の側面をガイドするリテーナリング４５と、半導体ウエハ４４を研磨する研磨パッド４１と、ＣＣＤカメラ４２とを有する。半導体ウエハ４４を研磨処理するとき、半導体ウエハ４４とともに、半導体ウエハ４４をガイドしているリテーナリング４５の研磨を行う。リテーナリング４５には、半導体ウエハ４４を研磨したときに発生する研磨粉を排出する溝が設けられている。溝は、ＣＣＤカメラ４２によって溝の画像が取り込まれ、この画像を画像処理部で処理することにより深さが求められる。この深さを随時確認することで、リテーナリング４５の使用限界管理をする。 （もっと読む）