【課題】 高平坦度等の優れた加工精度を有する片面鏡面ウェーハを再現性よく製造することができるウェーハ基板の研磨方法及びこれによって得られたウェーハを提供する。
【解決手段】 本発明の圧電性単結晶からなるウェーハの製造方法は、円筒研削済みの単結晶インゴットをスライスする段階と、上記スライスしたウェーハをラップする段階と、上記ラップウェーハの表面側を平面研削する段階と、上記平面研削されたウェーハの表面側を研磨する段階と、を含んで構成されることを特徴とする。
本発明の圧電性単結晶からなるウェーハは、圧電性単結晶からなるウェーハであって、該ウェーハの周辺部１ｍｍを除いた平坦度が、５ｍｍ角の測定サイトで、ＬＴＶ_max０．５μｍであり、且つ、ＬＴＶ_max０．４μｍ以下で測定したＰＬＴＶが９９％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣやダイヤモンド等からなる基板の表面を、サブサーフェスダメージを残すことなく極めて平滑に、かつ能率よく研磨することが可能な研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】裏面に反射膜１１を備えた研磨定盤１０と、研磨定盤１０の表面側に配置された紫外光源ランプ１２と、赤外光源ランプ１４とを備えている。研磨定盤１０の表面に基板１６の被研磨面１６ａを押し付けた状態で、紫外光Ｌを研磨定盤１０の表面側から所定の光束で照射しつつ、相対的に擦動させることにより研磨を行う。研磨定盤１０に入射した紫外光Ｌは、研磨定盤１０内を透過してその裏面の反射膜１１において反射することにより、被研磨面１６ａの全面に対して照射される。被研磨面１６ａに形成された酸化膜が除去されて研磨が進行する。紫外光を有効に活用することで、極めて平滑で、かつ能率的な研磨を実現すると同時に、装置が小型化し、設計の自由度が向上する。 （もっと読む）

【課題】 基板周縁部等に発生する表面荒れや基板周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理装置及びその基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、半導体ウェハ等の被処理基板１０を保持する基板保持機構２０と、水平方向に移動可能な研磨ヘッド３０と、研磨ヘッド３０に装着され、被処理基板の周縁部の研磨に供される研磨テープ４０と、被処理基板１０上に純水を供給するための純水供給ノズル５０とを備えている。研磨ヘッド３０は、被処理基板１０のベベル部及びデバイス面側のエッジ部に対して、接触・加圧・角度調整を行うことができる。研磨ヘッド３０には、被処理基板１０と接触・加圧させる部分に突出部を有する研磨パッド６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面研削により薄く形成されたウェーハの取り扱いを容易にすると共に、デバイスの表面の凹凸に対応した凹凸が裏面にも表出するのを防止してデバイスの抗折強度を高める。
【解決手段】複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハＷの裏面を研削するにあたり、チャックテーブル５０とウェーハＷのデバイス領域との間にる凹凸吸収パッド１を介在させた状態で、チャックテーブル５０を回転させ、砥石部５１３をウェーハＷの裏面の回転中心に常時接触させると共に、外周余剰領域の裏面に接触させずに研削を行い、デバイス領域の裏面側に凹部Ｗ３を形成すると共に、凹部Ｗ３の外周側に外周余剰領域を含むリング状補強部Ｗ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対応の磁気記録媒体における基板表面の異物に起因するトラブルを極力抑え得る磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
【解決手段】磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対応の磁気記録媒体に用いられる磁気記録媒体用ガラス基板であって、ガラス基板の内周端面及び／又は外周端面の面取り部及び／又は側壁部の表面粗さＲａが０．００１〜０．０４μｍである。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶側に対向する成長面に対して中空円筒状砥石３０の開口部を接触させる工程と、 上記中空円筒状砥石３０を回転させると共に上記中空円筒状砥石を上記種結晶方向に下降させて上記炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程と、を含むことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の研削方法。 （もっと読む）

【課題】工具の形状に制約されずに、振動付与による加工効率と加工品質の向上を達成させる為に、加工テーブルを加振して、機械的振動をワークに伝達させ工具側と同様の効果を得る。
【解決手段】最適な振幅の幅を設定できて更にテーブル全面を均一な振幅を出力すること、その為には振動板の背面に複数個の振動子を並列に取り付け、振幅のゼロになる部分いわゆるノード分布に共振させて均一な振幅をつくる振動板の構造を工夫した。 （もっと読む）

【課題】ブロッキング時のレンズ素材の変形量を小さくすることができるとともにレンズ素材の押圧力を一定にすることができるレンズ押さえ治具を提供する。
【解決手段】本体２０と、この本体２０に設けられレンズ素材３をレンズ中心から離れた位置であってレンズ周方向に沿って並んだ３箇所で保持具２側に押圧する押さえ部３０とを備える。保持具２とレンズ素材３との間の空間に固定材を流入させた際にレンズ素材３が浮き上がろうとしても、３個の押さえ部３０でレンズ素材３を均等の力で抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造において、ウェーハ外周部におけるＳＯＩ層の欠損を簡便に防止することができるＳＯＩウェーハを提供する。
【解決手段】 ＳＯＩウェーハ１０は、支持基板用ウェーハ１１、その表面部の接合絶縁膜１２、およびＳＯＩ層１３を有する。ここで、その外周部がベベル加工され、ＳＯＩウェーハの外周部にウェーハ端面１４、ＳＯＩ層１３側のベベル面１５、支持基板用ウェーハ１１側のベベル面１６が設けられている。そして、上記ベベル面１５のＳＯＩ層１３表面に対するベベル角度θが、３０度〜６０度の範囲にしてある。このようにして、ＳＯＩウェーハの製造歩留まりを低下させず安定させると共に、ＳＯＩウェーハを用いた半導体デバイスの製造工程において外周部におけるＳＯＩ層１３の欠損を簡便に防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の中央部と外周部に対する研削負荷を均等にして研削仕上がりを均一にするとともに、加工タクトを短縮する。
【解決手段】まず、第２のカップホイール２５により研削領域ｂ２の研削を開始する。次いで、第１のカップホイール２５により研削領域ｂ１の研削を開始し、第１、第２のカップホイールにより研削領域ｂ１，ｂ２の研削を行う。研削の最終段階では、第２のカップホイールを退避させ、第１のカップホイールのみによって研削領域ｂ１，ｂ２の研削を行う。 （もっと読む）

【課題】密着性の低い層間絶縁膜を使用する半導体装置の製造過程において、ウエハ端縁部で層間絶縁膜を含む積層膜が剥離することを防止した半導体装置の製造方法および半導体基板を得る。
【解決手段】ベベル部ＢＶ１上に形成された層間絶縁膜４を除去する際には、ラインＬ１で示す部分まで研磨を行い、層間絶縁膜４だけでなく半導体基板１の一部も除去するものとする。ラインＬ１が半導体基板１の主面となす角度αは０°よりも大きく３０°以下に設定され、半導体基板１のベベル部ＢＶ１の角度に合わせて適宜設定される。研磨ドラムＲＤは、円筒状のドラムの側面に研磨布を貼り付けて構成され、ドラムを中心軸の回りに回転させるとともに半導体基板１も面内回転させながら、研磨ドラムＲＤを半導体基板１の端縁部に押し当てることで研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】
ラッピング液を使用するラッピング工程に代えてラッピング液を使用することのない代替工程を行う半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハの製造方法のうち、面取りしたウェーハを平坦化する工程すなわちラッピング工程に代えて、ウェーハの両面を研削して平坦化する研削工程を行い、さらにこの研削工程後にウェーハの裏面に不均一な傷を入れて梨地にする梨地加工工程（例えば、サンドブラスト）を行う。
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ガラスシートを仕上げるための装置において、対向する関係にあるベアリング表面を有する１対の流体ベアリングを備え、ベアリング表面が、ガラスシートを受け入れるためのチャンネルを画成するように間隔が空けられ、各ベアリング表面が、ジェット流がその中を通ってチャンネル中に導入される複数の細孔を有し、その細孔が、ベアリング表面に亘り均一な流体圧力がジェット流により生じるようにベアリング表面に配置されている。
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【課題】従来と比較して半導体チップの抗折強度にばらつきが生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の略長方形の半導体チップ１０が切り出される半導体ウェハ１の裏面を、半導体チップ１０の長手方向に往復する研削板２０の表面に押し当てることにより研削する工程を有する。この半導体装置の製造方法によれば、研削板２０は半導体チップ１の長手方向に往復するため、全ての半導体チップ１０において、裏面に形成される研削痕は、半導体チップ１０の長手方向に沿う方向になる。従って、半導体チップ１０の抗折強度にばらつきが生じることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ブラウン管用パネルのフェース面形状に対する追従性を持ち、かつ寿命延長可能である研磨具ピースの形状に特徴を有するブラウン管用パネルのフェース面研磨具を提供する。
【解決手段】ブラウン管用パネルのフェース面研磨具３であって、可撓性を有する研磨具基部８を持つ研磨具基部に間隔を設けて複数配列した研磨具ピース７を、切頭円錐状または切頭角錐状として、研磨中に生じる研磨抵抗によるモーメントによる研磨具ピースの傾きを抑える。 （もっと読む）

【課題】本発明の半導体ウエハーのエッジ研磨方法は、モーメントによる割れの問題、テーブルとの接触部における傷発生の問題、ビビリからくる研磨面の荒れの問題、及び、従来技術では２工程が必要とされた表裏エッジの研磨を、単一の工程でできるようにすることを課題とする。
【解決手段】
（１）部分球面を形成する複数のパッドブロック５４を設けた２つの研磨プレート５２の間に配置された半導体ウエハーＷを２つの研磨プレート５２によって挟み付けるようにして押圧し、（２）パッドブロック５４が互いに干渉しないで噛み合うような状態を保ちながら、半導体ウエハーＷをその中心軸線の周りに回転させ、（３）この軸線に対して傾斜した２つの回転軸線の周りに研磨プレート５２を回転させる。 （もっと読む）

【課題】 滑りやすいレンズの加工に際に、レンズの軸ずれを抑えると共にレンズチャック時の横ずれを抑える。
【解決手段】 眼鏡レンズを２つのレンズ回転軸で挟むチャック手段と、レンズ回転軸を回転させる回転手段と、レンズ回転軸とレンズ周縁加工具の回転軸との軸間距離を変動させる軸間距離変動手段と、加工時に眼鏡レンズに掛かる負荷が予め設定された許容値を下回るように加工する加工制御手段と、レンズ面が滑りやすいか否かにより加工モードを選択する加工モード選択手段であって、滑りにくい眼鏡レンズを加工する際に負荷の許容値が高く設定された第１加工モードと、滑りやすい眼鏡レンズを加工する際に軸ずれを抑えるべく負荷の許容値が低く設定された第２加工モードと、を選択する加工モード選択手段と、第２加工モードの際のチャック圧を第１加工モード時の第１チャック圧よりも弱い第２チャック圧に変えるチャック圧可変手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハの回路形成部への研磨剤及びごみの付着を的確に阻止し、半導体装置の歩留まりを向上させ、後工程における各製造装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】円盤状のウェハ２００の外周縁側を研磨する研磨部１５０と、ウェハ２００の表面に向かってガスＧを吐出しウェハ２００上の空間を研磨部１５０によりウェハ２００が研磨される研磨領域ＰＦと研磨領域ＰＦ以外の通常領域ＮＦとにガスＧのカーテンＣで仕切るガス吐出部１３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】防汚効果に優れた含フッ素シラン化合物で防汚層を形成したレンズを玉型加工できる技術を提供すること。
【解決手段】レンズと玉摺り加工機における一対のチャック２，３の少なくとも一方との間に配置される粘着テープが、前記レンズに接するための粘着面を備える。その粘着面の粘着力の測定値は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７「粘着テープ・粘着シート試験方法」に規定する１８０度引きはがし法による粘着力試験方法において、試験板としてフッ素変性シリコーン離型剤で表面処理したポリエチレンテレフタレート板を用いた場合に、４ｇｆ（０．０３９２Ｎ）以上である。 （もっと読む）

【課題】表面に樹脂が被覆された半導体ウエーハの樹脂を研削するにあたり、樹脂を安定して保持することができるとともに、樹脂の表面を平坦に、かつ均一厚さに研削する。
【解決手段】ウエーハ１の表面に被覆された機能層４ａおよび不要層４ｂからなる樹脂膜４の表面側の不要層４ｂに、収縮応力を解放させるための複数の溝５を機能層４ａに至らない深さで形成してから、不要層４ｂを研削装置３０の研磨ホイール４５によって研削、除去する。反りが生じていたウエーハ１を、溝５を形成することによってチャックテーブル３４の表面に平坦に吸着させることができる。 （もっと読む）