【課題】半導体ウェーハの表裏面を保持することなく半導体ウェーハの周辺部を研磨する。
【解決手段】半導体ウェーハ周辺部の研磨方法は、表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハ１４を、研磨スラリー１１を保持し回転する研磨ローラ１３に接触回転させてウェーハの周辺部を研磨する。研磨装置は、研磨スラリーが貯留されて上方が開放したタンク１２と、ローラの一部がスラリーの液面より上部に存在してかつ水平にタンクに設けられた研磨ローラと、研磨ローラと平行に設けられウェーハ周辺部形状に相応した形状の複数の周溝１６ａが所定の間隔をあけて形成された周溝にウェーハ周辺部を収容することにより研磨ローラとともに複数の半導体ウェーハを鉛直状態に保持する複数の回転ローラ１６と、研磨ローラを回転駆動する第１ローラ回転手段と、複数の回転ローラを回転駆動する第２ローラ回転手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】反り、割れによる破損等も無く、効率よく安定的な研磨が出来る研摩方法の提供。
【解決手段】厚さ５００μm以下で、且つ破壊靭性が１０MPa・√m以下である薄膜脆性材料を両面研磨する方法において、それぞれの研磨面の研磨量の合計を１００μm以内とし、一方の面を固定して他方の面の研磨を行い、各１回での研磨面の研磨量の割合として、一方の面２ａの研摩量：他方の面２ｂの研摩量を２０：１〜１：２０の範囲とすることを特徴とする、薄膜脆性材料の表面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 従来法に比べて半導体ウェーハの製造工程全体の短縮につながり、かつ半導体ウェーハの取り代を大幅に低減して、半導体材料のカーフロスを削減して安価に半導体ウェーハを得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性インゴットから薄円板状の素材ウェーハを切り出すスライス工程と、前記素材ウェーハを、固定砥粒を有するパッドをそれぞれ具える１対の上下定盤間に挟み込み、前記素材ウェーハの両面を同時に研削する固定砥粒研削工程と、固定砥粒研削工程の後に、前記素材ウェーハに所定の熱処理を施す熱処理工程と、熱処理工程後の後に、前記素材ウェーハの両面をそれぞれ研磨する片面研磨工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等のウェーハのエッジのクラック、形状崩れ等を除去し、高い面質の面取り面を有するウェーハを高いスループットで生産することのできるウェーハ加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェーハ加工方法は、単結晶インゴットをスライスして得たウェーハの周縁を面取りする面取り工程Ｓ１２と、前記面取りしたウェーハをラッピングするラッピング工程Ｓ１３と、前記ラッピングしたウェーハをエッチングするエッチング工程Ｓ１４と、前記エッチングしたウェーハの面取り部をレジンボンド砥石を用いて研削する面取り部低歪み研削工程Ｓ１５と、前記面取り部低歪み研削を施した面取り部を鏡面研磨する面取り部鏡面研磨工程Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、且つ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】 坩堝蓋体３を切削予定面Ｃの位置でワイヤーソーを用いて切断する。切削予定面Ｃから種結晶載置部３Ｃの表面までの厚さｔは、種結晶４を含む炭化ケイ素単結晶５の成長高さｈの３倍以下になるように設定する。次いで、炭化ケイ素単結晶５を研削装置の中空円筒状砥石を用いて研削（円形加工）する。 （もっと読む）

【課題】研磨ホイールの磨耗溝深さを補正要素に取り込んだ信頼性の高い適応制御による基板の端面研磨装置及び基板の研磨良否の判定方法の提供を目的とする。
【解決手段】基板の端面を研磨加工する研磨ホイールと、当該研磨ホイールの回転駆動手段と、当該研磨ホイールの切り込み送り手段とを備え、研磨ホイールの回転駆動手段は、基板の端面接触による負荷電流検出手段と、研磨ホイールに生じる磨耗溝の溝側面が基板に接触することにより生じる負荷電流の補正手段とを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送中に脱落することを防止できるようにすること。
【解決手段】半導体ウエハＷの外縁側の厚みが、それ以外の領域の厚みより相対的に大きくなるように形成することで半導体ウエハＷの面内に凹部Ｗ１が形成されている。凹部Ｗ１は、底面Ｗ１ａと、当該底面Ｗ１ａから延びる内側起立面Ｗ１ｂとを含み、この内側起立面Ｗ１ｂは、少なくとも第１径部Ｄ１と、当該第１径部Ｄ１よりも開口面Ｆ１側に位置するとともに第１径部Ｄ１よりも縮径された第２径部Ｄ２とからなる突出部Ｃを有している。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内をエピタキシャル層で埋め込んだ後、平坦化する際にＳｉＣ基板の表面に対して並行に平坦化が行うことができるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０の裏面を基準面としつつ該ＳｉＣ基板１０の裏面を可変な状態で加圧することにより研磨部材３に押し当てると、突起状生成物１３を研磨にて除去することができる。このため、突起状生成物１３を除去した後のエピタキシャル層１２の表面を基準面としてＳｉＣ基板１０の裏面を研削することで、ＳｉＣ基板１０の裏面を平坦面にでき、この裏面を基準面とすれば、エピタキシャル層１２をＳｉＣ基板１０の表面に対して並行に平坦化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの割れや欠けを防ぎ、かつ複数の半導体ウェハに連続して処理を行う際に、各半導体ウェハの端面の形状を均一にすること。
【解決手段】半導体ウェハ１の裏面側を下にして、ステージ５に吸着させて、半導体ウェハ１の中心を回転の中心軸として回転させる。また、端面研削用砥石１０の中心を回転の中心軸として、この中心軸を半導体ウェハ１の回転の中心軸の方向と略垂直な方向にして、端面研削用砥石１０を回転させる。ついで、半導体ウェハ１を横方向に移動させながら、端面研削用砥石１０を縦方向に移動させることで、半導体ウェハ１の端面３に、端面研削用砥石１０を接触させて、半導体ウェハ１の端面３を研削する。 （もっと読む）

【課題】ディスク材の周辺部における稜角部分の面取りを行うに際して、ディスク材でのチッピングの発生を抑える。
【解決手段】本発明によれば、ディスク材１８の周辺部の稜角部分の面取り加工は、ディスク材１８の周辺部における稜角部分に第１研削部材１２の第１研削面１２ｇを当接して行う予備研削と、その後、予備研削が行われた稜角部分に第２研削部材１４の第２研削面１４ｇを当接して行う仕上げ研削とにより成し遂げられる。そして、第１研削面１２ｇがディスク材１８の稜角部分に当接するときのディスク材１８の中心軸に直交するディスク面Ｓと第１研削面１２ｇとが成す角度は、第２研削面１４ｇがディスク材１８の稜角部分に当接するときのディスク面Ｓと第２研削面１４ｇとが成す角度よりも、大きい。 （もっと読む）

ウェハ研磨装置は、ベース（２３）と、上に研磨パッド（２９）を有するターンテーブル（２７）と、を備える。上記ターンテーブル（２７）は、上記ターンテーブル（２７）及び研磨パッド（２９）に垂直な軸を中心として上記ベース（２３）に対してターンテーブル（２７）及び研磨パッド（２９）を回転させるため、上記ベース（２３）上に取り付けられている。上記研磨パッド（２９）は、ウェハのフロント表面を研磨するため、ウェハのフロント表面と係合可能なワーク表面を含む。ターンテーブルの軸に実質的に平行な軸を中心とする回転運動を付与するため、上記ベースに駆動機構（４５）が取り付けられている。研磨ヘッドの回転を駆動するため、研磨ヘッド（６３）が駆動機構（４５）に接続されている。研磨ヘッド（４５）は、研磨パッド（２９）のワーク表面にウェハのフロント表面を係合させるため、ウェハを保持するように構成されたプレッシャープレート（１１５）を有する。当該プレッシャープレート（１１５）は、略平面ポジションにあり、平面ポジションから凸状ポジション及び凹状ポジションへ選択的に変位可能である。
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【課題】保持治具の先端部や光学素子との接触部、および光学素子に付着する異物等に起因する光学素子の損傷および汚染を防止する。
【解決手段】先ヤトイ３３ａと先ヤトイ３３ｂに挟持されて回転する光学素子３１の外周部に研削砥石４１を押し当てて芯取加工を行う芯取加工装置３０において、光学素子３１と研削砥石４１との接触部に加工用研削液Ｗ２を供給する加工用研削液ノズル５１とは別に、先ヤトイ３３ａおよび先ヤトイ３３ｂと光学素子３１との接触部に、未使用の清浄な加工用研削液からなるクリーニング用研削液Ｗ３を供給して洗浄することで、先ヤトイ３３ａおよび先ヤトイ３３ｂの先端部や光学素子３１の挟持部に付着するスラッジ等の異物を除去し、スラッジ等に起因する光学素子３１の損傷や汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物である脆性材料からなる板状部材に過大な応力を発生させることなく、端面を研磨することができる板状部材の端面の加工方法を実現する。
【解決手段】 研磨ブラシ１０のフィラメント１１は、研磨ブラシ１０の回転方向の逆方向に向かって一様に傾斜して植毛されている。ガラスパネル２０は、搬送機構によりＸ方向に搬送され、端面２０ａと略平行に回転駆動されている研磨ブラシ１０のフィラメント１１により端面２０ａが摺接される。これにより、端面２０ａが研磨され、端面２０ａに導入された亀裂を強度に影響を及ぼさない状態まで除去することができる。フィラメント１１は剛性が低く、斜めに植毛されているため、フィラメント１１のガラスパネル２０に対する当たりを柔らかくすることができ、ガラスパネル２０に過大な応力が負荷されるおそれがない。 （もっと読む）

【課題】帯状の研磨体を用いて被研磨物であるウエハの外周端縁に対する研磨処理を行う場合に、当該研磨処理の高精度化や高効率化等を実現できるようにする。
【解決手段】研磨砥粒部分２ａの両側に非研磨部分２ｂが配されてなる帯状の研磨体２を被研磨物であるウエハ１の外周端縁に接触させながら当該外周端縁との交差方向に走行させる研磨体走行手段と、前記ウエハ１の外周端縁に対応した形状の２つのガイド面４ａ，４ｂを有して前記研磨体走行手段が走行させる前記研磨体２における各非研磨部分２ｂに対して前記２つのガイド面４ａ，４ｂのそれぞれが当該各非研磨部分２ｂの背面側から加圧するガイド部材４と、を備えてウエハ研磨装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの吸着力を維持し、かつウェハの生産性を向上させること。
【解決手段】半導体ウェハ１のおもて面の中央部に、デバイスの表面構造を形成する。このデバイスの表面構造の形成された領域が能動領域２である。そして、半導体ウェハ１の裏面の中央部のみを、砥石を用いて研削する。このとき、半導体ウェハ１の裏面の外周端部を、加工前の半導体ウェハ１の厚さのままにしておくことで、半導体ウェハ１の外周端部にリブ４を形成する。研削工程では、はじめに精研削、続いて粗研削、そして最後に精研削を行う。研削工程において、前の研削に続いて行う研削は、前の研削の領域よりも小さい径の領域に行われる。ついで、半導体ウェハ１の裏面の全面（半導体ウェハ１の裏面の中央部およびリブ４）にエッチングを行い、研削の際に砥石により形成された加工ダメージ層５、６、７を除去する。 （もっと読む）

【課題】溝やヤゲン等の加工の際に高い精度で加工を行うことを可能にすると共に、研削後のレンズの形状や寸法を検出することを可能にする、眼鏡レンズの製造装置を提供する。
【解決手段】眼鏡レンズとなるレンズ１００の加工を行うレンズ加工部と、レンズ１００の外形形状及び／又は寸法を検出する検出部とを有し、検出部が一対の測定子を備えた製造装置を構成する。そして、測定子１１は、検出子本体１３と、検出子本体１３に取り付けられ、互いに接続された、第１の部材１５及び第２の部材１６を有する。さらに、これら第１の部材１５及び第２の部材１６の接続部に、レンズ１００の凹面又は凸面の端縁を引っ掛けることにより、レンズ１００の外形形状及び／又は寸法の測定がなされる構成である。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を図ることができる研削研磨機を提供する。
【解決手段】シリコンブロック２の表面を研削／研磨する際に、シリコンブロック２の長手方向の前後を機械的にチャッキングするチャッキング部１２ａ，１２ｂで保持し、この状態でシリコンブロック２の側面５及びこれらを結ぶ角部６を研削研磨する。これにより、シリコンブロック２を非接触で宙に浮かせたような状態で保持することができるので、その側面５及び角部６に傷が付いてしまうことを防止でき、さらにシリコンブロック２の側面５だけではなく角部６も研削研磨して面取りすることができることから、シリコンブロック２をスライス加工してシリコンウエハを製造する際、その周縁部が欠けたりすることを回避でき歩留まりを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】使用開始直後の急速な初期磨耗を生じない噴孔形状が成形される、流体研磨方法の提供。
【解決手段】噴孔５５および弁座部５６を有するノズルボデー５１と、弁座部５６へ着座自在な着座部を有するノズルニードルと、を構成に有する噴射ノズルの、ノズルボデー５１の噴孔５５を、研磨流体により研磨加工する流体研磨方法であって、着座部と略同一形状のダミー着座部６６を有するダミーニードル６を、ノズルボデー５１に挿入した状態で、流体研磨を行うことを特徴とする。研磨流体が、弁座部５６とダミー着座部６６とにより形成されるダミー流路１０を通過することで、噴孔５５に流れ込む研磨流体の流れの状態は、噴射ノズルの実使用時における流体の流れの状態に近いものとなり、使用開始直後の噴孔５５周辺の急速な初期磨耗を、流体研磨により再現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】中心部に円孔を有する磁気記録媒体用基板を複数枚重ねて、それらの内周端面を研磨するときに、それら複数枚の基板の研磨部分に適切に研磨液を供給する。
【解決手段】中心部に円孔を有する磁気記録媒体用基板１２は複数枚重ねて保持され、その円孔を形成する基板１２の内周端面１２ｉをまとめて研磨するように、重ねられた複数枚の基板１２により少なくとも部分的に区画形成された中央孔ＣＨに共通の研磨ブラシ１８が挿入される。研磨ブラシ１８が基板１２の内周端面１２ｉに接触させられつつ相対運動させられるとき、中央孔ＣＨにはその鉛直方向下方からその上方に向けて研磨液が流れるように、研磨液供給手段２０によって研磨液が供給される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの割れや欠けを低減し、かつデバイスの特性を向上させること。
【解決手段】半導体ウェハ１のおもて面側の中央部に、デバイスの表面構造を形成する。このデバイスの表面構造の形成された領域が能動領域２である。そして、半導体ウェハ１の裏面側の中央部を、砥石を用いて研削する。このとき、半導体ウェハ１の裏面側の外周端部を、元の半導体ウェハ１の厚さのままにしておくことで、半導体ウェハ１の外周端部にリブ４を形成する。ついで、半導体ウェハ１の裏面側の全面（半導体ウェハ１の裏面側の中央部およびリブ４）にエッチングを行い、研削の際に砥石により形成された加工ダメージ層５を除去する。 （もっと読む）