【課題】シリコンブロックの連続回転、加工帯体の循回移送及びシリコンブロック又は加工帯体のシリコンブロックの回転軸線方向の移動の複合作用によってシリコンブロックの四つの角縁部を連続して、研削又は研磨加工してＲ面又はＣ面に面取加工を行うことができる。
【解決手段】シリコンブロックＷの角縁部Ｗ_１をＲ面又はＣ面に面取加工する装置であって、シリコンブロックを保持して連続回転させる保持回転部Ａと、シリコンブロックの角縁部を研削又は研磨加工して面取加工を行う無端帯状の加工帯体Ｔをシリコンブロックの回転軸線Ｏに直交する方向Ｎに循回移送させる加工ヘッド部Ｂと、加工帯体をシリコンブロックの角縁部に圧接させる圧接機構部Ｃと、保持回転部又は加工ヘッド部をシリコンブロックの回転軸線方向に移動させる移動機構部Ｄとを備えてなる。 （もっと読む）

【課題】光電材料や半導体など機能性硬脆材料を高能率でダメージフリーの鏡面に加工するための環境にやさしい加工技術を提供する。
【解決手段】加工工具の２次元超音波微振動がヘッドの加工面に垂直な方向の縦振動と加工面に平行な方向の横振動の同時発生によって引き起こされる加工法において、固定砥粒加工工具を貼り付けた２次元超音波振動加工ヘッドを用いて定圧か定切込加工を行う。加工工具は工作物材料と化学反応を示す砥粒と添加剤およびこれら粒子を固めるための結合剤から構成されるものであって、各構成成分の種類と混合比率は、工作物と化学反応が発生しやすいように決定され、加工工具は薄い円盤形、四角形、リング状などの形状を有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶材料の使用状態においても、所望の平滑精度を確保する。
【解決手段】結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域が単結晶材料の相転移温度より高く、素子を作製する温度領域が単結晶材料の相転移温度より低い場合に、使用温度領域において単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、単結晶材料の表面の研磨を行う。単結晶材料を固定する治具と単結晶材料を研磨する研磨盤を固定する治具の少なくとも一方の温度を調整し、単結晶材料を使用温度領域に設定する。 （もっと読む）

【課題】研磨時間が短く、表面傷および潜傷の発生を抑制できるガラス製光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】レンズ基体の表面を、水に酸化セリウム砥粒を混ぜた第１研磨液を用いて研磨する第１研磨工程と、第１研磨工程で研磨されたレンズ基体の被加工面を、非水系分散媒である第２研磨液を用いて研磨する第２研磨工程と、を施すことにより、第２研磨工程で、第１研磨工程で形成された水和層を除去することができる。したがって、研磨時間の短縮と表面傷および潜傷を防止できる。 （もっと読む）

【課題】マザーボードに設けられた複数の電極と積層デバイスの表面に設けられた複数の電極とを確実に接合できる生産性のよい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】マザーボードに設けられた複数の電極と積層デバイスの表面に設けられた複数の電極を接合して構成する半導体装置の製造方法。表面に複数の積層デバイスが形成された積層ウエーハの表面に保護部材を貼着し、積層ウエーハの裏面を研削して所定の厚みにし、積層ウエーハの裏面に補強ウエーハの表面をボンド剤で接合し、積層ウエーハを補強ウエーハとともに分割する。裏面に補強ウエーハが接合された個々の積層デバイスを形成する積層ウエーハ分割工程と、積層デバイスの表面に設けられた複数の電極をマザーボードに設けられた複数の電極に接合する積層デバイス接合工程と、積層デバイスの裏面に接合されている補強ウエーハを研削し、積層デバイスの裏面からの補強ウエーハ除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】積層デバイスが形成されたウエーハの裏面を研削してもマザーウエーハの所定位置に積層デバイスを対応させて積層できる生産性のよい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体デバイス２２が形成されたマザーウエーハ２の表面に、積層デバイス３２の裏面を接合して構成する半導体装置の製造方法。マザーボードに形成された複数の半導体デバイス２２に対応する積層ウエーハ３の表面にサブストレート４の表面をボンド剤で接合し、サブストレート４が接合された積層ウエーハ３の裏面を研削して積層ウエーハ３を所定の厚みとし、積層ウエーハ３の裏面をマザーウエーハ２の表面に対面させて積層し、積層デバイス３２の裏面に露出する電極２２１をマザーウエーハ２の表面に形成された半導体デバイス２２に設けられた電極２２１に接合し、積層ウエーハ３の表面に接合されているサブストレート４を研削し、積層ウエーハ３の表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層を裏面に有する半導体基板のシリコン基板の厚みを砥石で研削加工して薄くする際の砥石切り込み速度の低下を無くす。
【解決手段】 基板チャックロータリーテーブル３０上に固定された半導体基板ｗの基板裏面に砥粒水分散液６２を噴出ノズル６１ａより吹き付けるサンドブラスト加工して絶縁層をなくしてテクスチャ加工されたシリコン基板面を露現させ、ついで、この露現したシリコン基板面に研削液を供給しながら研削砥石で基板面を研削加工して半導体基板のシリコン基板厚みを薄くする。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材の層間剥離（デラミネーション）を抑制し、さらに加工能率を向上させることができる研削工具を提供する。
【解決手段】加工対象物であるＣＦＲＰ材１０の端面１０ａを研削する研削工具において、円筒状の台金３と、ＣＦＲＰ材１０の研削時にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの左側の表面に対応する位置において研削面５ａがＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの内側を向くように台金３に複数の砥粒４を列状に並べて構成した複数のユニット５と、ＣＦＲＰ材１０の研削時にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの右側の表面に対応する位置において研削面５ａがＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの内側を向くように台金３に複数の砥粒４を列状に並べて構成した複数のユニット５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材の層間剥離（デラミネーション）を抑制し、さらに加工能率を向上させることができる研削工具を提供する。
【解決手段】加工対象物であるＣＦＲＰ材１０の端面１０ａを研削する研削工具１において、円筒状の台金３と、ＣＦＲＰ材１０の研削時にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの左表面１０Ｌに対応する位置において研削面４ａがＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの内側を向くように台金３に設置された複数の砥粒４と、ＣＦＲＰ材１０の研削時にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの右表面１０Ｒに対応する位置において研削面４ａがＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの内側を向くように台金３に設置された複数の砥粒４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】内部領域よりも格段に優れた品質の最表面（表層領域）を有する窒化物半導体基板、表面加工方法を工夫することによって最表面（表層領域）の歪みを開放し、高品質の層を最表面に設けることが可能な窒化物半導体基板の製造方法及びこれらを用いた窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長面となる表面とその反対側の裏面とからなる２つの主面を有する窒化物半導体基板において、表面に対して傾斜した特定の非対称面からの回折を利用して、表面から所定の深さの領域において対応する半値幅を得るＸ線ロッキングカーブ測定によって得られた、表面からの深さが０〜２５０ｎｍの表層領域の半値幅が、表面からの深さが５μｍを超える内部領域の半値幅よりも狭くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材の層間剥離（デラミネーション）を抑制し、さらに加工能率を向上させることができる研削工具及び研削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】加工対象物であるＣＦＲＰ材１０の端面１０ａを研削する研削工具１において、円筒状の台金３と、台金３上に形成されたダイヤモンド４と、ＣＦＲＰ材１０の研削時にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの左表面１０Ｌに対応する位置にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの内側を向くようにダイヤモンド４に形成された複数の溝５と、ＣＦＲＰ材１０の研削時にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの右表面１０Ｒに対応する位置にＣＦＲＰ材１０の端面１０ａの内側を向くようにダイヤモンド４に形成された複数の溝５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の加工精度をさらに向上させること。
【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板の加工方法は、平面視円形状のガラス基板１の外周端面１ａを砥石２の内周面２ｂに相対的に回転接触させて加工する磁気ディスク用ガラス基板の加工方法であって、砥石２は、硬度が相対的に高くかつ粒度が相対的に粗い第１砥石３と、当該第１砥石３よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第２砥石４と、当該第２砥石４よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第３砥石５とからなり、ガラス基板１の外周端面１ａを、第１砥石３，第２砥石４及び第３砥石５に順番に接触させて加工を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バラつきのない安定した面取りを行うことが可能な板材の面取り装置及びその面取り方法を提供する。
【解決手段】 砥石２と、砥石２を回転させる回転駆動手段３と、砥石２で面取する板材４を保持する保持手段５と、板材４を砥石２に向けて移動する移動手段７と、を備えた板材の面取り装置１において、保持手段５を移動可能に保持するベース部材６と、保持手段５を砥石２側に付勢する弾性手段８と、移動手段７によって板材４を基準位置に移動させて板材４を砥石２に接触させたことによって変位した保持手段５の変位量を検出する検出手段９と、保持手段５の変位を防止する固定手段１０と、を設け、変位量を考慮して板材４を砥石２に向けて移動させたものである。 （もっと読む）

【課題】硬質脆性材料からなる円盤状ワークの外周角の面取装置に関し、面取面と表裏面との間の角に生ずるチッピングの発生を可及的に防止することにより、面取加工後の２次研削加工を省略できるようにする。
【解決手段】
鉛直方向の回転ワーク軸で保持された円盤状ワークの上面側及び下面側の外周角を摺擦するカップ状の上下の砥石と、上下の砥石を装着する上下の面取砥石軸と、砥石軸を回転駆動する砥石モータとを備えている。上下の砥石軸は、これに装着した上下の砥石の周縁が円盤状ワークの上下の面取面にそれぞれ一箇所で接触するように、ワーク軸の軸心と斜めに立体交差する方向で設けられている。砥石モータは、砥石と円盤状ワークとの接触箇所における上下の砥石の摺擦方向が共に円盤状ワークの内側から外側へと向かう方向となる回転方向にこれらの砥石を回転駆動している。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ精度良く、ウエハの外周面を加工できるウエハ加工装置及びウエハ加工方法を提供する。
【解決手段】積層体Ｓにおけるウエハの積層方向両側を保持した状態で、積層体Ｓを回転させる回転機構１６と、回転する積層体Ｓの外周面に接触可能に設けられ、積層体Ｓの外周面を円柱形状に研削する研削回転砥石１４と、積層体Ｓの外周面に沿って設けられ、回転する積層体Ｓとの間に研磨材Ｗを介在させた状態で、積層体Ｓの外周面を研磨する研磨手段１５とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はグラインダおよびこれを利用した研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１の実施形態にかかるグラインダは、研磨面を形成する研磨部および前記研磨部を回転させるために前記研磨部と連結されたシャフトを含む。また、前記研磨部はリペア剤と研磨剤を混合した混合物およびポリウレタンを含み、前記シャフトの回転軸に垂直な面と前記研磨面とがなす角度αは、１°≦α≦７°を満たす。 （もっと読む）

【課題】研磨中に研磨テープから砥粒が脱落してしまうことを極力防止し、また、たとえ基板の表面外周部を研磨中に研磨テープから砥粒が脱落したとしても、この脱落した砥粒が基板の中心部の素子形成領域等に入り込まないようにする。
【解決手段】表面に砥粒を固着した研磨テープ２０を一方向に走行させつつ、該研磨テープ２０の表面を基板Ｗの表面に押圧して該基板Ｗの表面を研磨する研磨ヘッド１２と、研磨テープ２０の走行方向に沿った研磨ヘッド１２の上流側に配置され、研磨テープ２０の表面から研磨中に砥粒が脱落するのを防止するように該表面を予めコンディショニングするコンディショニング装置（洗浄装置）３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】単心光ファイバの前端面の損傷を抑制することができる新規な手段を提供する。
【解決手段】研磨部材２５が、研磨作用を行う研磨部２５ａと、研磨作用を行わない保護部２５ｂとを備える。駆動機構により、光ファイバＦの先端が研磨部材の保護部２５ｂに当接した状態で、光ファイバＦが弾性的に変形させられ、その後、光ファイバＦの先端の軸心が研磨部２５ａの表面と垂直でない状態で、光ファイバＦの先端が研磨部２５ａに当接させられる。したがって、光ファイバＦの前端面と研磨部２５ａとの当接が抑制され、前端面の損傷のおそれを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】研削方法、電子デバイスの製造方法、及び研削装置において、砥石や研磨紙の目詰まりを抑制すること。
【解決手段】基材２１上に樹脂層２３を形成する工程と、樹脂層２３に紫外光１１を照射しながら、若しくは樹脂層２３に紫外光１１を照射した後に、砥石又は研磨紙により樹脂層２３を研削する工程とを有する研削方法による。 （もっと読む）

【課題】基板のトップエッジ部および／またはボトムエッジ部を正確かつ均一に研磨することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置は、基板Ｗを水平に保持し、該基板Ｗを回転させる回転保持機構３と、基板Ｗの周縁部に近接して配置された少なくとも１つの研磨ヘッド３０とを備える。研磨ヘッド３０は、基板Ｗの周方向に沿って延びる少なくとも１つの突起部５１ａ，５１ｂを有し、研磨ヘッド３０は、突起部５１ａ，５１ｂにより研磨テープ２３の研磨面を基板Ｗの周縁部に対して上方または下方から押圧する。 （もっと読む）