【課題】ラッピングワイヤの断線を生ずることなく、高精度に内径を加工できる内径加工装置および方法を提供する。
【解決手段】互いに離間配置されたテンション装置１２、１３間に懸架されたラッピングワイヤ１４と、このラッピングワイヤ１４が挿通される管状体２４を保持し、前記ラッピングワイヤ１４の周りに回転させる回転チャック２１と、この回転チャック２１を前記ラッピングワイヤ１４に沿って微小振動させる加振機２０と、この加振機２０とともに前記回転チャック２１を載置し、前記ラッピングワイヤ１４に沿って一方向に移動する加工テーブル１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】短時間に半導体基板を平坦化する研磨液組成物、これを用いて半導体基板を平坦化する研磨方法、並びにこれらを用いて半導体基板を研磨する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】水系媒体と研磨粒子を含んでなる研磨液組成物であって、該研磨粒子中における粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子含有量が５０体積％以上であり、該研磨粒子として粒子径が２〜５８ｎｍ未満の小粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中４０〜７５体積％含有し、粒子径が５８〜７５ｎｍ未満の中粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中０〜５０体積％含有し、粒子径が７５〜２００ｎｍの大粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中１０〜６０体積％含有する研磨液組成物、これを用いて、半導体基板を平坦化する研磨方法、半導体基板の平坦化方法、並びに半導体基板を研磨する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨剤の乾燥を防止する手段を採用することにより、研磨剤の凝集・凝固することをなくした、ＣＭＰ研磨装置における研磨剤の調合装置及び供給装置を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ研磨装置における研磨剤の調合装置又は供給装置１０であって、研磨剤調合用又は供給用のタンク１２と、タンク内部に配設される湿度センサ１４と、タンク内に加湿空気を供給する加湿空気供給手段１６と、を有する。湿度センサ１４によりタンク１２内の湿度が計測され、該計測結果により加湿空気供給手段１６から供給される加湿空気量が制御され、タンク１２内が所望の湿度に調整される。 （もっと読む）

【課題】 床面における研磨作業、洗浄作業、押さえ作業等々の各種作業を容易ならしむ床専用回転作業機器を提供する。
【解決手段】 回転台座部２に対して複数枚の作業工具３が取付可能な如く該作業工具３を形成すると共に作業工具３を着脱自在な如く設け、当該作業工具３の取付枚数増減によって各作業工具３に係る荷重可変手段を講じたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加工用ワイヤを垂直方向に保持した状態で行う内径ラップ加工を実現するために最適な内径ラップ加工用ワイヤ及びこのワイヤを有効に利用したワイヤ式内径ラップ加工方法を提供すること。
【解決手段】 ワークＷに設けられた穴Ｗａに挿通されて、前記ワークＷの内径ラップ加工を行う際に用いられる加工用ワイヤ２（２ａ，２ｂ）であって、前記加工用ワイヤ２の両端部には、該加工用ワイヤ２を係止するための挿着部材として機能する金具２１，２２を取り付ける。かかる構成の加工用ワイヤ２を利用して、垂直方向に加工用ワイヤ２を係止させた状態で内径ラップを行うワイヤ式内径ラップ加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 研磨速度の向上及び金属汚染を防止（ウエーハ品質を向上）すると共に、低コストで研磨する研磨剤及び研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカ０．１〜３０ｗｔ％を含む研磨剤であって、アミノ基２個以上、Ｃ６個以上であるアミンが添加（例えば、１，６−ヘキサンジアミン０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ）されている研磨剤。またこの研磨剤を用い、ウエーハを保持した状態で研磨布表面に押しつけ、研磨剤を所定流量で研磨布上に供給し、研磨剤を介してウエーハの被研磨面を研磨布表面と摺擦させるウエーハの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 研磨速度に優れることは勿論のこと、鏡面研磨後のウエハー形状、特に、良好な平坦度、平面度を有して平坦性に優れると共にウエハー外周部におけるエッジ部ダレがない高精度の形状を得ることができ、スクラッチ傷の発生がなく、研磨加工コストも廉価となるシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板、およびこのシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を用いたシリコンウエハーの鏡面研磨方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板はプラスチック板からなるように構成し、シリコンウエハーの鏡面研磨方法は前記シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を定盤上に固定した研磨装置またはラッピング装置によってシリコンウエハーを鏡面研磨するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムディスク及びガラス製ハードディスクは、記録容量の高密度化のため平均うねりが３Å以下のディスクが要望されている。その平滑な研磨面が得られる研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】 異なったモノモーダル数粒子径分布を有するコロイダルシリカ粒子群を含む、０．５〜５０重量％のＳｉＯ₂ 濃度を有する、アルミニウムディスク、又はシリカを表面に有する基板の研磨用組成物。 （もっと読む）

【課題】 クロップシャーの剪断刃の研磨には相当の時間を要し、コストが嵩む。
【解決手段】 熱延鋼材の搬送工程に設置されるクロップシャー２０の剪断刃２３ａ、２３ｂの研磨装置３０であり、クロップシャー２０のスタンド２１に支持されたドラム２２ａ、２２ｂに固定された剪断刃２３ａ、２３ｂの研削面２３ａ’、２３ｂ’を研磨する砥石３１ａ、３１ｂを、ドラム２２ａ、２２ｂの近傍に備える。研磨装置３０では、砥石３１ａ、３１ｂはＣＢＮ系砥石である。 （もっと読む）

【課題】 比較的大きな金属間化合物の結晶からなる非常に硬質な強磁性結晶粒が粒界相で囲われている金属組織を有した硬質な焼結希土類磁石合金を歩留りよく且つ滑らかな表面をもつ小さな部品に切断する。
【解決手段】 強磁性結晶粒の周囲にそれより易被削性の粒界相を有する焼結希土類磁石合金に線径１.２ｍｍ以下の可撓性線材を押し付け，砥粒を分散媒に分散させてなる砥液を該合金と線材との間に介在させつつ，該線材をその軸方向に移動させることを特徴とする焼結希土類磁石合金の切断法。 （もっと読む）

【課題】 キャリヤの上面側と下面側とにおいて研磨剤水溶液の交流を可能とすることで、キャリヤの全面において研磨剤水溶液の均一化・適量化を図り、研磨効率を向上させる。
【解決手段】 キャリヤ９の上面側から下面側に貫通するように微細な複数の通孔１５を一定の規則性に基づいて形成することにより、キャリヤ９の上面側に供給された研磨剤水溶液が通孔１５を通ってキャリヤ９の下面側に流れ、また反対に、キャリヤ９の下面側から研磨剤水溶液が通孔１５を通ってキャリヤ９の上面側に流れるようにすると共に、通孔１５を通って研磨剤が下方に落下する際に、比較的大きな塊は下定盤３に当たること等によって崩れ、微細な粒状物となり、水溶液との混合性が高まるようにする。 （もっと読む）

【課題】 自浄式の汚れ拭き取り機は、十分な拭き取り力が得られず、ペレットを用いた研磨機、湯を用いた洗浄機は、メダル搬送動作に同期させることができない。
【解決手段】 水平方向の平行なローラ５ａ、５ｂに無端ベルト７を張架して周回路９を形成し、この周回路９の上面部がメダル搬送面１１となる第一研磨搬送手段３、第二研磨搬送手段１９を構成する。第一研磨搬送手段３の搬送方向末端から落下することで表裏が反転したメダル１５を、第二研磨搬送手段１９のメダル搬送面１１で受ける。第一研磨搬送手段３及び第二研磨搬送手段１９におけるメダル搬送面１１の一部分に間隙を隔てて布材３７を対向配置する。メダル搬送面１１によって移送されるメダル１５の上面に布材３７を押圧する押圧手段４１を、第一研磨搬送手段３及び第二研磨搬送手段１９に設ける。 （もっと読む）