本発明は、化学機械研磨の組成物を提供する。その組成物は本発明は、砥材、第一の金属研磨速度調整剤、第二の金属研磨速度調整剤、及び、液体キャリア、からなる。一つの実施形態として、第一の金属研磨速度調整剤は、標準水素電極に対して０．３４Ｖより低い標準還元電位を有し、第二の金属研磨速度調整剤は、標準水素電極に対して０．３４Ｖより高い標準還元電位を有する。他の実施形態として、第一と第二の金属研磨速度調整剤は、各種の酸化剤である。 （もっと読む）

【課題】ＨＴＳテープを単一工程で連続的に生産する。
【解決手段】未研磨の金属テープを設け、研磨ステーションおよび水洗ステーションを各々が有する表面処理ユニットを複数個設け、未研磨の金属テープを表面処理ユニットの第１の研磨ステーションに連続的に供給し、金属テープを、連続する複数の表面処理ユニットの各々が、研磨材料と水とを有するスラリの研磨媒質であって研磨材料の粒径が下流側の研磨ステーションほど小さい研磨媒質を用いて、金属テープの表面をさらに研磨し、一連の表面処理ユニットに通し、研磨済みの金属テープを最後の表面処理ユニットから回収し、回収された金属テープの上に緩衝層を形成し、緩衝層の上に高温超伝導体膜を形成する。最後の表面処理ユニットは複数の研磨輪を有し、最後の表面処理ユニットにおけるスラリの研磨媒質中の研磨材料の粒径は０．０５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】異なった数の多段階ＣＭＰ工程を行える研磨装置を提供する。
【解決手段】主フレーム構造物３に結合されて動作する複数の研磨テーブル３０ａ〜３０ｃ複数の研磨ヘッド５１ａ〜５１ｃ，５１ａ´〜５１ｃ´及び複数のロード／アンロードステーション４０ａ〜４０ｄ，４０ａ´〜４０ｄ´を備え、研磨ヘッドそれぞれが研磨テーブルの一つとロード／アンロードステーションのうち少なくとも一つとの間で動けるように、研磨ヘッドが主フレーム構造物３に動作できるように結合される主研磨構造物１と、付加フレーム構造物７に結合されて動作する付加研磨テーブル３０ｃ及び付加研磨ヘッド５１ｃを備える付加研磨構造物５と、を備え、付加研磨構造物５が付加研磨テーブル３０ｃと付加研磨ヘッド５１ｃとを備えるさらに大きい研磨構造物を形成するために、付加研磨構造物５が主研磨構造物１に付着されるように構成される半導体ウェーハ研磨装置。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用、ゲート電極用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、効率的かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨法を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が３００ｍ^２／ｇ以上のコロイダルシリカ：１．０〜１０．０重量％を含有する研磨剤であって、ｐＨが４〜５であり、窒化珪素被膜の研磨速度が２００Å／分以上、酸化珪素被膜の研磨速度が２０Å／分以下である半導体絶縁膜用研磨剤。 （もっと読む）

【課題】 基板周縁部等に発生する表面荒れや基板周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理装置及びその基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、半導体ウェハ等の被処理基板１０を保持する基板保持機構２０と、水平方向に移動可能な研磨ヘッド３０と、研磨ヘッド３０に装着され、被処理基板の周縁部の研磨に供される研磨テープ４０と、被処理基板１０上に純水を供給するための純水供給ノズル５０とを備えている。研磨ヘッド３０は、被処理基板１０のベベル部及びデバイス面側のエッジ部に対して、接触・加圧・角度調整を行うことができる。研磨ヘッド３０には、被処理基板１０と接触・加圧させる部分に突出部を有する研磨パッド６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
研磨時の加工終点を検出することができ、かつ、研磨速度の面内均一性が高く、研磨時のパッド寿命が確保された研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法を提供する。
【解決手段】
発泡構造を有する研磨層からなる研磨パッドであって、周辺と同一組成であり、かつ周辺よりも低発泡である領域を有することを特徴とする研磨パッド。
（もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造工程において、バリア金属膜と、該バリア金属膜上に設けられた導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、導体膜とバリア金属膜とを同じ研磨定盤上で連続的に研磨することができ、研磨処理の効率が向上しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。
【解決手段】バリア金属膜と、該バリア金属膜上に設けられた導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、研磨液Ａを用いて前記導体膜を研磨する第１の研磨工程と、研磨液Ｂを用いて前記バリア金属膜を研磨する第２の研磨工程と、を研磨パッドが配置された同一の研磨定盤上で連続的に行い、且つ、前記研磨液Ａ及び前記研磨液Ｂが下記の（１）〜（３）の成分を含むことを特徴とする化学的機械的研磨方法。
（１）長径と短径との比（長径／短径）が１．２〜３．０である非真球状粒子
（２）有機酸
（３）酸化剤 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造工程において、バリア金属膜と導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、導体膜とバリア金属膜とを同じ研磨定盤で連続的に研磨することができ、研磨処理の効率が向上した化学的機械的研磨方法を提供する。
【解決手段】バリア金属膜と、該バリア金属膜上に設けられた導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、研磨液Ａを用いて前記導体膜を研磨する第一の研磨工程と、研磨液Ｂを用いて前記バリア金属膜を研磨する第二の研磨工程と、を研磨パッドが配置された同一の研磨定盤上で連続的に行い、且つ、前記研磨液Ａ及び前記研磨液Ｂが（１）動的光散乱法により求められる平均粒子径が６０〜１５０ｎｍの範囲の粒子、（２）動的光散乱法により求められる平均粒子径が１０〜５０ｎｍの範囲の粒子及び（３）酸化剤、を含むことを特徴とする化学的機械的研磨方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造工程において、バリア金属膜と、該バリア金属膜上に設けられた導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、導体膜とバリア金属膜とを同じ研磨定盤上で連続的に研磨することができ、研磨処理の効率が向上しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。
【解決手段】バリア金属膜と、該バリア金属膜上に設けられた導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、研磨液Ａを用いて前記導体膜を研磨する第１の研磨工程と、研磨液Ｂを用いて前記バリア金属膜を研磨する第２の研磨工程と、を研磨パッドが配置された同一の研磨定盤上で連続的に行い、且つ、前記研磨液Ａ及び前記研磨液Ｂが下記の（１）〜（３）の成分を含むことを特徴とする化学的機械的研磨方法。
（１）一次粒子径が２０〜５０ｎｍであり、且つ、会合度が２〜５である粒子
（２）有機酸
（３）酸化剤
（もっと読む）

【課題】
集塵ホースに入る前の段階で、できる限り多くの鉄などの磁性物質を分別集塵することで、集塵機と集塵ホースの保守の頻度を低下し、集塵機の稼働率を上げると共に、リサイクルにまわす鉄などの磁性物質の回収と分別に必要な装置や手間を低減できる集塵アダプタを有する研削機を提供すること
【解決手段】
モータ（図示しない）からの駆動力により回転される砥石１と、砥石１を覆う砥石ガード３と、砥石ガード３に設けられ研削時に発生する粉塵を捕集するフード５と、フード５に接続された集塵ホース７と、フード５とは該集塵ホース７を介して反対側に接続された集塵機６と、を有する研削機において前記フード表面に磁性体を設けた。 （もっと読む）

【課題】研磨テープの無駄を抑制するとともに研磨作業の効率向上を実現可能なテープ研磨装置を提供する。
【解決手段】テープ研磨装置１は、被研磨物の表面を研磨する研磨テープ２１と、研磨テープ２１を保持する一対のテープリール２２と、一対のテープリール２２を保持するとともに、一対のテープリール２２を回転駆動するリール駆動部材と、研磨テープ２１を被研磨物に対して押付ける研磨ヘッド３１と、研磨テープ２１および研磨ヘッド３１を、研磨テープ２１の幅方向に相対的に移動可能に保持するテープユニットレール１１および押付機構レール１２とを備えている。そして、リール駆動部材は、一方のテープリール２２Ｂを、一方の向きに回転駆動可能であるとともに、他方の向きに回転可能に保持し、他方のテープリール２２Ｃを、他方の向きに回転駆動可能であるとともに、一方の向きに回転可能に保持している。 （もっと読む）

【課題】画像のムラが生じることを防止できるように現像スリーブに形成される加工対象物の外表面に粗面化処理後の測定および評価を高速かつ高精度に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】収容槽９に収容した加工対象物２に、インバータ４９を介して電力が供給された電磁コイル８を電磁コイル移動部５によって移動させることによって、収容層９に加工対象物２と共に収容した磁性砥粒６５を加工対象物２の外表面に衝突させて、加工対象物２の外表面の粗面化処理を行う。粗面化処理が終了した加工対象物２は中空保持部材３２に保持されたまま移動保持部６によって収容槽９から取り出され測定位置まで移動される。測定位置まで移動した加工対象物２は、回転モータ３３によって回転されながらレーザ測長器８０によって外表面の凹凸を測定され、測定結果は制御装置７６においてフーリエ解析され算出された周波数スペクトルを基に良否の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】 研磨材を用いて両面研磨をしても、スラリーの供給が上下上面に均一に供給される研磨装置が求められていた。
【解決手段】 本発明は、上下定盤に設けられた砥粒の供給部からそれぞれの定盤にスラリーが供給されることによって、安定したスラリー供給が行われる結果、加工抵抗が少なくなり、被加工物の表裏加工量が均一となり、面だれもない良好な研磨を行えるようになった。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜、導体膜及びバリア金属膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、研磨後の被研磨面の平坦性が良好で、且つ、スクラッチの発生を低減できる研磨方法、及びそれに用いる金属用研磨液を提供する。
【解決手段】半導体集積回路用基板の化学的機械的平坦化に用いる金属研磨液であって、下記成分（１）、（２）、（３）及び（４）を含有し、銅又は銅を含む合金からなる配線と、バリア金属膜とを研磨するために用いられることを特徴とする。
（１）動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が６０〜１５０ｎｍの範囲の粒子。
（２）動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が１０〜５０ｎｍの範囲の粒子。
（３）酸化剤。
（４）アミノジカルボン酸。 （もっと読む）

【課題】 既存の一般に汎用されているドリルやソケット等の各種先端工具を、ディスクグラインダーでの使用を可能にするための、ディスクグラインダーの接続工具を提供する。
【解決手段】 インパクトドライバーの先端部１に中間軸２でアダプタ３を設け、ディスクグラインダーの回転部６に装着し、既存の各種先端工具８を取り付けることが可能になることを特徴とするディスクグラインダー７の接続工具。 （もっと読む）

基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレームと、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ終了から洗浄までの間に、ウエーハの研磨面が雰囲気に暴露される時間をなくすことで、研磨面に表出する配線金属の腐食を抑制した半導体装置の製造方法、かかるＣＭＰを実現する研磨装置及び研磨システムを提供する。
【解決手段】ウエーハ２６４をＣＭＰした後、ヘッド２６５の周縁下部及びヘッド２６５の周縁外側近傍に表出する研磨パッド２６６の表面へ、第１噴射角で洗浄液（例えば純水）２２６ａを噴射する。次いで、ヘッド２６５の上昇の初期に形成される研磨面２６４ａと研磨パッド２６２の表面との隙間に、洗浄液２６６ｂを第１噴射角以下の第２噴射角で噴射する。次いで、ヘッド２６５上昇とともに研磨面２６４ａを追跡して洗浄液２６６ｂを噴射する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハの研磨工程において発生する半導体ウエーハ表面近傍への金属汚染を防止する金属汚染防止剤及び、半導体ウエーハの研磨工程において金属汚染を防止する方法、さらにはかかる方法により金属汚染を大幅に低減した半導体ウエーハを提供する。
【解決手段】本発明に係る金属汚染防止剤は、半導体ウエーハの研磨工程に含まれる金属イオンを難溶性化して半導体ウエーハ表面近傍への金属汚染を防止する。また本発明に係る金属汚染防止方法は、本発明に係る金属汚染防止剤を含む研磨組成物を用いて半導体ウエーハを研磨する。さらに本発明の半導体ウエーハは、かかる方法により研磨された半導体ウェーハである。 （もっと読む）

【課題】 切削ブレードに超音波信号を付与する超音波振動子に交流電圧を容易に印加することができる切削装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレード４３を備えた切削手段とを含み、切削手段が回転スピンドル４２と、回転スピンドルの端部に配設され切削ブレードを挟持する第１のフランジ部材５および第２のフランジ部材６とを具備している切削装置であって、切削ブレードに超音波振動を付与するため切削ブレードの両側に設けた第1の超音波振動子８ａおよび第２の超音波振動子８ｂと、第１のフランジ部材に配設されそれらの超音波振動子に導線９１３，９１４を介して接続された受電手段９１と、スピンドルハウジングに配設され受電手段に非接触で交流電圧を印加する給電手段９２とを具備している。受電手段と給電手段はロータリトランスを構成している。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハを研磨できるだけでなく、ウエハ上に形成された種々の非金属膜を同じように効率よく研磨・除去することができ、しかも研磨時におけるウエハの金属汚染、特にＣｕ汚染を効果的に防止できる研磨スラリー、ならびに、使用済みテストウエハを効率的に再生処理できるウエハ再生方法を提供すること。
【解決手段】本発明の研磨スラリーは、結晶子サイズ１０〜１，０００ｎｍ、平均粒子径３０〜２，０００ｎｍの単斜晶酸化ジルコニウムを１〜２０質量％含有し、さらに、分子内にカルボキシ基を３個以上有するカルボン酸と、水酸化第４級アルキルアンモニウムとを含有し、ｐＨ９〜１２を有する。また、本発明のウエハ再生方法は、この研磨スラリーを用いて、使用済みテストウエハを研磨して、ウエハ上に形成された被膜およびウエハ表面の変質層を除去する工程と、ウエハの少なくとも片面を鏡面研磨する工程と、ウエハを洗浄する工程とを含む。 （もっと読む）