【課題】ワークの内周面が第１加工部の第１加工具により加工された後に第２加工部の第２加工具により加工される複合加工工具において、前記第１加工具を径方向内方に位置させるリトラクト機構の機能向上を図る。
【解決手段】複合加工工具１は、スカイビング加工部６とバニシング加工部とリトラクト機構８とを備える。ワークの内周面は、スカイビング加工部６の切削刃２２により加工された後にバニシング加工部のバニシングローラにより加工される。リトラクト機構８は、位置設定部３１を有するリトラクトピン３０と、リトラクトピン３０を軸線方向に駆動する駆動機構と、切削刃２２を有するカートリッチ２０を径方向内方に付勢して位置設定部３１に当接させる板バネ３５とを備える。リトラクトピン３０は、前記駆動機構により駆動されて位置設定部３１を通じてカートリッチ２０の位置を変更することにより、切削刃２２の径方向位置を変更する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーで切断後のワークをウエハ間の隙間を維持した状態で洗浄工程に供し効率良くウエハの洗浄を行う。
【解決手段】切断後のワーク３４のウエハ４０間にワイヤ列を残した状態で、ワーク３４の側面に沿って保持液ノズル７０を進入させ、この保持液ノズル７０から保持液３６を噴射してワーク３４の側面に保持液３６を各ウエハ４０間の隙間に介在させるように付着させてウエハ４０間の隙間を保持液３６により維持し、取り外されたワーク３４をウエハ４０側面と接触するブラシ部材４５が設けられた下チャンバ７６内に収納することにより、ウエハ４０間の隙間にブラシ部材４５を接触させてブラシ部材４５を隙間に進入させ、この後、支持板３０と貼付け台２９とを剥離させ、続いて、洗浄液タンク５４が接続された上チャンバ８２を閉じて真空室を形成し減圧状態とした後、洗浄液８３を真空室内に注ぎ込むことによりウエハを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】矩形基板を棒状基板に効率よく切断するとともに切断面を効率よく研磨することができる切断研磨加工装置を提供する。
【解決手段】矩形基板１０を保持する保持テーブル機構と、矩形基板１０を分割予定ライン１０１に沿って切断する切削ブレード５４２と切断面を研磨する研磨ホイール５４３とを有する複合工具を備えた加工手段とを具備している。保持テーブル機構は支持基台３２と矩形基板１０を支持する保持面を備えており、保持テーブル３３には送り治具１１と、治具送り手段と、送り治具１１に接合された矩形基板１０を吸引保持する吸引保持手段と、送り治具１１を保持面に押圧して送り治具１１の動きを規制する押圧手段３７と、送り治具１１に接合された矩形基板１０の自由端部を吸引支持する支持部材３８１と支持部材３８１を該保持面と直交する支持軸を中心として旋回せしめる旋回機構３８２を備えた基板端部支持手段３８とが配設されている。 （もっと読む）

【課題】研磨時の電極の振れを抑制でき、溶接機が複数台設置されている場合にも各溶接機の電極の研磨作業に迅速に対応可能となる電極の研磨装置およびその自動システムを提供する。
【解決手段】表裏に砥粒面が形成されたヤスリ３と、電極軸方向と直交する方向にヤスリ３を直線往復動させるシリンダ４と、固定電極から受ける反力によりヤスリ３の電極軸方向の移動を許容するフローティング機構５と、可動電極の先端周りが挿通し、研磨時の可動電極の振れを抑制する可動電極ガイド孔６が穿設された可動電極ガイド部材７と、を備えた研磨装置１を、三次元の動作をするロボットアームＲ１に取り付け、ロボットアームＲ１によりヤスリ３を固定電極に圧接するとともに加圧シリンダにより可動電極をヤスリ３に圧接させて両電極を研磨する。 （もっと読む）

【課題】複列円すいころ軸受の外輪の超仕上げを１度に行うことができる研削装置を提供する。
【解決手段】研削装置１は、いずれも超仕上げ砥石を保持するための第１の砥石保持装置２および第２の砥石保持装置２と、保持される超仕上げ砥石７の研削面１６が向く側に対して第１の砥石保持装置を前進および後退させ、かつ第２の砥石保持装置を、第１の砥石保持装置の前進または後退に同期させて保持される超仕上げ砥石の研削面が向く側に対して後退および前進させる移動装置６と、を有し、第１の砥石保持装置の前進方向と第２の砥石保持装置の前進方向とが、１８０度逆方向であって互いに遠ざかる方向であり、第１の砥石保持装置および第２の砥石保持装置が一体に振動するように形成される。 （もっと読む）

【課題】表面美の求められる塗装面等に損傷を与えることなく研磨処理およびコーティング処理を実施できる技術を提供する。
【解決手段】常時可塑性を有する柔軟な基材３、および基材３中に含まれる多孔質の研磨用微粒子４等から可塑性柔軟組成物１を形成し、この可塑性柔軟組成物１を用いて塗装面等に研磨処理およびコーティング処理を施す。研磨用微粒子４には、水と接触することでエマルジョン化する活性剤が添加されたコーティング剤（表面保護剤）６が含浸され、このコーティング剤６は凹部４Ｂに保持されている。掌圧により可塑性柔軟組成物１を塗装面２に対して擦動させることにより、研磨作業とコーティング作業とを両立する。 （もっと読む）

【課題】 円柱形の鉄系金属部品の稜角部の丸み付け加工をするための加工方法において、外周面側ダレ量と端面側ダレ量との近似化が容易で、更には、短時間で丸み付け加工が済む鉄系金属部品の加工方法を提供すること。
【解決手段】 円柱形の鉄系金属部品（ワーク）の両側の端面Ｗ1の角部Ｗ２に丸みＲ付けをするための加工方法。ワークＷの多数本を同時処理するバレル研磨工程により行う。該バレル研磨工程を、
１）ワークＷの角部Ｗ２を塑性変形させて、該端面Ｗ１の外周端部に、湾曲凸部ａを、前記端面Ｗ１に前記ワークの外径より小さい径の平面部ｂを残して形成する第一工程、及び、２）湾曲凸部ａを研磨除去して、端面Ｗ１の角部Ｗ２に丸みＲが形成されるようにする第二工程、とで行なう。 （もっと読む）

【課題】 円筒孔の一部をテーパ孔に研削するに当たり、研削工具を円筒孔と同心にする心出しを容易にする。
【解決手段】 回転可能で軸心方向に前後動可能な主軸１１に、外周りの砥石３４の研削径を増減可能なホーン工具１４を、原動軸１６と従動軸１７が平行のまま偏心自在な継手１３を介して装着し、ホーン工具の前進方向に工作物１を固定し、工作物の円筒孔２をホーン工具と平行に配置する。ホーン工具は、前進して円筒孔に挿入し、径を拡大して砥石を円筒孔の内面に当て、心出しし、次に、円筒孔内で回転しつつ後進し、後進しつつ研削径を漸増して、円筒孔の開口側部分をテーパ孔３に研削する。また、ホーン工具は、後進研削工程の後、研削径を次の前進研削工程の取り代分増加し、回転しつつ前進し、前進しつつ研削径を漸減して、テーパ孔を更にテーパ状に研削する。ホーン工具の後進研削工程と前進研削工程を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを所定厚さに形成する加工において、半導体デバイスの抗折強度を低下させることなく、安定的にゲッタリング効果を生じさせることができるようにすることである。
【解決手段】発泡ウレタンの内部に粒径が０．１μｍ以下の砥粒とアルカリ粒子とが混入され研磨面が溝によって区画された六角形のペレットが複数形成された構造となっている研磨パッド３４０をチャックテーブル２に保持されたウェーハＷに接触させ、ウェーハＷに純水を供給しながらチャックテーブル２と研磨パッド３４０とを回転させてウェーハＷを研磨することにより、デバイスの抗折強度を低下させることなく、安定的にゲッタリング効果を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１の回転定盤１７に取り付けた研磨パッド１６とトップリング１８との間に半導体ウエハＷを保持して相対回転させてウエハＷを研磨する。リンス水供給管１１にリンス水流量調整弁１３を設けて、研磨部２内の研磨パッド１６に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部３には研磨した半導体ウエハＷを洗浄用スポンジローラ２６，２７で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管１２ａ、１２ｂにリンス水流量調整弁１４、１４を設けて、洗浄用スポンジローラ２６，２７に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をｔ分とし、１回毎の純水の供給継続時間をｄｔ秒として、下記の（１）式と（２）式を満足する。ｄｔ＝２０{１．６−ｅｘｐ（−０．０１７８３ｔ）} ……（１）、１０≦ｔ≦３０ ……（２） （もっと読む）

【課題】プリント配線板製造における穴明けコスト低減に寄与できる実用性に秀れた穴明け加工装置及び穴明け工具の再研磨方法の提供。
【解決手段】穴明け工具２を保持するスピンドル部３と、ワーク１が設置されるワーク設置部４と、スピンドル部３をワーク設置部４に対して相対的に移動させる駆動機構とを備え、再研磨が必要となるか若しくは使用不能となった穴明け工具２を、スピンドル部３のワーク設置部４に対する相対移動可能範囲内に設けた工具収納部５に収納された他の穴明け工具２と交換し得るように構成した穴明け加工装置において、スピンドル部３のワーク設置部４に対する相対移動可能範囲内に穴明け工具２を再研磨する再研磨部６を設ける。 （もっと読む）

【課題】段付きドリルの小径部及び大径部を１台の装置で簡単な操作で研磨することが可能であるとともに簡易な機構で安価に製作できる段付きドリル研磨装置を提供すること。
【解決手段】小径部を研磨する小径部研磨機構１００と、大径部を研磨する大径部研磨機構２００とを有し、小径部研磨機構は、小径部研磨用回転砥石１０と、ドリルの小径部の先端部分を該小径部研磨用回転砥石に対して夫々異なる所定角度で当接可能に設定された２番面研磨機構２０と３番面研磨機構３０とシンニング形成機構４０とを有し、大径部研磨機構は、大径部研磨用回転砥石５０と、ドリルの大径部の先端部分の逃げ面を該大径部研磨用回転砥石に対して所定角度で当接可能に設定された逃げ面研磨機構６０とを有している段付きドリル用研磨装置とする。 （もっと読む）

【課題】電解研磨と機械研磨とを同時に行う研磨加工方法および装置を提供すること。
【解決手段】駆動側ワーク（駆動側加工ワーク）１と被駆動側ワーク（被駆動側加工ワーク）２とを、砥粒（遊離砥粒）３を分散させた電解液４中で少なくとも一部を対向させて配置し、前記各ワーク１，２を相対運動させるとともに、少なくともいずれか一方のワークと前記電解液４との間に電力を掛けて、機械的な研磨と電解研磨とを生じさせる研磨加工方法において、前記駆動側ワーク１と前記被駆動側ワーク２との前記砥粒３を挟んだ加工部位での法線力を相対的に増大させるとともに、前記ワーク１，２と前記電解液４との間に掛ける電力を相対的に低くする形状創成加工と、前記法線力を相対的に小さくするとともに、前記電力を相対的に高くする表面研磨加工とを行うことを特徴とする研磨加工方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板裏面を高スループットで研削、研磨加工し、基板を薄肉化・平坦化することができる異物の付着が少ない半導体基板を製造する平坦化装置の提供。
【解決手段】半導体基板の裏面研削加工ステージ前にエッジ部をテープ研磨する位置あわせ機能付きエッジ研磨機器１５０を設け、エッジ研磨することにより半導体基板の割れやエッジ部チッピング防止を図り、基板裏面研磨ステージ後に薬剤洗浄機器９を設け、平坦化加工された極薄厚の半導体基板に付着する粒径１μｍ以下の異物の個数を１００個以下にできる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの取り代を低減して、半導体材料のカーフロスを削減して安価に半導体ウェーハを得る。
【解決手段】結晶性インゴットから薄円板状の半導体ウェーハを切り出すスライス工程と、切り出された前記半導体ウェーハの端面を、研削により面取りする第１面取り工程と、前記半導体ウェーハの両面を同時に粗研削から仕上げ研削まで一気に高速加工する固定砥粒研削工程と、研削された前記半導体ウェーハの一方の面を仕上げ研磨する片面仕上げ研磨工程と、仕上げ面取りした前記半導体ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程と、両面研磨した前記半導体ウェーハの端面を、研磨により仕上げ面取りする第２面取り工程と、を具える。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドのような積層構造に形成された研磨対象物を正確に研磨加工することができる研磨加工方法を提供する。
【解決手段】研磨面側が積層構造に形成された研磨対象物１０を、積層方向に研磨を進める研磨加工方法であって、前記研磨対象物１０の外面に、研磨面を前記研磨対象物の研磨面と同一の向きとしてダミーサンプル１２ａ〜１２ｄを固定して形成された研磨用のワーク２０を使用するとともに、研磨面側に、大きさあるいは形状が層ごとに異なるラッピングモニター１６ａ、１６ｂ、１６ｃが複数層に積層して形成されたダミーサンプル１６を使用し、前記ワーク２０を研磨した際にあらわれる、前記ダミーサンプル１２ａ〜１２
ｄの研磨面におけるラッピングモニター１６の形状により、前記ワーク２０の研磨面の傾きをモニターしながら研磨加工を進める。 （もっと読む）

【課題】表面加工方法及び装置において、基板表面でのスクラッチの発生を抑制して基板の表面粗さを更に小さくし、且つ、表面の欠陥箇所を更に少なくすることを可能とすることを目的とする。
【解決手段】円筒形状を有する研磨部材を基板表面に接触させた状態で回転させ、基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す表面加工方法において、研磨部材の回転軸に沿った中心部分に設けられた研磨液経路に研磨液を供給し、研磨部材を記回転軸を中心に回転して研磨液を研磨液経路の外側に設けられた発泡体でろ過しつつ基板表面に供給し、発泡体の開口径は研磨液経路側の方が研磨部材の外周側より大きくする。 （もっと読む）

化学機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスによって生成される流出液の流動を収集及び分析するための装置及び方法は、少なくとも１の流出液特性の連続測定を行い、時間で結果を積分して、平坦化プロセスの容量分析を生成する。容量分析はフィードバック／フィードフォワード信号として用いられて、平坦化プロセスそのものを制御し（例えば、フィルム材料の既知の初期の厚さによる終点の検出）、範囲外の測定値のためのアラーム信号を生成し、及び／又は、放出前に流出液を処理するのに有用な廃棄物流動の指標を生成する（例えば、ｐＨ補正の決定）。 （もっと読む）

【課題】 研磨装置上で研磨直後のウエーハの研磨面及び非研磨面ともに保護膜剤でコーティングすることのできる研磨装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに対峙して該保持テーブルの上方に配設され被加工物を研磨する研磨パッドを有する研磨手段とを備えた研磨装置であって、該保持テーブルで保持された被加工物へ保護膜剤を供給する保護膜剤供給源と、被加工物を保護膜剤に浸漬せしめる浸漬手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面において、下地の窒化シリコン膜に対して上層の酸化シリコン膜を選択的に研磨除去することが可能な研磨方法、およびこの研磨方法に用いる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】表面に窒化シリコン膜３と酸化シリコン膜５とがこの順に成膜された基板１の周端面１ｂを、研磨パッドＢに対して相対的に摺動させると共に、アミノ酸を含有する研磨用組成物Ａを、周端面１ｂと研磨パッドＢとの間の摺動部分に供給することにより、窒化シリコン膜３に対して酸化シリコン膜５を選択的に研磨除去する。研磨用組成物Ａを構成するアミノ酸は、環状構造を備えている。 （もっと読む）