【課題】溶融樹脂とガスを効率良く分散させて、ガスを溶融樹脂中へ急速かつ均一に溶解させるマイクロミキサーを提供する。
【解決手段】溶融樹脂とガスとを混合し、該ガスを前記溶融樹脂中に分散または溶解させるマイクロミキサー２０であって、溶融樹脂とガスのうちの一方が通過する微細流路２３ｂと、溶融樹脂とガスのうちの他方が通過する導入路２２ｂと、微細流路２３ｂと導入路２２ｂとが合流する第１合流領域２５と、第１合流領域２５で合流した溶融樹脂とガスとの混合を促進する混合促進領域２４とを有し、混合促進領域２４は、合流後の溶融樹脂とガスとの混合物がそれぞれ通過する複数の第１微細孔２４ａと、複数の第１微細孔を通過した混合物が合流する第２合流領域２６と、第２合流領域２６で合流した混合物が通過する微細吹出孔２１ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】揺動部の慣性モーメント或いは重心位置の調整を比較的大きな範囲で比較的高速に行うことが可能な光偏向器などの揺動体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】揺動体装置は、揺動部と弾性支持部305、306と支持体301とを備え、揺動部が弾性支持部により揺動軸304回りに揺動可能に支持されている。揺動部は、該揺動部の質量を調整するための突出部303、321を持つ可動子302、320で構成されている。突出部は可動子から揺動軸と平行な方向に突出しており、突出方向の何れの個所でも切断可能に形成されている。突出部の揺動軸を法線とする断面積は、揺動軸方向に一定である。
【選択図】図10
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【課題】インプリント時間の短縮化を図りつつ、インプリント後の膜厚ムラを防止する。
【解決手段】基板上に塗布された液体に対して所望の凹凸パターンが形成されたスタンパを押し当てた状態で前記液体を硬化させることによりパターン転写を行うパターン転写方法において、複数のノズルを有する液体吐出ヘッドと前記基板を相対的に移動させながら、前記ノズルから吐出された液滴を前記基板上に着弾させる際、着弾直後の液滴形状が１つの円形状とはならず、且つ、前記基板上で隣接する他の液滴とは合一しないようにすることを特徴とするパターン転写方法を提供することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 研磨量の多いＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）用の基板であっても、高研磨速度で平坦化可能な基板の研磨方法を、提供する。
【解決手段】 少なくとも１μｍ以上の膜厚と、少なくとも１μｍ以上の初期段差を有する酸化ケイ素膜を形成した基板を、研磨定盤の研磨布に押し当て加圧し、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含有してなる研磨液を、酸化ケイ素膜と研磨布との間に供給しながら、基板の酸化ケイ素膜と研磨布とを相対的に動かして、酸化ケイ素膜を研磨する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】
ＭＥＭＳ分野に適したＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の一主面上に配置されたＳｉＯ_２層と、前記ＳｉＯ_２層上に配置され、前記Ｓｉ基板と前記ＳｉＯ_２層との密着強度に比べ、前記ＳｉＯ_２層との密着強度が小さいと共に、前記Ｓｉ基板に比べて厚みの小さいＳｉ層と、を含むＳＯＩ基板である。これにより、ＭＥＭＳ分野に適応したときに生産性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易かつ確実に不要部分を除去することができるＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳの可動部１１１が形成される第１基板１１０と、第１基板と貼り合わせられ可動部に隣接する領域がエッチングにより除去される第２基板１２０とを半導体製造工程によって製造するＭＥＭＳの製造方法であって、第１基板と第２基板とを貼り合わせる前に、第２基板のうちエッチングによって除去したい領域の一部にトレンチ１２３を形成する工程と、トレンチを形成した部分を含みエッチングにより除去したい領域を熱酸化することにより犠牲酸化膜１２１を形成する工程と、犠牲酸化膜が形成された第２基板１２０に第１基板１１０を貼り合わせる工程と、貼り合わせた後に第１基板のうち可動部を形成するために不要な領域と第２基板に形成した犠牲酸化膜１２１とを同時にエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ラジカルによる高速エッチングを行なえる技術を提供する。
【解決手段】フィルタ３０ａによって真空槽１１の内部をラジカル生成室３とエッチング室４とに区分けし、ラジカル生成室３内に二重ドームを突出させ、二重ドームの隙間２７に還元性ガスと酸化性ガスを含有するエッチングガスを導入し、アンテナ２４からマイクロ波を放射してプラズマを形成し、生成されたラジカルを放出孔２８からラジカル生成室３の内部に放出させる。ラジカルはフィルタ３０ａの小孔３２ａを通してエッチング室４に移動し、エッチング対象物２２の犠牲層をエッチング除去する。エッチング対象物２２の表面上に還元性ガスのプラズマを形成しておき、酸化性ガスのラジカルによって形成された犠牲層上の酸化物を還元除去すると、高速のエッチングを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】押印工程を短時間で行うことができ、かつ被転写体に転写されたパターンの寸法精度も高い転写装置を提供する。
【解決手段】転写装置は、モールドＭＰ又は被転写体ＷＦである駆動対象をモールドが被転写体から離れた第１の位置から該モールドが被転写体に接触する第２の位置に移動させてモールドと被転写体との間に押圧力を作用させる駆動手段１０と、該押圧力に関する値を検出する検出手段１０４と、駆動手段を制御する制御手段５０１とを有する。制御手段は、駆動対象を、第１の位置から該第１の位置と第２の位置との間の第３の位置を目標位置として移動させるように駆動手段を制御し、駆動対象が第３の位置に移動した後は検出手段による検出値が目標値に増加するように駆動手段を制御する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、モールド作製方法に関し、一定面積のマスクを電子描画で作製し、作製したマスクを電子線露光でモールド上に順次マスク露光した後に現像し、大面積のモールドを短時間に作製してスループットを向上させることを目的とする。
【構成】マスクを、レジストを塗布したモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、近接して位置づけた状態で、電子線をマスクに照射してマスク上の微小パターンを透過した電子線をマスク上のレジストに露光するステップと、露光した後に、マスクを次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、繰り返した後に、モールド上の露光されたレジストを現像するステップと、現像した後のモールドをエッチングし、マスク上のパターンに対応するパターンをモールド上に形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】乾燥時間短縮と、シート反り及びマイクロニードルなどの高アスペクト比構造体の変形防止とを両立することができる機能性シートの製造方法を提供する。
【解決手段】針状凹部１２を有するスタンパ１０に、原料液２０を注型した後、乾球温度及び相対湿度が調整された空気を吹き付けることにより、原料液２０を乾燥固化する。このとき、恒率乾燥期間における原料液２０の温度Ｔ_Ｐがゲル化温度Ｔ_gelより高い温度になるように、原料液２０に吹き付ける空気の乾球温度及び相対湿度が調整される。これにより、乾燥速度を極端に小さくすることなく、シート反りの発生及びこれに起因するマイクロニードルの変形を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】犠牲層除去の速度を向上し、除去に要する時間の短縮を図ることができるマイクロマシン装置の製造装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する
【解決手段】マイクロマシン装置１の製造装置としての薄膜装置３０は、主面上に、電界の作用により変形する機構を備え該変形に伴って電気特性を変化させるＭＥＭＳ素子１６と、犠牲層１８を介してＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに、犠牲層１６に連通する開口形状部２１ａを有する第１封止体２１と、が形成された基板１１を収容するチャンバ３１と、基板１１が配されたチャンバ３１内に、エッチング処理により犠牲層１８を除去するエッチングガス３７ａを導入する導入部３３と、チャンバ３１内の流体を排出する排出部３５と、エッチング処理の間に、チャンバ３１内の流体の量を変動させる調整手段としての絞り部３４３６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速な転写を実現しつつ、パターン転写性及びモールド作成コストに優れた加工装置を提供することができる。
【解決手段】本発明の加工装置は、パターンが形成されたモールドを被転写体に塗布された被加工材料に押し付け、パターンを基板ＷＦに転写する加工装置であって、モールドＭＬを傾斜させる傾斜機構と、傾斜したモールドＭＬを基板ＷＦに近接させる移動機構と、傾斜したモールドＭＬの端部が基板ＷＦに接触したとき、モールドＭＬが基板ＷＦと平行になるようにモールドＭＬを回転させる回転機構と、回転機構によりモールドＭＬが回転する間、モールドＭＬの端部の位置が基板ＷＦに対して動かないように制御する制御機構とを有する。 （もっと読む）

【課題】工程時間の短縮により製造効率を向上し、空間部のコンパクト化を図るとともに、機能構造体や空間部の形状のばらつきを低減してデバイス特性の安定化を図る。
【解決手段】本発明の機能デバイスの製造方法は、基板１１上において犠牲層１４Ａを介して機能構造体１５Ａを形成する機能構造形成工程と、犠牲層１４Ａを除去して機能構造体１５Ａを解放する第１リリース工程と、機能構造体１５Ａを犠牲層１４Ａとは異なる材料よりなる保護材１６で包摂して固定し、かつ、保護材１６を周囲より上方へ突出させて設ける保護材形成工程と、保護材１６の周囲に保護材１６とは異なる材料よりなる周囲構造Ｐを形成して保護材１６を包囲する周囲構造形成工程と、保護材１６を除去して空間部を形成する第２リリース工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】製造時間を短縮することができる電気部品を提供する。
【解決手段】電気部品１Ａにおいて、基板２と、基板２上に設けられて動作する機能素子７と、機能素子７と離間しかつ機能素子７を覆うように基板２上に設けられ、基板２との間に形成される内部空間に連通する複数の開口部８ａを有する第１封止体８と、複数の開口部８ａを閉口するように第１封止体８上に設けられた第２封止体９とを備え、第１封止体８と基板２との境界線は、内部空間が狭くなる方向に湾曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。
【解決手段】内部に配置された被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理が交互に行われ、かつ内壁に膜を形成することを目的として、内部に前記被加工物がないときに成膜処理が行われるチャンバ１１０と、チャンバ１１０を冷却する冷却手段１２４，１２４ａ，１２４ｂと、冷却手段１２４を制御する制御部１２６とを具備する。制御部１２６は、成膜処理が行われる場合に冷却手段１２４を動作させる。制御部１２６により制御され、チャンバ１１０を加熱する加熱手段１２２を具備してもよい。制御部１２６は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段１２２を動作させる。 （もっと読む）

【課題】揺動部の慣性モーメント或いは重心位置の調整を比較的大きな範囲で比較的高速に行うことが可能な光偏向器などの揺動体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】揺動体装置は揺動軸17回りに揺動可能に設けられた揺動部を有し、該揺動部は可動子11とその質量を調整するための質量調整体19とで構成される。可動子11と質量調整体19の一部との間に空隙30が形成されている。質量調整体19にレーザ光を照射することで、レーザ光の照射されない部分を含んで、空隙30上の質量調整体19の一部を除去する。揺動体装置の他の形態では、揺動軸回りに揺動可能に設けられた揺動部が、その質量を調整するための突出部を持つ可動子で構成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のエッチング加工をより短時間で行い、かつ絶縁層の断面方向のエッチング量の制御をより容易に行うことにより半導体基板上に形成された可動部を開放することができる半導体装置の製造方法、および当該製造方法で製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０の製造方法は、半導体基板１２上に設けられた絶縁層１４上に、圧電体層２２と第１の電極２０と第２の電極２４とを含む構造体３０を形成する工程と、半導体装置１０をダイシングして絶縁層１４の断面を露出する工程と、構造体３０の固定部３０ａが絶縁層１４上に固定されたまま構造体３０の可動部３０ｂが開放されるように、前記露出された断面から絶縁層１４を選択的エッチングにより除去する工程と、を含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】犠牲材料層の全エッチング時間を減らし、ＭＥＭＳデバイス用の強化保護キャッ
プ構造を提供するＭＥＭＳデバイス用の低コストウェハレベルパッケージング技術を提供
する。
【解決手段】キャップ構造４は、基板２上に形成されたＭＥＭＳ素子１を封入して構成さ
れる。第１の流路９は、エッチング液１２の前記ＭＥＭＳ素子を収納した室３への通路と
して、前記キャップ構造４上に設けられたエッチングのための流入孔８、流出孔７と連通
する。前記流入孔８、流出孔７は、それらが重なり合わないように配置され、それによっ
て、前記ＭＥＭＳ素子１の上方に多数のエッチング孔を設けることができ、封止材料１０
が前記ＭＥＭＳ素子に達することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】レンズアレイとスペーサと回転駆動鏡アレイと、駆動電極アレイを集積化して小型化を図る。
【解決手段】入力用光ファイバ群３１と、出力用光ファイバ群３２と、サーキュレータ３４と、スペーサ３７，３８と、レンズアレイ３５と、ＭＥＭＳミラーアレイ３６と、ＭＥＭＳ電極３９を一体化してアレイ化した構成とする。 （もっと読む）