【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】圧電材料、焦電材料又は磁性材料から構成することも可能な表面層、埋め込み層、及び支持体又は支持体として機能する基層を含む種類の新規な構造体とそのような構造体の機械的補強手段を提供する。
【解決手段】表面層、少なくとも一つの埋め込み層、及び支持体から構成される半導体構造体の形成方法において、第一の支持体上に第一の材料からなる第一の層を形成し、更に第一の層の内部に、第一の材料よりエッチング速度の大きい第二の材料からなる少なくとも一つの領域を形成する第一のステップと、第二の支持体の上に構造体を組み立てることにより表面層を形成し、二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化する第二のステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ミラー部の偏向角度を大きく設定する。
【解決手段】固定支持される第１端部、及び自由端であり第１端部よりも幅が狭いか又は厚みが薄い第２端部をそれぞれ有する一対の第１アーム部１２ｅ，１２ｅと、固定支持される第３端部、及び自由端であり第３端部よりも幅が狭いか又は厚みが薄い第４端部をそれぞれ有し、一対の第１アーム部に対向して配置された一対の第２アーム部１２ｅ，１２ｅと、一対の第１アーム部の第２端部と一対の第２アーム部の第４端部との間に配置され、外部から照射された光を反射するミラー部１２ｉと、一対の第１アーム部の第２端部とミラー部とをそれぞれ連結する一対の第１捩じりバネ部１２ｇ，１２ｇと、一対の第２アーム部の第４端部とミラー部とをそれぞれ連結すると共に、一対の第１捩じりバネ部に対向して配置された一対の第２捩じりバネ部１２ｈ，１２ｈと、を備えている光偏向子１２Ａを提供する。 （もっと読む）

【課題】圧電材料、焦電性材料、又は磁性材料から構成することも可能な表面層、埋め込み層、及び支持体又は支持体として機能する基層を含む新規な構造体とそのような構造体の機械的補強手段を提供する。
【解決手段】表面層、少なくとも一つの埋め込み層、及び支持体から構成される半導体構造体において、第一の支持体上に第一の材料からなる第一の層を形成し、更に第一の層の内部に、第一の材料よりエッチング速度の大きい第二の材料からなる少なくとも一つの領域を形成する第一のステップと、第二の支持体の上に構造体を組み立てることにより表面層を形成し、二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化する第二のステップで製造される構造体。 （もっと読む）

【課題】堅牢性および信頼性を向上させた回転軸を形成する可動部品を備えるマイクロシステムまたはナノシステム用電気機械部品の製造方法を提供する。
【解決手段】バーを有する少なくとも１つの固定部と、前記バーの少なくとも一部の周りを回転する少なくとも１つの可動部を備えたマイクロ電気機械システムの製法であって、少なくとも１本のバーとなる少なくとも１つの所定の材料からなる層を支持体上に形成する工程ａ）と、少なくとも１枚の第１グラフェンシートと、該第１グラフェンシートから離間してこれに対して可動とされた少なくとも１枚の第２グラフェンシートとを含む複数枚のグラフェンシートを前記バーの周りに形成する工程ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、かつ製造歩留まりが高い光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、表面導電層と絶縁層と裏面層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】患部に直接薬剤を打ち込む治療を行うための生体内適合性針状体を再現性良く高精度に製造する方法を提供する。
【解決手段】
複数のエッチング工程によって形成したマスターモールドを反転転写して形成したマスターモールドの針状体の形状を反転転写した微細孔２１ａを備えた針状体成型用モールド２１に溶融した生体内適合性材料を充填する。生体内適合性材料が固化した後、針状体成型用モールド２１取り外すことによって、先端に向かって細径化したテーパ状をなす先端部と該先端部に連なる長手方向にわたって同一径、あるいは径が小さくなる支柱部を有する生体溶解性針状体２２ｂを製造する。
マスターモールドのエッチングにおいて、ボッシュプロセスによって任意の微細形状の支柱部を形成し、酸化シリコン膜の形成の除去を繰り返しによって、先端部の鋭角化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高い性能を確保しながら、小型化を実現することが可能なアクチュエータの製造方法、アクチュエータ、及び該アクチュエータを用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】電極層と、該電極層に通電することにより変形する金属板と、が積層されたアクチュエータの製造方法であって、金属板の表面に絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の表面に電極層を形成する工程と、電極層が形成された面と同じ側の面に、金属板のエッチング部分に開口を有する第１のレジスト膜を成膜する工程と、金属板の絶縁膜が成膜された面と反対側の面に、第１のレジスト膜の開口部分が表裏で略同じ形状になるように第２のレジスト膜を成膜する工程と、第１のレジスト膜および第２のレジスト膜をエッチングマスクとして、エッチング法を用いて金属板を除去することにより、該金属板の形状を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体デバイスの基板材料によらず強誘電体膜の結晶性および性能の向上が可能な強誘電体デバイス（発電デバイスまたは焦電デバイス）の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電層（強誘電体膜）２４ｂを素子形成基板（第１の基板）２０ａに比べて当該圧電層２４ｂとの格子整合性の良い圧電層形成用基板（第２の基板）４０の一表面側に形成し、その後、圧電層２４ｂ上に下部電極２４ａを形成し、続いて、圧電層形成基板４０の上記一表面側の下部電極２４ａと素子形成基板２０とを接合層５１を介して接合してから圧電層形成基板４０を除去することで下部電極２４ａおよび圧電層２４ｂを素子形成基板２０ａに転写する。その後、素子形成基板２０ａの上記一表面側に上部電極２４ｃを形成することで発電部２４を形成してから、素子形成基板２０ａを加工してフレーム部２１、カンチレバー部２２および錘部２３を有するカンチレバー形成基板２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストな方法で、基板表面に選択的に撥水性を有する微細流路を形成する手段を提供する。
【解決手段】基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】迷光の発生を防止することができる光偏向器、光偏向器の製造方法および画像表示装置を提供する。
【解決手段】可動板１１と、一端が可動板１１と連結され、回転軸Ｘの周りに可動板１１を回動可能に支持する弾性支持部１２と、弾性支持部１２の他端と連結された支持部材１３とを備え、弾性支持部１２、支持部材１３は、上面、下面、及び側面を有し、側面は、上面又は下面よりも外側に存在する１つ又は複数の斜面によって形成され、弾性支持部１２、支持部材１３の上面、下面、及び側面に、光吸収膜３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 集積ＭＥＭＳスイッチ、設計構造体、及びそうしたスイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、犠牲材料（３６）の少なくとも１つのタブ（３２ａ）を、犠牲材料内に埋め込まれたスイッチング・デバイス（３４）の側部に形成することを含む。本方法は、スイッチング・デバイスの側部にある少なくとも１つのタブの上に形成された少なくとも１つの開口部（４０）を通って犠牲材料を剥離することと、少なくとも１つの開口部をキャッピング材料（４２）で密封することとをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】弾性支持部の破断を防止することができる光偏向器の製造方法を提供する。
【解決手段】反射膜１１を有する可動板１０を形成する工程と、可動板１０とは異なる部材で、可動板１０を取り付けるための取付部２１と、取付部２１に取り付けられた可動板１０を所定の軸の周りに回動可能に支持する弾性支持部２２とを有する軸部材２０と、軸部材２０と連結する支持部材３０とを一体で形成する工程と、軸部材２０と支持部材３０に丸め処理を施す工程と、取付部２１に可動板１０を取り付ける工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ミラーと弾性支持部を連結するための接着剤が、弾性支持部へ付着してばね定数が変化することを防止する。
【解決手段】反射膜１１を有する可動板１０と、可動板１０とは異なる部材で、磁石４０を介して可動板１０取り付けるための取付部２１と、取付部２１に取り付けられた可動板１０を所定の軸の周りに回動可能に支持する弾性支持部２２と、を有する軸部材２０と、を備え、取付部２１は、取付面に、溝内に接着剤２５が存在する溝２３と、接着剤２５が存在しない溝２４を有しており、溝２４は溝２３よりも弾性支持部２２に近い位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信号線と駆動線との間の寄生容量の増大を抑制しつつ、可動部を駆動する駆動電圧を低下させる。
【解決手段】駆動電極１６ａを信号線１３上に配置し、駆動電極１６ｂを接地線１４上に配置し、補助駆動電極１７ａを駆動電極１６ａに並列して配置し、補助駆動電極１７ｂを駆動電極１６ｂに並列して配置し、駆動電極１６ａ、１６ｂおよび補助駆動電極１７ａ、１７ｂ上に可動電極１９を配置する。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロメカニカル構造体の近設される可動部間の電気干渉を抑制するための電界遮蔽構造が、容易に製造できるようにする。
【解決手段】マイクロメカニカル構造体１００は、一端が固定された複数の可動部１３１ａと、隣り合う可動部１３１ａの間に可動部１３１ａとは離間して配置される電界遮蔽構造１１１ａとを備える。マイクロメカニカル構造体１００は、ＳＯＩ基板より構成されている。ＳＯＩ基板を構成するシリコン基部１０１の層に電界遮蔽構造１１１ａが形成され、埋め込み絶縁層１０２の上のシリコン層１０３に、可動部１３１ａが形成されている。また、電界遮蔽構造１１１ａおよび可動部１３１ａは、埋め込み絶縁層１０２に形成された開口領域に配置されるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造のマイクロバルブを提供する。
【解決手段】溝３が形成された主基板１にカバー基板１３が貼り合わされて流路が形成される。主基板１は第１主基板層１ａ、第２主基板層１ｂ、第３主基板層１ｃの積層構造をもつ。溝３に形成された弁体５は、第１主基板層１ａと同じ材料からなり、溝３の第１側壁３ａから突出し、第１側壁３ａに対向する第２側壁３ｂとは間隔をもって形成され、流路内を流れる流体圧力で変形可能な上方から見た膜厚をもつ。溝３の底面３ｃと弁体５との間に第２主基板層１ｂが除去されて形成された空隙７が形成されている。弁体５の下流側の流体圧力が弁体５の上流側の流体圧力よりも大きい状態とき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく下流側へ移動する。それとは逆の流体圧力状態のとき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく上流側へ移動する。 （もっと読む）