【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された複数の固定部と、前記複数の固定部にそれぞれ一端部が支持されて前記基板から離隔して各々が所定の間隙を空けて配置された複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部に各々隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記複数の固定部に各々電気的に接続された複数の第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。このとき、梁部３６ａの先端部下面に第２犠牲層４７を残してアンカー３７とする。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００の製造方法は、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う絶縁層３０，３２，３４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４をエッチングして、機能素子２０の周囲に空洞部１を形成する工程と、空洞部１を封止するように、空洞部１の上方に封止層５０，５４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４の上方に樹脂層６０を形成する工程と、基板１０の下方側から基板１０をエッチングして、空洞部１と連通する開口部３を形成する工程と、空洞部１を封止するように、気相成長法によって、開口部３の内面に被覆層８０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】引出電極間の短絡による圧電アクチュエーターの駆動不良の減少した圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。したがって、引出電極９０間の短絡によって生じる圧電アクチュエーターの駆動不良が減少した圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界シールド基板と板ばねとの衝突を防止し、素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】ＭＥＭＳ素子は、ミラー基板１００と、ミラー基板１００と対向して配置される電極基板２００と、ミラー基板１００に接合される電界シールド基板３００ａと、ミラー基板１００に対して変位可能に形成された可動電極である板ばね１０５ａと、電極基板２００上に形成された固定電極である板ばね駆動電極２０１ａと、電界シールド基板３００ａのミラー基板１００と対向する側の面上に形成され、ミラー基板１００の開口部１０１に嵌挿されるシールド電極３０２とを備える。電界シールド基板３００ａの水平方向の大きさは、開口部１０１の水平方向の大きさよりも大きく、シールド電極３０２の厚さは、開口部１０１の深さと同じかあるいは開口部１０１の深さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、且つデバイスの小型化に貢献する金属埋込ガラス基板及びその製造方法、及びこの金属埋込ガラス基板を用いたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】金属埋込ガラス基板は、対向する第１の主面ＳＦ１及び第２の主面ＳＦ２を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の第１の主面ＳＦ１と第２の主面ＳＦ２の間を貫通する金属からなる貫通金属部材５５とを備える。貫通金属部材５５の径は１００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】振動体１１を備えたセンサ素子よりなる振動体型力学量センサにおいて、前記センサ素子は半導体部材から形成されたものであるとともに、振動体１１は固定部１２と固定部１２の外径側を囲むように配設された錘１４とを複数の梁１３で連結したものであり、さらに、前記センサ素子の一方の面にガラス基板１０１が接合され、固定部１２がガラス基板１０１側と接合されることにより振動体１１がガラス基板１０１で機械的に支持されてなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】 光フィルターの製造時にはオゾンまたは紫外線から反射膜を保護して、反射膜が劣化することを抑制することができる光フィルターの製造方法並びに分析機器及び光機器を提供すること。
【解決手段】 光フィルター１０の製造方法は、第１反射膜４０が形成された第１基板２０を準備し、第２反射膜５０が形成された第２基板３０を準備し、第１基板の第１接合領域に第１接合膜１００を形成し、第２基板の第２接合領域に第２接合膜１１０を形成し、第１マスク部材を用いて第１接合膜に、オゾンまたは紫外線を照射し、第２マスク部材を用いて第２接合膜にオゾンまたは紫外線を照射し、第１接合膜と第２接合膜とを接合して第１基板と第２基板とを貼り合わせることを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能なＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された空洞部３２と、空洞部３２に収容された第１振動子２０ａと、空洞部３２に収容された第２振動子２０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を形成したときの可動部の反りをできるだけ少なくし、電極間ギャップなどの精度の向上を図ること。
【解決手段】キャビティ２１が形成された第１の基板１１ａと、第１の基板におけるキャビティが形成された面側に接合され、キャビティに対応する位置に可動部ＫＢを画定するスリット１６が形成された第２の基板１１ｃと、を備え、第２の基板における第１の基板に対向する表面には、可動部に対応する位置に選択的に熱酸化膜２２が形成された、基板１１を準備する工程と、可動部における熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第１の電極層１２ａを形成する工程と、第１の電極層および第２の基板上に犠牲層３１を形成する工程と、犠牲層上に第２の電極層を形成する工程と、第２の電極層を形成した後に、犠牲層３１および熱酸化膜２２を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 光フィルターの製造時又実使用時にはオゾンまたは紫外線から一対の反射膜を保護して、光フィルター特性を劣化させることがない光フィルター及びその製造方法並びに分析機器及び光機器を提供すること。
【解決手段】 光フィルター１０は、対向する第１，第２基板２０，３０と、第１，第２基板に設けられた第１，第２反射膜４０，５０と、第１，第２基板に設けられた第１，第２接合膜１００，１１０と、第１，第２反射膜の表面に形成された第１，第２バリア膜１２０，１３０とを有する。第１バリア膜はオゾンまたは紫外線の透過率が第１反射膜よりも低く、第２バリア膜はオゾンまたは紫外線の透過率が第２反射膜よりも低い。 （もっと読む）