【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、ＭＥＭＳ構造体２０が配置された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１を上方から覆い、空洞部１に連通する貫通孔３７を有する第１被覆層３６と、第１被覆層３６の上方に形成され、貫通孔３７を閉鎖する第２被覆層３８と、を有し、第１被覆層３６は、少なくともＭＥＭＳ構造体２０の上方に位置する第１領域１３６と、第１領域１３６の周囲に位置する第２領域２３６と、を有し、第１領域１３６の第１被覆層３６は、第２領域２３６の第１被覆層３６より薄く、第１領域１３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ１は、第２領域２３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ２より長い。 （もっと読む）

【課題】良好な真空封入を維持しかつできるだけ変らない外側のチップ寸法を維持して、ボンディングされた表面マイクロメカニック構成部分の安定性を高める。
【解決手段】マイクロメカニック式のキャップ構造はサブストレート１０を有し、サブストレート１０には空洞Ｋが設けられている。空洞Ｋは方形の基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対とを有する。空洞Ｋの基面に相応するダイヤフラムの局部的な補強は安定化ビームＳＫ１，ＳＫ２を有する安定化クロスによって達成される。 （もっと読む）

【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、簡易な構造で、製造を容易にすることのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記基板から離隔して配置された可動部を含む複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部にそれぞれ隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記可動電極に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備え、前記複数の可動電極は、それぞれ内部応力を有する薄膜を含み、前記複数の可動電極の前記他端部は、それぞれ対向する前記固定電極と電気的に接触し、前記複数の可動電極の前記他端部は、印加される外力に応じて変位し、前記固定電極と電気的に非接触となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電駆動バルブを改良する。
【解決手段】駆動弁孔２６をもつ駆動弁２０を挟んでその両側に櫛歯形状の一対の駆動電極１６〜１９を設ける。駆動電極１６〜１９への印加電極により、駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置にくる全開状態、及び駆動弁２０が弁体２５から離れ、かつ駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置から外れた位置にくる部分開状態をとりうるように、駆動弁２０は支持部２１により出口弁孔２５ａの軸方向とそれに垂直な方向とに移動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージング応力による基板変形が無く、かつ安価なパッケージングが可能なＭＥＭＳデバイスアセンブリを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスアセンブリ２０は、ＭＥＭＳダイ２２と、集積回路ダイ２４とを備える。また、ＭＥＭＳダイは、基板３８に形成されたＭＥＭＳデバイス３６とキャップ層３４とを備える。パッケージング処理は、基板３８にＭＥＭＳデバイス３６を形成することとＭＥＭＳデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するためにＭＥＭＳデバイスを包囲する基板の一部分を除去することを含み、キャップ層３４は基板に接続される。ＭＥＭＳダイは集積回路ダイに電気接続され、ＭＥＭＳダイ、集積回路ダイ、およびそれらを電気的に相互接続する相互接続部３０を実質的に封止するためにモールド成形化合物３２が施される。キャップ層はモールド成形化合物がＭＥＭＳデバイスと接触することを防止する。 （もっと読む）

【課題】構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて多層３次元構造を形成する。
【解決手段】めっきされる基板２に、マスク６および支持体８を含む第１の物品４ａを接触させ、第１の金属イオン源が存在している状態で、第１の金属（例えば犠牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イオン源が存在している状態で、第２の金属（例えば構成金属）２０を堆積し、層を平坦化する。そして、異なるパターンの電気めっき物品４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂを用いて上記した方法を繰り返し、多層構造２４を生成する。犠牲金属１２の全てをエッチングすることによって、エレメント２６を得る。 （もっと読む）

【課題】 特に、安定して高精細の流路部を形成することが可能な流路デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明の流路デバイスの製造方法は、第１基材１の基材表面に流路の形状パターンからなるマスク層３を形成する工程、前記基材表面から前記マスク層の表面にかけて第２基材２を接合する工程、前記第１基材あるいは前記第２基材の少なくとも一方に前記マスク層３にまで貫通する貫通孔４を形成する工程、前記貫通孔４から前記マスク層３を除去して前記流路を形成する工程、
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層３２、３４、センサ層２４、およびセンサ層２４と基板層３２、３４との間に配置される絶縁層２６、２８を有し、基板層３２、３４の１つにＶ溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層３２、３４は１００結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層３２または３４の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように３つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ圧力センサ装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサ装置２０、６２が、基板構造２２、６４に形成されたキャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４、基板構造２４に形成された基準素子３６を有する基板構造２４を含む。検知素子４４は、基板構造２２、２４の間に配置され、基準素子３６から離間されている。検知素子４４は、基準素子３６及び基準素子３６に形成された複数の開口３８のうちの一つを介して外部環境４８に露出される。検知素子４４は、環境４８からの圧力刺激５４に応答して、基準素子３６に対して可動である。製造方法７６が、キャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４を形成すること７８、検知素子４４を含む基板構造２４を製造すること８４、基板構造を結合すること９２、次いで、基板構造２４に基準素子３６を形成すること９６を含む。 （もっと読む）

【課題】拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に高濃度不純物層を形成する工程と、高濃度不純物層上にマスクを形成する工程と、マスクを振動子の形状にパターニングする工程と、ドライエッチングによりパターニングした振動子の下方を残して少なくとも基板に達するまで高濃度不純物層を除去する工程と、ウエットエッチングにより高濃度不純物層の下方を除去して梁状の振動子を形成する工程と、高濃度不純物層上に形成したマスクを除去する工程と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微小機械デバイスの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の微小機械デバイスの製造方法は、基板を提供し、該基板に第一材料層を形成する第一ステップと、前記第一材料層に犠牲層を形成する第二ステップと、前記犠牲層に第二材料層を形成する第三ステップと、犠牲層の一部をドライエッチング方法でエッチングする第四ステップと、残した前記犠牲層をウェットエッチング方法でエッチングし、前記第一材料層と前記第二材料層との間に隙間を形成するとともに、前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に凸部を形成する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】電子線照射によるレジストパターンのドライエッチング耐性を向上させる手段において、酸素が存在する雰囲気中でも、レジストパターンの形状劣化を防止し、微細な転写パターンを形成することを可能とするナノインプリント用モールドの製造方法およびレジストパターンの形成方法を提供する
【解決手段】レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ディスク下面に犠牲層の残渣が発生せず、きれいに除去されるようにする。
【解決手段】ディスク型の振動子構造体１と、該振動子構造体１の両側に前記ディスク型振動子構造体の外周部に対して所定の空隙ｇを有して、それぞれ対向して配置される一対の駆動電極２，２と、該駆動電極２，２に同相の交流バイアス電圧を印加する手段と、前記ディスク型振動子構造体１と前記駆動電極２，２との間の静電容量に対応した出力を得る検出手段とを備えた静電駆動型のディスク型振動子において、前記ディスク型振動子構造体１がディスクの中心に貫通孔１ａを有し、ワイン・グラス・モードで振動される。 （もっと読む）

【課題】可動部を正確に揺動させることが可能な光偏向装置および光偏向装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、可動部と、可動部を基板から離反した位置で揺動軸の周りに揺動可能に支持している可撓梁と、可動部の下面に対向する位置において基板に設けられている固定電極と、可動部に設けられている可動電極と、を備えている。可動部の下面には、基板側へ突出している突起部が形成されている。突起部は、可動部の揺動軸を含み可動部に垂直な面の面内に頂点を有している。可動部を揺動させている期間において、突起部が基板に接触している。 （もっと読む）

【課題】支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。 （もっと読む）