【課題】圧電素子のヒステリシス特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】上電極８０とリード電極との密着性を高めるスパッタエッチングにおいて、上電極８０の表面を、Ａｒガス流量を６０ｓｃｃｍ以上で導入しながらスパッタエッチングすることにより、Ａｒガスの導入によるＡｒガスの流れによって、Ａｒイオンの上電極８０表面での滞留時間を短くできる。したがって、イオン化したＡｒガスが表面に滞留することによる上電極８０のチャージアップを抑えることができ、チャージアップによる圧電素子３００への影響を少なくでき、圧電素子３００の圧電体層７０のヒステリシス特性のばらつきおよび変位特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】気密封止光偏向器パッケージを有する画像表示装置における往復走査の同期方式はパッケージ外に設けた光ビーム検出器の検出信号に基づいて行っていたために、有効光ビームへの影響が大きく、装置が大型化する。
【解決手段】封止ガラス１は中央に光学透過窓１１を有し、その周辺に遮光カバー１２ａが形成された遮光部１２を有する。光偏向器２をセラミック実装基板３のキャビティ３ａ内に配置し、セラミック実装基板３のキャビティ３ａを封止ガラス１によって気密封止してある。有機薄膜フォトセンサ４ａ、４ｂはパッケージ内部にあって、光偏向器２のマイクロミラー２１から反射される走査光ビームが通過する光学透過窓１１の極近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】回路構成の設計自由度の高いＭＥＭＳ及びＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１と、基板１０の一方の面側に設けられる振動子３１と、を備えるＭＥＭＳにおいて、第１半導体部２１の側面側に設けられ、かつ基板表面に対して略垂直な第１面２１ａと、振動子３１の側面側に設けられ、かつ基板表面に平行な方向において第１面２１ａと対向する第２面３１ａが設けられると共に、第２面３１ａ側の表層部分は第１面２１ａ側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部２１における第１面２１ａを含む部分と振動子３１における第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬度の高い接点材料を用いて対向面積の大きな接点を形成する。
【解決手段】可動接点部３４の移動方向の端面と固定接点部３３の端面が対向する。固定接点部３３は、固定接点基板４１の上方に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層４４と導電層４５が複数層交互に積層される。導電層４５の可動接点部３４と対向する端部は緩衝層４４の端面よりも突出しており、導電層４５の端面が固定接点４６（接触面）となる。可動接点部３４は、可動接点基板５１の上に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層５４と導電層５５が複数層交互に積層される。導電層５５の固定接点部３３と対向する端部は緩衝層５４の端面よりも突出しており、導電層５５の端面が可動接点５６（接触面）となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロエレクトロメカニカルシステムにおける可動機械部分の浮遊を伴う製造方法を提供するものである。
【解決手段】本方法は、多孔質ゾーンが半導体材料の第１ウェハの前面上で形成されていることに特徴づけられている。マイクロエレクトロメカニカルシステムの可動機械部を構成するのに適した材料のパターンは、犠牲層内で覆われ、多孔質ゾーンのレベルに位置する第１ウェハの前面上に形成される。さらに犠牲層用の溶液によるアタックに耐える材料である層が形成される。可動機械部の浮遊は、犠牲層用の溶液の助けで多孔質ゾーンを通って第１ウェハの裏面より行われる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを材料として用いた場合でも犠牲層の表面をできるだけ平坦とすることができ、犠牲層の上に形成される可動梁のような第２の電極を適正に形成することのできる方法を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に、少なくとも一方の端部にテーパ側壁ＴＳ１を有した基部電極１４ａを形成する工程と、基部電極１４ａが形成されていない領域から延びてテーパ側壁ＴＳ１の上方に重なるようにかつ端部に当該テーパ側壁ＴＳ１と逆の方に傾斜するテーパ端面ＴＳ２を有する犠牲層ＢＧＰ０を形成する工程と、基部電極１４ａの上に、犠牲層ＢＧＰ０のテーパ端面ＴＳ２に当接するスペーサ１４ｂを形成する工程と、犠牲層ＢＧＰ０およびスペーサ１４ｂの上に可動電極１５を形成する工程と、可動電極１５を形成した後で犠牲層ＢＧＰ０を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】トーションバー加工時のばらつきを抑制する光偏向器、光偏向器の製造方法、光学装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】光偏向器Ａは、光を反射する可動板１と、一端が可動板に固定され、他端が支持体に固定され、可動板を回転振動可能に軸支する一対のトーションバー２ａ、２ｂと、可動板を回転振動させる駆動機構と、を備えている。このトーションバー２ａ、２ｂは、単結晶シリコンを含んでおり、また、トーションバー２ａ、２ｂの可動板１表面に垂直であってトーションバー軸支方向の断面における形状は、断面の可動板表面垂直方向の略中央部を中心線とし、略相同である２つの略等脚台形が上底及び下底の何れか短い方同士を中心線で接合した形状である。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】振動膜及び基板の間に介在する介在部材、該振動膜及び該基板の間の固定部分、該振動膜及び該基板の全体にて応力発生が抑制できると共に、犠牲層を形成する工程及び孔をあける工程を省くことができ、ガスエッチングに起因する振動膜の損傷のおそれがなく、高い再現性及び信頼性、かつ簡略化された工程にて製造することが可能な超音波振動子ユニット及び超音波プローブを提供する。
【解決手段】基板の一面側に設けられた基板側電極と、該基板側電極と一面が対向するように配置された振動膜と、該振動膜の他面に設けられた膜側電極とを備える超音波振動子を、基板上に複数設けた超音波振動子ユニットにおいて、基板側電極の一部が該基板の一面に露出するように、該基板側電極を該基板に埋設し、静電引力及び化学結合によって、該振動膜及び該基板の間に、金属性の介在部材を固定する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２の上方に形成された第１被覆層４０と、空洞部３２の上方を避けて層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に形成された樹脂層５０と、第１被覆層４０の上方に形成された第２被覆層６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】反射面を備える可動板の有効面積を確保しつつ、可動板の慣性モーメントを低減させた光偏向器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反射面と側面を備える可動板と、所定の軸の周りに可動板を回動可能に支持する支持部とを有し、可動板の側面が軸に向かって窪んでいる。 （もっと読む）

【課題】分光精度を維持することができる波長可変干渉フィルター、光センサー及び分析機器を提供すること
【解決手段】
本発明の波長可変干渉フィルター５では、第二基板５２は、第一反射膜５１に対向する位置で、基板厚み方向に沿って形成され、当該第二基板５２の第一面Ａから反対側の第二面Ｂまでを貫通する光透過口５２１Ａと、光透過口５２１Ａ内に設けられる透光性部材５８と、を備え、光透過口５２１Ａは、内周面の径寸法が、第一面Ａから第二面Ｂに向かうに従って増大するテーパー形状に形成され、透光性部材５８は、第一反射膜５６及び第二反射膜５７に平行する光入射面５８Ａ、第一反射膜５６及び第二反射膜５７に平行する光射出面５８Ｂ、及び第一面Ａから第二面Ｂに向かうに従って径寸法が増大するテーパー側面５８Ｃを有し、テーパー側面５８Ｃが光透過口５２１Ａの内周面に当接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って圧電特性の低下を抑制することができる圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】第１電極６０と、圧電体層７０と、第２電極８０と、を具備する圧電素子３００の製造方法であって、第１電極６０上に圧電体層７０となる圧電体前駆体膜を形成する工程と、圧電体前駆体膜を加熱処理して結晶化させて圧電体膜からなる圧電体層７０を形成する工程と、圧電体層７０上にランタンニッケル酸化物を主成分とする金属酸化膜２００を形成する工程と、金属酸化膜２００が設けられた圧電体層７０を加熱処理するポストアニール工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】第１の貫通口と連通する複数の第２の貫通口が形状精度よく形成された構造体を歩留まりよく得ることが可能なシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第１のシリコン基板１０２と、第２のシリコン基板１０１と、第１のシリコン基板１０２と、第２のシリコン基板１０１との間に設けられ、複数の凹部１０９が設けられた中間層１０３と、の組を用意し、第１のシリコン基板１０２の中間層１０３との接合面の裏の面側から、第１のマスクを使用して第１のシリコン基板１０２をエッチングして第１の貫通口１０７を形成し、中間層１０３の複数の凹部１０９に対応する部分を露出させ、凹部１０９の底部部分を除去して中間層に複数の開口を形成し、開口が形成された中間層をマスクとして第２のシリコン基板１０１に第２のエッチングを行うことにより第２の貫通口１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数帯域で良好な感度を有する二次元容量型電気機械変換装置などの電気機械変換装置を無欠陥ないし歩留まり良く作製することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は少なくとも１つのセルを含むエレメント１、２、３を複数個有する。複数のエレメントト１、２、３は、複数の処理回路が形成された集積回路基板５上のそれぞれ対応する処理回路に対して、互いに分離して独立的に配置され、各エレメント毎に信号の入出力ができる様に、対応する複数の処理回路とそれぞれ機械的及び電気的に結合されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な分光精度を維持できる波長可変干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】
第一基板５１と、第一基板５１に接合される第二基板５２と、第一基板５１に設けられる第一反射膜５６と、第二基板５２に設けられる第二反射膜５７と、第一反射膜５６と第二反射膜５７とのギャップＧを変更する可変部５４と、を備え、第二基板５２は、第二基板５２を基板厚み方向から見る平面視において、第二反射膜５７に重なる位置に設けられる可動部５２１を有する第一層５２０と、第一層５２０の第一基板５１に対向する面に積層されるとともに、厚み寸法が一様な板状に形成され、可動部５２１を変位可能に支持する支持部５３１を有する第二層５３０と、を備え、第一層５２０には、少なくとも前記平面視で支持部５３１に重なる領域に第一層５２０が積層されていないことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 （もっと読む）

隙間閉止アクチュエータ（GCA）装置（200）が提供される。GCA装置は、少なくとも一つの装置駆動櫛状構造（202a、202b）、GCA装置の出力を定める少なくとも一つの入力／出力（I／O）櫛構造（216a、216b）、ならびに装置駆動櫛状構造およびI／O櫛状構造と相互嵌合する少なくとも一つの装置トラス櫛状構造（204）を有し、トラス櫛状構造は、トラス櫛状構造と装置駆動櫛状構造の間に印加される第1のバイアス電圧（V_BIAS）に基づいて、第1の移動軸（205）に沿って、複数の相互嵌合位置の間を移動するように構成される。また、GCA装置は、ブレーキ部（203）を有し、これは、装置トラス櫛状構造と選択的物理的に嵌合するように構成され、第1の移動軸に沿った装置トラス櫛状構造の位置が固定される。

（もっと読む）

【課題】 圧電素子の形成位置の精度を高め、モーションセンサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の上面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上面に前記下電極層を形成し、前記下電極層の上面に前記圧電層を形成し、前記圧電層の上面に前記上電極層を形成し、平面視において前記可撓部の対向する二辺と重なる二辺を有し前記二つの縁領域を覆い前記二つの縁領域の間の領域を露出させた第一保護膜を前記上電極層の上面に形成し、前記第一保護膜を用いて前記上電極層と前記圧電層と前記下電極層とをエッチングし、前記第一保護膜を除去し、平面視において前記可撓部の前記二つの縁領域の間の領域を覆う第二保護膜を形成し、前記第二保護膜と前記上電極層とを用いて前記絶縁層をエッチングし、前記第二保護膜を除去し、前記絶縁層と前記上電極層とを用いて前記基板を異方性エッチングする。 （もっと読む）

【課題】ダイシングやアセンブリ中の処理環境等から壊れやすいＭＥＭＳデバイスを保護することが可能な封止構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを含むチャンバを覆う膜と、膜を支持し膜を基板に接続するアンカーからなる封止構造において、アンカーと膜を形成する構造材料を多結晶ＳｉＧｅで形成し、犠牲層を用いたウエハレベルパッケージプロセスにより製造する。また、チャンバ内をＳｉ酸化物で充填した構造とする。 （もっと読む）