【課題】可動部を正確に揺動させることが可能な光偏向装置および光偏向装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、可動部と、可動部を基板から離反した位置で揺動軸の周りに揺動可能に支持している可撓梁と、可動部の下面に対向する位置において基板に設けられている固定電極と、可動部に設けられている可動電極と、を備えている。可動部の下面には、基板側へ突出している突起部が形成されている。突起部は、可動部の揺動軸を含み可動部に垂直な面の面内に頂点を有している。可動部を揺動させている期間において、突起部が基板に接触している。 （もっと読む）

【課題】支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ光学素子のキャビティを形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）支持基板（１０）の平面上に犠牲材料層（１２）を形成する段階と、ｂ）キャビティ（４）の底部が前記犠牲材料層によって形成された、前記キャビティの壁（６）を形成する段階と、ｃ）吸収層（３０）を、前記壁の頂上（６０）、前記壁の側面（６１，６２）及び前記キャビティの前記底部（４’）に等角的に堆積する段階と、ｄ）前記犠牲層（１２）をエッチングし、この層の前記材料及び前記キャビティ（４）の前記底部に存在する前記吸収材料の層（３０）の前記材料を除去する段階と、を含むマイクロ光学素子のキャビティ（４）を形成する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】流体を封入する膜を備える装置の製造方法を提供する。
【解決手段】空洞内に収容される流体を封入するために使用される膜を備える装置の製造方法であって、２つの基板を提供する段階と、膜を基板上に配置する段階と、空洞を横方向に画定するように作用する１つまたは複数の壁を形成する段階と、空洞を完成させるように、互いに重ね合わせることによって２つの基板を一体に組立てる段階と、流体を基板の間の空洞内に封入し、流体によって膜を浸す段階と、基板に膜が設けられている場合に、少なくとも膜の中心部を解放するために、基板の少なくとも一部を除去する段階と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高価なマイクロリソグラフィ装置を使用せず、比較的安価で、かつ６５℃を超える温度で操作する用途に使用可能なマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】固体接着剤の薄いシートを有する基板材料２１の表面ににプリンタを用いてワックス２０を印刷した後、このワックスをマスキング層として基板を選択的にエッチングし、所望のパターンをを有する固体接着剤２２を有する基板を作製する。次にこの基板からマスキング層を除去した後、第２の基板と接着して基板層を形成し、さらにこの基板層を硬化させることで三次元マイクロ流体デバイスを得る。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーに損傷を与えずにＭＥＭＳミラーを基板から分離する方法を提供する。
【解決手段】ミラーデバイス体が支持部４ｂに支持された基板２０の支持部４ｂにレーザー光７４を集光して照射し、支持部４ｂに改質部７５を形成する改質部形成工程と、支持部４ｂに力を加えて支持部４ｂを切断しミラーデバイス体２と基板２０とを分離する分離工程と、を有し、支持部４ｂの断面形状は台形に形成され、改質部形成工程では台形の平行な２辺のうち長い方の辺の側からレーザー光７４を照射する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ基板から形成され、ＳＯＩ基板の上面から下面へ貫通する窓部１０を有するフレーム部１１と、ＳＯＩ基板から形成され、窓部１０の内部に配置される可動電極４と、フレーム部１１のシリコン活性層と可動電極４のシリコン活性層とを連結し、フレーム部１１に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部４１，４２と、可動電極４と対向する面に可動電極４と離間して配置される固定電極２１，２２とを備え、可動電極４及びフレーム部１１が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部６１〜６３を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】マスク形状を変更しなくとも、梁のバネ定数を調整することが可能な力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と絶縁層と半導体層とが順次積層されて成る基板に形成されたセンサ部は、絶縁層と半導体層とから成るアンカ部と、半導体層から成る浮遊部とを有し、浮遊部は、錘部と、錘部に設けられた可動電極と、可動電極と検出軸方向で対向する固定電極と、錘部を検出軸方向に変位可能とする梁部とを有し、錘部が梁部を介してアンカ部に支持されており、センサ部を形作るマスクを形成する工程と、マスクから露出された半導体層を除去する工程と、絶縁層の一部を除去する工程とを有し、梁部とアンカ部とを構成する半導体層が、上記した２つの方向に交差する方向に延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が錘部から離れるにしたがって長くなるように、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ、及びセンサを製造する方法が開示され、この方法は一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされた第一のデバイス・ウェーハに接着し、次いでこの接着体をシリコン積載絶縁体型ウェーハを含む第二のデバイス・ウェーハに接着して通気孔付き懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって感知されて差圧を測定する。一実施形態では、センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜として窒化膜を形成しつつ、モールド樹脂の剥離を抑制できる。半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板１８上に形成された素子と、該基板１８上に形成された窒化膜２０と、該窒化膜２０上に形成された剥離防止膜２２と、該剥離防止膜２２と該素子を覆うように形成されたモールド樹脂３６と、を備える。そして、該剥離防止膜２２は圧縮応力が残留した膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工対象物に均一なテクスチャー構造を転写する。
【解決手段】フォトリソグラフィにより、面方位が（００１）の単結晶シリコン基板１０の表面に、マトリックス状に配列された正方形が露出するように、網の目状にレジスト２０を形成する（ステップＳ３，Ｓ４）。次に、単結晶シリコン基板１０をエッチングする（ステップＳ５）。次に、溶剤を用いてレジスト２０を剥離する（ステップＳ６）。次に、単結晶シリコン基板１０の表面にダイヤモンドを成膜する（ステップＳ７）。次に、ダイヤモンド４０が成膜された単結晶シリコン基板１０からフッ硝酸を用いて単結晶シリコン基板１０を除去する（ステップＳ８）。次に、スパッタ法を用いてダイヤモンド４０の表面に白金を成膜し、型が完成する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのばねが、機械的な荷重に頻繁にさらされる場合でも、その機能を確実に満たすことが保証されているようにする。
【解決手段】マイクロマシニング型の構成部材であって、保持部材が設けられており、該保持部材に対して少なくとも第１の位置から第２の位置に調節可能な構成要素が設けられており、該構成要素が、保持部材に少なくとも１つのばね２０を介して結合されている。少なくとも１つのばね２０に配置されたシリサイド含有の少なくとも１つの線路区分３０，３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳキャパシタとその制御用集積回路を反りの抑えられた１枚の基板上に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のＭＥＭＳキャパシタと、前記ＭＥＭＳキャパシタの下方の前記ＭＥＭＳキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。前記制御用集積回路は、前記基板上のトランジスタを含む。前記ＭＥＭＳキャパシタの真下の前記基板上の領域と前記貫通孔領域とは、少なくとも一部において重なる。 （もっと読む）

【課題】 本願には多くの発明が記載されており且つ例示されている。１つの特徴では、本発明は、最終パッケージ前に機械構造がチャンバ内に封緘されたＭＥＭＳ装置及びその製造技術に関する。
【解決手段】 付着させたときに機械構造を封緘する材料は、一体化に列挙する特性のうちの１つ又はそれ以上を備えている。即ち、引張応力が低く、ステップカバレッジが良好であり、続くプロセスが加えられたときにその一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び／又は悪影響を及ぼさず（付着中に材料でコーティングされていない場合）、及び／又は高性能集積回路との一体性を容易にする。一実施形態では、機械構造を封緘する材料は、例えば、シリコン（ドーピングされた又はドーピングがなされていない多晶質、非晶質、又は多孔質）、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。 （もっと読む）

【課題】 検出軸以外の方向に生じる加速度によって物理量センサーの検出感度が低下することを抑制する。
【解決手段】 物理量センサーは、第１揺動体３００ａと第２揺動体３００ｂとを有し、
各揺動体３００ａ，３００ｂは、第１支持部４０ａと第２支持部４０ｂとによって基板に支持され、かつ、第１揺動体３００ａは、平面視で第１軸（支持軸）Ｑ１によって第１の領域ＰＴ１と第２の領域ＰＴ２とに区画され、第２揺動体３００ｂは、平面視で第２軸（支持軸）Ｑ２によって第３の領域ＰＴ１と第４の領域ＰＴ２とに区画され、第２の領域ＰＴ２の質量は第１の領域の質量よりも重く、第４の領域の質量は第３の領域よりも重く、第１の領域と第２の領域の並び方向と第３の領域と第４の領域の並び方向とは互いに同じであり、かつ、重力を受けた状態において第１揺動体３００ａおよび第２揺動体３００ｂは互いに反対向きに傾斜している。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くすることなく、放電耐圧を向上させ、デバイスの特性の安定化や性能の向上を図る。
【解決手段】高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。絶縁膜１０４の厚さＴは、配線層１０３と上層配線１０５，１０６との間に与えられる最大の電位差Ｖ_maxよりも絶縁膜１０４の耐圧が大きくなるように設定され、絶縁膜１０４の露出量Ｘは、溝の幅Ｗと距離ｄとが等しいときの絶縁膜１０４に沿った沿面放電開始電圧をＶ₀（Ｖ₀＝ｂ×ｌｎＴ＋ｃ、ｂ，ｃは定数）としたとき、Ｖ_max＜ａＸ＋Ｖ₀（ａは定数）となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い封止構造で密閉空隙を封止して信頼性を向上させた電気機械変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。封止部は、常温で流動性を持たない第１の封止材１６の上に、硬化された常温で流動性を持つ第２の封止材１７を重ねることで形成される。 （もっと読む）