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Fターム[3C081CA15]の内容

マイクロマシン (28,028) | プロセス (6,263) | 加工方法、手段 (4,742) | 除去加工 (2,002) | エッチング (1,585) | ウェットエッチング (542)

Fターム[3C081CA15]に分類される特許

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【課題】高アスペクト比のホールやトレンチの多段構造を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材1に凹部4の一部である初期凹部4aを形成する初期凹部形成工程と、初期凹部4aの凹部側壁42aに保護膜を形成する保護膜形成工程と、凹部側壁42aの保護膜に隣接した基材1の一部を隔壁12として残存させて、初期凹部4aに隣接する周回領域の基材1を深さ方向に異方性エッチングするエッチング工程と、残存した突起状の隔壁を酸化してシリコン酸化物を形成する突起状隔壁酸化工程と、酸化した突起状の隔壁を除去する突起状隔壁除去工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室33内に設けられ基板31に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第1,第2のシリコン単結晶の振動梁32a、32bと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の一端に接続される板状の第1の電極板34aと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の間に設けられた第2の電極板34bと、第1,第2の振動梁の両側に第1,第2の振動梁を挟んで且つ第1,第2の振動梁と第1,第2の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第3,第4の電極板34c、34dと、振動梁と第2、第3,第4の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部37とを具備した。 (もっと読む)


【課題】マスキングを減少させた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイスが開示される。
【解決手段】一実施形態では、MEMSデバイス(900)は、事前形成された構成要素を各々が有する、前面基板(910)と保持体(950)を積層することによって製作される。前面基板(910)には、その上に重ねて形成された静止電極が提供される。その上に重ねて形成された可動電極(1360)を含む保持体(950)は、前面基板(910)に結合される。いくつかの実施形態の保持体(3500)は、可動電極(3510)を前面基板(3570)に移転させた後で除去される。他の実施形態では、保持体(3450)は、前面基板(3410)上に留まり、MEMSデバイス(3400)のための背面板として機能する。フィーチャは、付着およびパターン形成によって、型押しによって、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。 (もっと読む)


【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第1の基板11の一方の主面11a側に可動部14aを形成する工程と、シリコンを含む第2の基板20の一方の主面20c側にキャビティ20bを形成する工程と、第1の基板11と第2の基板20の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ20bを可動部14aに対向させた状態で、第1の基板11と第2の基板20の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ20b内を真空に保ちつつ、可動部14aを第2の基板20で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第1の基板11と第2の基板20をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】デバイス等を形成する基板に、複数の開口面積と、深さとの異なる貫通穴をエッチングによって同時に形成する貫通穴形成方法を提供する。
【解決手段】第1基板面と当該第1基板面に相対する第2基板面とを有する基板に対し、第1基板面に複数の小穴を連接して形成し、小穴をエッチングによって削成することで第1穴を形成する第1穴形成工程と、小穴と小穴との隔壁となる基板と、小穴の底部となる基板とを熱酸化し基板に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と熱酸化した隔壁および底部と基板に形成した熱酸化膜を除去する除去工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域17に対応する支持基板11にレーザ光の焦点54aを合わせ、半導体層13側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点54aからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域17に位置する犠牲層12にマイクロクラック12aを形成する。この後、半導体層13の開口部15からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック12aが形成された犠牲層12をエッチングして除去することにより、支持基板11に対して構造体22〜24を浮遊させる。このように、犠牲層12にマイクロクラック12aを形成して改質度を向上させているので、犠牲層12の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層12のエッチングレートがさらに向上する。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板1にカンチレバー(可動部分)4xを形成する工程と、カンチレバー4xの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜25A、25B、25C、25G、25を形成する工程と、電極膜25A、25B、25C、25G、25の上に第1の保護膜31を形成する工程と、第1の保護膜31の上に、該第1の保護膜31よりも段差被覆性の良い第2の保護膜32を形成することにより、第2の保護膜32で隙間gを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】駆動の安定性及びハンドリング性を向上させたプレーナ型アクチュエータ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】枠状の固定部4と、固定部4の内側に形成されるトーションバー5a,5a、5b,5bと、各トーションバーを介して固定部4に回動可能に軸支され駆動手段により駆動される可動部6a,6bとを第1半導体基板7で一体形成して備えたアクチュエータ部2と、第2半導体基板10で形成され固定部4介してアクチュエータ部2を支持する支持部3とを有し、第1半導体基板7として、少なくとも各トーションバーに対応する部位に各トーションバーに応じた厚さが残るように予め溝部9a,9bが形成されたキャビティー基板を用いて形成したプレーナ型アクチュエータ1において、第2半導体基板10で形成された支持部3を、固定部4と異なる形状に形成する。 (もっと読む)


【課題】可動基板をエッチングする際の深さ寸法のばらつきを抑制し、保持部の厚み寸法の精度を向上できる干渉フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の干渉フィルターの製造方法は、固定基板と、可動部521および保持部522を備えた可動基板52と、固定反射膜と、可動反射膜57と、を備える干渉フィルターの製造方法であって、固定基板を製造する固定基板製造工程と、可動基板52を製造する可動基板製造工程と、固定基板と可動基板52とを接合する基板接合工程と、を備え、前記可動基板製造工程は、第一母材524Aおよび第二母材525Aを、プラズマ重合膜526Cを介して接合させる母材接合工程と、プラズマ重合膜526Cをエッチングストッパーとして、第二母材525Aをエッチングして、保持部522を形成する保持部形成工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】環境性および帯電除去性に優れた波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】エタロン5は、可動基板52と、可動基板52に対向する固定基板51と、可動基板52の固定基板51に対向する面に設けられた可動反射膜57と、固定基板51の可動基板52に対向する面に設けられ、可動反射膜57とギャップを介して対向する固定反射膜56と、可動反射膜57の固定基板51に対向する面と端面とを被覆するとともに、エタロン5の外周部に延びる第一引出部を有する可動保護膜59と、固定反射膜56の可動基板52に対向する面と端面とを被覆するとともに、エタロン5の外周部に延びる第二引出部を有する固定保護膜58と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】プロセス数を増大させることなく、応力を緩和できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に埋め込み酸化層と半導体層がこの順で積層される半導体基板10を加工して作製され、前記一方の面側で他の基板に接合される半導体装置であって、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成される半導体素子20と、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成され、前記半導体素子に接続される配線部と、前記配線部の端部に連続する前記半導体層によって構成され、当該半導体層の下側の埋め込み酸化層が除去されて前記半導体基板との間に空隙が形成されるパッド部40と、前記パッド部と前記他の基板を接合する接合部とを含む。 (もっと読む)


【課題】製造工程が簡便で、製造コストを小さくでき、解像度の低下を抑制する光走査素子を提供する。
【解決手段】アーム部13a,13bは、光を反射する平板状のミラー部11と同じ水平位置に設けられ、梁部12a,12bを支持し、駆動されることによりミラー部11を第1の方向に揺動させる。フレーム部15は、ミラー部11と異なる水平位置に設けられたそれぞれ一対のワイヤ固定部17a〜17fを有し、アーム部11を支持する。サスペンションワイヤ18a〜18fは、ワイヤ固定部17a〜17fにおいて、フレーム部15が第1の方向と直交する第2の方向の揺動可能なように、フレーム部15を支持する。圧電膜14a〜14dは、アーム部13a,13bに設けられ、変位することによりアーム部13a,13bを駆動して、ミラー部11を第1の方向に揺動させる。 (もっと読む)


【課題】テーパ縁を実現するために、MEMSデバイス内に層を形成するための方法が提供される。
【解決手段】特定のMEMSデバイスは、テーパ縁を有するようにパターン形成された層を含む。テーパ縁を有する層を形成するための1つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、複数の反復エッチングを使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、リフトオフマスクの上に層が堆積され、そのマスク層が除去された後、テーパ縁を有する構造が残されるように、負の角度を含む開口を有するリフトオフマスクを使用することを含む。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能な加速度センサーを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に位置する第1の電極層と、第1の電極層の第1の面と対向して位置する第2の電極層と、第2の電極層を基板に支持する支持部と、を含み、第2の電極層は、上記第1の面に沿った方向に動くことができ、支持部は、第2の電極層が上記第1の面に沿った方向に動くことができるように第2の電極層を基板に支持する。これにより、感度と精度を確保しつつ、基板の面に垂直な方向における加速度センサーの厚みを低減し、加速度センサーを小型化することができる。 (もっと読む)


【課題】一体成形材でできた微細機械部品を、高材料歩留まり、かつ少ない工程で作製する方法を提供する。
【解決手段】(a)作製すべき微細機械部品のためのネガ型キャビティを含む基材を形成するステップ、(b)基材の一部に犠牲層を形成するステップ、(c)微細機械部品の骨子となる粒子を基材上に被着するステップ、(d)犠牲層を除去することにより基材の一部を選択的に粒子が全く無い状態にするステップ、(e)粒子が残存する箇所にのみ被着するように、化学気相蒸着法によって材料の層を被着するステップ、(f)上記ネガ型キャビティに形成した微細機械部品を外すために、基材を除去するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスが簡便で、安定した制御が可能な光走査素子を提供する。
【解決手段】梁部13a,13bは、光を反射するミラー部14がX軸方向の揺動可能なように、ミラー部14を支持する。アーム部12a,12bは、梁部13a,13bを支持し、駆動されることによりミラー部14をX軸方向に揺動させる。フレーム部11は、アーム部12a,12bを支持する。駆動用圧電膜21a,21bは、アーム部12a,12bのX軸方向における一端側に設けられ、変位することによりアーム部12a,12bを駆動する。検出用圧電膜22a,22bは、アーム部12a,12bのX軸方向における他端側に設けられ、変位されることによりアーム部12a,12bの駆動を検出する。駆動によるアーム部12a,12bの他端側の振幅は、一端側の振幅より小さい。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板10に凹部11を形成する工程と、凹部11に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料20aを充填する工程と、ガラス材料20aを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料20aを焼結させる工程と、凹部11にガラス材料20aが充填されたシリコン基板10の表裏面においてガラス材料20aとシリコン基板10とを露出させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】機械的構造体の適切な、向上した及び/又は最適な動作のための制御された又は制御可能な環境を含むMEMSを提供する。
【解決手段】機械的構造体の少なくとも一部の上に犠牲層を堆積させ、該犠牲層の上に第1の封止層を堆積させ、犠牲層の少なくとも一部を露出させるように第1の封止層を貫通して少なくとも1つのベントを形成し、犠牲層の少なくとも一部を除去してチャンバを形成し、少なくとも1つの比較的安定したガスをチャンバに導入し、少なくとも1つのベント上又は少なくとも1つのベント内に第2の封止層を堆積させ、これにより、チャンバをシールし、この場合、前記第2の封止層が、半導体材料である。 (もっと読む)


【課題】封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し、安定した特性の機能素子パッケージを提供するものである。
【解決手段】第1の材料基板に対し、支持フレーム20、梁33及び振動部30を含む複数の機能素子10と、各支持フレーム20を連結する連結部と、を有する機能素子ウエハを形成し、第2の材料基板に対し機能素子ウエハにおける機能素子10に対応する凹部を形成し、第3の材料基板に対し、機能素子ウエハを、剛性の低い部材を介して接合し、機能素子ウエハにおける連結部を除去し、第3の材料基板の機能素子ウエハを接合した側の主面に、第2の材料基板の凹部を形成した側の主面を、機能素子が、凹部内に封止されるように接合し、第1の材料基板、第2の材料基板及び第3の材料基板の接合体にダイシングを行う。 (もっと読む)


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