【課題】カプセル化構造（１００）を作製する方法を提供すること。
【解決手段】方法は、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な少なくとも１つの材料部分（１１０）を作製するステップであって、材料部分が、カプセル化構造の気密封止された空胴（１０２）の内側と連通する、ステップと、気体の少なくとも一部が空胴内の前記材料部分から放出されるように、前記材料部分のすべてまたは一部を加熱するステップとを含み、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な前記材料部分は、前記材料部分内に閉じ込められた要素を含み、前記閉じ込められた要素は、前記材料が加熱されると気体の状態で前記材料部分から放出される。 （もっと読む）

【課題】 一般的なＸ線タルボ干渉法を行う撮像装置に用いられる従来の遮蔽格子の透過部よりもＸ線の吸収量の小さい透過部を備える遮蔽格子として用いることができる構造体と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】 構造体の製造方法は、基板の第１の面１０に複数の凹部２を形成する工程と、複数の凹部に金属を充填して複数の金属構造体３を形成する工程と、複数の金属構造体が形成された領域の外周部又は、第１の面と対向する基板の第２の面における外周部に対向する部分の少なくともいずれか一方にマスク層４（４ａ，４ｂ）を形成する工程と、マスク層４をマスクとして基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された機能素子２０と、機能素子２０が収容された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１に連通する第１貫通孔５２および第１貫通孔５２よりも大きい第２貫通孔５４を有し、かつ空洞部１の上方に配置される第１被覆層５０と、第１被覆層５０の上方に配置され、第１貫通孔５２および第２貫通孔５４を塞ぐ第２被覆層５８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）

【課題】製造における可動部の形状ばらつきを従来よりも小さくして、可動部の回動時の慣性モーメントを低減することができるアクチュエーター、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、所定の回動中心軸まわりに回動可能な板状の可動板２１と、可動板２１に連結し、かつ可動板２１の回動に伴って捩り変形する連結部２３、２４と、連結部２３、２４を支持する支持部２２と、可動板２１の板面上に設けられた永久磁石４１と、永久磁石４１に作用する磁界を発生させて可動板２１を回動させるコイル４２とを有し、可動板２１は、可動板２１の板厚方向からの平面視にて十字状をなす。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【解決課題】特殊な技術や装置を必要とせず、接合の際に電気的な接続を歩留まりよく確立可能な、パッケージされたデバイス及びパッケージング方法並びにそれに用いられるパッケージ材の製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路、ＭＥＭＳその他のデバイスを搭載したデバイス基板１０と、ビア配線２１を配設してかつキャビティ２２を有するパッケージ材２０とを接合して成る。ビア配線２１と一体化した接続用バンプ２４がキャビティ２２内に突出しており、かつデバイスに接続された配線接続用パッド１２が接続用バンプ２４と対向して接続していることにより、接続用バンプ２４を経由してデバイスがビア配線２１に配線接続している。 （もっと読む）

【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞HOが形成されるハンドル層Hと表面が鏡面仕上げされたデバイス層B、Ｔとがシリコン酸化膜を介して接合されたウエハを準備する工程、デバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構成要素に対応しかつデバイス層に形成すべき下層構造体を形成する工程、下層構造体形成後のウエハのデバイス層にシリコン酸化膜を介して上層のデバイス層を形成するためのウエハを接合する工程、上層のウエハを加工して所定厚さの上層のデバイス層を形成する工程、上層のデバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構成要素に対応しかつ上層のデバイス層に形成すべき上層構造体を形成する工程、ハンドル層Hに空洞を形成する工程、下層構造体のシリコン酸化膜を除去してＭＥＭＳ走査型ミラーを完成させる工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】可動電極の厚さを厚くすることなく、可動電極の可動範囲を大きくできるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に離間して配置されて基板１０１に近づくほど間隔が狭く形成された２つの固定電極１０２，１０３と、２つの固定電極１０２，１０３の間に入り込んで基板１０１の法線方向に変位可能とされて２つの固定電極１０２，１０３に接触しない範囲の幅とされた可動電極１０４とを備える。固定電極１０２および固定電極１０３は、例えば、同電位とされ、また、可動電極１０４の延在方向の断面形状が、線対称となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】応力が過度に集中する鋭角な部分や直角な部分が形成されていない断面形状を有するマイクロ流路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ流路基板１０は、内部にマイクロ流路１１が設けられたマイクロ流路本体１５を備え、マイクロ流路１１の天井部とマイクロ流路１１の内側壁が交わる第１の角部１６、およびマイクロ流路１１の底部と内側壁が交わる第２の角部１７が曲面をなしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像品質の改良と、電力消費の削減とのために、高速に、かつ低電圧で駆動されることが可能な、機械的に作動させられるディスプレイを提供する。
【解決手段】シャッタベースの光変調器を組み込んだディスプレイ装置が、そのような装置を製造する方法とともに開示される。本方法は、当業界で周知の薄膜製造プロセスと互換性があり、より低い消費電力を有するディスプレイをもたらす。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

【課題】入出力特性の悪化を招くことなく、振動子と半導体基板との間に、ギャップを精度良く形成する。
【解決手段】共振器は、半導体基板１の上に形成された第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂと、第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの上に形成された第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂと、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの上に形成された固定電極６Ａ，６Ｂと、振動子３Ｘとを備えている。振動子３Ｘと第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂ及び固定電極６Ａ，６Ｂとの間には、第１のギャップ７Ａ，７Ｂが形成されている。振動子３Ｘと半導体基板１との間には、第２のギャップ８が形成されている。第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの端面は第２のギャップ８に露出し、且つ、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの端面は第１のギャップ７Ａ，７Ｂに露出している。 （もっと読む）

【課題】高周波数で動作する振動子の振動検出が容易な機械共振器を提供する。
【解決手段】機械共振器は、基板上に形成されたドレイン１と、基板上に形成されたソース２と、一端がドレイン１に接続され、他端がソース２に接続された伝導部３と、伝導部３と対向するように配置され、伝導部３の伝導度を電界効果により制御するゲート６，７とを備える。伝導部３とゲート６，７のうち少なくとも一方は、基板から浮いた状態で支持される。ゲート６，７に一定のバイアス電圧が印加された状態で、伝導部３とゲート６，７のうち少なくとも一方が振動子として振動したときに、伝導部３とゲート６，７との距離が変化することにより、ドレイン１とソース２間の出力電圧が変調される。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）