【課題】小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れるＭＥＭＳ光スキャナを提供する。
【解決手段】外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、ミラー形成基板１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。外側フレーム部１０に形成された固定電極１２と可動部２０に形成された可動電極２２とで、可動部２０を駆動する駆動手段を構成している。第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側に、第１のカバー基板２を通して入射し１つのミラー面２１で反射した光を当該ミラー面２１側へ反射する複数の固定ミラー６が並設されている。 （もっと読む）

【課題】センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサデバイスは、複数のピエゾ素子２３１，２３２と、複数の接続パッド２６１〜２６５と、ピエゾ素子２３１，２３２と電気的に接続された上層配線２４０、２４１と、上層配線２４０及び２４１に接続された下層配線２５１及び２５２と、下層配線２５１及び２５２に対して垂直方向に交差する上層配線２４２〜２４４と、上層配線２４２〜２４４の下層の下層配線２５３〜２５７があり、下層配線２５３〜２５７の他端部の上層には、絶縁層を介して接続パッド２６１〜２６５が形成される。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造のマイクロバルブを提供する。
【解決手段】溝３が形成された主基板１にカバー基板１３が貼り合わされて流路が形成される。主基板１は第１主基板層１ａ、第２主基板層１ｂ、第３主基板層１ｃの積層構造をもつ。溝３に形成された弁体５は、第１主基板層１ａと同じ材料からなり、溝３の第１側壁３ａから突出し、第１側壁３ａに対向する第２側壁３ｂとは間隔をもって形成され、流路内を流れる流体圧力で変形可能な上方から見た膜厚をもつ。溝３の底面３ｃと弁体５との間に第２主基板層１ｂが除去されて形成された空隙７が形成されている。弁体５の下流側の流体圧力が弁体５の上流側の流体圧力よりも大きい状態とき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく下流側へ移動する。それとは逆の流体圧力状態のとき、弁体５の自由端は第２側壁３ｂに当接することなく上流側へ移動する。 （もっと読む）

【課題】素子を大型化させることなく発生電力を向上させ、低コストで製造することができ、生産性を向上させることができる振動発電素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されエレクトレット膜を有する第１の電極と、前記第１の電極とエアギャップを隔てて対向し、複数の開口部が形成されている第２の電極と、前記第１の電極の周辺部に形成され、かつ、バネ部を介して前記第２の電極と接続する支持部を有し、前記支持部における前記エアギャップよりも高い位置における部分は、前記第２の電極と同一の材料を有することにより、ＭＥＭＳ技術を応用した一貫形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ねじり振動モードを利用したＭＥＭＳ共振器において、振動部材の周辺への異物混入を容易に防止可能とする。
【解決手段】共振器パッケージ１０１は、平坦な上面３１ｕを有する基材３１と、上面３１ｕに固定されたアンカ部２ａ，２ｂと、上面３１ｕから離隔して梁状に延在する振動部材４と、振動部材４の周囲を取り囲む包囲部下部４５と、振動部材４と同じ材料で同じ高さで形成され、振動部材４の周囲を取り囲むように配置された包囲部上部４６と、アンカ部２ａ，２ｂの上面と包囲部下部４５の上面とに配置された絶縁膜パターン２２ｄ，２２ｅと、包囲部上部４６の上側に配置され、振動部材４からは離隔しつつ、内側の領域を完全に被覆するキャップ部材４３と、上面３１ｕに形成された配線とを備え、前記配線は、前記上面３１ｕに沿うように包囲部下部４５の下側を通過して外側にまで引き出されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板とガラス基板との間の接合強度を高める。
【解決手段】 加速度センサ１を、ガラス基板３が表面に取付けられたシリコン基板２を用いて形成する。シリコン基板２には、固定部４、可動部５および支持梁６を形成すると共に、可動部５等を取囲んで第１，第２の封止枠１１，１３を形成する。そして、第１の封止枠１１とガラス基板３との間には、陽極接合によって接合された陽極接合部１２を形成する。一方、第２の封止枠１３とガラス基板３との間には、陽極接合時の静電力を用いて接合膜１５，１６が加圧接合された加圧接合部１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】流路内にデッドスペースや流れを乱すことが無く、継ぎ手周りのリーク等の問題を解決し、かつ、ローコスト化を図ったマイクロリアクタを実現する。
【解決手段】第１基板と第２基板を貼り合わせ、いずれか一方の基板に複数の凹部を設けて形成された複数のダイアフラムと、流路が形成されると共に該流路中に少なくとも一つの突起を有する第３基板からなり、前記流路に前記複数のダイアフラムを配置して圧力計、差圧流量計、バルブのうちの少なくとも２つを形成した。 （もっと読む）

【課題】一体化されたＭＥＭＳおよび半導体電気回路センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。本発明の一実施形態において、上記第一の層内にインプラントエリアがさらに備えられ得る。 （もっと読む）

感知素子が加圧媒体から電気的及び物理的に隔離されたような圧力センサを提供する。絶対圧力センサは、真空又は零圧力にあって感知素子を包囲する基準空洞を有する。基準空洞は、微細加工ダイヤフラムを有するゲージウエハに、凹みキャップウエハを結合させることにより形成される。感知素子は、ダイヤフラムの第１の側部に配置される。加圧媒体は、感知素子が配置されている第１の側部とは反対側のダイヤフラムの第２の側部に接近する。ゲージウエハの構造的支持及び応力除去のために、スペーサーウエハを使用することができる。一実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、垂直ウエハ貫通導電性ビアが使用される。別の実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、ゲージウエハ上の周辺結合パッドが使用される。 （もっと読む）

【課題】液状体を吐出するノズルが形成された部材の強度が充分でないことに起因して、当該部材が損なわれたり、当該部材が組み込まれた吐出装置の吐出特性が損なわれたりすることを抑制できるノズル基板、ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】ノズル基板は、液状体が吐出される吐出ノズルがシリコン基板に形成されたノズル基板であって、ノズル基板における、吐出ノズルから液状体が吐出される側の面に開口している凹部を備え、吐出ノズルは、凹部が開口する面の側の開口が凹部の底面に開口し、底面から凹部が開口している面の反対側の面に貫通している。 （もっと読む）

【課題】相対的に大きな力学量が加わっても、破損することなく被検知対象である傾斜を検知することができる力学量検出センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサである傾斜センサは、基材上に立設された導電性の固定接点柱１１ｂと、前記基材上であって固定接点柱１１ｂの外側に設けられた枠体１１ａと、前記枠体１１ａに対して梁１１ｄを介して設けられ、前記枠体１１ａと前記固定接点柱１１ｂとの間で揺動可能である導電性の可動部材１１ｃと、を具備し、前記枠体１１ａ及び前記可動部材１１ｃは、前記基材側の第１層と前記第１層よりも上層の第２層とを含み、前記第２層に前記梁１１ｄが設けられており、前記第１層が前記梁１１ｄの下方に部分的に延在部１１ｅを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直オフセット構造体を構成する代替方法を提供すること。
【解決手段】実施形態は、第１および第２の端部分（１３、１４）、第１および第２の端部分を連結する中間部分（７０）、ならびに上側および下側の表面（４８、１５）を有する柔軟な層（１２）を形成することを含む。中間部分における上側と下側の表面間の距離は、第１および第２の端部分における上側と下側の表面間の距離よりも小さい。第１の端部分は、基部部材（４４）に接合される。柔軟な層の第２の端部分は、第２の端部分が基部部材と接するまでたわまされる。第２の端部分は、基部部材に接合される。 （もっと読む）

【課題】簡易な手順で、可動電極と固定電極との固着を抑制した上で、陽極接合を実現する。
【解決手段】第１架橋部材が第１接触端子１４４によって第１帯状部１４Ａを接地し、第２架橋部材が第２接触端子１４３によって第２帯状部１５Ａに加工電圧を供給し、第３架橋部材が第３接触端子１４１によって第３帯状部５４を接地し、第３帯状部５４を通じて、他方の外側基板の第１帯状部１４Ｂを接地する。また、第４架橋部材が第４接触端子によって第４帯状部に加工電圧を供給し、第４帯状部を通じて、他方の外側基板の第２帯状部１５Ｂに加工電圧が供給される。中央基板６は、接地端子によって接地され、中央基板６と、外側基板８Ａ，８Ｂの裏面側の一対の絶縁性基板７Ａ，７Ｂの間には、加工電圧が加わり、陽極接合が実行される。このとき、第１帯状部１４Ａ，１４Ｂおよび第１帯状部１４Ａ，１４Ｂに接続される部分（固定電極２Ａ，２Ｂ）は、接地されている。 （もっと読む）

【課題】質量部の変位感度比率を均一化することにより、Ｚ軸方向の加速度が加わってもＸＹ軸方向の加速度検出精度が悪くなってしまうことのない多軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記複数の梁部１４を、支持部１３からＸ軸あるいはＹ軸と平行方向に延びた第１の梁部１７と、質量部１２に連結され、かつＸＹ軸と４５°方向に斜めに延びた第２の梁部１８とにより構成し、前記第２の梁部１８の長手方向と垂直な断面２次モーメントを第１の梁部１７の長手方向と垂直な断面２次モーメントより小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】正電圧の印加により陽極接合した基板接合体の、逆電圧の印加に伴う剥離を防止することができる基板の接合方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２を陽極１３としこれに接合される第１ガラス基板３を陰極１４として、シリコン基板２の一方の接合面に第１ガラス基板３を陽極接合する第１接合工程と、接合したシリコン基板２および第１ガラス基板３を陽極１３としこれに接合される第２ガラス基板４を陰極１４として、シリコン基板２の他方の接合面に第２ガラス基板４を陽極接合する第２接合工程と、を備え、第１ガラス基板３は、その電気抵抗値が第２ガラス基板４の電気抵抗値より低いものとした。 （もっと読む）

【課題】チップ部の可動電極と封止部の固定電極とを同電位とする共有導通配線の、陽極接合後における専用工程としての断線処理を省くことができるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】可動電極８を有するチップ部２Ａをマトリクス状に複数個形成したウェーハ２０と、固定電極７を有する封止部３Ａをマトリクス状に複数個形成した封止ガラス３０と、を重ね合わせて陽極接合する接合工程と、陽極接合したウェーハ２０および封止ガラス３０をスクライブライン４０に沿ってダイシングし、チップ部２Ａと封止部３Ａとを陽極接合して成る複数個のＭＥＭＳデバイス１を得るダイシング工程と、を備え、スクライブライン４０のライン幅Ｗ内には、チップ部２Ａの単位で、可動電極８と固定電極７とを導通する複数の共有導通配線１６が、パターン形成されている。 （もっと読む）