【課題】接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成する。
【解決手段】接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側から接合材２３を撮像することで、一方の面５０ｂ側から接合ガラス６０に照射可能なレーザー光Ｒ２を接合材２３に合焦させる第１焦点調整工程と、第１焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２の焦点を、接合ガラス６０の厚さ方向に沿った接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側に向けて、照射がなされるガラス基板５０の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、第２焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を照射して一方の面５０ｂに被検出部Ｄを形成する被検出部形成工程と、一方の面５０ｂ側から被検出部Ｄを撮像することで、レーザー光Ｒ２を被検出部Ｄに合焦し直す第３焦点調整工程と、第３焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を切断予定線に沿って照射して、一方の面５０ｂに溝Ｍ’を形成する溝形成工程とを有する接合ガラスの切断方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板１０に凹部１１を形成する工程と、凹部１１に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料２０ａを充填する工程と、ガラス材料２０ａを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料２０ａを焼結させる工程と、凹部１１にガラス材料２０ａが充填されたシリコン基板１０の表裏面においてガラス材料２０ａとシリコン基板１０とを露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に影響を与えてしまうのを抑制することのできる静電容量式デバイスの製造方法および静電容量式デバイスを得る。
【解決手段】固定側基板２ａの両面に露出するようにシリコンを貫通させて形成した貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂを固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとし、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面に金属膜２５を成膜するとともに、固定側基板２ａの表面における貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面以外の部位に金属膜２５と離間するように金属膜２６を成膜する。そして、可動体基板１と固定側基板２ａとを陽極接合する際に、金属膜２５，２６を用いて、固定側基板２ａと可動体基板１との間に電位差を設ける一方、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂと可動体基板１とが同電位となるようにした。 （もっと読む）

【課題】封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し、安定した特性の機能素子パッケージを提供するものである。
【解決手段】第１の材料基板に対し、支持フレーム２０、梁３３及び振動部３０を含む複数の機能素子１０と、各支持フレーム２０を連結する連結部と、を有する機能素子ウエハを形成し、第２の材料基板に対し機能素子ウエハにおける機能素子１０に対応する凹部を形成し、第３の材料基板に対し、機能素子ウエハを、剛性の低い部材を介して接合し、機能素子ウエハにおける連結部を除去し、第３の材料基板の機能素子ウエハを接合した側の主面に、第２の材料基板の凹部を形成した側の主面を、機能素子が、凹部内に封止されるように接合し、第１の材料基板、第２の材料基板及び第３の材料基板の接合体にダイシングを行う。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置のためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、第１の基層と、第１の基層に接合される第１のデバイス層であり、第１の組のＭＥＭＳデバイスを含む、第１のデバイス層と、第１のデバイス層に接合される第１の上部層であり、第１の組のＭＥＭＳデバイスが密閉して分離される、第１の上部層とを含む第１の二重チップをシステムは備える。第２の基層と、第２の基層に接合される第２のデバイス層であり、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む、第２のデバイス層と、第２のデバイス層に接合される第２の上部層であり、第２の組のＭＥＭＳデバイスが密閉して分離され、第１の上部層の第１の上部表面が第２の上部層の第２の上部表面に接合される、第２の上部層とを含む第２の二重チップをシステムはさらに備える。 （もっと読む）

【課題】３層チップスケールＭＥＭＳデバイスのためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのためのシステムおよび方法が提供される。一実施形態では、システムは、第１の外側層と、第１の組のＭＥＭＳデバイスを含む第１のデバイス層とを備え、第１のデバイス層は第１の外側層に接合される。システムは、第２の外側層と、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む第２のデバイス層とをさらに備え、第２のデバイス層は第２の外側層に接合される。さらに、システムは、第１の側と、第１の側と反対側の第２の側とを有する中央層を備え、第１の側は第１のデバイス層に接合され、第２の側は第２のデバイス層に接合される。 （もっと読む）

【課題】懸架された膜を含む弾性波共振器の製作方法を提供する。
【解決手段】第一の基板表面上にある第一圧電材料の少なくとも１つの層を含む第一の堆積を作るステップと、少なくとも１つの第二の基板を含む第二の堆積を作るステップと、次の接合ステップの前に、堆積のうちの一つの表面を、突き出たナノ構造物が局部的に与えられたままにしている、抑制された大きさの粒子の堆積又は生成により、少なくとも１つの非接合の開始領域を作るステップと、非接合の開始領域の存在に起因する、堆積同士の間に気泡を作り出す、２つの堆積をダイレクトボンディングするステップと、少なくとも第一の基板を除去するための、第一の堆積の薄層化ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２と、前記第１基板１２上に設けられ、且つ、素子部を有する第２基板５０と、を備え、前記第１基板１２と前記第２基板５０との間には内部空間６８が設けられ、前記第１基板１２および前記第２基板５０の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間６８と外部とを連通する排気溝２４が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高信頼性、および小さなセンサを可能とする、ウェハレベルパッケージプロセスを提供する。
【解決手段】下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。下カバーウェハの第１表面および上カバーウェハの第２表面は、半導体ウェハに接合されたときに、複数の密封シールされるキャビティ区域を画定し、ＭＥＭＳ装置の各々は、シールされるキャビティ区域の１つの内側に配置される。上カバーが半導体ウェハに接合された後に、上カバーウェハの第１表面から上カバーウェハの第２表面まで延びる複数の穴が形成される。その後、各穴に金属リード層が堆積され、ＭＥＭＳ装置に電気的接続を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、支持基板３と、支持基板３上に互いに離間して設けられた第１固定電極４１および第２固定電極４２と、第１固定電極４１に対して第１間隙を介して対向するとともに、第２固定電極４２に対して第２間隙を介して対向する可動電極２２と、支持基板３に対して固定的に設けられた固定部２１と、固定部２１に対して可動電極２２を回動可能に連結する連結部２３、２４とを有し、可動電極２２には、可動電極２２の回動に際し第１間隙および第２間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電駆動バルブを改良する。
【解決手段】駆動弁孔２６をもつ駆動弁２０を挟んでその両側に櫛歯形状の一対の駆動電極１６〜１９を設ける。駆動電極１６〜１９への印加電極により、駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置にくる全開状態、及び駆動弁２０が弁体２５から離れ、かつ駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置から外れた位置にくる部分開状態をとりうるように、駆動弁２０は支持部２１により出口弁孔２５ａの軸方向とそれに垂直な方向とに移動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】表面側保護基板を通してデバイス本体のパッドと実装基板の導体パターンとを電気的に接続でき、且つ、デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ電気的な接続信頼性を高めることが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され複数のパッド１３を一表面側に備えたミラー形成基板（デバイス本体）１、ミラー形成基板１の一表面側に接合された第１のカバー基板（表面側保護基板）２を有するＭＥＭＳチップ４と、ＭＥＭＳチップ４が実装された実装基板５とを備える。第１のカバー基板２は、ミラー形成基板１の各パッド１３それぞれと接合されて電気的に接続されたシリコンからなる複数の導電部２０２が、第１のカバー基板２の厚み寸法内で設けられている。各導電部２０２と実装基板５の各導体パターン５０２とが、両者に跨って形成された半田部６を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】耐荷重性をより一層向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板と、を備えている。このシリコン基板には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に可動電極５ａ，６ａが形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂと、が形成されている。そして、１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂのうちいずれか一方のビーム部７ｂ，８ｂが他方のビーム部７ａ，８ａよりも太さが太く長さが長くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】デバイス構造が形成された基板と、これを封止する基板を陽極接合する際に電気的な接続を確実に行うことができる配線接続方法を提供する。
【解決手段】第１の基板４０と第２の基板４５とが陽極接合され、かつ前記第１の基板と前記第２の基板とが、純度９９．９質量％以上で、平均粒径０．００５μｍ〜１．０μｍの金、銀、白金及びパラジウムから選択される１種以上の金属からなる多孔質金属５１，５２を介して電気的に接続されたデバイス４、及び第１の基板の接続電極部及び第２の基板の接続電極部の少なくとも一方に多孔質金属（バンプ）を形成し、前記第１及び第２基板の接続電極部同士がバンプを挟んで対向するように前記第１及び第２基板を重ね合わせた後、両基板を陽極接合すると同時に多孔質金属を介して前記第１及び第２基板の接続電極部間を電気的に接続する配線接続方法。 （もっと読む）

【課題】固定個所の変形などの影響を支持部は受けない構成とでき、デバイス部をホルダ部に固定する位置精度を向上させつつ固定強度を良好にすることができる構造体及びその固定方法を提供する。
【解決手段】構造体はホルダ部１とデバイス部２と、を有する。デバイス部２は、一体的に形成された接着部３と弾性部４と支持部５とを備え、支持部５は弾性部４で接着部３に対して弾性支持される。ホルダ部１は、周辺部より高い段差部６を有する。接着部３は、ホルダ部１の周辺部に固定され、支持部５は、弾性変形した弾性部４の復元力により段差部６に当接させられている。 （もっと読む）

【課題】パッドから取り出す電気信号のＳ／Ｎ比を向上させることが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１００を用いて形成されたミラー形成基板（デバイス本体）１を備える。ミラー形成基板１は、第１のシリコン層１００ａに形成され電気信号を生成する可動電極（機能部）２２と、第１のシリコン層１００ａ上に形成され電気信号を取り出すためのパッド１３ａと、第１のシリコン層１００ａにおいてパッド１３ａが形成された島状の導電部１１ａｃとを有する。導電部１１ａｃと第１のシリコン層１００ａにおける導電部１１ａｃの周辺部位とを絶縁分離するように第１のシリコン層１００ａに第１の分離部１０ａａが形成され、第２のシリコン層１００ｂのうち導電部１１ａｃおよび絶縁層１００ｃとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第２のシリコン層１００ｂに第２の分離部１０ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】グリーンシート等の基板にキャビティパンチを行わずにキャビティを形成する超小型パッケージ基板の製造方法の提供。
【解決手段】（ａ）焼成済みＬＴＣＣ基板またはＬＴＣＣ基板用グリーンシートもしくはその積層体にキャビティ部に相当する厚みにレジストパターン膜を形成する工程、（ｂ）前記レジスト膜上に、ＬＴＣＣ基板材料からなるペーストを塗布し、乾燥・硬化する工程、（ｃ）研磨処理を行いレジストを表面に露出させる工程、（ｄ）剥離剤でレジストを除去する工程、（ｅ）焼成工程、（ｆ）基板表面を研磨して、土手の平坦性及びキャビティの高さを調整する工程を含む超小型パッケージ基板の製造方法、超小型パッケージ基板、シリコンウエハ実装基板、その製造方法、ＭＥＭＳ素子、及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）