接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
【課題】接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成する。
【解決手段】接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側から接合材２３を撮像することで、一方の面５０ｂ側から接合ガラス６０に照射可能なレーザー光Ｒ２を接合材２３に合焦させる第１焦点調整工程と、第１焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２の焦点を、接合ガラス６０の厚さ方向に沿った接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側に向けて、照射がなされるガラス基板５０の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、第２焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を照射して一方の面５０ｂに被検出部Ｄを形成する被検出部形成工程と、一方の面５０ｂ側から被検出部Ｄを撮像することで、レーザー光Ｒ２を被検出部Ｄに合焦し直す第３焦点調整工程と、第３焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を切断予定線に沿って照射して、一方の面５０ｂに溝Ｍ’を形成する溝形成工程とを有する接合ガラスの切断方法を提供する。
【解決手段】接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側から接合材２３を撮像することで、一方の面５０ｂ側から接合ガラス６０に照射可能なレーザー光Ｒ２を接合材２３に合焦させる第１焦点調整工程と、第１焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２の焦点を、接合ガラス６０の厚さ方向に沿った接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側に向けて、照射がなされるガラス基板５０の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、第２焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を照射して一方の面５０ｂに被検出部Ｄを形成する被検出部形成工程と、一方の面５０ｂ側から被検出部Ｄを撮像することで、レーザー光Ｒ２を被検出部Ｄに合焦し直す第３焦点調整工程と、第３焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を切断予定線に沿って照射して、一方の面５０ｂに溝Ｍ’を形成する溝形成工程とを有する接合ガラスの切断方法を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片（電子部品）とを備えている。
【０００３】
ここで、上述した圧電振動子を製造する際には、リッド基板用ウエハにキャビティ用の凹部を形成する一方、ベース基板用ウエハ上に圧電振動片をマウントした後、両ウエハを接合層を介して陽極接合し、複数のパッケージがウエハの行列方向に形成されたウエハ接合体とする。そして、ウエハ接合体に形成された各パッケージ毎（キャビティ毎）にウエハ接合体を切断することで、キャビティ内に圧電振動片が気密封止された複数の圧電振動子（パッケージ）を製造するものである。
【０００４】
ところで、ウエハ接合体の切断方法としては、例えば歯先にダイヤモンドが付着したブレードを用い、ウエハ接合体を厚さ方向に沿って切断（ダイシング）する方法が知られている。
しかしながら、ブレードによる切断方法では、ブレードの幅を考慮した切断代をキャビティ間に設ける必要があるため、１枚のウエハ接合体から取り出せる圧電振動子の数が少ないこと、また切断時におけるチッピングの発生、切断面が粗いこと等の問題があった。
また、加工速度が遅いため、生産効率が悪いという問題もあった。
【０００５】
また、金属棒の先端にダイヤモンドを埋め込み、このダイヤモンドによってウエハ接合体の表面における切断予定線に沿って傷（スクライブライン）を付けた後、スクライブラインに沿って割断応力を加えて切断する方法も知られている。
しかしながら、上述の方法では、スクライブラインに無数のチッピングが発生するため、ウエハが割れやすく、また切断面の表面精度も粗くなるという問題がある。
【０００６】
そこで、上述のような問題に対応するために、ウエハ接合体をレーザーにより切断する方法が開発されている。このような方法としては、例えば特許文献１に示されるように、ウエハ接合体の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射し、ウエハ接合体の切断予定線に沿って多光子吸収による改質領域を形成する。そして、ウエハ接合体に割断応力（衝撃力）を加えることにより、改質領域を起点としてウエハ接合体を切断するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述のようにウエハ接合体をレーザーにより切断する方法として、ウエハ接合体の表面における切断予定線に沿ってレーザー光を照射してスクライブラインを形成した後、スクライブラインに沿って割断応力を加えて切断する方法も考えられる。
【０００９】
ここで、ベース基板用ウエハの厚さ、リッド基板用ウエハの厚さおよび接合膜の厚さは、ウエハ接合体ごとにばらつきがあり、ウエハ接合体全体の厚さも１つずつ異なる。そのため、ウエハ接合体の表面にスクライブラインを形成するときに、レーザー光の焦点位置を一定にしておくと、ウエハ接合体の厚さの違いに起因して、ウエハ接合体ごとにスクライブラインの深さ、幅などがばらつき均一にならない。この場合、圧電振動子の品質に影響を与えるおそれがある。
したがって、ウエハ接合体の表面にレーザー光の焦点を合わせる作業を、ウエハ接合体のそれぞれについて行う必要があり、加工に時間を要するものであった。しかも、このように焦点を合わせる際、ウエハ接合体の表面の小さな擦れ痕や異物などを指標として焦点を合わせる場合が多いので、余計に時間がかかり易い。
また、ウエハ接合体の厚さを１つずつ予め測定しておき、この測定結果に基づいてレーザー光の焦点位置を調整することも考えられる。しかしながらこの場合、ウエハ接合体の厚さを測定する手間がかかり、製造効率が悪くなる。
【００１０】
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成することができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明に係る接合ガラスの切断方法は、複数のガラス基板の接合面同士が接合材を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、前記接合ガラスの一方の面側から前記接合材を撮像することで、前記一方の面側から前記接合ガラスに照射可能なレーザー光を前記接合材に合焦させる第１焦点調整工程と、前記第１焦点調整工程の後、前記レーザー光の焦点を、前記接合ガラスの厚さ方向に沿った前記接合ガラスの一方の面側に向けて、前記照射がなされる前記ガラス基板の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、前記第２焦点調整工程の後、前記レーザー光を照射して前記一方の面に被検出部を形成する被検出部形成工程と、前記一方の面側から前記被検出部を撮像することで、前記レーザー光を前記被検出部に合焦し直す第３焦点調整工程と、前記第３焦点調整工程の後、前記レーザー光を前記切断予定線に沿って照射して、前記切断予定線に沿って前記一方の面に溝を形成する溝形成工程と、前記切断予定線に沿って割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有することを特徴とする。
なお、前記照射がなされる前記ガラス基板は、複数のガラス基板のうち、接合ガラスの一方の面を構成するガラス基板である。
【００１２】
この発明によれば、第１焦点調整工程により接合材に対して正確にレーザー光を合焦させた後、第２焦点調整工程を経て、接合ガラスの一方の面に被検出部を形成するので、レーザー光が照射されないガラス基板の厚さや、接合材の厚さ等に作用されずに、前記一方の面上に確実に被検出部を形成することができる。したがって、溝形成工程の際、第３焦点調整工程によって被検出部に合焦されたレーザー光を用いて溝を形成することにより、この溝を一方の面に精度よく形成することができる。
このように、接合ガラスの厚さを１つずつ測定するといった作業を何ら行うことなく、溝を効率よく形成することができる。
【００１３】
さらに第１焦点調整工程の際、ガラス基板同士を接合する接合材を撮像しているので、第１焦点調整工程を行うために、新たな構成要素を接合ガラスに付加する必要がなく、接合ガラスの構造が複雑になるのを抑制するとともに、接合ガラスの切断を効率よく行うことができる。
また、被検出部形成工程の際に形成した被検出部を撮像することにより、レーザー光を被検出部に対して正確かつ円滑に合焦し直すことができる。したがって、擦れ痕や異物などを指標として撮像する場合とは異なり、前述の作用効果が顕著に奏される。
そして、第１焦点調整工程から溝形成工程を一連の流れとして連続して行うことができるので、接合ガラスに予め被検出部のような構成を形成しておく必要がなく、接合ガラスの切断を一層効率よく行うことができる。
【００１４】
また、前記被検出部形成工程の際、前記被検出部を、前記切断予定線に平行な直線状に形成してもよい。
【００１５】
この発明によれば、被検出部形成工程の際、被検出部を直線状に形成するので、第３焦点調整工程の際、被検出部の延在方向に沿った複数箇所においてレーザー光を合焦し直すことが可能になり、溝を一方の面に一層精度よく形成することができる。
またこのとき、被検出部を、切断予定線に平行な直線状に形成するので、レーザー光を照射する照射部の装置構成の簡素化を図ることができる。
【００１６】
また、前記接合ガラスの切断方法を使用して、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージを製造する方法であって、前記切断工程では、複数の前記パッケージの形成領域を隔する前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断してもよい。
【００１７】
この発明によれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用してパッケージを製造することで、接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成することができる。よって、１枚の接合ガラスから良品として取り出されるパッケージの数を増加することができるとともに、歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
また、前記被検出部形成工程の際、前記一方の面のうち、前記パッケージの形成領域を外した部分に前記被検出部を形成してもよい。
【００１９】
この発明によれば、被検出部形成工程の際、接合ガラスの一方の面のうち、パッケージの形成領域を外した部分に被検出部を形成するので、歩留まりを確実に向上させることができる。
【００２０】
また、前記パッケージの製造方法を用いて形成されたパッケージであって、前記接合ガラスの前記一方の面により構成される面の外周縁部に、前記溝が割断されてなる面取り部を有していてもよい。
【００２１】
この発明によれば、面取り部が形成されているので、切断されたパッケージを取り出す際に、仮にパッケージを取り出すための器具がパッケージの角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができるので、チッピングをきっかけにパッケージが割れることがない。これにより、キャビティ内の気密を確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。
なお、面取り部は、レーザーにより溝を形成した後、溝（切断予定線）に沿って接合ガラスを切断することで自動的に形成することができるので、切断後のパッケージに別工程としてそれぞれ面取り部を形成する必要がない。その結果、面取り部を別工程で形成する場合に比べてコスト上昇を抑制するとともに、作業効率を向上させることができる。
【００２２】
また、本発明に係る圧電振動子は、前記パッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
【００２３】
この発明によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
【００２４】
また、本発明に係る発振器は、前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電子機器は、前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電波時計は、前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る接合ガラスの切断方法によれば、接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成することができる。
また、本発明に係るパッケージの製造方法によれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用してパッケージを形成することで、１枚の接合ガラスから良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明に係るパッケージによれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用してパッケージが形成されているので、キャビティ内の気密を確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。
【図２】本発明に係る圧電振動子をベース基板側から見た外観斜視図である。
【図３】圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態を示す圧電振動片の平面図である。
【図４】図３に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図５】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図６】図１に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。
【図７】図６に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
【図８】個片化工程の流れを示すフローチャートである。
【図９】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１０】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１１】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す平面図である。
【図１２】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１３】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１４】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１５】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１６】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１７】トリミング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
【図１８】保護膜形成工程を説明するための図であって、複数の圧電振動子がＵＶテープに貼り付けられた状態を示す断面図である。
【図１９】マーキング工程を説明するための図であって、図１に相当する圧電振動子の外観斜視図である。
【図２０】本発明に係る発信器の一実施形態を示す構成図である。
【図２１】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図２２】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図であり、図２はベース基板側から見た外観斜視図である。また図３は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図４は図３に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図５は圧電振動子の分解斜視図である。なお、図１４では、後述する保護膜を鎖線で示しているとともに、図５では、この保護膜の図示を省略している。
図１〜図５に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（第１基板）２及びリッド基板（第２基板）３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５とを備えた表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の裏面２ａ（図４中下面）に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２９】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対のスルーホール２１，２２が形成されている。スルーホール２１，２２は、ベース基板２の裏面２ａから表面２ｂ（図４中上面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
【００３０】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３の裏面３ｂ（図４中下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材（接合膜）２３を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板３の裏面３ｂ側には、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとが形成されている。
また、リッド基板３の上部周縁には、圧電振動子１の製造工程における後述するスクライブ工程時において、リッド基板３の角部が面取りされた面取り部９０が形成されている。
【００３１】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型で、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極と後述する引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００３２】
このように構成された圧電振動片５は、図３，図４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の表面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。
これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の表面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００３３】
そして、ベース基板２の表面２ｂ側（リッド基板３が接合される接合面側）には、Ａｌからなる陽極接合用の接合材２３が形成されている。この接合材２３は、膜厚が例えば３０００Å〜５０００Å程度に形成され、リッド基板３の額縁領域３ｃに対向するようにベース基板２の外周部分に沿って形成されている。そして、接合材２３とリッド基板３の額縁領域３ｃとが陽極接合されることで、キャビティＣが真空封止されている。なお、接合材２３の側面は、ベース基板２及びリッド基板３の側面２ｃ、３ｅ（パッケージ１０の側面（外側面）１０ａ）と略面一に形成されている。
【００３４】
外部電極６，７は、ベース基板２の裏面２ａ（ベース基板２における接合面とは反対側の面）における長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。なお外部電極６，７の側面（外周縁）は、ベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置している。
【００３５】
貫通電極８，９は、焼成によってスルーホール２１，２２に対して一体的に固定された筒体３２及び芯材部３１によって形成されたものであり、スルーホール２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００３６】
筒体３２は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体３２は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体３２の中心には、芯材部３１が筒体３２の中心孔を貫通するように配されている。また、本実施形態ではスルーホール２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体３２は、スルーホール２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これらスルーホール２１，２２に対して強固に固着されている。
上述した芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。なお、貫通電極８，９は、導電性の芯材部３１を通して電気導通性が確保されている。
【００３７】
ここで、図１〜図５に示すように、パッケージ１０には、リッド基板３の表面３ｄからベース基板３の側面３ｅ及びベース基板２の側面２ｃ（パッケージ１０の側面１０ａ）の全域を覆うように保護膜１１が形成されている。保護膜１１は、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等、接合材２３よりも耐腐食性が高い（イオン化傾向が小さい）金属材料からなり、これら金属材料のうち、本実施形態ではＳｉまたはＣｒが好適に用いられている。これにより、保護膜１１とベース基板２及びリッド基板３との密着性を向上させ、保護膜１１と基板２，３との間に隙間ができたり、保護膜１１が剥離したりするのを抑制できる。
【００３８】
保護膜１１は、リッド基板３の表面（リッド基板３における接合面とは反対側の面）３ｄ上において、例えば膜厚が１０００Å程度に形成されている。そして、リッド基板３の表面３ｄ上には、レーザー光Ｒ３（図１９参照）により保護膜１１の一部が除去されることで、製品の種類や、製品番号、製造年月日等が刻印されたマーキング１３が施されている（図１９参照）。なお、マーキング１３を施すためには、レーザー光Ｒ３の吸収率が高いＳｉにより保護膜１１を形成することが好ましい。
【００３９】
また、保護膜１１は、パッケージ１０の側面１０ａ上において、例えば膜厚が３００〜４００Å程度に形成されており、ベース基板２及びリッド基板３の間から外部に露出している接合材２３を覆うように形成されている。そして、保護膜１１の周縁端部（図４中下端部）は、ベース基板２の裏面２ａと略面一に形成されている。すなわち、ベース基板２の裏面２ａには保護膜１１が形成されていない。この場合、上述したように外部電極６，７の側面は、ベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置しているため、保護膜１１の周縁端部と外部電極６，７との間は間隙部１２を挟んで離間配置されている。これにより、保護膜１１の材料に導電性材料を用いた場合であっても、外部電極６，７間が保護膜１１によって架け渡されることがないので、外部電極６，７の短絡を防止できる。
【００４０】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００４１】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図６に示すフローチャートを参照しながら説明する。
初めに、図６に示すように、圧電振動片作製工程を行って図１〜図５に示す圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００４２】
（第１のウエハ作成工程）
図７は、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態で、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
次に、図７に示すように、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ（図７における下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。
次に、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の少なくとも裏面５０ａ側を研磨する研磨工程（Ｓ２３）を行い、裏面５０ａを鏡面加工する。以上により、第２のウエハ作成工程（Ｓ２０）が終了する。
【００４３】
（第２のウエハ作成工程）
次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極８，９を配置するためのスルーホール２１，２２を複数形成するスルーホール形成工程を行う（Ｓ３２）。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ４０の裏面（接合ガラスの他方の面）４０ｂから凹部を形成した後、ベース基板用ウエハ４０の少なくとも表面４０ａ側から研磨することで、凹部を貫通させ、スルーホール２１，２２を形成することができる。
【００４４】
続いて、スルーホール形成工程（Ｓ３２）で形成されたスルーホール２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３３）を行う。これにより、スルーホール２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の表裏面４０ａ，４０ｂ（図７における上下面）に対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極８，９を形成することができる。
【００４５】
次に、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに導電性材料をパターニングして、接合材２３を形成する接合材形成工程を行う（Ｓ３４）とともに、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３５）。なお、接合材２３はベース基板用ウエハ４０におけるキャビティＣの形成領域以外の領域、すなわちリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａとの接合領域の全域に亘って形成する。このようにして、第２のウエハ製作工程（Ｓ３０）が終了する。
【００４６】
次に、第２のウエハ作成工程（Ｓ３０）で作成されたベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極２７，２８上に、圧電振動片作成工程（Ｓ１０）で作成された圧電振動片５を、それぞれ金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。そして、上述した各ウエハ４０，５０の作成工程で作成されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００４７】
重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。具体的には、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合したウエハ接合体６０（例えば、厚さ０．４ｍｍｔ〜０．９ｍｍｔ程度）を得ることができる。そして、本実施形態のように両ウエハ４０，５０同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ４０，５０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれや、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、両ウエハ４０，５０をより強固に接合することができる。
【００４８】
その後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ７０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ８０）。
【００４９】
（個片化工程）
図８は、ウエハ接合体の個片化工程の手順を示すフローチャートである。また、図９〜図１１、図１３〜図１６はウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図であり、個片化工程を説明するための工程図である。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ接合体６０を切断（割断）して個片化する個片化工程を行う（Ｓ９０）。
個片化工程（Ｓ９０）では、図８，図９に示すように、まずＵＶテープ８０及びリングフレーム８１を用いて、ウエハ接合体６０を保持するためのマガジン８２を作成する（Ｓ９１）。リングフレーム８１は、その内径がウエハ接合体６０の直径よりも大径に形成されたリング状の部材であり、厚さ（軸方向における長さ）がウエハ接合体６０と同等に形成されている。また、ＵＶテープ８０はポリオレフィンからなる可撓性を具備するシート材に紫外線硬化樹脂、例えばアクリル系の粘着剤（粘着層）が塗布されたものであり、具体的には電気化学工業製のＵＨＰ−１５２５Ｍ３や、リンテック製のＤ５１０Ｔ等が好適に用いられている。また、ＵＶテープ８０は、比較的厚さの厚いものを用いることが好ましく、具体的には厚さが１６０μｍ以上１８０μｍ以下程度のものを用いることが好ましい。本実施形態では、例えば１７５μｍ程度のＵＶテープ８０が好適に用いられている。
【００５０】
マガジン８２は、リングフレーム８１の一方の面８１ａから、貫通孔８１ｂを塞ぐようにＵＶテープ８０を貼り付けることで作成することができる。そして、リングフレーム８１の中心軸とウエハ接合体６０の中心軸とを一致させた状態で、ＵＶテープ８０の粘着面にウエハ接合体６０を貼着する（Ｓ９２）。具体的には、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂ側（外部電極側）を、ＵＶテープ８０の粘着面に貼着する。これにより、ウエハ接合体６０がリングフレーム８１の貫通孔８１ｂ内にセットされた状態となる。この状態で、ウエハ接合体６０をレーザースクライブ装置（不図示）に搬送する（Ｓ９３）。
【００５１】
図１７は、トリミング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
ここで、図１０，図１７に示すように、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０とを接合している接合材２３を剥離するトリミング工程を行う（Ｓ９４）。トリミング工程（Ｓ９４）では、接合材２３の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が５３２ｎｍの第２高調波レーザーからなる第１レーザー８７を用い、レーザー光Ｒ１の照射領域の接合材２３を溶融させる。この場合、第１レーザー８７から出射されたレーザー光Ｒ１は、ビームスキャナ（ガルバノメーター）によって反射された後、Ｆθレンズを介して集光される。そして、集光されたレーザー光Ｒ１をウエハ接合体６０におけるリッド基板用ウエハ５０の表面（接合ガラスの一方の面）５０ｂ側から照射しながら、レーザー光Ｒ１とウエハ接合体６０とを平行に相対移動させる。具体的には、各キャビティＣを仕切る隔壁上、すなわち圧電振動子１の輪郭線（切断予定線）Ｍ（図７参照）に沿って第１レーザー８７を走査する。
【００５２】
なお、トリミング工程（Ｓ９４）におけるレーザー光Ｒ１のスポット径は、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下程度に設定されている。また、トリミング工程（Ｓ９４）のその他の条件としては、例えば第１レーザー８７の加工点平均出力が１．０Ｗ、周波数変調が２０ｋＨｚ、走査速度が２００ｍｍ／ｓｅｃ程度に設定することが好ましい。
これにより、輪郭線Ｍ上の接合材２３がレーザー光Ｒ１を吸収して加熱されることで、接合材２３が溶融し、レーザー光Ｒ１の照射領域（輪郭線Ｍ）より外側へ収縮する。その結果、両ウエハ４０，５０の接合面（リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ及びベース基板用ウエハ４０の表面４０ａ）上に、接合面から接合材２３が剥離されてなるトリミングラインＴが形成される。
【００５３】
ここで図１１に示すように、上述したレーザースクライブ装置には、前記第１レーザー８７とは異なる第２レーザー８８が備えられている。第２レーザー８８は、リッド基板用ウエハ５０（ソーダ石灰ガラス）の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が２６６ｎｍのＵＶ−Ｄｅｅｐレーザーにより構成することが可能であり、第２レーザー８８から照射された第２レーザー光Ｒ２は、図示しない対物レンズを介して集光される。第２レーザー８８は、ウエハ接合体６０におけるベース基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側から、ウエハ接合体６０に第２レーザー光Ｒ２を照射する。
さらに上記レーザースクライブ装置には、上述した対物レンズを介してウエハ接合体４０を撮像する図示しない撮像手段と、上記対物レンズをウエハ接合体６０に対してその厚さ方向に進退させる進退手段と、が備えられている。
【００５４】
そこで本実施形態では、上述したトリミング工程（Ｓ９４）の後、ベース基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側から接合材２３を撮像することで、第２レーザー光Ｒ２を接合材２３に合焦させる第１焦点調整工程を行う（Ｓ９５）。なお、第２レーザー光Ｒ２の焦点の調整は、例えば、上記撮像手段により上記対物レンズを介して撮像した接合材２３の撮像結果におけるコントラストに基づいて、上記対物レンズの位置を上記進退手段により移動させること等により行うことが可能である。
この第１焦点調整工程（Ｓ９５）を行うことで、第２レーザー光Ｒ２は、接合材２３におけるベース基板用ウエハ５０の裏面５０ａとの界面に合焦されることとなる。
【００５５】
その後、第２レーザー光Ｒ２の焦点を、ウエハ接合体６０の厚さ方向に沿ったリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側に向けて、リッド基板用ウエハ５０（照射がなされるガラス基板）の推定厚さＬ分、移動させる第２焦点調整工程を行う（Ｓ９６）。なお、第２レーザー光Ｒ２の焦点の移動は、例えば推定厚さＬに基づいて、上記対物レンズの位置を上記進退手段により移動させること等により行うことが可能である。また、上記推定厚さＬとしては、例えばリッド基板用ウエハ５０の厚さの設計値などを採用することが可能である。
【００５６】
図１２は、ダミーライン形成工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体の平面図である。
そして図１1および図１２に示すように、第２焦点調整工程（Ｓ９６）の後、第２レーザー光Ｒ２をウエハ接合体６０に照射し、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにダミーライン（被検出部）Ｄを形成するダミーライン形成工程（被検出部形成工程）を行う（Ｓ９７）。このとき図１３に示すように、ダミーラインＤを切断予定線Ｍに平行な直線状に形成する。さらにこのとき、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂのうち、パッケージ１０の形成領域である中央部を外した外周縁部にダミーラインＤを形成する。
【００５７】
次いで、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側からダミーラインＤを撮像することで、第２レーザー光Ｒ２をダミーラインＤに合焦し直す第３焦点調整工程を行う（Ｓ９８）。このとき、第２レーザー光Ｒ２の焦点の調整は、上述した第１焦点調整工程と同様の方法により行うことが可能である。
【００５８】
そして図１３に示すように、リッド基板用ウエハ５０における表面５０ｂの表層部分にレーザー光Ｒ２を照射し、ウエハ接合体６０にスクライブラインＭ’を形成する（Ｓ９５：スクライブ工程）。スクライブ工程（Ｓ９５）では、上述した第２レーザー８８を用い、レーザー照射領域のリッド基板用ウエハ５０の表層部分を溶融させる。具体的には、トリミング工程（Ｓ９４）と同様に、第２レーザー８８とウエハ接合体６０とを平行に相対移動させ、圧電振動子１の輪郭線Ｍに沿って第２レーザー８８を走査する。すると、リッド基板用ウエハ５０の表層部分がレーザー光Ｒ２を吸収して加熱されることで、リッド基板用ウエハ５０が溶融し、Ｖ溝状のスクライブラインＭ’が形成される。なお、上述したように第１レーザー８７と第２レーザー８８とは、各圧電振動子１の輪郭線Ｍに沿って走査される。これにより、接合材２３が剥離されたトリミングラインＴとスクライブラインＭ’とは、ウエハ接合体６０を厚さ方向からみて重なるように配置されることになる。
【００５９】
本実施形態のスクライブラインＭ’は、幅寸法が１４μｍ程度、深さ寸法が１１μｍ程度に形成されている。なお、幅寸法Ｗに対する深さ寸法Ｄの倍率を同等に設定することがより好ましい。なお、スクライブ工程（Ｓ９５）のその他の条件としては、例えば第２レーザー８８の加工点出力が２５０ｍＷ〜６００ｍＷ、パルスエネルギーが１００μＪ、加工閾値フルーエンスが３０Ｊ／（ｃｍ２・ｐｕｌｓｅ）、走査速度が４０ｍｍ／ｓｅｃ〜６０ｍｍ／ｓｅｃ、アパーチャーが１０ｍｍ、周波数が６５ｋＨｚ程度に設定することが好ましい。
なおこの後、スクライブラインＭ’を形成する際に生じたデブリを除去するデブリ除去工程を行ってもよい。
【００６０】
次に、スクライブラインＭ’が形成されたウエハ接合体６０を、１つ１つのパッケージ１０に切断する切断工程を行う（Ｓ１００）。
切断工程（Ｓ１００）では、まず図１４に示すように、リングフレーム８１の他方の面８１ｃに、貫通孔８１ｂを塞ぐようにセパレーター（保護シート）８３を貼り付ける（Ｓ１０１）。セパレーター８３は、ブレーキング工程（Ｓ１０３）において、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂを保護するとともに、ＵＶテープ８０とセパレーター８３とによってリングフレーム８１を塞ぐことで、ブレーキング時に発生する微小な塵埃等が後述するブレーキング装置７９内へ飛散することを防ぐためのものである。このようなセパレーター８３は、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム（いわゆる、ＰＥＴ材）等によって、厚さが２０μｍ以上３０μｍ以下に形成されており、本実施形態では厚さ２５μｍのセパレーター８３を用いている。セパレーター８３の厚さが２０μｍよりも薄いと、後述するブレーキング工程（Ｓ１０３）において、セパレーター８３がウエハ接合体６０とともに切断される虞があるため好ましくない。一方、セパレーター８３の厚さが３０μｍよりも厚いと、セパレーター８３からウエハ接合体６０に作用する割断応力がセパレーター８３で緩和され、ウエハ接合体６０がスムーズに切断されず、切断面の表面精度が低下する虞があるため好ましくない。
【００６１】
そして、ウエハ接合体６０は、ＵＶテープ８０とセパレーター８３とにより挟持された状態で、リングフレーム８１の貫通孔８１ｂ内に保持される。この状態でウエハ接合体６０をブレーキング装置７９内に搬送する（Ｓ１０２）。
【００６２】
ブレーキング装置７９は、ウエハ接合体６０を載置するためのステージ７５と、ウエハ接合体６０を切断するための切断刃７０と、ステージ７５の下方（ウエハ接合体６０の載置面とは反対側）に配置されたＣＣＤカメラ（撮像手段）７４とを備えている。ステージ７５はシリコンラバー７１により構成されている。シリコンラバー７１は、光学的な透明材料により台状に形成されている。また、切断刃７０は、刃渡りの長さがウエハ接合体６０の直径よりも長く形成され、刃先角度θが例えば６０度〜９０度程度に形成されている。
この場合、ブレーキング装置７９内では、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂをステージ７５に向けた状態でウエハ接合体６０がセットされる。すなわち、シリコンラバー７１上にセパレーター８３を介してウエハ接合体６０が載置されることになる。
【００６３】
そして、ブレーキング装置７９内でセットされたウエハ接合体６０に対して、割断応力を加えるブレーキング工程を行う（Ｓ１０３）。ブレーキング工程（Ｓ１０３）では、まず切断刃７０がスクライブラインＭ’（トリミングラインＴ）上に配置されるように位置合わせを行う。具体的には、ステージ７５の下方に配置されたＣＣＤカメラ７４により、リッド基板用ウエハ５０上におけるスクライブラインＭ’の位置を検出し、この検出結果に基づいて切断刃７０をウエハ接合体６０の面方向に移動させる。これにより、切断刃７０の位置合わせを行うことができる。その後、切断刃７０をウエハ接合体６０の厚さ方向に移動（下降）させ、切断刃７０の刃先をベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに押し当てる。その後、ウエハ接合体６０の厚さ方向に沿って押し込むように、所定のストローク（例えば、５０μｍ程度）で切断刃７０を移動させる。この際、ウエハ接合体６０に所定の荷重（例えば、１０ｋｇ／ｉｎｃｈ）が付与される。
【００６４】
これにより、ウエハ接合体６０には、厚さ方向に沿ってクラックが発生し、ウエハ接合体６０がリッド基板用ウエハ５０上に形成されたスクライブラインＭ’に沿って折れるように切断される。この際、本実施形態のブレーキング装置７９は、ウエハ接合体６０がステージ７５のシリコンラバー７１上にセットされているため、切断刃７０をウエハ接合体６０に押し込むことで、シリコンラバー７１が弾性変形する。これに伴い、ウエハ接合体６０がシリコンラバー７１の表面に倣ってステージ７５に向かって湾曲するように僅かに撓み変形する。これにより、ウエハ接合体６０に付与される割断応力がスクライブラインＭ’の底頂部に集中し易くなる。さらに、切断刃７０とウエハ接合体６０との接触点以外に作用する、切断刃７０による荷重がシリコンラバー７１に逃げる（吸収または減衰する）ことになる。
【００６５】
これにより、ウエハ接合体６０に対して荷重を加えた場合に、スクライブラインＭ’の底頂部がクラック発生の起点となり、ウエハ接合体６０にはリッド基板用ウエハ５０の表面５０ａからベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに向かって厚さ方向に沿ってクラックが進行し易くなる。その結果、ウエハ接合体６０が溝に沿って折れるように切断されることになる。また、上述した割断応力とはスクライブラインＭ’から離間する方向（各パッケージ１０が離間する方向）に発生する引張応力である。
【００６６】
そして、上述した方法により各スクライブラインＭ’毎に切断刃７０を押し当てることで、ウエハ接合体６０を輪郭線Ｍ毎のパッケージに一括して分離することができる。その後、ウエハ接合体６０に貼り付けられたセパレーター８３を剥離する（Ｓ１０４）。
【００６７】
次に、マガジン８２のＵＶテープ８０に対してＵＶ照射し、ＵＶテープ８０の粘着力を僅かに低下させる（Ｓ１１１）。なお、この状態では、ウエハ接合体６０は未だＵＶテープ８０に貼り付いた状態である。
【００６８】
次に、後述するエクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うために、図１５に示すように、ウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１内に搬送する（Ｓ１１２）。そこで、まずエクスパンド装置９１について説明する。
エクスパンド装置９１は、リングフレーム８１がセットされる円環状のベースリング９２と、ベースリング９２の内側に配置され、ウエハ接合体６０よりも大径に形成された円板状のヒーターパネル９３とを備えている。ヒーターパネル９３は、ウエハ接合体６０がセットされるベースプレート９４に伝熱型のヒーター（不図示）が搭載されたものであり、ヒーターパネル９３の中心軸がベースリング９２の中心軸に一致するように配置されている。また、ヒーターパネル９３は、図示しない駆動手段によって軸方向に沿って移動可能に構成されている。なお、図示しないがエクスパンド装置９１は、ベースリング９２上にセットされるリングフレーム８１を、ベースリング９２との間で挟持する押え部材も備えている。
【００６９】
このような装置を用いてエクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うには、まずウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１にセットする前に、後述するグリップリング８５のうち、内側リング８５ａをヒーターパネル９３の外側にセットする。この時、内側リング８５ａは、ヒーターパネル９３に固定され、ヒーターパネル９３の移動時にともに移動するようにセットされる。なお、グリップリング８５は、内径がヒーターパネル９３の外径よりも大きく、リングフレーム８１の貫通孔８１ｂの内径よりも小さく形成された樹脂製のリングであり、内側リング８５ａと、内径が内側リング８５ａの外径と同等に形成された外側リング８５ｂ（図１６参照）とで構成されている。すなわち、内側リング８５ａは外側リング８５ｂの内側に嵌まり込むようになっている。
【００７０】
その後、マガジン８２に固定されたウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１にセットする。この時、ＵＶテープ８０側をヒーターパネル９３及びベースリング９２に向けてウエハ接合体６０をセットする。具体的に、ウエハ接合体６０の裏面４０ｂとヒーターパネル９３とを対向させるとともに、リングフレーム８１の一方の面８１ａとベースリング９２とを対向させた状態で、ウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１にセットする。
これにより、ヒーターパネル９３上にＵＶテープ８０を介してウエハ接合体６０がセットされる。そして、図示しない押え部材によってリングフレーム８１をベースリング９２との間に挟持する。
【００７１】
次に、ヒーターパネル９３のヒーターによってＵＶテープ８０を５０℃以上に加熱する。ＵＶテープ８０を５０℃以上に加熱することで、ＵＶテープ８０が軟化して延伸し易くなる。そして、図１６に示すように、ＵＶテープ８０を加熱した状態でヒーターパネル９３を内側リング８５ａとともに上昇させる（図１６中矢印参照）。この時、リングフレーム８１はベースリング９２と押え部材との間で挟持されているので、ＵＶテープ８０がウエハ接合体６０の径方向外側に向かって延伸する。これにより、ＵＶテープ８０に貼着されたパッケージ１０同士が離間し、隣接するパッケージ１０間のスペースが拡大する。そして、この状態で内側リング８５ａの外側に外側リング８５ｂをセットする。具体的には、内側リング８５ａと外側リング８５ｂとの間にＵＶテープ８０を挟んだ状態で、両者を嵌め合わせる。これにより、ＵＶテープ８０が延伸された状態でグリップリング８５に保持される。そして、グリップリング８５の外側のＵＶテープ８０を切断し、リングフレーム８１とグリップリング８５とを分離する（Ｓ１１４）。
【００７２】
図１８は、保護膜形成工程を説明するための図であって、複数の圧電振動子がＵＶテープに貼り付けられた状態を示す断面図である。
次に、図１８に示すように、パッケージ１０を保護膜１１によってコーティングする保護膜形成工程（Ｓ１１５）を行う。具体的には、まず複数のパッケージ１０を、ＵＶテープ８０に貼り付けられた状態でスパッタリング装置のチャンバー内に搬送し、リッド基板３が保護膜１１の成膜材料（ターゲット）に対向するようにセットする。この状態でスパッタリングを行うことで、リッド基板３の表面３ｄ及びパッケージ１０の側面１０ａ上に成膜材料から飛び出した原子が付着する。これにより、リッド基板３の表面３ｄからパッケージ１０の側面１０ａの全域に亘って、保護膜１１が形成される。
【００７３】
この場合、接合材２３はパッケージ１０の側面１０ａに露出しているので、接合材２３を覆うように保護膜１１を形成するには、全てのパッケージ１０を側面１０ａが露出するように離間配置する必要がある。
そこで、本実施形態によれば、エクスパンド工程において複数のパッケージ１０が分離した状態を利用して保護膜形成工程を行うので、全てのパッケージ１０を改めて離間配置する必要がなく、製造効率を向上させることができる。すなわち、各パッケージ１０間のスペースを確保した状態で保護膜１１を形成できるので、各パッケージ１０におけるベース基板２とリッド基板３との間から露出する接合材２３に対して均一に保護膜１１を形成できる。
また、エクスパンドされたＵＶテープ８０上に複数のパッケージ１０を貼り付けた状態でスパッタリングを行うことで、個片化された複数のパッケージ１０に対して一括して保護膜１１を形成できるので、パッケージ１０に個別で保護膜１１を形成する場合に比べて製造効率の向上を図ることができる。さらに、スパッタリング装置への搬送時や成膜時におけるパッケージ１０の移動を抑制できる。
【００７４】
また、ベース基板２の裏面２ａ側にＵＶテープ８０が貼り付けられた状態で、リッド基板３側からスパッタリングを行うことで、ベース基板２の裏面２ａ側への成膜材料の回り込みを抑制できる。そのため、外部電極６，７への成膜材料の付着を抑制できるので、保護膜１１によって各外部電極６，７間が架け渡されるのを抑制できる。これにより、保護膜１１にＣｒ等の導電性金属材料を用いた場合であっても、外部電極６，７間の短絡を抑制できる。また、本実施形態では、外部電極６，７の側面がベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置しているため、保護膜１１の周縁端部と外部電極６，７との間は間隙部１２（図２参照）を挟んで離間配置される。そのため、仮に成膜材料がベース基板２の裏面２ａ側に僅かに回り込んだとしても、保護膜１１と外部電極６，７とが連続的に架け渡されるのを抑制できる。
【００７５】
なお、本実施形態では、リッド基板３の表面３ｄに対向するように成膜材料が配置されるため、パッケージ１０の側面１０ａに比べてリッド基板３の表面３ｄの方が、成膜材料が付着し易い。具体的に、リッド基板３の表面３ｄとパッケージ１０の側面１０ａとの成膜速度比は３〜４：１程度となる。成膜速度比を小さくするためには、グリップリング８５（パッケージ１０）を自転させながらスパッタリングを行うことが好ましい。
【００７６】
次に、保護膜１１が形成された圧電振動子１を取り出すためのピックアップ工程を行う。ピックアップ工程（Ｓ１１６）では、まずＵＶテープ８０に対してＵＶ照射し、ＵＶテープ８０の粘着力を低下させる。これにより、ＵＶテープ８０から圧電振動子１が剥離される。その後、画像認識等により各圧電振動子１の位置を把握して、ノズル等により吸引することで、ＵＶテープ８０から剥離された圧電振動子１を取り出していく。このように、ＵＶテープ８０にＵＶ照射してＵＶテープ８０から圧電振動子１を剥離することで、個片化された圧電振動子１を取り出し易くすることができる。なお、本実施形態では上述したブレーキング工程（Ｓ１０３）おいて、リッド基板用ウエハ５０のスクライブラインＭ’に沿って個片化を行うため、個片化された圧電振動子１のリッド基板３の上部周縁にはスクライブラインＭ’によってＣ面取りが施された面取り部９０が形成される。
以上により、互いに陽極接合されたベース基板２とリッド基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片５が封止された、図１に示す２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。これにより、個片化工程が終了する。
【００７７】
その後、内部の電気特性検査を行う（Ｓ１１０）。すなわち、圧電振動片５の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
【００７８】
図１９はマーキング工程を説明するための図であって、図１に相当する圧電振動子の外観斜視図である。
電気特性検査及び外観検査が完了し、検査に合格した圧電振動子１に対して、最後にマーキング１３を施す（Ｓ１２０）。図１９に示すように、マーキング１３は、リッド基板３の表面３ｄに対して鉛直方向からレーザー光Ｒ３を照射して、リッド基板３の表面３ｄ上の保護膜１１を除去することで、製品の種類、製品番号及び製造年月日等を刻印する。
このように、保護膜１１を除去してマーキング１３を施すことで、マーキング１３を施すためにめっき膜等を別途形成する必要がないので、製造効率を向上できる。
【００７９】
なお、マーキング工程（Ｓ１２０）ではレーザー光Ｒ３の出力を、保護膜１１のみを貫通する程度に調整することが好ましい。これにより、レーザー光Ｒ３がベース基板２を透過してキャビティＣ内に到達するのを抑制できる。つまり、レーザー光Ｒ３が圧電振動片５に照射されるのを抑制して、圧電振動片５へのダメージを抑制できるため、圧電振動片５の電気特性（周波数特性）に影響が及ぶのを抑制できる。
また、ベース基板２でのレーザー光Ｒ３の透過を確実に抑制するためには、ガラス材料での吸収率が高いレーザーを用いることが好ましく、このようなレーザーとしては、例えば波長が１０．６μｍのＣＯ2レーザーや、波長が２６６ｎｍの第４高調波レーザー等を用いることが可能である。さらに、これらレーザーのうち、波長が比較的長いＣＯ2レーザーを用いることで、ベース基板２へのダメージをより確実に抑制できる。
【００８０】
このように、本実施形態では、第１焦点調整工程（Ｓ９５）により接合材２３に対して正確に第２レーザー光Ｒ２を合焦させた後、第２焦点調整工程（Ｓ９６）を経て、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにダミーラインＤを形成するので、ベース基板用ウエハ４０の厚さや、接合材２３の厚さ等に作用されずに、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂ上に確実にダミーラインＤを形成することができる。したがって、スクライブ工程（Ｓ９９）の際、第３焦点調整工程（Ｓ９８）によってダミーラインＤに合焦された第２レーザー光Ｒ２を用いてスクライブラインＭ’を形成することにより、スクライブラインＭ’をリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂに精度よく形成することができる。
このように、ウエハ接合体６０の厚さを１つずつ測定するといった作業を何ら行うことなく、スクライブラインＭ’を効率よく形成することができる。
【００８１】
さらに第１焦点調整工程（Ｓ９５）の際、各ウエハ４０、５０同士を接合する接合材２３を撮像しているので、第１焦点調整工程（Ｓ９５）を行うために、新たな構成要素をウエハ接合体６０に付加する必要がなく、ウエハ接合体６０の構造が複雑になるのを抑制するとともに、ウエハ接合体６０の切断を効率よく行うことができる。
また、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）の際に形成したダミーラインＤを撮像することにより、第２レーザー光Ｒ２をダミーラインＤに対して正確かつ円滑に合焦し直すことができる。したがって、擦れ痕や異物などを指標として撮像する場合とは異なり、前述の作用効果が顕著に奏される。
そして、第１焦点調整工程（Ｓ９５）からスクライブ工程（Ｓ９９）を一連の流れとして連続して行うことができるので、ウエハ接合体６０に予めダミーラインＤのような構成を形成しておく必要がなく、ウエハ接合体６０の切断を一層効率よく行うことができる。
【００８２】
また、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）の際、ダミーラインＤを直線状に形成するので、第３焦点調整工程（Ｓ９８）の際、ダミーラインＤの延在方向に沿った複数箇所において第２レーザー光Ｒ２を合焦し直すことが可能になり、スクライブラインＭ’をリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂに一層精度よく形成することができる。
またこのとき、ダミーラインＤを、切断予定線Ｍに平行な直線状に形成するので、第２レーザー８８の装置構成の簡素化を図ることができる。
さらに、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）の際、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂのうち、パッケージの形成領域を外した部分にダミーラインＤを形成するので、歩留まりを確実に向上させることができる。
【００８３】
また本実施形態では、ステージ７５のシリコンラバー７１上にウエハ接合体６０をセットした状態でブレーキング工程を行う構成とした。
この構成によれば、スクライブラインＭ’に沿ってウエハ接合体６０に切断刃７０を押し当てることで、シリコンラバー７１が弾性変形し、ウエハ接合体６０がシリコンラバー７１の弾性変形に倣ってシリコンラバー７１に向かって湾曲するように僅かに撓み変形する。これにより、ウエハ接合体６０に付与される割断応力がスクライブラインＭ’の底頂部に集中し易くなる。
その結果、ウエハ接合体６０に対して割断応力を加えた場合に、スクライブラインＭ’の底頂部がクラック発生の起点となり、ウエハ接合体６０におけるリッド基板用ウエハ５０の表面５０ａからベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに向かってクラックが進行しやすくなって、ウエハ接合体６０がスクライブラインＭ’に沿って折れるように切断されることになる。
したがって、ウエハ接合体６０をスクライブラインＭ’に沿ってよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。そのため、クラッシュの発生を抑えるとともに、チッピングの発生も抑え、残留応力の痕跡がない、良好な切断面を得ることができる。これにより、ウエハ接合体６０から圧電振動子１を所望のサイズに切断することができる。その結果、１枚のウエハ接合体６０から良品として取り出される圧電振動子１の数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００８４】
また、ブレーキング工程において、切断刃７０の先端をベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに接触させた状態で、ウエハ接合体６０の厚さ方向に沿って押し込むように切断刃７０を移動させることで、スクライブラインＭ’に沿って確実に割断応力を加えることができる。そのため、ウエハ接合体６０の厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。また、従来のようにウエハ接合体に対して切断刃を落下させる場合に比べて、切断刃とウエハ接合体６０との衝突によるチッピングの発生等を防止することができる。したがって、より良好な切断面を得ることができる。
【００８５】
さらに、本実施形態ではウエハ接合体６０に切断刃７０を接触させる際、ＣＣＤカメラ７４により検出されたスクライブラインＭ’の位置に基づいて切断刃７０を位置合わせする構成とした。
この構成によれば、スクライブラインＭ’と切断刃７０とを位置合わせすることで、スクライブラインＭ’に沿って確実に割断応力を付与することができるので、ウエハ接合体６０をよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。
【００８６】
本実施形態では、マガジン８２のセパレーター８３がウエハ接合体６０とシリコンラバー７１との間に介在することになるので、仮にウエハ接合体６０の切断時に微小な塵埃等が飛散した場合には、塵埃等をシリコンラバー７１により捕捉することができる。
その結果、シリコンラバー７１上に載置されるウエハ接合体６０が塵埃等に当接して傷付くことを防止できる。また、ウエハ接合体６０を常にシリコンラバー７１に密着させた状態で載置することができるので、ウエハ接合体６０の載置時におけるガタツキ等を防止し、ウエハ接合体６０を厚さ方向に沿って確実に切断することができる。
【００８７】
また、ＵＶテープ８０の厚さが１６０μｍ以上であることから、エクスパンド工程（Ｓ１１３）においてＵＶテープ８０が破断し難くなっているので、スクライブ工程（Ｓ９５）等で使用したＵＶテープ８０を交換することなく、そのままエクスパンド工程（Ｓ１１３）で用いることができる。すなわち、エクスパンド工程（Ｓ１１３）に先立って、ＵＶテープ８０の張替え工程等を行う必要がないので、製造効率の低下及び製造コストの増加を防止することができる。
一方、厚さが１８０μｍ以下に形成されたＵＶテープ８０を用いることで、ＵＶテープ８０を延伸させるために必要な力を抑制することができるので、製造効率を向上させることができる。また、市場において容易に調達することができるので、ＵＶテープ８０に要する材料コストを低下させることができる。
【００８８】
しかも、本実施形態では、ウエハ接合体６０を個片化した後、エクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うことで、隣接する各圧電振動子１（パッケージ１０）間隔を均等に広げることができるので、隣接する圧電振動子１同士を確実に分離することができる。したがって、エクスパンド工程（Ｓ１１３）後にＵＶテープ８０から圧電振動子１を取り出す際、個片化された圧電振動子１を認識し易くなるので（認識精度が向上するので）、各圧電振動子１を容易に取り出すことができる。
また、エクスパンド工程（Ｓ１１３）後にＵＶテープ８０から圧電振動子１を取り出す際、隣接する圧電振動子１との接触等を防ぎ、圧電振動子１同士の接触によるチッピングの発生等を防止して、圧電振動子１の割れを防ぐことができる。よって、１枚のウエハ接合体６０から良品として取り出される圧電振動子１の数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００８９】
なお、スクライブ工程（Ｓ９５）に先立って輪郭線Ｍ上の接合材２３を剥離してトリミングラインＴを形成することで、ブレーキング時にウエハ接合体６０の厚さ方向へのクラック進行を促進するとともに、ウエハ接合体６０の面方向へのクラック進行を防ぐことができる。
【００９０】
また、本実施形態の圧電振動子１のリッド基板３は、その周縁部に面取り部９０が形成されている構成とした。
この構成によれば、ピックアップ工程（Ｓ１１０）において、仮に個片化された圧電振動子１を取り出す際に、圧電振動子１を取り出すための器具が、圧電振動子１の角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができる。そのため、チッピングをきっかけに圧電振動子１が割れることがない。
これにより、キャビティＣ内の気密が確保することができ、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。
なお、面取り部９０は、第２レーザー８８によりスクライブラインＭ’を形成した後、スクライブラインＭ’に沿って切断することで自動的に形成することができるので、切断後の圧電振動子１にそれぞれ面取り部９０を形成する必要がない。その結果、面取り部を別工程で形成する場合に比べてコスト上昇を抑制し、作業効率を向上させることができる。
【００９１】
また、本実施形態では、パッケージ１０の外面に接合材２３よりも腐食性の高い保護膜１１によって接合材２３を被覆する構成とした。
この構成によれば、保護膜１１により接合材２３を覆うことで、接合材２３が外部に曝されることがないので、接合材２３と大気との接触を抑制して、大気中の水分等による接合材２３の腐食を抑制できる。この場合、保護膜１１は接合材２３よりも耐腐食性の高い材料により構成されているので、保護膜１１の腐食により接合材２３が露出するのを抑制できるので、接合材２３の腐食を確実に抑制できる。そのため、キャビティＣ内の気密を長期に亘って安定した状態に維持でき、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供できる。
【００９２】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図２０を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図２０に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００９３】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。
これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００９４】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【００９５】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図２１を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００９６】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図２１に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００９７】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００９８】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００９９】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【０１００】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【０１０１】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。さらに、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【０１０２】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【０１０３】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【０１０４】
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２２を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図２２に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【０１０５】
（電波時計）
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【０１０６】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【０１０７】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【０１０８】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、電波時計自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
【０１０９】
なお、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、トリミング工程（Ｓ９４）を行うものとしたが、行わなくてもよい。
【０１１０】
また、上述した実施形態では、第２焦点調整工程（Ｓ９６）の後、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）を行い、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにダミーラインＤを形成するものとしたが、この表面５０ｂにレーザー痕からなる被検出部を形成すれば、ダミーラインＤでなくてもよい。例えば、直線状ではない被検出部を形成してもよく、直線状であっても切断予定線Ｍと非平行な被検出部を形成してもよい。
【０１１１】
また上述した実施形態では、ブレーキング工程（Ｓ１０３）の前に、リングフレーム８１の他方の面８１ｃに、貫通孔８１ｂを塞ぐようにセパレーター８３を貼り付ける（Ｓ１０１）ものとしたが、これに限られるものではない。例えば、セパレーター８３の外周縁を、ＵＶテープ８０においてリングフレーム８１よりも内側に位置する部分（貫通孔８１ｂを一方の面８１ｃから塞ぐ部分）に貼り付けてもよい。またセパレーター８３はなくてもよい。
【０１１２】
また、上述した実施形態では、ブレーキング工程においてリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにスクライブラインＭ’を形成する一方、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂから切断刃７０を押し当てる場合について説明したが、これに限られない。例えば、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂにスクライブラインＭ’を形成する一方、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂから切断刃７０を押し当ててもよい。
【０１１３】
また上述した実施形態では、ブレーキング工程（Ｓ１０３）の際、切断刃７０を用いてウエハ接合体６０に割断応力を付与するものとしたが、異なる方法で割断応力を付与することも可能である。
さらに上述した実施形態では、エクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うものとしたが、行わなくてもよい。
さらにまた上述した実施形態では、ウエハ接合体６０の切断に際し、マガジン８２を用いたが、用いなくてもよい。
【０１１４】
また、圧電振動子の製造方法は、第１焦点調整工程（Ｓ９５）と、第２焦点調整工程（Ｓ９６）と、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）と、第３焦点調整工程（Ｓ９８）と、スクライブ工程（Ｓ９９）と、切断工程（Ｓ１００）とを有する接合ガラスの切断方法を用いていれば、上述した実施形態に示したものに限られない。
例えば、保護膜形成工程（Ｓ１１５）はなくてもよい。
また、この方法で製造される圧電振動子１が、圧電振動片として音叉型の圧電振動片５とは異なる構造、例えば厚み滑り振動片等を備えていてもよい。さらに、ベース基板２に凹部３ａを形成してもよく、両基板２，３に凹部３ａをそれぞれ形成してもよい。
【０１１５】
また上述した実施形態では、上述した接合ガラスの切断方法を用いて、圧電振動片５がキャビティＣに封入された圧電振動子１を製造するものとしたが、圧電振動片とは異なる電子部品がキャビティに封入可能なパッケージを製造することも可能である。
さらに、上述した接合ガラスの切断方法は、パッケージ製造の一工程として用いなくてもよく、接合ガラスを切断するときに単独で適用可能である。
【０１１６】
また上述した実施形態では、上述した接合ガラスの切断方法を用いて、２枚のウエハ４０，５０が接合材２３を介して接合されたウエハ接合体６０を切断するものとしたが、３枚以上のガラス基板が接合材を介して接合されてなる接合ガラスの切断にも、上述した接合ガラスの切断方法を適用することが可能である。
【０１１７】
その他、本発明の趣旨に逸脱しない範囲で、前記実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、前記した変形例を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１１８】
１…圧電振動子（パッケージ）
２…ベース基板（ガラス基板）
３…リッド基板（ガラス基板）
４…圧電振動片（電子部品）
２３…接合膜（接合材）
６０…ウエハ接合体（接合ガラス）
１００…発振器
１１０…携帯情報機器（電子機器）
１３０…電波時計
Ｃ…キャビティ
Ｍ’…スクライブライン（溝）
Ｒ1…レーザー光
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片（電子部品）とを備えている。
【０００３】
ここで、上述した圧電振動子を製造する際には、リッド基板用ウエハにキャビティ用の凹部を形成する一方、ベース基板用ウエハ上に圧電振動片をマウントした後、両ウエハを接合層を介して陽極接合し、複数のパッケージがウエハの行列方向に形成されたウエハ接合体とする。そして、ウエハ接合体に形成された各パッケージ毎（キャビティ毎）にウエハ接合体を切断することで、キャビティ内に圧電振動片が気密封止された複数の圧電振動子（パッケージ）を製造するものである。
【０００４】
ところで、ウエハ接合体の切断方法としては、例えば歯先にダイヤモンドが付着したブレードを用い、ウエハ接合体を厚さ方向に沿って切断（ダイシング）する方法が知られている。
しかしながら、ブレードによる切断方法では、ブレードの幅を考慮した切断代をキャビティ間に設ける必要があるため、１枚のウエハ接合体から取り出せる圧電振動子の数が少ないこと、また切断時におけるチッピングの発生、切断面が粗いこと等の問題があった。
また、加工速度が遅いため、生産効率が悪いという問題もあった。
【０００５】
また、金属棒の先端にダイヤモンドを埋め込み、このダイヤモンドによってウエハ接合体の表面における切断予定線に沿って傷（スクライブライン）を付けた後、スクライブラインに沿って割断応力を加えて切断する方法も知られている。
しかしながら、上述の方法では、スクライブラインに無数のチッピングが発生するため、ウエハが割れやすく、また切断面の表面精度も粗くなるという問題がある。
【０００６】
そこで、上述のような問題に対応するために、ウエハ接合体をレーザーにより切断する方法が開発されている。このような方法としては、例えば特許文献１に示されるように、ウエハ接合体の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射し、ウエハ接合体の切断予定線に沿って多光子吸収による改質領域を形成する。そして、ウエハ接合体に割断応力（衝撃力）を加えることにより、改質領域を起点としてウエハ接合体を切断するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述のようにウエハ接合体をレーザーにより切断する方法として、ウエハ接合体の表面における切断予定線に沿ってレーザー光を照射してスクライブラインを形成した後、スクライブラインに沿って割断応力を加えて切断する方法も考えられる。
【０００９】
ここで、ベース基板用ウエハの厚さ、リッド基板用ウエハの厚さおよび接合膜の厚さは、ウエハ接合体ごとにばらつきがあり、ウエハ接合体全体の厚さも１つずつ異なる。そのため、ウエハ接合体の表面にスクライブラインを形成するときに、レーザー光の焦点位置を一定にしておくと、ウエハ接合体の厚さの違いに起因して、ウエハ接合体ごとにスクライブラインの深さ、幅などがばらつき均一にならない。この場合、圧電振動子の品質に影響を与えるおそれがある。
したがって、ウエハ接合体の表面にレーザー光の焦点を合わせる作業を、ウエハ接合体のそれぞれについて行う必要があり、加工に時間を要するものであった。しかも、このように焦点を合わせる際、ウエハ接合体の表面の小さな擦れ痕や異物などを指標として焦点を合わせる場合が多いので、余計に時間がかかり易い。
また、ウエハ接合体の厚さを１つずつ予め測定しておき、この測定結果に基づいてレーザー光の焦点位置を調整することも考えられる。しかしながらこの場合、ウエハ接合体の厚さを測定する手間がかかり、製造効率が悪くなる。
【００１０】
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成することができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明に係る接合ガラスの切断方法は、複数のガラス基板の接合面同士が接合材を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、前記接合ガラスの一方の面側から前記接合材を撮像することで、前記一方の面側から前記接合ガラスに照射可能なレーザー光を前記接合材に合焦させる第１焦点調整工程と、前記第１焦点調整工程の後、前記レーザー光の焦点を、前記接合ガラスの厚さ方向に沿った前記接合ガラスの一方の面側に向けて、前記照射がなされる前記ガラス基板の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、前記第２焦点調整工程の後、前記レーザー光を照射して前記一方の面に被検出部を形成する被検出部形成工程と、前記一方の面側から前記被検出部を撮像することで、前記レーザー光を前記被検出部に合焦し直す第３焦点調整工程と、前記第３焦点調整工程の後、前記レーザー光を前記切断予定線に沿って照射して、前記切断予定線に沿って前記一方の面に溝を形成する溝形成工程と、前記切断予定線に沿って割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有することを特徴とする。
なお、前記照射がなされる前記ガラス基板は、複数のガラス基板のうち、接合ガラスの一方の面を構成するガラス基板である。
【００１２】
この発明によれば、第１焦点調整工程により接合材に対して正確にレーザー光を合焦させた後、第２焦点調整工程を経て、接合ガラスの一方の面に被検出部を形成するので、レーザー光が照射されないガラス基板の厚さや、接合材の厚さ等に作用されずに、前記一方の面上に確実に被検出部を形成することができる。したがって、溝形成工程の際、第３焦点調整工程によって被検出部に合焦されたレーザー光を用いて溝を形成することにより、この溝を一方の面に精度よく形成することができる。
このように、接合ガラスの厚さを１つずつ測定するといった作業を何ら行うことなく、溝を効率よく形成することができる。
【００１３】
さらに第１焦点調整工程の際、ガラス基板同士を接合する接合材を撮像しているので、第１焦点調整工程を行うために、新たな構成要素を接合ガラスに付加する必要がなく、接合ガラスの構造が複雑になるのを抑制するとともに、接合ガラスの切断を効率よく行うことができる。
また、被検出部形成工程の際に形成した被検出部を撮像することにより、レーザー光を被検出部に対して正確かつ円滑に合焦し直すことができる。したがって、擦れ痕や異物などを指標として撮像する場合とは異なり、前述の作用効果が顕著に奏される。
そして、第１焦点調整工程から溝形成工程を一連の流れとして連続して行うことができるので、接合ガラスに予め被検出部のような構成を形成しておく必要がなく、接合ガラスの切断を一層効率よく行うことができる。
【００１４】
また、前記被検出部形成工程の際、前記被検出部を、前記切断予定線に平行な直線状に形成してもよい。
【００１５】
この発明によれば、被検出部形成工程の際、被検出部を直線状に形成するので、第３焦点調整工程の際、被検出部の延在方向に沿った複数箇所においてレーザー光を合焦し直すことが可能になり、溝を一方の面に一層精度よく形成することができる。
またこのとき、被検出部を、切断予定線に平行な直線状に形成するので、レーザー光を照射する照射部の装置構成の簡素化を図ることができる。
【００１６】
また、前記接合ガラスの切断方法を使用して、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージを製造する方法であって、前記切断工程では、複数の前記パッケージの形成領域を隔する前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断してもよい。
【００１７】
この発明によれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用してパッケージを製造することで、接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成することができる。よって、１枚の接合ガラスから良品として取り出されるパッケージの数を増加することができるとともに、歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
また、前記被検出部形成工程の際、前記一方の面のうち、前記パッケージの形成領域を外した部分に前記被検出部を形成してもよい。
【００１９】
この発明によれば、被検出部形成工程の際、接合ガラスの一方の面のうち、パッケージの形成領域を外した部分に被検出部を形成するので、歩留まりを確実に向上させることができる。
【００２０】
また、前記パッケージの製造方法を用いて形成されたパッケージであって、前記接合ガラスの前記一方の面により構成される面の外周縁部に、前記溝が割断されてなる面取り部を有していてもよい。
【００２１】
この発明によれば、面取り部が形成されているので、切断されたパッケージを取り出す際に、仮にパッケージを取り出すための器具がパッケージの角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができるので、チッピングをきっかけにパッケージが割れることがない。これにより、キャビティ内の気密を確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。
なお、面取り部は、レーザーにより溝を形成した後、溝（切断予定線）に沿って接合ガラスを切断することで自動的に形成することができるので、切断後のパッケージに別工程としてそれぞれ面取り部を形成する必要がない。その結果、面取り部を別工程で形成する場合に比べてコスト上昇を抑制するとともに、作業効率を向上させることができる。
【００２２】
また、本発明に係る圧電振動子は、前記パッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
【００２３】
この発明によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
【００２４】
また、本発明に係る発振器は、前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電子機器は、前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電波時計は、前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る接合ガラスの切断方法によれば、接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成することができる。
また、本発明に係るパッケージの製造方法によれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用してパッケージを形成することで、１枚の接合ガラスから良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明に係るパッケージによれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用してパッケージが形成されているので、キャビティ内の気密を確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。
【図２】本発明に係る圧電振動子をベース基板側から見た外観斜視図である。
【図３】圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態を示す圧電振動片の平面図である。
【図４】図３に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図５】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図６】図１に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。
【図７】図６に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
【図８】個片化工程の流れを示すフローチャートである。
【図９】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１０】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１１】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す平面図である。
【図１２】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１３】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１４】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１５】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１６】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図である。
【図１７】トリミング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
【図１８】保護膜形成工程を説明するための図であって、複数の圧電振動子がＵＶテープに貼り付けられた状態を示す断面図である。
【図１９】マーキング工程を説明するための図であって、図１に相当する圧電振動子の外観斜視図である。
【図２０】本発明に係る発信器の一実施形態を示す構成図である。
【図２１】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図２２】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図であり、図２はベース基板側から見た外観斜視図である。また図３は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図４は図３に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図５は圧電振動子の分解斜視図である。なお、図１４では、後述する保護膜を鎖線で示しているとともに、図５では、この保護膜の図示を省略している。
図１〜図５に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（第１基板）２及びリッド基板（第２基板）３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５とを備えた表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の裏面２ａ（図４中下面）に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２９】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対のスルーホール２１，２２が形成されている。スルーホール２１，２２は、ベース基板２の裏面２ａから表面２ｂ（図４中上面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
【００３０】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３の裏面３ｂ（図４中下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材（接合膜）２３を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板３の裏面３ｂ側には、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとが形成されている。
また、リッド基板３の上部周縁には、圧電振動子１の製造工程における後述するスクライブ工程時において、リッド基板３の角部が面取りされた面取り部９０が形成されている。
【００３１】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型で、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極と後述する引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００３２】
このように構成された圧電振動片５は、図３，図４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の表面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。
これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の表面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００３３】
そして、ベース基板２の表面２ｂ側（リッド基板３が接合される接合面側）には、Ａｌからなる陽極接合用の接合材２３が形成されている。この接合材２３は、膜厚が例えば３０００Å〜５０００Å程度に形成され、リッド基板３の額縁領域３ｃに対向するようにベース基板２の外周部分に沿って形成されている。そして、接合材２３とリッド基板３の額縁領域３ｃとが陽極接合されることで、キャビティＣが真空封止されている。なお、接合材２３の側面は、ベース基板２及びリッド基板３の側面２ｃ、３ｅ（パッケージ１０の側面（外側面）１０ａ）と略面一に形成されている。
【００３４】
外部電極６，７は、ベース基板２の裏面２ａ（ベース基板２における接合面とは反対側の面）における長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。なお外部電極６，７の側面（外周縁）は、ベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置している。
【００３５】
貫通電極８，９は、焼成によってスルーホール２１，２２に対して一体的に固定された筒体３２及び芯材部３１によって形成されたものであり、スルーホール２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００３６】
筒体３２は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体３２は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体３２の中心には、芯材部３１が筒体３２の中心孔を貫通するように配されている。また、本実施形態ではスルーホール２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体３２は、スルーホール２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これらスルーホール２１，２２に対して強固に固着されている。
上述した芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。なお、貫通電極８，９は、導電性の芯材部３１を通して電気導通性が確保されている。
【００３７】
ここで、図１〜図５に示すように、パッケージ１０には、リッド基板３の表面３ｄからベース基板３の側面３ｅ及びベース基板２の側面２ｃ（パッケージ１０の側面１０ａ）の全域を覆うように保護膜１１が形成されている。保護膜１１は、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等、接合材２３よりも耐腐食性が高い（イオン化傾向が小さい）金属材料からなり、これら金属材料のうち、本実施形態ではＳｉまたはＣｒが好適に用いられている。これにより、保護膜１１とベース基板２及びリッド基板３との密着性を向上させ、保護膜１１と基板２，３との間に隙間ができたり、保護膜１１が剥離したりするのを抑制できる。
【００３８】
保護膜１１は、リッド基板３の表面（リッド基板３における接合面とは反対側の面）３ｄ上において、例えば膜厚が１０００Å程度に形成されている。そして、リッド基板３の表面３ｄ上には、レーザー光Ｒ３（図１９参照）により保護膜１１の一部が除去されることで、製品の種類や、製品番号、製造年月日等が刻印されたマーキング１３が施されている（図１９参照）。なお、マーキング１３を施すためには、レーザー光Ｒ３の吸収率が高いＳｉにより保護膜１１を形成することが好ましい。
【００３９】
また、保護膜１１は、パッケージ１０の側面１０ａ上において、例えば膜厚が３００〜４００Å程度に形成されており、ベース基板２及びリッド基板３の間から外部に露出している接合材２３を覆うように形成されている。そして、保護膜１１の周縁端部（図４中下端部）は、ベース基板２の裏面２ａと略面一に形成されている。すなわち、ベース基板２の裏面２ａには保護膜１１が形成されていない。この場合、上述したように外部電極６，７の側面は、ベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置しているため、保護膜１１の周縁端部と外部電極６，７との間は間隙部１２を挟んで離間配置されている。これにより、保護膜１１の材料に導電性材料を用いた場合であっても、外部電極６，７間が保護膜１１によって架け渡されることがないので、外部電極６，７の短絡を防止できる。
【００４０】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００４１】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図６に示すフローチャートを参照しながら説明する。
初めに、図６に示すように、圧電振動片作製工程を行って図１〜図５に示す圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００４２】
（第１のウエハ作成工程）
図７は、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態で、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
次に、図７に示すように、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ（図７における下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。
次に、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の少なくとも裏面５０ａ側を研磨する研磨工程（Ｓ２３）を行い、裏面５０ａを鏡面加工する。以上により、第２のウエハ作成工程（Ｓ２０）が終了する。
【００４３】
（第２のウエハ作成工程）
次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極８，９を配置するためのスルーホール２１，２２を複数形成するスルーホール形成工程を行う（Ｓ３２）。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ４０の裏面（接合ガラスの他方の面）４０ｂから凹部を形成した後、ベース基板用ウエハ４０の少なくとも表面４０ａ側から研磨することで、凹部を貫通させ、スルーホール２１，２２を形成することができる。
【００４４】
続いて、スルーホール形成工程（Ｓ３２）で形成されたスルーホール２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３３）を行う。これにより、スルーホール２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の表裏面４０ａ，４０ｂ（図７における上下面）に対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極８，９を形成することができる。
【００４５】
次に、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに導電性材料をパターニングして、接合材２３を形成する接合材形成工程を行う（Ｓ３４）とともに、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３５）。なお、接合材２３はベース基板用ウエハ４０におけるキャビティＣの形成領域以外の領域、すなわちリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａとの接合領域の全域に亘って形成する。このようにして、第２のウエハ製作工程（Ｓ３０）が終了する。
【００４６】
次に、第２のウエハ作成工程（Ｓ３０）で作成されたベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極２７，２８上に、圧電振動片作成工程（Ｓ１０）で作成された圧電振動片５を、それぞれ金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。そして、上述した各ウエハ４０，５０の作成工程で作成されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００４７】
重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。具体的には、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合したウエハ接合体６０（例えば、厚さ０．４ｍｍｔ〜０．９ｍｍｔ程度）を得ることができる。そして、本実施形態のように両ウエハ４０，５０同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ４０，５０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれや、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、両ウエハ４０，５０をより強固に接合することができる。
【００４８】
その後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ７０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ８０）。
【００４９】
（個片化工程）
図８は、ウエハ接合体の個片化工程の手順を示すフローチャートである。また、図９〜図１１、図１３〜図１６はウエハ接合体がマガジンに保持された状態を示す断面図であり、個片化工程を説明するための工程図である。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ接合体６０を切断（割断）して個片化する個片化工程を行う（Ｓ９０）。
個片化工程（Ｓ９０）では、図８，図９に示すように、まずＵＶテープ８０及びリングフレーム８１を用いて、ウエハ接合体６０を保持するためのマガジン８２を作成する（Ｓ９１）。リングフレーム８１は、その内径がウエハ接合体６０の直径よりも大径に形成されたリング状の部材であり、厚さ（軸方向における長さ）がウエハ接合体６０と同等に形成されている。また、ＵＶテープ８０はポリオレフィンからなる可撓性を具備するシート材に紫外線硬化樹脂、例えばアクリル系の粘着剤（粘着層）が塗布されたものであり、具体的には電気化学工業製のＵＨＰ−１５２５Ｍ３や、リンテック製のＤ５１０Ｔ等が好適に用いられている。また、ＵＶテープ８０は、比較的厚さの厚いものを用いることが好ましく、具体的には厚さが１６０μｍ以上１８０μｍ以下程度のものを用いることが好ましい。本実施形態では、例えば１７５μｍ程度のＵＶテープ８０が好適に用いられている。
【００５０】
マガジン８２は、リングフレーム８１の一方の面８１ａから、貫通孔８１ｂを塞ぐようにＵＶテープ８０を貼り付けることで作成することができる。そして、リングフレーム８１の中心軸とウエハ接合体６０の中心軸とを一致させた状態で、ＵＶテープ８０の粘着面にウエハ接合体６０を貼着する（Ｓ９２）。具体的には、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂ側（外部電極側）を、ＵＶテープ８０の粘着面に貼着する。これにより、ウエハ接合体６０がリングフレーム８１の貫通孔８１ｂ内にセットされた状態となる。この状態で、ウエハ接合体６０をレーザースクライブ装置（不図示）に搬送する（Ｓ９３）。
【００５１】
図１７は、トリミング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
ここで、図１０，図１７に示すように、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０とを接合している接合材２３を剥離するトリミング工程を行う（Ｓ９４）。トリミング工程（Ｓ９４）では、接合材２３の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が５３２ｎｍの第２高調波レーザーからなる第１レーザー８７を用い、レーザー光Ｒ１の照射領域の接合材２３を溶融させる。この場合、第１レーザー８７から出射されたレーザー光Ｒ１は、ビームスキャナ（ガルバノメーター）によって反射された後、Ｆθレンズを介して集光される。そして、集光されたレーザー光Ｒ１をウエハ接合体６０におけるリッド基板用ウエハ５０の表面（接合ガラスの一方の面）５０ｂ側から照射しながら、レーザー光Ｒ１とウエハ接合体６０とを平行に相対移動させる。具体的には、各キャビティＣを仕切る隔壁上、すなわち圧電振動子１の輪郭線（切断予定線）Ｍ（図７参照）に沿って第１レーザー８７を走査する。
【００５２】
なお、トリミング工程（Ｓ９４）におけるレーザー光Ｒ１のスポット径は、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下程度に設定されている。また、トリミング工程（Ｓ９４）のその他の条件としては、例えば第１レーザー８７の加工点平均出力が１．０Ｗ、周波数変調が２０ｋＨｚ、走査速度が２００ｍｍ／ｓｅｃ程度に設定することが好ましい。
これにより、輪郭線Ｍ上の接合材２３がレーザー光Ｒ１を吸収して加熱されることで、接合材２３が溶融し、レーザー光Ｒ１の照射領域（輪郭線Ｍ）より外側へ収縮する。その結果、両ウエハ４０，５０の接合面（リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ及びベース基板用ウエハ４０の表面４０ａ）上に、接合面から接合材２３が剥離されてなるトリミングラインＴが形成される。
【００５３】
ここで図１１に示すように、上述したレーザースクライブ装置には、前記第１レーザー８７とは異なる第２レーザー８８が備えられている。第２レーザー８８は、リッド基板用ウエハ５０（ソーダ石灰ガラス）の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が２６６ｎｍのＵＶ−Ｄｅｅｐレーザーにより構成することが可能であり、第２レーザー８８から照射された第２レーザー光Ｒ２は、図示しない対物レンズを介して集光される。第２レーザー８８は、ウエハ接合体６０におけるベース基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側から、ウエハ接合体６０に第２レーザー光Ｒ２を照射する。
さらに上記レーザースクライブ装置には、上述した対物レンズを介してウエハ接合体４０を撮像する図示しない撮像手段と、上記対物レンズをウエハ接合体６０に対してその厚さ方向に進退させる進退手段と、が備えられている。
【００５４】
そこで本実施形態では、上述したトリミング工程（Ｓ９４）の後、ベース基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側から接合材２３を撮像することで、第２レーザー光Ｒ２を接合材２３に合焦させる第１焦点調整工程を行う（Ｓ９５）。なお、第２レーザー光Ｒ２の焦点の調整は、例えば、上記撮像手段により上記対物レンズを介して撮像した接合材２３の撮像結果におけるコントラストに基づいて、上記対物レンズの位置を上記進退手段により移動させること等により行うことが可能である。
この第１焦点調整工程（Ｓ９５）を行うことで、第２レーザー光Ｒ２は、接合材２３におけるベース基板用ウエハ５０の裏面５０ａとの界面に合焦されることとなる。
【００５５】
その後、第２レーザー光Ｒ２の焦点を、ウエハ接合体６０の厚さ方向に沿ったリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側に向けて、リッド基板用ウエハ５０（照射がなされるガラス基板）の推定厚さＬ分、移動させる第２焦点調整工程を行う（Ｓ９６）。なお、第２レーザー光Ｒ２の焦点の移動は、例えば推定厚さＬに基づいて、上記対物レンズの位置を上記進退手段により移動させること等により行うことが可能である。また、上記推定厚さＬとしては、例えばリッド基板用ウエハ５０の厚さの設計値などを採用することが可能である。
【００５６】
図１２は、ダミーライン形成工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体の平面図である。
そして図１1および図１２に示すように、第２焦点調整工程（Ｓ９６）の後、第２レーザー光Ｒ２をウエハ接合体６０に照射し、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにダミーライン（被検出部）Ｄを形成するダミーライン形成工程（被検出部形成工程）を行う（Ｓ９７）。このとき図１３に示すように、ダミーラインＤを切断予定線Ｍに平行な直線状に形成する。さらにこのとき、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂのうち、パッケージ１０の形成領域である中央部を外した外周縁部にダミーラインＤを形成する。
【００５７】
次いで、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂ側からダミーラインＤを撮像することで、第２レーザー光Ｒ２をダミーラインＤに合焦し直す第３焦点調整工程を行う（Ｓ９８）。このとき、第２レーザー光Ｒ２の焦点の調整は、上述した第１焦点調整工程と同様の方法により行うことが可能である。
【００５８】
そして図１３に示すように、リッド基板用ウエハ５０における表面５０ｂの表層部分にレーザー光Ｒ２を照射し、ウエハ接合体６０にスクライブラインＭ’を形成する（Ｓ９５：スクライブ工程）。スクライブ工程（Ｓ９５）では、上述した第２レーザー８８を用い、レーザー照射領域のリッド基板用ウエハ５０の表層部分を溶融させる。具体的には、トリミング工程（Ｓ９４）と同様に、第２レーザー８８とウエハ接合体６０とを平行に相対移動させ、圧電振動子１の輪郭線Ｍに沿って第２レーザー８８を走査する。すると、リッド基板用ウエハ５０の表層部分がレーザー光Ｒ２を吸収して加熱されることで、リッド基板用ウエハ５０が溶融し、Ｖ溝状のスクライブラインＭ’が形成される。なお、上述したように第１レーザー８７と第２レーザー８８とは、各圧電振動子１の輪郭線Ｍに沿って走査される。これにより、接合材２３が剥離されたトリミングラインＴとスクライブラインＭ’とは、ウエハ接合体６０を厚さ方向からみて重なるように配置されることになる。
【００５９】
本実施形態のスクライブラインＭ’は、幅寸法が１４μｍ程度、深さ寸法が１１μｍ程度に形成されている。なお、幅寸法Ｗに対する深さ寸法Ｄの倍率を同等に設定することがより好ましい。なお、スクライブ工程（Ｓ９５）のその他の条件としては、例えば第２レーザー８８の加工点出力が２５０ｍＷ〜６００ｍＷ、パルスエネルギーが１００μＪ、加工閾値フルーエンスが３０Ｊ／（ｃｍ２・ｐｕｌｓｅ）、走査速度が４０ｍｍ／ｓｅｃ〜６０ｍｍ／ｓｅｃ、アパーチャーが１０ｍｍ、周波数が６５ｋＨｚ程度に設定することが好ましい。
なおこの後、スクライブラインＭ’を形成する際に生じたデブリを除去するデブリ除去工程を行ってもよい。
【００６０】
次に、スクライブラインＭ’が形成されたウエハ接合体６０を、１つ１つのパッケージ１０に切断する切断工程を行う（Ｓ１００）。
切断工程（Ｓ１００）では、まず図１４に示すように、リングフレーム８１の他方の面８１ｃに、貫通孔８１ｂを塞ぐようにセパレーター（保護シート）８３を貼り付ける（Ｓ１０１）。セパレーター８３は、ブレーキング工程（Ｓ１０３）において、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂを保護するとともに、ＵＶテープ８０とセパレーター８３とによってリングフレーム８１を塞ぐことで、ブレーキング時に発生する微小な塵埃等が後述するブレーキング装置７９内へ飛散することを防ぐためのものである。このようなセパレーター８３は、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム（いわゆる、ＰＥＴ材）等によって、厚さが２０μｍ以上３０μｍ以下に形成されており、本実施形態では厚さ２５μｍのセパレーター８３を用いている。セパレーター８３の厚さが２０μｍよりも薄いと、後述するブレーキング工程（Ｓ１０３）において、セパレーター８３がウエハ接合体６０とともに切断される虞があるため好ましくない。一方、セパレーター８３の厚さが３０μｍよりも厚いと、セパレーター８３からウエハ接合体６０に作用する割断応力がセパレーター８３で緩和され、ウエハ接合体６０がスムーズに切断されず、切断面の表面精度が低下する虞があるため好ましくない。
【００６１】
そして、ウエハ接合体６０は、ＵＶテープ８０とセパレーター８３とにより挟持された状態で、リングフレーム８１の貫通孔８１ｂ内に保持される。この状態でウエハ接合体６０をブレーキング装置７９内に搬送する（Ｓ１０２）。
【００６２】
ブレーキング装置７９は、ウエハ接合体６０を載置するためのステージ７５と、ウエハ接合体６０を切断するための切断刃７０と、ステージ７５の下方（ウエハ接合体６０の載置面とは反対側）に配置されたＣＣＤカメラ（撮像手段）７４とを備えている。ステージ７５はシリコンラバー７１により構成されている。シリコンラバー７１は、光学的な透明材料により台状に形成されている。また、切断刃７０は、刃渡りの長さがウエハ接合体６０の直径よりも長く形成され、刃先角度θが例えば６０度〜９０度程度に形成されている。
この場合、ブレーキング装置７９内では、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂをステージ７５に向けた状態でウエハ接合体６０がセットされる。すなわち、シリコンラバー７１上にセパレーター８３を介してウエハ接合体６０が載置されることになる。
【００６３】
そして、ブレーキング装置７９内でセットされたウエハ接合体６０に対して、割断応力を加えるブレーキング工程を行う（Ｓ１０３）。ブレーキング工程（Ｓ１０３）では、まず切断刃７０がスクライブラインＭ’（トリミングラインＴ）上に配置されるように位置合わせを行う。具体的には、ステージ７５の下方に配置されたＣＣＤカメラ７４により、リッド基板用ウエハ５０上におけるスクライブラインＭ’の位置を検出し、この検出結果に基づいて切断刃７０をウエハ接合体６０の面方向に移動させる。これにより、切断刃７０の位置合わせを行うことができる。その後、切断刃７０をウエハ接合体６０の厚さ方向に移動（下降）させ、切断刃７０の刃先をベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに押し当てる。その後、ウエハ接合体６０の厚さ方向に沿って押し込むように、所定のストローク（例えば、５０μｍ程度）で切断刃７０を移動させる。この際、ウエハ接合体６０に所定の荷重（例えば、１０ｋｇ／ｉｎｃｈ）が付与される。
【００６４】
これにより、ウエハ接合体６０には、厚さ方向に沿ってクラックが発生し、ウエハ接合体６０がリッド基板用ウエハ５０上に形成されたスクライブラインＭ’に沿って折れるように切断される。この際、本実施形態のブレーキング装置７９は、ウエハ接合体６０がステージ７５のシリコンラバー７１上にセットされているため、切断刃７０をウエハ接合体６０に押し込むことで、シリコンラバー７１が弾性変形する。これに伴い、ウエハ接合体６０がシリコンラバー７１の表面に倣ってステージ７５に向かって湾曲するように僅かに撓み変形する。これにより、ウエハ接合体６０に付与される割断応力がスクライブラインＭ’の底頂部に集中し易くなる。さらに、切断刃７０とウエハ接合体６０との接触点以外に作用する、切断刃７０による荷重がシリコンラバー７１に逃げる（吸収または減衰する）ことになる。
【００６５】
これにより、ウエハ接合体６０に対して荷重を加えた場合に、スクライブラインＭ’の底頂部がクラック発生の起点となり、ウエハ接合体６０にはリッド基板用ウエハ５０の表面５０ａからベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに向かって厚さ方向に沿ってクラックが進行し易くなる。その結果、ウエハ接合体６０が溝に沿って折れるように切断されることになる。また、上述した割断応力とはスクライブラインＭ’から離間する方向（各パッケージ１０が離間する方向）に発生する引張応力である。
【００６６】
そして、上述した方法により各スクライブラインＭ’毎に切断刃７０を押し当てることで、ウエハ接合体６０を輪郭線Ｍ毎のパッケージに一括して分離することができる。その後、ウエハ接合体６０に貼り付けられたセパレーター８３を剥離する（Ｓ１０４）。
【００６７】
次に、マガジン８２のＵＶテープ８０に対してＵＶ照射し、ＵＶテープ８０の粘着力を僅かに低下させる（Ｓ１１１）。なお、この状態では、ウエハ接合体６０は未だＵＶテープ８０に貼り付いた状態である。
【００６８】
次に、後述するエクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うために、図１５に示すように、ウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１内に搬送する（Ｓ１１２）。そこで、まずエクスパンド装置９１について説明する。
エクスパンド装置９１は、リングフレーム８１がセットされる円環状のベースリング９２と、ベースリング９２の内側に配置され、ウエハ接合体６０よりも大径に形成された円板状のヒーターパネル９３とを備えている。ヒーターパネル９３は、ウエハ接合体６０がセットされるベースプレート９４に伝熱型のヒーター（不図示）が搭載されたものであり、ヒーターパネル９３の中心軸がベースリング９２の中心軸に一致するように配置されている。また、ヒーターパネル９３は、図示しない駆動手段によって軸方向に沿って移動可能に構成されている。なお、図示しないがエクスパンド装置９１は、ベースリング９２上にセットされるリングフレーム８１を、ベースリング９２との間で挟持する押え部材も備えている。
【００６９】
このような装置を用いてエクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うには、まずウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１にセットする前に、後述するグリップリング８５のうち、内側リング８５ａをヒーターパネル９３の外側にセットする。この時、内側リング８５ａは、ヒーターパネル９３に固定され、ヒーターパネル９３の移動時にともに移動するようにセットされる。なお、グリップリング８５は、内径がヒーターパネル９３の外径よりも大きく、リングフレーム８１の貫通孔８１ｂの内径よりも小さく形成された樹脂製のリングであり、内側リング８５ａと、内径が内側リング８５ａの外径と同等に形成された外側リング８５ｂ（図１６参照）とで構成されている。すなわち、内側リング８５ａは外側リング８５ｂの内側に嵌まり込むようになっている。
【００７０】
その後、マガジン８２に固定されたウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１にセットする。この時、ＵＶテープ８０側をヒーターパネル９３及びベースリング９２に向けてウエハ接合体６０をセットする。具体的に、ウエハ接合体６０の裏面４０ｂとヒーターパネル９３とを対向させるとともに、リングフレーム８１の一方の面８１ａとベースリング９２とを対向させた状態で、ウエハ接合体６０をエクスパンド装置９１にセットする。
これにより、ヒーターパネル９３上にＵＶテープ８０を介してウエハ接合体６０がセットされる。そして、図示しない押え部材によってリングフレーム８１をベースリング９２との間に挟持する。
【００７１】
次に、ヒーターパネル９３のヒーターによってＵＶテープ８０を５０℃以上に加熱する。ＵＶテープ８０を５０℃以上に加熱することで、ＵＶテープ８０が軟化して延伸し易くなる。そして、図１６に示すように、ＵＶテープ８０を加熱した状態でヒーターパネル９３を内側リング８５ａとともに上昇させる（図１６中矢印参照）。この時、リングフレーム８１はベースリング９２と押え部材との間で挟持されているので、ＵＶテープ８０がウエハ接合体６０の径方向外側に向かって延伸する。これにより、ＵＶテープ８０に貼着されたパッケージ１０同士が離間し、隣接するパッケージ１０間のスペースが拡大する。そして、この状態で内側リング８５ａの外側に外側リング８５ｂをセットする。具体的には、内側リング８５ａと外側リング８５ｂとの間にＵＶテープ８０を挟んだ状態で、両者を嵌め合わせる。これにより、ＵＶテープ８０が延伸された状態でグリップリング８５に保持される。そして、グリップリング８５の外側のＵＶテープ８０を切断し、リングフレーム８１とグリップリング８５とを分離する（Ｓ１１４）。
【００７２】
図１８は、保護膜形成工程を説明するための図であって、複数の圧電振動子がＵＶテープに貼り付けられた状態を示す断面図である。
次に、図１８に示すように、パッケージ１０を保護膜１１によってコーティングする保護膜形成工程（Ｓ１１５）を行う。具体的には、まず複数のパッケージ１０を、ＵＶテープ８０に貼り付けられた状態でスパッタリング装置のチャンバー内に搬送し、リッド基板３が保護膜１１の成膜材料（ターゲット）に対向するようにセットする。この状態でスパッタリングを行うことで、リッド基板３の表面３ｄ及びパッケージ１０の側面１０ａ上に成膜材料から飛び出した原子が付着する。これにより、リッド基板３の表面３ｄからパッケージ１０の側面１０ａの全域に亘って、保護膜１１が形成される。
【００７３】
この場合、接合材２３はパッケージ１０の側面１０ａに露出しているので、接合材２３を覆うように保護膜１１を形成するには、全てのパッケージ１０を側面１０ａが露出するように離間配置する必要がある。
そこで、本実施形態によれば、エクスパンド工程において複数のパッケージ１０が分離した状態を利用して保護膜形成工程を行うので、全てのパッケージ１０を改めて離間配置する必要がなく、製造効率を向上させることができる。すなわち、各パッケージ１０間のスペースを確保した状態で保護膜１１を形成できるので、各パッケージ１０におけるベース基板２とリッド基板３との間から露出する接合材２３に対して均一に保護膜１１を形成できる。
また、エクスパンドされたＵＶテープ８０上に複数のパッケージ１０を貼り付けた状態でスパッタリングを行うことで、個片化された複数のパッケージ１０に対して一括して保護膜１１を形成できるので、パッケージ１０に個別で保護膜１１を形成する場合に比べて製造効率の向上を図ることができる。さらに、スパッタリング装置への搬送時や成膜時におけるパッケージ１０の移動を抑制できる。
【００７４】
また、ベース基板２の裏面２ａ側にＵＶテープ８０が貼り付けられた状態で、リッド基板３側からスパッタリングを行うことで、ベース基板２の裏面２ａ側への成膜材料の回り込みを抑制できる。そのため、外部電極６，７への成膜材料の付着を抑制できるので、保護膜１１によって各外部電極６，７間が架け渡されるのを抑制できる。これにより、保護膜１１にＣｒ等の導電性金属材料を用いた場合であっても、外部電極６，７間の短絡を抑制できる。また、本実施形態では、外部電極６，７の側面がベース基板２の側面２ｃよりも内側に位置しているため、保護膜１１の周縁端部と外部電極６，７との間は間隙部１２（図２参照）を挟んで離間配置される。そのため、仮に成膜材料がベース基板２の裏面２ａ側に僅かに回り込んだとしても、保護膜１１と外部電極６，７とが連続的に架け渡されるのを抑制できる。
【００７５】
なお、本実施形態では、リッド基板３の表面３ｄに対向するように成膜材料が配置されるため、パッケージ１０の側面１０ａに比べてリッド基板３の表面３ｄの方が、成膜材料が付着し易い。具体的に、リッド基板３の表面３ｄとパッケージ１０の側面１０ａとの成膜速度比は３〜４：１程度となる。成膜速度比を小さくするためには、グリップリング８５（パッケージ１０）を自転させながらスパッタリングを行うことが好ましい。
【００７６】
次に、保護膜１１が形成された圧電振動子１を取り出すためのピックアップ工程を行う。ピックアップ工程（Ｓ１１６）では、まずＵＶテープ８０に対してＵＶ照射し、ＵＶテープ８０の粘着力を低下させる。これにより、ＵＶテープ８０から圧電振動子１が剥離される。その後、画像認識等により各圧電振動子１の位置を把握して、ノズル等により吸引することで、ＵＶテープ８０から剥離された圧電振動子１を取り出していく。このように、ＵＶテープ８０にＵＶ照射してＵＶテープ８０から圧電振動子１を剥離することで、個片化された圧電振動子１を取り出し易くすることができる。なお、本実施形態では上述したブレーキング工程（Ｓ１０３）おいて、リッド基板用ウエハ５０のスクライブラインＭ’に沿って個片化を行うため、個片化された圧電振動子１のリッド基板３の上部周縁にはスクライブラインＭ’によってＣ面取りが施された面取り部９０が形成される。
以上により、互いに陽極接合されたベース基板２とリッド基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片５が封止された、図１に示す２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。これにより、個片化工程が終了する。
【００７７】
その後、内部の電気特性検査を行う（Ｓ１１０）。すなわち、圧電振動片５の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
【００７８】
図１９はマーキング工程を説明するための図であって、図１に相当する圧電振動子の外観斜視図である。
電気特性検査及び外観検査が完了し、検査に合格した圧電振動子１に対して、最後にマーキング１３を施す（Ｓ１２０）。図１９に示すように、マーキング１３は、リッド基板３の表面３ｄに対して鉛直方向からレーザー光Ｒ３を照射して、リッド基板３の表面３ｄ上の保護膜１１を除去することで、製品の種類、製品番号及び製造年月日等を刻印する。
このように、保護膜１１を除去してマーキング１３を施すことで、マーキング１３を施すためにめっき膜等を別途形成する必要がないので、製造効率を向上できる。
【００７９】
なお、マーキング工程（Ｓ１２０）ではレーザー光Ｒ３の出力を、保護膜１１のみを貫通する程度に調整することが好ましい。これにより、レーザー光Ｒ３がベース基板２を透過してキャビティＣ内に到達するのを抑制できる。つまり、レーザー光Ｒ３が圧電振動片５に照射されるのを抑制して、圧電振動片５へのダメージを抑制できるため、圧電振動片５の電気特性（周波数特性）に影響が及ぶのを抑制できる。
また、ベース基板２でのレーザー光Ｒ３の透過を確実に抑制するためには、ガラス材料での吸収率が高いレーザーを用いることが好ましく、このようなレーザーとしては、例えば波長が１０．６μｍのＣＯ2レーザーや、波長が２６６ｎｍの第４高調波レーザー等を用いることが可能である。さらに、これらレーザーのうち、波長が比較的長いＣＯ2レーザーを用いることで、ベース基板２へのダメージをより確実に抑制できる。
【００８０】
このように、本実施形態では、第１焦点調整工程（Ｓ９５）により接合材２３に対して正確に第２レーザー光Ｒ２を合焦させた後、第２焦点調整工程（Ｓ９６）を経て、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにダミーラインＤを形成するので、ベース基板用ウエハ４０の厚さや、接合材２３の厚さ等に作用されずに、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂ上に確実にダミーラインＤを形成することができる。したがって、スクライブ工程（Ｓ９９）の際、第３焦点調整工程（Ｓ９８）によってダミーラインＤに合焦された第２レーザー光Ｒ２を用いてスクライブラインＭ’を形成することにより、スクライブラインＭ’をリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂに精度よく形成することができる。
このように、ウエハ接合体６０の厚さを１つずつ測定するといった作業を何ら行うことなく、スクライブラインＭ’を効率よく形成することができる。
【００８１】
さらに第１焦点調整工程（Ｓ９５）の際、各ウエハ４０、５０同士を接合する接合材２３を撮像しているので、第１焦点調整工程（Ｓ９５）を行うために、新たな構成要素をウエハ接合体６０に付加する必要がなく、ウエハ接合体６０の構造が複雑になるのを抑制するとともに、ウエハ接合体６０の切断を効率よく行うことができる。
また、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）の際に形成したダミーラインＤを撮像することにより、第２レーザー光Ｒ２をダミーラインＤに対して正確かつ円滑に合焦し直すことができる。したがって、擦れ痕や異物などを指標として撮像する場合とは異なり、前述の作用効果が顕著に奏される。
そして、第１焦点調整工程（Ｓ９５）からスクライブ工程（Ｓ９９）を一連の流れとして連続して行うことができるので、ウエハ接合体６０に予めダミーラインＤのような構成を形成しておく必要がなく、ウエハ接合体６０の切断を一層効率よく行うことができる。
【００８２】
また、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）の際、ダミーラインＤを直線状に形成するので、第３焦点調整工程（Ｓ９８）の際、ダミーラインＤの延在方向に沿った複数箇所において第２レーザー光Ｒ２を合焦し直すことが可能になり、スクライブラインＭ’をリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂに一層精度よく形成することができる。
またこのとき、ダミーラインＤを、切断予定線Ｍに平行な直線状に形成するので、第２レーザー８８の装置構成の簡素化を図ることができる。
さらに、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）の際、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂのうち、パッケージの形成領域を外した部分にダミーラインＤを形成するので、歩留まりを確実に向上させることができる。
【００８３】
また本実施形態では、ステージ７５のシリコンラバー７１上にウエハ接合体６０をセットした状態でブレーキング工程を行う構成とした。
この構成によれば、スクライブラインＭ’に沿ってウエハ接合体６０に切断刃７０を押し当てることで、シリコンラバー７１が弾性変形し、ウエハ接合体６０がシリコンラバー７１の弾性変形に倣ってシリコンラバー７１に向かって湾曲するように僅かに撓み変形する。これにより、ウエハ接合体６０に付与される割断応力がスクライブラインＭ’の底頂部に集中し易くなる。
その結果、ウエハ接合体６０に対して割断応力を加えた場合に、スクライブラインＭ’の底頂部がクラック発生の起点となり、ウエハ接合体６０におけるリッド基板用ウエハ５０の表面５０ａからベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに向かってクラックが進行しやすくなって、ウエハ接合体６０がスクライブラインＭ’に沿って折れるように切断されることになる。
したがって、ウエハ接合体６０をスクライブラインＭ’に沿ってよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。そのため、クラッシュの発生を抑えるとともに、チッピングの発生も抑え、残留応力の痕跡がない、良好な切断面を得ることができる。これにより、ウエハ接合体６０から圧電振動子１を所望のサイズに切断することができる。その結果、１枚のウエハ接合体６０から良品として取り出される圧電振動子１の数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００８４】
また、ブレーキング工程において、切断刃７０の先端をベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに接触させた状態で、ウエハ接合体６０の厚さ方向に沿って押し込むように切断刃７０を移動させることで、スクライブラインＭ’に沿って確実に割断応力を加えることができる。そのため、ウエハ接合体６０の厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。また、従来のようにウエハ接合体に対して切断刃を落下させる場合に比べて、切断刃とウエハ接合体６０との衝突によるチッピングの発生等を防止することができる。したがって、より良好な切断面を得ることができる。
【００８５】
さらに、本実施形態ではウエハ接合体６０に切断刃７０を接触させる際、ＣＣＤカメラ７４により検出されたスクライブラインＭ’の位置に基づいて切断刃７０を位置合わせする構成とした。
この構成によれば、スクライブラインＭ’と切断刃７０とを位置合わせすることで、スクライブラインＭ’に沿って確実に割断応力を付与することができるので、ウエハ接合体６０をよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。
【００８６】
本実施形態では、マガジン８２のセパレーター８３がウエハ接合体６０とシリコンラバー７１との間に介在することになるので、仮にウエハ接合体６０の切断時に微小な塵埃等が飛散した場合には、塵埃等をシリコンラバー７１により捕捉することができる。
その結果、シリコンラバー７１上に載置されるウエハ接合体６０が塵埃等に当接して傷付くことを防止できる。また、ウエハ接合体６０を常にシリコンラバー７１に密着させた状態で載置することができるので、ウエハ接合体６０の載置時におけるガタツキ等を防止し、ウエハ接合体６０を厚さ方向に沿って確実に切断することができる。
【００８７】
また、ＵＶテープ８０の厚さが１６０μｍ以上であることから、エクスパンド工程（Ｓ１１３）においてＵＶテープ８０が破断し難くなっているので、スクライブ工程（Ｓ９５）等で使用したＵＶテープ８０を交換することなく、そのままエクスパンド工程（Ｓ１１３）で用いることができる。すなわち、エクスパンド工程（Ｓ１１３）に先立って、ＵＶテープ８０の張替え工程等を行う必要がないので、製造効率の低下及び製造コストの増加を防止することができる。
一方、厚さが１８０μｍ以下に形成されたＵＶテープ８０を用いることで、ＵＶテープ８０を延伸させるために必要な力を抑制することができるので、製造効率を向上させることができる。また、市場において容易に調達することができるので、ＵＶテープ８０に要する材料コストを低下させることができる。
【００８８】
しかも、本実施形態では、ウエハ接合体６０を個片化した後、エクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うことで、隣接する各圧電振動子１（パッケージ１０）間隔を均等に広げることができるので、隣接する圧電振動子１同士を確実に分離することができる。したがって、エクスパンド工程（Ｓ１１３）後にＵＶテープ８０から圧電振動子１を取り出す際、個片化された圧電振動子１を認識し易くなるので（認識精度が向上するので）、各圧電振動子１を容易に取り出すことができる。
また、エクスパンド工程（Ｓ１１３）後にＵＶテープ８０から圧電振動子１を取り出す際、隣接する圧電振動子１との接触等を防ぎ、圧電振動子１同士の接触によるチッピングの発生等を防止して、圧電振動子１の割れを防ぐことができる。よって、１枚のウエハ接合体６０から良品として取り出される圧電振動子１の数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００８９】
なお、スクライブ工程（Ｓ９５）に先立って輪郭線Ｍ上の接合材２３を剥離してトリミングラインＴを形成することで、ブレーキング時にウエハ接合体６０の厚さ方向へのクラック進行を促進するとともに、ウエハ接合体６０の面方向へのクラック進行を防ぐことができる。
【００９０】
また、本実施形態の圧電振動子１のリッド基板３は、その周縁部に面取り部９０が形成されている構成とした。
この構成によれば、ピックアップ工程（Ｓ１１０）において、仮に個片化された圧電振動子１を取り出す際に、圧電振動子１を取り出すための器具が、圧電振動子１の角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができる。そのため、チッピングをきっかけに圧電振動子１が割れることがない。
これにより、キャビティＣ内の気密が確保することができ、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。
なお、面取り部９０は、第２レーザー８８によりスクライブラインＭ’を形成した後、スクライブラインＭ’に沿って切断することで自動的に形成することができるので、切断後の圧電振動子１にそれぞれ面取り部９０を形成する必要がない。その結果、面取り部を別工程で形成する場合に比べてコスト上昇を抑制し、作業効率を向上させることができる。
【００９１】
また、本実施形態では、パッケージ１０の外面に接合材２３よりも腐食性の高い保護膜１１によって接合材２３を被覆する構成とした。
この構成によれば、保護膜１１により接合材２３を覆うことで、接合材２３が外部に曝されることがないので、接合材２３と大気との接触を抑制して、大気中の水分等による接合材２３の腐食を抑制できる。この場合、保護膜１１は接合材２３よりも耐腐食性の高い材料により構成されているので、保護膜１１の腐食により接合材２３が露出するのを抑制できるので、接合材２３の腐食を確実に抑制できる。そのため、キャビティＣ内の気密を長期に亘って安定した状態に維持でき、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供できる。
【００９２】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図２０を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図２０に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００９３】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。
これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００９４】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【００９５】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図２１を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００９６】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図２１に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００９７】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００９８】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００９９】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【０１００】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【０１０１】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。さらに、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【０１０２】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【０１０３】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【０１０４】
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２２を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図２２に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【０１０５】
（電波時計）
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【０１０６】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【０１０７】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【０１０８】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、電波時計自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
【０１０９】
なお、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、トリミング工程（Ｓ９４）を行うものとしたが、行わなくてもよい。
【０１１０】
また、上述した実施形態では、第２焦点調整工程（Ｓ９６）の後、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）を行い、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにダミーラインＤを形成するものとしたが、この表面５０ｂにレーザー痕からなる被検出部を形成すれば、ダミーラインＤでなくてもよい。例えば、直線状ではない被検出部を形成してもよく、直線状であっても切断予定線Ｍと非平行な被検出部を形成してもよい。
【０１１１】
また上述した実施形態では、ブレーキング工程（Ｓ１０３）の前に、リングフレーム８１の他方の面８１ｃに、貫通孔８１ｂを塞ぐようにセパレーター８３を貼り付ける（Ｓ１０１）ものとしたが、これに限られるものではない。例えば、セパレーター８３の外周縁を、ＵＶテープ８０においてリングフレーム８１よりも内側に位置する部分（貫通孔８１ｂを一方の面８１ｃから塞ぐ部分）に貼り付けてもよい。またセパレーター８３はなくてもよい。
【０１１２】
また、上述した実施形態では、ブレーキング工程においてリッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂにスクライブラインＭ’を形成する一方、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂから切断刃７０を押し当てる場合について説明したが、これに限られない。例えば、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂにスクライブラインＭ’を形成する一方、リッド基板用ウエハ５０の表面５０ｂから切断刃７０を押し当ててもよい。
【０１１３】
また上述した実施形態では、ブレーキング工程（Ｓ１０３）の際、切断刃７０を用いてウエハ接合体６０に割断応力を付与するものとしたが、異なる方法で割断応力を付与することも可能である。
さらに上述した実施形態では、エクスパンド工程（Ｓ１１３）を行うものとしたが、行わなくてもよい。
さらにまた上述した実施形態では、ウエハ接合体６０の切断に際し、マガジン８２を用いたが、用いなくてもよい。
【０１１４】
また、圧電振動子の製造方法は、第１焦点調整工程（Ｓ９５）と、第２焦点調整工程（Ｓ９６）と、ダミーライン形成工程（Ｓ９７）と、第３焦点調整工程（Ｓ９８）と、スクライブ工程（Ｓ９９）と、切断工程（Ｓ１００）とを有する接合ガラスの切断方法を用いていれば、上述した実施形態に示したものに限られない。
例えば、保護膜形成工程（Ｓ１１５）はなくてもよい。
また、この方法で製造される圧電振動子１が、圧電振動片として音叉型の圧電振動片５とは異なる構造、例えば厚み滑り振動片等を備えていてもよい。さらに、ベース基板２に凹部３ａを形成してもよく、両基板２，３に凹部３ａをそれぞれ形成してもよい。
【０１１５】
また上述した実施形態では、上述した接合ガラスの切断方法を用いて、圧電振動片５がキャビティＣに封入された圧電振動子１を製造するものとしたが、圧電振動片とは異なる電子部品がキャビティに封入可能なパッケージを製造することも可能である。
さらに、上述した接合ガラスの切断方法は、パッケージ製造の一工程として用いなくてもよく、接合ガラスを切断するときに単独で適用可能である。
【０１１６】
また上述した実施形態では、上述した接合ガラスの切断方法を用いて、２枚のウエハ４０，５０が接合材２３を介して接合されたウエハ接合体６０を切断するものとしたが、３枚以上のガラス基板が接合材を介して接合されてなる接合ガラスの切断にも、上述した接合ガラスの切断方法を適用することが可能である。
【０１１７】
その他、本発明の趣旨に逸脱しない範囲で、前記実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、前記した変形例を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１１８】
１…圧電振動子（パッケージ）
２…ベース基板（ガラス基板）
３…リッド基板（ガラス基板）
４…圧電振動片（電子部品）
２３…接合膜（接合材）
６０…ウエハ接合体（接合ガラス）
１００…発振器
１１０…携帯情報機器（電子機器）
１３０…電波時計
Ｃ…キャビティ
Ｍ’…スクライブライン（溝）
Ｒ1…レーザー光
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のガラス基板の接合面同士が接合材を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、
前記接合ガラスの一方の面側から前記接合材を撮像することで、前記一方の面側から前記接合ガラスに照射可能なレーザー光を前記接合材に合焦させる第１焦点調整工程と、
前記第１焦点調整工程の後、前記レーザー光の焦点を、前記接合ガラスの厚さ方向に沿った前記接合ガラスの一方の面側に向けて、前記照射がなされる前記ガラス基板の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、
前記第２焦点調整工程の後、前記レーザー光を照射して前記一方の面に被検出部を形成する被検出部形成工程と、
前記一方の面側から前記被検出部を撮像することで、前記レーザー光を前記被検出部に合焦し直す第３焦点調整工程と、
前記第３焦点調整工程の後、前記レーザー光を前記切断予定線に沿って照射して、前記切断予定線に沿って前記一方の面に溝を形成する溝形成工程と、
前記切断予定線に沿って割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項２】
請求項１記載の接合ガラスの切断方法であって、
前記被検出部形成工程の際、前記被検出部を、前記切断予定線に平行な直線状に形成することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の接合ガラスの切断方法を使用して、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージを製造する方法であって、
前記切断工程では、複数の前記パッケージの形成領域を隔する前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断することを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のパッケージの製造方法であって、
前記被検出部形成工程の際、前記一方の面のうち、前記パッケージの形成領域を外した部分に前記被検出部を形成することを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載のパッケージの製造方法を用いて形成されたパッケージであって、
前記接合ガラスの前記一方の面により構成される面の外周縁部に、前記溝が割断されてなる面取り部を有していることを特徴とするパッケージ。
【請求項６】
請求項５記載のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
【請求項７】
請求項６記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項６記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項６記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【請求項１】
複数のガラス基板の接合面同士が接合材を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、
前記接合ガラスの一方の面側から前記接合材を撮像することで、前記一方の面側から前記接合ガラスに照射可能なレーザー光を前記接合材に合焦させる第１焦点調整工程と、
前記第１焦点調整工程の後、前記レーザー光の焦点を、前記接合ガラスの厚さ方向に沿った前記接合ガラスの一方の面側に向けて、前記照射がなされる前記ガラス基板の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、
前記第２焦点調整工程の後、前記レーザー光を照射して前記一方の面に被検出部を形成する被検出部形成工程と、
前記一方の面側から前記被検出部を撮像することで、前記レーザー光を前記被検出部に合焦し直す第３焦点調整工程と、
前記第３焦点調整工程の後、前記レーザー光を前記切断予定線に沿って照射して、前記切断予定線に沿って前記一方の面に溝を形成する溝形成工程と、
前記切断予定線に沿って割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項２】
請求項１記載の接合ガラスの切断方法であって、
前記被検出部形成工程の際、前記被検出部を、前記切断予定線に平行な直線状に形成することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の接合ガラスの切断方法を使用して、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージを製造する方法であって、
前記切断工程では、複数の前記パッケージの形成領域を隔する前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断することを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のパッケージの製造方法であって、
前記被検出部形成工程の際、前記一方の面のうち、前記パッケージの形成領域を外した部分に前記被検出部を形成することを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載のパッケージの製造方法を用いて形成されたパッケージであって、
前記接合ガラスの前記一方の面により構成される面の外周縁部に、前記溝が割断されてなる面取り部を有していることを特徴とするパッケージ。
【請求項６】
請求項５記載のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
【請求項７】
請求項６記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項６記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項６記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−２０９６３５（Ｐ２０１２−２０９６３５Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７１７３５（Ｐ２０１１−７１７３５）
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
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