【課題】少なくとも１つのパケットに対して汚染なしに化学的または物理的処理を行うためのマイクロ流体デバイスおよび方法を提供する。
【解決手段】マイクロ流体デバイス１において、該デバイスが、軸Ｘを有するマイクロチャネル２、および下記の少なくとも１つを含むパケット操作手段を含むところのデバイス、発電ユニット９、および上記発電ユニット９に連結されかつ、上記マイクロチャネルの少なくとも一部分の内部に、上記マイクロチャネルの軸Ｘと実質的に共線的である電場を作るように構成された電極アッセンブリ３、ここで、上記発電ユニット９は、マイクロチャネルにおいて少なくとも１つのパケットを変形させるまたは少なくとも２つのパケットを互いの方に移動させるような振幅および周波数を有する電場を発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】圧電アクチュエータの力を効率よく利用してミラーの回転方向に大きな変位を得るとともに、垂直方向の並進運動を大幅に抑制する。
【解決手段】ミラー部（12）を挟んで両側に一対の圧電アクチュエータ部（14）が配置される。圧電アクチュエータ部（14）の一端（14A）は連結部（16）を介してミラー部（12）の端部（12A）に接続され、圧電アクチュエータ部（14）の他端（14B）は固定部（30）に固定支持される。また、ミラー部（12）は、垂直方向への並進運動する抑制する垂直移動抑制構造(32)を介して固定部（30）に接続されている。回転軸（18）付近に接続されるトーションバー（20）とトーションバー（20）の基端部を支持するトーションバー支持部（22）とにより垂直移動抑制構造（32）を構成できる。 （もっと読む）

【課題】基板面に対して大きく傾斜した（或いは垂直に近い）半透過反射面に酸化シリコン膜を均一に形成し得る光学部品の製造方法、並びにこの方法により製造された光学部品を提供する。
【解決手段】光透過性光学部品１２を製造する方法であって、板状部材のシリコン領域１１をエッチングして凹部を形成する第１のエッチング工程と、凹部の内側面を熱酸化させて酸化シリコン膜１４を形成する熱酸化工程と、酸化シリコン膜１４を覆う窒化シリコン膜１６を形成する窒化膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 テーパー面を備えた膜支持部を有する微小機械音響トランスデューサを提供する。
【解決手段】 微小機械音響トランスデューサの製造方法は、基板構成の第１主面上に、第１のエッチング速度およびこれより低い第２のエッチング速度をそれぞれ有する第１および第２の膜支持材料の連続的な層を堆積させるステップを含んでいる。次いで膜材料層が堆積される。キャビティが、膜支持材料および膜材料の反対側にある基板構成の側から、少なくとも当該キャビティが第１の膜支持材料層へ延長するまで、基板構成内に形成される。第１および第２の膜支持材料層は、同様に第１の領域を囲む第２の領域にあるキャビティの延長部分に位置する少なくとも１個の第１の領域のキャビティを通してエッチング剤を適用することによりエッチングされる。エッチングにより、第２の領域内の第２の膜支持材料層の上にテーパー面が形成される。エッチングは、少なくとも第２の膜支持材料層が第１の領域内で除去されて膜材料層が露出するまで続く。 （もっと読む）

【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むＭＥＭＳ装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、絶縁層の除去が機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの基板１４に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板１４に固定される。 （もっと読む）

【課題】異方性及び形状復元性を有する複数のＣＮＴからなり、所望の位置に所望の形状で形成することのできる集合体及びそれを備える２端子スイッチを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ該基板の表面と平行な一方向に配向する複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層を備え、前記カーボンナノチューブ層は、純度；９８質量％以上、本数密度；1.0×10¹²〜4.0×10¹³本/cm²を備え、かつ形状復元性を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体。前記カーボンナノチューブ集合体を備える２端子スイッチ。 （もっと読む）

【課題】一体成形材でできた微細機械部品を、高材料歩留まり、かつ少ない工程で作製する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）作製すべき微細機械部品のためのネガ型キャビティを含む基材を形成するステップ、（ｂ）基材の一部に犠牲層を形成するステップ、（ｃ）微細機械部品の骨子となる粒子を基材上に被着するステップ、（ｄ）犠牲層を除去することにより基材の一部を選択的に粒子が全く無い状態にするステップ、（ｅ）粒子が残存する箇所にのみ被着するように、化学気相蒸着法によって材料の層を被着するステップ、（ｆ）上記ネガ型キャビティに形成した微細機械部品を外すために、基材を除去するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素を用いたＭＥＭＳの一層の小型化を実現する。
【解決手段】半導体素子１は、半絶縁性の支持基板１１と、支持基板１１の表面における一部の領域に形成されたドープ層１２と、支持基板１１の表面を覆うとともにドープ層１２の一部が露呈されるようにドープ層１２を覆うグラフィン層１３と、グラフィン層１３の支持基板１１が配置される表面の反対の表面に形成された電極層２１，２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】懸架された膜を含む弾性波共振器の製作方法を提供する。
【解決手段】第一の基板表面上にある第一圧電材料の少なくとも１つの層を含む第一の堆積を作るステップと、少なくとも１つの第二の基板を含む第二の堆積を作るステップと、次の接合ステップの前に、堆積のうちの一つの表面を、突き出たナノ構造物が局部的に与えられたままにしている、抑制された大きさの粒子の堆積又は生成により、少なくとも１つの非接合の開始領域を作るステップと、非接合の開始領域の存在に起因する、堆積同士の間に気泡を作り出す、２つの堆積をダイレクトボンディングするステップと、少なくとも第一の基板を除去するための、第一の堆積の薄層化ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】接点同士が凝着しないように剛性をもたせたアクチュエータ
【解決手段】第１接点が設けられた接点部と、第２接点を移動させて第１接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、積層された第１圧電膜および第２圧電膜と、第１圧電膜における第２圧電膜とは反対の面側に設けられた第１絶縁層と、第２圧電膜における第１圧電膜とは反対の面側に設けられた第２絶縁層と、を有するスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と圧電体とを接合してなる圧電デバイスと、その圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面を加熱し、支持層１ａにおける絶縁酸化膜層１ｂとは反対側の面に熱酸化膜１ｄを形成し、活性層１ｃにおける絶縁酸化膜層１ｂとは反対側の面に熱酸化膜１ｅを形成する。ＳＯＩ基板１上に、接合層を密着させるための密着層４を形成する。そして、密着層４上に、金属ペーストとしてのろう材３ａ_１を介して、ＰＺＴからなる圧電材料２ａの両面に電極層２ｂ１・２ｂ２を順に形成したチップ状の圧電体２を配置する。その後、ろう材３ａ_１を焼成して固めることによって接合層を形成し、接合層によってＳＯＩ基板１と圧電体２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】高温で炭化したセルロース繊維の独特な構造を用いたメソ気孔を持つマイクロチューブルハニカム炭素体およびその製造方法、これを用いたマイクロチューブル反応器モジュールおよびその製造方法、並びにこれを用いた超小型システムに適用可能なマイクロ触媒反応装置の提供。
【解決手段】マイクロ触媒反応装置に用いられるマイクロチューブルハニカム炭素体の製造方法において、蒸留水溶液にセルロースマイクロ繊維を十分に濡らしながら洗浄し、常温で乾燥させる段階と、セルロースマイクロ繊維を高温の熱処理用反応装置に入れて装置内の残存酸素を真空ポンプで除去する段階と、反応装置の温度を制御しながら水素を供給して熱処理する段階とを含むことを特徴とする、セルロース繊維を熱処理して得られたマイクロチューブルハニカム炭素体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を微細加工するとともに制御性良く加工を停止させることを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、及び圧電体薄膜ウェハの加工方法、並びに圧電体薄膜素子、圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．７＜ｘ≦１．０）で表される下地層４を形成する工程と、下地層４上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜５を形成する工程と、基板２上に形成された下地層４及び圧電体薄膜５に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行う工程と、ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第１の開口４の底部に、パターン開口１０を有するパターニングマスク１４’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第２の開口５を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第１の開口内の露出を妨げる遮蔽構造１１’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第２の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ディスク下面に犠牲層の残渣が発生せず、きれいに除去されるようにする。
【解決手段】ディスク型の振動子構造体１と、該振動子構造体１の両側に前記ディスク型振動子構造体の外周部に対して所定の空隙ｇを有して、それぞれ対向して配置される一対の駆動電極２，２と、該駆動電極２，２に同相の交流バイアス電圧を印加する手段と、前記ディスク型振動子構造体１と前記駆動電極２，２との間の静電容量に対応した出力を得る検出手段とを備えた静電駆動型のディスク型振動子において、前記ディスク型振動子構造体１がディスクの中心に貫通孔１ａを有し、ワイン・グラス・モードで振動される。 （もっと読む）

【課題】マイクロ光学素子のキャビティを形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）支持基板（１０）の平面上に犠牲材料層（１２）を形成する段階と、ｂ）キャビティ（４）の底部が前記犠牲材料層によって形成された、前記キャビティの壁（６）を形成する段階と、ｃ）吸収層（３０）を、前記壁の頂上（６０）、前記壁の側面（６１，６２）及び前記キャビティの前記底部（４’）に等角的に堆積する段階と、ｄ）前記犠牲層（１２）をエッチングし、この層の前記材料及び前記キャビティ（４）の前記底部に存在する前記吸収材料の層（３０）の前記材料を除去する段階と、を含むマイクロ光学素子のキャビティ（４）を形成する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】光変調装置の２層の間のキャビティの深度を制御する方法および装置が提供される。
【解決手段】光変調装置を作る方法は、基板を形成するステップと、基板の少なくとも一部の上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層の少なくとも一部の上に反射層を形成するステップと、基板の上に１つまたは複数の屈曲コントローラを形成するステップとを含んでおり、屈曲コントローラは、反射層を動作可能に支持し、犠牲層の除去の際に犠牲層の厚さとはある程度異なる深度のキャビティを形成するように構成されており、深度は基板に対して垂直に測定される。 （もっと読む）

【課題】ＩＭＯＤの或る特定の非アクティブ領域からの反射周辺光の影響を減少させること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第１及び第２の光コンポーネントとを有し、前記第１の光コンポーネントは、２つのモードを有し、該各モードは、前記第１の光コンポーネントに入射した光に対する別々の光学的応答を生じ、前記第２の光コンポーネントは、前記第１のコンポーネントからの周辺光の反射を減少させて光学的応答が周辺光の反射によって劣化させられず、前記第２の光コンポーネントがまた膜スタックを有することを特徴とする光デバイス。 （もっと読む）