【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で安価に温度変化に伴う半田クラックの発生を抑制し、耐ヒートサイクル性能を向上させることができる発振器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成される電極のランドパターン４と、電子部品２が搭載される基板１上に形成されるダミーのランドパターン７と、ダミーのランドパターン７を覆うように形成されるソルダーレジスト８ａと、ダミーのランドパターン７とソルダーレジスト８ａにより電子部品２が持ち上げられ、電子部品２の端部に形成された部品電極３と電極のランドパターン４とを半田接続する実装半田５とを有する発振器である。 （もっと読む）

【課題】応力フリータイプの逆メサ型圧電振動素子を基板上に片持ち支持する場合に、振動基板から十分に離間した両梁部の適所を固定することによって固定部と振動基板との間に梁部を介在させて、固定部で発生する支持応力が振動基板に影響を与えないようにした。
【解決手段】圧電基板が、逆メサ型の振動基板１１と、振動基板の一方の端部寄り位置に固定されて該振動基板を片持ち梁状に支持する支持部２０と、支持部を基板に固定するための固定部３０と、を有し、固定部は、第２の連結部２２に設けられ、且つ基板４に対して固定部材により１点支持により固定され、固定部よりも振動基板の基端部寄りの梁部の特定部位と対向する前記基板の一主面に第１の凸部５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】 大型回路部品の実装半田にクラックが生じるのを低減し、信頼性を向上できる恒温槽付水晶発振器を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成された大型回路部品２の周辺に、それより小さい小型回路部品３ａが複数配置され、複数配置された小型回路部品３ａには、電気的に接続する電子部品と電気的に接続しないダミーの電子部品とが用いられている恒温槽付水晶発振器であり、ヒートサイクルによって基板１の膨張と収縮に起因する歪みが緩和され、大型回路部品２の実装半田にクラックが発生するのを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 大型回路部品の実装半田にクラックが生じるのを低減し、信頼性を向上できる恒温槽付水晶発振器を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成された大型回路部品２の周辺又は下面に、スリット３が形成され、更に、必要に応じて、その大型回路部品２より小さい小型回路部品４が大型回路部品２の周囲に複数配置され、複数配置された小型回路部品４には、電気的に接続する電子部品と電気的に接続しないダミーの電子部品とが用いられている恒温槽付水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】共振器の出力特性に対する浮遊容量の効果が削減又は排除可能であるとともに、容易に実施可能である共振器を提供する。
【解決手段】共振器は、静電力によって起動可能な振動素子１と、振動素子１の第１励起電極２及び第２励起電極３と、を備え、ＡＣ信号生成器は、第１励起電極２及び第２励起電極３に接続され、同じ振幅で且つ逆位相の第１信号及び第２信号を第１励起電極２及び第２励起電極３へ送出する。第１ＤＣ電圧源８は、第３電極４に接続され、第２ＤＣ電圧源９は、第４電極５に接続され、追加電極６は、振動素子１に電気的に接続される。振動素子１の振動を表す信号は、振動素子１のアンカリングポイントによって形成される追加電極６によって提供され、且つ、第３ＤＣ電圧によってバイアスされる。 （もっと読む）

【課題】真空封止を確実に行うことができるパッケージおよびこのパッケージを用いた圧電振動子を提供する。
【解決手段】パッケージは、電子部品が接続されるリード端子と、リード端子の中間部に固着された円環状のプラグ本体４と、を備えた気密端子と、電子部品を収容する有底筒状のケースと、を備え、ケースの開口部がプラグ本体４の外周面４３に圧入固定されたパッケージであって、ケースの開口端面３１における内周縁部３３の少なくとも一部が、ケース３の中心軸Ｃと直交する平面Ｍに対して交差するように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発振用素子の温度変化を低減して安定した発振周波数を得られる恒温型発振器の提供。
【解決手段】回路基板２に装着された導熱板６と、導熱板６における回路基板２との対向面の反対面に搭載された水晶振動子５と、水晶振動子５とともに発振回路を構成する発振用素子７及び水晶振動子５の温度を検出するサーミスタ８と、水晶振動子５を加熱する加熱抵抗９と、サーミスタ８及び加熱抵抗９とともに温度制御回路を構成して少なくともパワートランジスタ１０ａを含む温度制御素子１０とを有する恒温型の水晶発振器１において、導熱板６の外周部には水晶振動子５を中心とした点対称となる位置に少なくとも厚さ方向に連通した開放部が２つ以上形成され、開放部の全てに同数のパワートランジスタ１０ａ及び加熱抵抗９がそれぞれ一つ以上配置された構成とする。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子と回路素子とが積層された圧電デバイスの、低背化を実現する。
【解決手段】圧電デバイスとしての圧電発振器１０は、圧電振動子２０と、回路素子としての半導体素子３１と、フレキシブル回路基板３０とを備え、フレキシブル回路基板３０は、絶縁基材３３と、絶縁基材３３内にあけられた貫通穴３８と、導電リード部３７とを有し、導電リード部３７は、貫通穴３８に突き出した内側リード部３４と、絶縁基材３３に接した基材上配線部３５と、絶縁基材３３の外周部から突き出した外側リード部３６とを有し、内側リード部３４は回路素子電極としての半導体素子電極３２と接続され、基材上配線部３５は振動子電極２５と接合され、外側リード部３６は絶縁基材３３の厚さ方向に折り曲げられ、折り曲げられた外側リード部３６の先端は、絶縁基材３３の厚さの範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度を高めた振動子を提供すること。
【解決手段】本発明の振動子は、厚みすべり振動モードで振動する振動体と、前記振動体の第１の面における、第１の領域に形成された第１の吸着膜と、前記振動体の前記第１の面と対向する第２の面における、第２の領域に形成された第２の吸着膜と、表面に前記振動体を立設された基板と、を備え、前記振動体は、前記第１の面及び前記第２の面とは異なる第３の面において前記基板に接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感温素子および加熱手段を用いて周囲の温度変化に対する周波数の安定化を図る
ようにした恒温型圧電発振器を提供する。
【解決手段】恒温型水晶発振器１は、複数の金属リード５１からなるリードフレームに、
水晶振動子３０と、この水晶振動子３０を所定の温度に保持するために加熱する加熱用素
子４０と、水晶振動子３０近傍の温度を検知する感温素子４５と、が接合され、それら水
晶振動子３０、加熱用素子４０、感温素子４５が、トランスファーモールド法を用いて一
塊のモールド樹脂９１により樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】発振回路や温度補償回路を構成する電子部品を搭載する配線基板の上部
に、柱部材を用いてパッケージ化された圧電振動子を固定した構成を備えた圧電
発振器において、柱部材の寸法のバラツキやリフロー時における柱部材の戴置ミ
スなどを除き、信頼性が高く作業効率の優れた圧電発振器を提供することを目的
とする。
【解決手段】上面のランド１４上に発振回路及び温度補償回路を構成する複数の
電子部品１５を搭載すると共に外部電極１６を備えた配線基板１７と、該配線基
板１７の上面に固定した柱部材１８を介して所定のギャップを隔てて固定された
水晶振動子１９とを備えた水晶発振器である。又、柱部材１８の底部電極２０を
配線基板１７の上面に形成した柱部材固定用パターン２１に電気的機械的に固定
し、柱部材１８の上部電極２２を水晶振動子１９の底面電極２３と電気的機械的
に固定している。 （もっと読む）

【課題】平面外形の小型化及び低背化が可能であって、ＩＣチップの発熱の影響を受けない表面実装振動子を提供する。
【解決手段】平面外形が矩形状であって凹状とした容器本体１と、容器本体１に収容された水晶片３と、容器本体１の開口端面に接合されて水晶片３を密閉封入するカバー５と、水晶片３と電気的に接続して発振回路を形成するＩＣチップ２とからなる表面実装用の水晶発振器において、ＩＣチップ２の回路機能面である一主面が容器本体１の第１外側面に電気的・機械的に固着した構成とする。 （もっと読む）

【課題】加熱抵抗による伝熱効率を高め、低背化を促進して実装密度を高める特に恒温型発振器を提供する。
【解決手段】底壁と枠壁との積層セラミックからなる凹状とした容器本体内に水晶片を収容し、容器本体の開口端面に金属カバーを接合して水晶片を密閉封入した表面実装用の水晶引出端子を有し、水晶振動子とともに発振回路及び恒温型とする温度制御回路を形成する他の回路素子を回路基板に搭載し、温度制御回路は少なくとも発熱用のチップ抵抗を有する恒温型の水晶発振器において、水晶振動子は回路基板に設けた開口部に金属カバー側から挿入し、水晶振動子の外底面に設けた少なくとも水晶引出端子と回路基板の開口部の外周となる基板表面の回路端子とを電気的に接続し、底壁上には少なくとも発熱用のチップ抵抗４ｈが配設された構成とする。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の誤作動を防止する。
【解決手段】本発明の圧電発振器は、圧電振動片２２０を内部に収納して封止されてなる振動子２００と振動子２００を駆動する駆動手段とを備えた圧電発振器である。半導体基板１１０と、半導体基板１００の一方の面１１０ｂを覆う絶縁性の樹脂膜１２０と、半導体基板及び樹脂膜を貫通する貫通孔１６３と、樹脂膜１２０及び貫通孔１６３の内壁を覆う導電部１６０ａと、を有している。振動子２００と駆動手段とが導電部１６０ａを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】圧電振動片とＩＣチップとを重ねて配置する構成の圧電デバイスの小型化。
【解決手段】水晶振動片３０と、ＩＣチップ２０と、水晶振動片３０及びＩＣチップ２０をベース部１１にマウントし、内部に収容するパッケージ１０とを備え、パッケージ１０は、ベース部１１にＩＣチップ２０の一主面２１側がマウントされ、ベース部１１の底面１１ａから水晶振動片３０のマウント面１５ａ１，１５ｂ１までの高さＬ１が、底面１１ａからＩＣチップ２０の他主面２２までの高さＬ２より低く形成され、水晶振動片３０が平面視においてＩＣチップ２０と重なるように配置され、水晶振動片３０のＩＣチップ２０と重なる部分が、水晶振動片３０の一端部３７側から他端部３８側に行くにつれてＩＣチップ２０の他主面２２から遠ざかるように傾斜して、水晶振動片３０の一端部３７がマウント面１５ａ１，１５ｂ１にマウントされている。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングをしても短絡を生じない圧電デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】基板部と封止用導体パターンが設けられた枠部によって凹部空間が形成されている容器体と、第１の金属層と第２の金属層とを積層して一体で凹部空間内で露出する基体部に設けられる圧電振動素子搭載パッドと第１の配線パターンと、圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、容器体の枠部に形成されている封止用導体パターンと接合することで、凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、圧電振動素子搭載パッド及び第１の配線パターンの第２の金属層の厚みが０．３μｍ〜０．５μｍであることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】小型で低価格および高精度な位相差を持った２位相出力電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】１つの電圧制御発振器とハイブリッドカプラとを備え、電圧制御発振器の出力をハイブリッドカプラにより２つに分岐して互いに（π／４）異なる位相差の２信号を出力する２位相出力電圧制御発振器１であって、１つの上記電圧制御発振器回路４が多層プリント配線板上の最上層に形成され、上記ハイブリッドカプラ回路２が同じ多層プリント配線板の内層で構成されると共に、上記ハイブリッドカプラ回路２はトリプレートストリップライン導体構造を有しかつ上記多層プリント配線板内層の同一平面上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱による周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高めた表面実装発振器を提供する。
【解決手段】内壁段部を有する凹状とした容器本１体の内底面に引出電極の延出した水晶片３の外周部を固着し、前記内壁段部にＩＣチップ２を配置し、前記容器本体３の開口端面を金属カバー４にて封止した表面実装用の水晶発振器において、前記内壁段部は前記容器本体の内周を周回して形成され、前記ＩＣチップ２はフリップチップボンディングによって回路機能面のＩＣ端子が絶縁板１３の一主面の表面端子に固着され、前記絶縁板１３の前記表面端子と電気的に接続した他主面の裏面端子は前記内壁段部に設けられた回路端子に固着され、前記水晶片３と前記ＩＣチップ２とが前記絶縁板１３によって全面的に遮断された構成とする。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の低背化の妨げを防止する。
【解決手段】水晶発振器１を制御するＩＮＨ端子３１と、水晶振動片２への入出力端子であるＸＴ端子３２，３３と、アースされたＧＮＤ端子３４と、集積回路素子３に電源供給を行うＶ_DD端子３５と、水晶発振器１の出力端子であるＯＵＴ端子３６とを含む発振回路６の配線パターンを集積回路素子３に形成し、各端子３１〜３６に保護ダイオードＤ１〜Ｄ６を接続する。この工程においてＧＮＤ端子３４をＧＮＤ端子として用いＶ_DD端子３５をＶ_DD端子として用いるか、または、ＧＮＤ端子３４とＶ_DD端子３５とを変更してＧＮＤ端子３４をＶ_DD端子３５として用いＶ_DD端子３５をＧＮＤ端子３４として用いるかを選択する。 （もっと読む）