【課題】セラミックパッケージを不要にするとともに、既成の集積回路部を用いて極めて安価に、かつ、小型化・低背化した圧電発振器を得る。
【解決手段】シリコン半導体基板の上面部２ａに集積回路部４を形成した回路基板２と該回路基板２に接合・積層したカバー５とからなる圧電発振器において、前記回路基板２の側面に前記回路基板の上面部２ａと前記回路基板の下面部２ｂとを電気的に接続する電気的導通部２２を設ける。また、集積回路部４の寸法よりも大きく回路基板２を形成して、集積回路部４とその周縁部間にスペースを形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ回路の横に配置されたＭＥＭＳ振動子の温度を上記ＣＭＯＳ回路内で容易に検出する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置（１）は、ＭＥＭＳ振動子（１１）と、ＣＭＯＳ回路（１２）とを含む。上記ＣＭＯＳ回路は、温度検出のための温度センサ（１６）と、上記ＣＭＯＳ回路で消費する電流を検出可能な電流センサ（１９）と、上記電流センサでの検出結果に基づいて上記ＣＭＯＳ回路の温度上昇分を求め、それに基づいて、上記温度センサで得られた温度情報を補正する温度情報補正回路（１７）と、上記温度情報補正回路で補正された温度情報に基づいて、上記クロック信号の周波数を補正するための回路（１５）とを含む。ＣＭＯＳ回路の横にＭＥＭＳ振動子が配置されることで、ＭＥＭＳ振動子とＣＭＯＳ回路との間に温度差を生じている場合でも、上記温度情報補正回路での補正によって、ＭＥＭＳ振動子の温度情報を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】発振器を簡単な構成により薄型化、低背化、小型化し、かつワイヤーボンディングによる電気的接続の信頼性を向上させる。
【解決手段】発振器１は、振動片５をパッケージ３内に搭載した振動子２とその発振回路を有するＩＣ素子３とリードフレーム４とを備える。リードフレームはその一方の面に設けた凹部９内に配置された複数のインナーリード部１０と、凹部の外側に配置された複数のアウターリード部１１とを有する。振動子は、その下面に接着したＩＣ素子をリードフレーム側に、平面的に複数のインナーリード間に画定される空間内に配置して、その下面でリードフレームの他方の面に接着されている。インナーリード部に形成したバンプ１５と、ＩＣ素子の電極パッド１２との間をボンディングワイヤー１４で電気的に接続する。ＩＣ素子の電極パッドにも任意によりバンプ１８が形成される。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量を小さくし、負性抵抗を減少させない圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器（１００）は、一対の励振電極を有する圧電振動片（１０）と、圧電振動片を発振させる発振回路（２０）を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向にキャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージ（３０）と、キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリング（４１）と、シールリングで溶接される金属製リッド（５）と、キャビティの底面に形成され圧電振動片と発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極（３６ｂ）と、を備える。そして、圧電発振器（１００）は、キャビティ底面の法線方向から見て、一対の配線電極（３６ｂ）とシーリング（４３）とが重なる領域のセラミック壁はその内部に空洞（４３）が形成される。 （もっと読む）

【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 圧電デバイスが小型化された場合にも、圧電振動素子測定用端子に測定用プローブを当てることができ、安定して圧電振動素子を測定することができる圧電デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の圧電デバイスは、第１および第２の主面を有している素子搭載部材と、素子搭載部材の前記第１の主面上に設けられた集積回路素子と、集積回路素子上に設けられた圧電振動素子と、集積回路素子および圧電振動素子を覆うように素子搭載部材に固定された蓋部材と、前記素子搭載部材の第２の主面に設けられた圧電振動素子測定用端子と、集積回路素子内に設けられており、圧電振動素子に電気的に接続されている第１の接続導体と、素子搭載部材内に設けられており、第１の接続導体および圧電振動素子測定用端子に電気的に接続されている第２の接続導体とを備えていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】水晶発振器などの圧電発振器において、出荷時あるいは受け入れ時の調整や検査に際して発振器特性の計測に要する時間を短縮でき、かつ、電子機器への搭載後においても一時的な電源断に対応できるようにする。
【解決手段】水晶振動子１２などの圧電振動子と発振回路１６とを収容した容器１０内に、二次電池１１と、二次電池１１に対する充放電を制御する充放電制御回路１４と、電源端子に外部電源電圧Ｖｃｃが印加されているときには電源端子を選択し、それ以外の場合に充放電制御回路１４を選択して電力を発振回路１６に供給する切替回路１５と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】小型化を図った圧電デバイス、及びこれを用いた圧力センサー、加速度センサー、ジャイロセンサー等のセンサーデバイスを提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電デバイス１０は、圧電基板の振動部を励振させる励振電極１２ｅと、当該励振電極１２ｅに接続された接続電極と、を有する圧電振動素子と、前記振動部の周縁部の上に配置され、前記圧電基板よりも外形が小さな集積回路と、を備え、前記集積回路と、前記接続電極とをバンプを用いて電気的に接続させたことを特徴とする （もっと読む）

【課題】小型で低コスト化が可能な振動デバイス、電子機器、及び、振動デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面２ａ及びその第１の面２ａとは反対側を向く第２の面２ｂを有し、互いに電気的に独立して設けられた複数の金属支柱と、複数の金属支柱の第１の面２ａ及び第２の面２ｂとは異なる面の隙間に充填され複数の金属支柱を一体に固定する絶縁体３３と、を備えた基板２と、能動面１０ａに電極パッド１１を有し、第１の金属支柱３に固定されたＩＣチップ１０と、支持部２１と振動部２２とを有し、支持部２１をＩＣチップ１０の能動面１０ａに接合することによりＩＣチップ１０に支持されたセンサー素子２０と、電極パッド１１と第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´とを電気的に接続するボンディングワイヤー９９と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うように設けられた蓋体９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性の高い小型の振動片、およびそれらを用いた圧電デバイス、電子機器を提供する。
【解決手段】水晶振動片２０は、基部２１と基部２１の一端側から二股に別れて互いに並行するように延出する一対の振動腕２２とを備え、基部２１には、その両主面に括れた形状が表れるように１つの直線に沿って対向方向に一対の切り込み４１Ａ，４１Ｂが形成されている。基部２１の一対の振動腕２２が延びている方向とは交差方向の二つの端部からは、それぞれ相互に反対方向に延出されてから、屈曲部３１で屈曲して一対の振動腕２２と並行して延びる一対の支持腕３０が設けられている。支持腕３０の先端側には、隣接する振動腕２２の通常の振動の振幅範囲外に配置されて、且つ隣接する振動腕２２に通常の振幅範囲を越えた変位が生じた場合にその振動腕２２が当接される位置に配置された受け部３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 小型化を促進する表面実装型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電振動片２とＩＣチップ３と当該ＩＣチップと接続される電極パッドが形成された収納部を有する絶縁性のベース４とを備えており、前記圧電振動片は励振電極と接続電極と引出電極とが形成され、前記ＩＣチップは一方の主面に２列に配置された前記ベースと接続される複数の第１接続端子が形成され、他方の主面に前記第１接続端子と同じ列方向で前記圧電振動片と接続される少なくとも一対の第２接続端子が形成されており、前記ベースの収納部の電極パッドと前記ＩＣチップの第１接続端子とが金属バンプを介してフリップチップボンディング接合され、前記ＩＣチップの第２接続端子と前記圧電振動片の接続電極とが金属バンプを介してフリップチップボンディング接合されてなる。 （もっと読む）

【課題】振動片の強度が向上し、耐衝撃特性を向上させることができる電子機器の提供。
【解決手段】電子機器に用いられる水晶振動片１は、水晶の結晶軸に対して所定の角度で切り出されたＺ板がエッチング成形された振動片であって、基部１０と、基部１０からＹ軸方向に延びる一対の振動腕１１と、基部１０をＸ軸方向に切り欠いたＸ軸プラス方向切り欠き部１２とＸ軸マイナス方向切り欠き部１３とを備え、Ｘ軸プラス方向切り欠き部１２は、基部１０をＸ軸のマイナス側からプラス側へ切り欠き、Ｘ軸プラス方向切り欠き部１２の幅が外周１０ｂに近づくに連れて広がるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 固定電位が変動しても、振動子の端子間電位の変動を抑えることで安定した発振周波数を得られる圧電発振回路、恒温型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 コルピッツ型発振回路３０と、発振周波数を調整するための可変容量のコンデンサーを含む回路からなる第１の回路部２０と、抵抗を含む回路からなる第２の回路部５０と、前記第１の回路部および前記第２の回路部に接続される第１の端子４１と前記コルピッツ型発振回路に接続される第２の端子４２とを有する圧電振動子４０と、を含み、コルピッツ型発振回路３０は、分割抵抗を介して第２の端子４２を固定電位に接続し、第２の回路部５０は、前記抵抗を介して第１の端子４１を前記固定電位に接続する。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】±５．０×１０^−１０程度の周波数安定度を有すると共に、小型で低消費電力の
恒温型圧電発振器を得る。
【解決手段】恒温型圧電発振器１は、ベース部材２５ｂと、第１のプリント基板２２と、
アウターオーブン下ケース部材１５ｂと、第２のプリント基板２０と、圧電振動子５と、
第１の温度制御部８と、発振回路部品１２と、第２の温度制御部１３と、発振回路部品１
２を覆うカバー部材１０と、を備えている。更に、ベース部材２５ｂと共にアウターオー
ブン１５と、アウターオーブン１５用の第３の温度制御部１８と、第１のプリント基板２
２と、を収容するケース部材２５ａと、を備えている。第１の温度制御部は圧電振動子５
を所定の温度に維持し、第２の温度制御部は発振回路部品１２を所定の温度に維持し、第
３の温度制御部はアウターオーブン１５を所定の温度に維持するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パッケージ内に圧電振動子と電子回路素子とを収納した圧電発振器を提供する。
【解決手段】 所定の振動数で振動する圧電振動片（１１）と、複数の電極パッド（１２１）を有し圧電振動片（１１）を発振させる電子回路素子（１２）とを備える箱形状のパッケージ（２０）と、パッケージを密封するリッド（１３）とを有する圧電発振器（１００）であって、複数の電極パッド（１２１）に対応してパッケージ（２０）の内面に形成された開口（１７２）と底面（１７３）とを含む複数の溝部（１７）と、溝部の底面（１７３）に形成され、電極パッド（１２１）が接合材（１２２）を介して接合する接続電極（１６２）とを備え、溝部の開口（１７１）の面積が、溝部における底面から所定の高さの断面の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】特性を劣化させることなく、シリコン基板上に圧電振動片を実装した圧電振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板２と、シリコン基板２の表面に形成された金属膜３と、金属膜３上に形成された一対の振動片実装電極５，６と、一対の振動片実装電極５，６にバンプ接合されて保持されたＡＴカット型の圧電振動片７と、を備え、金属膜３の線膨張係数が１３×１０^-6／℃以上であり、且つ、金属膜３の線膨張係数とヤング率との積が１．９５ＭＰａ／℃以上である。 （もっと読む）