振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器
【課題】小型で低コスト化が可能な振動デバイス、電子機器、及び、振動デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面２ａ及びその第１の面２ａとは反対側を向く第２の面２ｂを有し、互いに電気的に独立して設けられた複数の金属支柱と、複数の金属支柱の第１の面２ａ及び第２の面２ｂとは異なる面の隙間に充填され複数の金属支柱を一体に固定する絶縁体３３と、を備えた基板２と、能動面１０ａに電極パッド１１を有し、第１の金属支柱３に固定されたＩＣチップ１０と、支持部２１と振動部２２とを有し、支持部２１をＩＣチップ１０の能動面１０ａに接合することによりＩＣチップ１０に支持されたセンサー素子２０と、電極パッド１１と第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´とを電気的に接続するボンディングワイヤー９９と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うように設けられた蓋体９と、を有する。
【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面２ａ及びその第１の面２ａとは反対側を向く第２の面２ｂを有し、互いに電気的に独立して設けられた複数の金属支柱と、複数の金属支柱の第１の面２ａ及び第２の面２ｂとは異なる面の隙間に充填され複数の金属支柱を一体に固定する絶縁体３３と、を備えた基板２と、能動面１０ａに電極パッド１１を有し、第１の金属支柱３に固定されたＩＣチップ１０と、支持部２１と振動部２２とを有し、支持部２１をＩＣチップ１０の能動面１０ａに接合することによりＩＣチップ１０に支持されたセンサー素子２０と、電極パッド１１と第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´とを電気的に接続するボンディングワイヤー９９と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うように設けられた蓋体９と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動デバイス、振動デバイスの製造方法、及び、振動デバイスを搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度や角速度などをセンシングする振動デバイスとしてのモーションセンサーにおいては、振動片としてのセンサー素子と、該センサー素子を駆動する機能を有する半導体回路素子とを備えたセンサーデバイスを用いた構成が知られている。
例えば、特許文献１には、センサー素子としての振動ジャイロ素子（ジャイロ振動片）と、半導体回路素子としてのＩＣチップとを備えたセンサーデバイスが基板としてのパッケージに収納されたモーションセンサーとしてのジャイロセンサーが開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載のジャイロセンサーの構成では、ＩＣチップが支持基板に固着され、支持基板に形成されたリード配線部と電気的に接続されている。また、センサー素子（振動ジャイロ素子）は、支持基板に固着されたリード線に接続されることによって、半導体装置と空隙を保ち該半導体装置と平面視で重なるように配置されて、パッケージ内に封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２９２０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のジャイロセンサーのように、センサー素子（振動片）とＩＣチップ（半導体回路素子）とを基板に搭載して封止した構成の振動デバイスにおいて、従来より、基板にはセラミックパッケージが広く用いられている。
しかしながら、セラミックパッケージは一般に高価であり、振動デバイスの低コスト化のネックとなっていた。特に、ＩＣチップやセンサー素子の設計変更に際してパッケージを新規する際に比較的高いコストが掛かるという課題があった。
また、近年の電子機器への小型化のニーズの高まりに応えるための、小型化・微細化に対応可能なパッケージ製造メーカーが限られているために、小型化に対応するセラミックパッケージが入手し難いという課題を有している。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の振動デバイスは、第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、複数の金属支柱であって第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む前記金属支柱と、複数の前記金属支柱の前記第１の面及び前記第２の面とは異なる面の隙間に充填され複数の前記金属支柱を一体に固定する絶縁体と、を備えた基板と、第３の面に電極を有し、前記第３の面とは反対側の第４の面を前記第１の金属支柱の前記第１の面に対向させて前記第１の金属支柱に固定された半導体回路素子と、支持部と、前記支持部から延出された振動部とを有し、前記支持部を前記半導体回路素子の前記第３の面に接合することにより前記半導体回路素子に支持された振動片と、前記電極と前記第２の金属支柱とを電気的に接続する導電性部材と、前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように設けられた蓋体と、を有することを特徴とする。
【０００８】
上記構成の振動デバイスの基板は、金属板を第１の面から部分的にエッチングして複数の凸部を形成してから、凸部の形成に伴って形成される凹部に絶縁体を充填して固着させ、その後、金属板を第２の面から凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより形成することができる。即ち、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができるので、従来の振動デバイスで基板として用いるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、半導体回路素子や振動片の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、低コストにて振動デバイスを提供することができる。
【０００９】
〔適用例２〕上記適用例の振動デバイスにおいて、複数の前記金属支柱は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱を含み、前記絶縁体が前記第３の金属支柱の内壁面側に充填され、前記蓋体が前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合され、前記第３の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、筒状の第３の金属支柱内に第１の金属支柱及び第２の金属支柱が夫々電気的に独立した態様で絶縁体により固定された基板と、その基板に半導体回路素子と振動片とを搭載して蓋体により封止した振動デバイスを提供することができる。しかも、振動デバイスを外部基板に実装する際に電気的な接続には寄与しない第３の金属支柱の第２の面が、第１の金属支柱及び第２の金属支柱の第２の面よりも第１の面側にあるため、第３の金属支柱の第２の面が外部基板の配線と接触することが回避できるので、短絡するなどの不具合が回避でき、外部基板の配線レイアウトの自由度を大きくすることができる。
【００１１】
〔適用例３〕上記適用例の振動デバイスにおいて、複数の前記金属支柱は第４の金属支柱及び金属配線部を含み、前記金属配線部は前記第２の金属支柱と前記第４の支柱とを電気的に接続し、前記金属配線部の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱、前記第２の金属支柱、及び前記第４の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、外部基板と接触しない状態の金属配線部により第２の金属支柱と第４の金属支柱とを電気的に接続することから、導電性部材を介して半導体回路素子の電極と接続された第２の金属支柱を第４の金属支柱に再配置して外部基板に接続することが可能になるので、外部基板の設計変更に比較的容易に対応することができる。
【００１３】
〔適用例４〕上記適用例の振動デバイスにおいて、複数の前記金属支柱の前記第１の面に第１のめっき層を備え、前記第１のめっき層は前記第１の面から外側へはみ出していることを特徴とする。
【００１４】
上記構成の振動デバイスにおいて、金属支柱の第１の面から外側へはみ出した第１めっき層は、振動デバイスの製造工程で、金属板の第１の面側をエッチングして金属支柱の一部を形成する工程の前に第１のめっき層を形成し、その第１のめっき層をエッチングマスクとして利用してエッチングを行うことにより形成されたものである。
これによれば、エッチングマスクとして利用した第１めっき層を、半導体回路素子及び振動片と各金属支柱との電気的な接続を図る際の接点金属としてそのまま利用できるので、製造コストの低減に顕著な効果を奏する。
【００１５】
〔適用例５〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記金属支柱の前記第２の面、及び、前記第２の面側の前記第２の面とは異なる面に第２のめっき層を備えていることを特徴とする。
【００１６】
上記構成の振動デバイスにおいて、金属支柱の第２の面、及び、第２の面側の第２の面と異なる面に備わる第２のめっき層は、その製造方法において、金属板の第２の面からエッチングして金属支柱を形成した後で、無電解めっき法により形成されるものである。
これによれば、各金属支柱の第２の面と共に、第２の面とは異なるエッチング面にもめっき層を形成することができるので、金属支柱のエッチング面が露出された場合に比して耐蝕性が向上する。
また、例えば、半田接合により振動デバイスを外部基板に実装する際に、半田が各金属支柱のエッチング面にまで濡れ広がって良好なフィレットを形成することができる。
したがって、信頼性の高い振動デバイスを提供することができる。
【００１７】
〔適用例６〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記第３の金属支柱の前記第１の面が、他の前記金属支柱の前記第１の面よりも高い位置にあることを特徴とする。
【００１８】
上記構成の振動デバイスによれば、例えば、第１の金属支柱上に接合される半導体回路素子及び振動片が第３の金属支柱により囲まれた態様となることから、第３の金属支柱が奏するシールド効果によって電磁波を遮蔽することができるので、外部の電磁波の影響による誤動作や、半導体回路素子の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避することができる。
【００１９】
〔適用例７〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記第３の金属支柱の前記第１の面が、前記振動片よりも高い位置にあることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、半導体回路素子及び振動片が第３の金属支柱により水平方向に全て囲まれるので、第３の金属支柱によるシールド効果がより高く発揮される振動デバイスを提供することができる。
【００２１】
〔適用例８〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記蓋体は金属部分を含み、前記蓋体と前記第３の金属支柱とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２２】
この構成によれば、半導体回路素子や振動片を覆う蓋体がシールド効果を奏して、外部の電磁波の影響による誤動作や、半導体回路素子の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避され、優れた特性を有する振動デバイスを提供することができる。
【００２３】
〔適用例９〕本適用例の振動デバイスの製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有する金属板を前記第１の面から部分的にエッチングして複数の凸部を形成する第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程で前記凸部の形成に伴って形成される凹部に絶縁体を充填して固着させる絶縁体形成工程と、前記絶縁体形成工程の後で、前記金属板を前記第２の面から前記凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより、前記凸部から前記第２の面に延びる金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む複数の前記金属支柱を形成する第２エッチング工程と、前記第１の金属支柱の前記第１の面に、第３の面に電極を有する半導体回路そしの前記第３の面とは反対側の第４の面を対向させて接合する半導体回路素子接合工程と、前記半導体回路素子の前記第３の面に振動片を固定する振動片固定工程と、前記電極と前記第２の金属支柱とを導電性部材により電気的に接続するボンディング工程と、前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように蓋体を設ける封止工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、半導体回路素子と振動片とを蓋体により封止して振動デバイスを構成する際に、半導体回路素子及び振動片を搭載する基板を、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができる。
これにより、従来の振動デバイスで基板として用いるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、半導体回路素子や振動片の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、振動デバイスの低コスト化を図ることができる。
【００２５】
〔適用例１０〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１エッチング工程の前に前記第１の面に第１のめっき層を形成する第１めっき工程を含み、前記第１エッチング工程では、前記第１めっき層をエッチングマスクとして利用することを特徴とする。
【００２６】
この構成によれば、エッチングマスクとして利用した第１めっき層を、半導体回路素子及び振動片と、各金属支柱との電気的な接続を図る際の接点金属としてそのまま利用できるので、製造コストの低減に顕著な効果を奏する。
【００２７】
〔適用例１１〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法による第２めっき工程を有することを特徴とする。
【００２８】
この構成によれば、各金属支柱の第２の面と共に、第２の面とは異なるエッチング面にもめっき層を形成することができるので、金属支柱のエッチング面が露出された場合に比して耐蝕性が向上する。
また、例えば、半田接合により振動デバイスを外部基板に実装する際に、半田が各金属支柱のエッチング面にまで濡れ広がって良好なフィレットを形成することができる。
したがって、信頼性の高い振動デバイスを提供することができる。
【００２９】
〔適用例１２〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法により前記第１の面の前記第１めっき層及び前記第２の面の前記第２めっき層を同時に形成するめっき工程を有することを特徴とする。
【００３０】
この構成によれば、第２のエッチング工程までに加熱する工程が必要な場合に、その加熱工程の熱によりめっき層が酸化したり劣化したりすることを回避しながら、基板の第１の面の第１めっき層と共に、第２の面にも第２めっき層が設けられることにより信頼性の高い振動デバイスを提供することができる。
例えば、絶縁体としてアルミナなどの焼成を必要とする材料を用いた場合に、その焼成する際の熱にめっき層が曝されることがない。
【００３１】
〔適用例１３〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１のエッチング工程及び前記第２のエッチング工程により、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置され前記第２の面が前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第２の面よりも前記第１の面側にある筒状の第３の金属支柱を形成し、前記絶縁体形成工程では、前記絶縁体を前記第３の金属支柱の内壁面側に充填し、前記封止工程では、前記蓋体を前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合することを特徴とする。
【００３２】
この構成によれば、筒状の第３の金属支柱内に第１の金属支柱及び第２の金属支柱が夫々電気的に独立した態様で絶縁体により固定された基板と、その基板に半導体回路素子と振動片とを搭載して蓋体により封止した振動デバイスを提供することができる。しかも、振動デバイスを外部基板に実装する際に電気的な接続には寄与しない第３の金属支柱の第２の面が、第１の金属支柱及び第２の金属支柱の第２の面よりも第１の面側にあるため、第３の金属支柱の第２の面が外部基板の配線と接触することが回避できるので、短絡するなどの不具合が回避でき、外部基板の配線レイアウトの自由度が大きくなる。
【００３３】
〔適用例１４〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１のエッチング工程の前に、前記第３の金属支柱の前記第１の面となる領域をマスクして前記金属板を前記第１の面から所定量エッチングする工程を含むことを特徴とする。
【００３４】
この構成によれば、第１の金属支柱及び第２の金属支柱上に搭載される半導体回路素子、振動片、及び、それらを電気的に接続する導電性部材などの接続部材を第３の金属支柱によって囲むことができるので、従来のパッケージのような態様の基板を構成することができる。即ち、基板に搭載した半導体回路素子や振動片を、平板状の蓋体（リッド）により封止することができる。また、第３の金属支柱により半導体回路素子や振動片が囲まれることにより、第３の金属支柱が奏するシールド効果によって電磁波を遮蔽することができるので、外部の電磁波の影響による誤動作や、半導体回路素子の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避することができる。
なお、金属または金属層を有する蓋体を使用することにより、シールド効果をより顕著に得ることができる。
【００３５】
〔適用例１５〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１エッチング工程、前記絶縁体形成工程、及び前記第２エッチング工程では、複数の前記金属支柱を有する一個片の基板を一つの前記金属板に平面視で複数個並べて形成し、前記半導体回路素子接合工程では、複数個の前記回路素子を、前記複数個の前記基板の夫々に平面視で並べて接合し、前記振動片接続工程では、複数個の前記振動片を、前記複数個の半導体回路素子夫々の上に並べて接続し、前記ボンディング工程では、前記複数個の半導体回路素子の前記電極と前記複数個の基板の前記第２の金属支柱とを前記導電性部材で夫々接続し、前記封止工程では、前記複数個の基板ごとに接合された前記半導体回路素子及び前記振動片を複数の前記蓋体で一括して封止して、前記金属板に連結された複数の振動デバイスを形成し、前記封止工程の後で、前記連結された複数の振動デバイスを個片に切り出すダイシング工程を有することを特徴とする。
【００３６】
上記構成によれば、金属板に連結された複数の基板を形成し、夫々の基板に半導体回路素子及び振動片を接合した後に蓋体により一括して封止し、金属板に連結された複数の振動デバイスを個片に切り出して個片化するので、製造効率が向上して製造コストの低減が可能になる。
【００３７】
〔適用例１６〕本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一項に記載の振動デバイス、または、上記適用例のいずれかに記載された製造方法により製造された振動デバイスを備えていることを特徴とする。
【００３８】
上記構成の電子機器は、上記適用例の振動デバイス、または、上記適用例の製造方法により製造された振動デバイス、即ち、半導体回路素子や振動片の設計変更に対して対応が容易で低コストな振動デバイス、または、優れた感度や発振特性を有し、信頼性の高い振動デバイスを備えているので、高機能を有し、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】振動デバイスとしてのセンサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、半導体回路素子としてのＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、底面側（下側）から俯瞰した平面図。
【図２】センサーデバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、センサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、センサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図５】センサーデバイス１の製造方法において金属板シートに複数のセンサーデバイス１が縦横に並べて形成された過程を示す平面図。
【図６】センサーデバイスの第２の実施形態の概略構成を示す模式断面図。
【図７】第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図１０】センサーデバイスの変形例の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図。
【図１１】実施形態及び変形例のセンサーデバイス、または、ジャイロセンサー（モーションセンサー）を搭載した電子機器の例を示す模式図であり、（ａ）は、デジタルビデオカメラの斜視図、（ｂ）は、携帯電話機の斜視図、（ｃ）は、情報携帯端末（ＰＤＡ）の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００４１】
（第１の実施形態）
〔センサーデバイス〕
図１は、振動デバイスとしてのセンサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、半導体回路素子としてのＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、底面側（下側）から俯瞰した平面図である。
図１において、センサーデバイス１は、複数の金属支柱と、それら金属支柱を互いに電気的に独立させた状態で一体に固定する絶縁体３３と、を備えた基板２と、基板２に搭載されたＩＣチップ１０及び振動片としてのセンサー素子２０と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うように設けられた蓋体９と、を有している。
【００４２】
基板２は、第１の面２ａ、及び、第１の面２ａとは反対側を向く第２の面２ｂを有する金属板をエッチング加工して形成され互いに電気的に独立して設けられた複数の金属支柱を備えている。本実施形態の基板２は、ＩＣチップ１０が固定される第１の金属支柱３と、ＩＣチップ１０の電極としての電極パッド１１に導電性部材としてのボンディングワイヤー９９を介して電気的に接続される二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´と、前記二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´のうちの一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´と電気的に接続された第４の金属支柱６Ａ，６Ｂと、これら第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ，６Ｂを平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱５と、を有している。
これら複数の金属支柱、即ち、第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ，６Ｂ、及び第３の金属支柱５は、互いに電気的に独立するように隙間を介して配置され、各金属支柱間の隙間には、絶縁体３３が充填されて固化されている。これにより、筒状の第３の金属支柱５に囲まれて配置された第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂが一体に固定された基板２が形成される。
【００４３】
本実施形態の基板２は、ＩＣチップ１０の電極パッド１１にボンディングワイヤー９９を介して電気的に接続される第２の金属支柱（４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´）が二対備えられている。このうちの一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´は、金属配線部７Ａ，７Ｂを夫々介して第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに電気的に接続されている。具体的には、金属板をエッチング加工することにより一体に形成された第２の金属支柱４Ａ´、金属配線部７Ａ、第４の金属支柱６Ａと、同じく一体に形成された第２の金属支柱４Ｂ´、金属配線部７Ｂ、及び第４の金属支柱６Ｂとを有している。
ここで、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び金属配線部７Ａ，７Ｂの第２の面２ｂが、第１の金属支柱３、他方の一対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂよりも第１の面２ａ側にある。換言すると、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び金属配線部７Ａ，７Ｂの第１の面２ａと第２の面２ｂとの間の距離は、第１の金属支柱３、他方の一対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第１の面２ａと第２の面２ｂとの合いだの距離より短い。即ち、第１の金属支柱３、他方の一対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂは、センサーデバイス１を外部基板に実装する際に、外部基板と接触して電気的な接続を図るための実装端子になっており、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び金属配線部７Ａ，７Ｂは、外部基板に接触しないようになっている。ＩＣチップ１０の電極パッド１１とボンディングワイヤー９９を介して電気的に接続された一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´は、金属配線部７Ａ，７Ｂを経て電気的に接続された第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂ（実装端子）により外部基板との接続を図るようになっている。
【００４４】
また、基板２において、複数の金属支柱を囲むように配置されている筒状の第３の金属支柱５の第２の面２ｂも、外部基板との接続に供する第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂよりも第１の面２ａ側にあり、外部基板と接触しないようになっている。換言すると、第３の金属支柱の第１の面２ａと第３の面２ｂとの合いだの距離は、外部基板との接続に供する第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第１の面２ａと第２の面２ｂとの間の距離より短くなっている。この第３の金属支柱５の内壁面側に絶縁体３３が充填され、第３の金属支柱５の第１の面２ａには蓋体９が接合される。
このような構成の第３の金属支柱５を有することにより、筒状の第３の金属支柱５内に複数の金属支柱が夫々電気的に独立した態様で絶縁体３３により固定された基板２と、その基板２にＩＣチップ１０とセンサー素子とを搭載して蓋体９により封止したセンサーデバイス１を提供することができる。また、センサーデバイス１を外部基板に実装する際に電気的な接続には寄与しない第３の金属支柱５の第２の面２ｂが、外部基板との電気的な接続に供する第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面よりも第１の面２ａ側にあるため、第３の金属支柱５の第２の面２ｂが外部基板の配線に接触しないので、短絡するなどの不具合が回避でき、外部基板の配線レイアウトの自由度が増すという効果を奏する。
【００４５】
基板２の各金属支柱の第１の面２ａには第１めっき層３５が設けられ、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び筒状の第３の金属支柱５以外の金属支柱の第２の面２ｂには第２めっき層３６が設けられている。各金属支柱の第１の面２ａに設けられた第１のめっき層３５、及び、第２の面２ｂに設けられた第２めっき層３６は、各金属支柱の第１の面２ａ及び第２の面２ｂのそれぞれから外側へはみ出している。これは、後述するように、基板２の製造工程において、金属板をエッチング加工して各金属支柱を形成する際に、第１めっき層３５、及び、第２めっき層３６をエッチングマスクとして利用していることによる。
【００４６】
即ち、基板２の各金属支柱は、金属板を、第１めっき層３５をエッチングマスクにして第１の面２ａ側からエッチングする工程と、第２めっき層３６をエッチングマスクにして第２の面２ｂ側からエッチングする工程との２回のエッチングを経て形成される。各エッチング工程において、第１めっき層３５または第２めっき層３６をエッチングマスクにして金属板の第１の面２ａまたは第２の面２ｂのそれぞれからエッチングを行う際に、第１の面２ａ、または第２の面２ｂから金属板の中央にエッチングが進んでいく過程で、各金属支柱の第１めっき層３５または第２めっき層３６の周縁部直下の金属板がエッチングされていく所謂サイドエッチングが起こる。このサイドエッチングのために、各金属支柱の第１の面２ａの第１めっき層３５、及び、第２の面２ｂの第２めっき層３６が、各金属支柱から外側にはみ出す形態が形成されるものである。
【００４７】
絶縁体３３は、後述する基板２の製造工程において、金属板の第１の面２ａ側からのエッチングの後で、第２の面２ｂ側からのエッチングを行う前に形成される。即ち、金属板の第１の面２ａから部分的なエッチングを行うことにより各金属支柱の一部となる複数の凸部を形成した後で、それら凸部の形成に伴って形成される凹部に流動性を有する状態の絶縁体３３を充填してから固化させることにより、絶縁体３３が形成される。その後、金属板の第２の面２ｂから前記凹部の一部と連通するように部分的にエッチングを行うことにより、前記凸部の第１の面２ａから第２の面２ｂに延びる複数の金属支柱が、互いに電気的に独立しながら平面視で並んで設けられる。
【００４８】
基板２の第１の金属支柱３の第１の面２ａ上には、半導体回路素子としてのＩＣチップ１０が接合部材（ダイアタッチ材）を介して接合されている。
ＩＣチップ１０には、能動面１０ａ側にトランジスターやメモリー素子などの半導体素子を含んで構成される集積回路（図示せず）が形成されている。この集積回路には、例えば、センサー素子２０を駆動振動させるための駆動回路と、物理量が加わったときにセンサー素子２０に生じる検出振動を検出する検出回路とが備えられている。
ＩＣチップ１０は、能動面１０ａ側に設けられた複数の電極パッド１１と、センサー素子２０の上記外部接続端子と電気的に接続されるマウント電極とを備えている。
また、図示はしないが、ＩＣチップ１０の能動面１０ａ上には、パッシベーション膜となる絶縁膜が形成されており、この絶縁膜には、電極パッド１１とマウント電極とを外側に露出させる開口部が設けられている。絶縁膜は、酸化珪素（ＳｉＯ2）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機絶縁材料や、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）及びＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）などの樹脂を用いて形成することができる。
【００４９】
また、ＩＣチップ１０に形成された集積回路には、電極パッド１１以外にも、図示しない他の電極が形成されている。この他の電極は、電極パッド１１の場合と同様に配線が接続されている。本実施形態のＩＣチップ１０は、センサー素子２０に接続されるマウント電極を有している。
電極パッド１１やその他の電極は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、または、これらを含む合金などを用いて形成することができる。特に電極パッド１１については、ワイヤーボンディングの際の接合性を高めるため、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）のメッキを施しておくのが好ましい。このようにすることで、特にさびによる接触性、接合性の低下を防止することができる。
また、電極パッド１１やその他の電極は、ハンダメッキ、ハンダプリコートなどの最表面処理を施したものとしてもよい。
【００５０】
上記のような構成のもとに、ＩＣチップ１０に形成された集積回路は、上記マウント電極上に設けられた接合部材９７を介してセンサー素子２０と電気的に接続されるようになっている。これにより、センサー素子２０は、ＩＣチップ１０に保持されている。このとき、接合部材９７によって、センサー素子２０とＩＣチップ１０との間に隙間が設けられている。
接合部材９７は、ＩＣチップ１０とセンサー素子２０との間に隙間を設けるギャップ材としての厚みを有した導電性の接合部材９７であり、例えば、銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤や、金（Ａｕ）などにより形成されたスタッドバンプを用いることができる。スタッドバンプは、金ワイヤーを用いて放電加熱により金ボールを形成し、超音波を印加させるなどの方法により金ボールをＩＣチップのマウント電極上に接合させることにより形成するものであり、ワイヤー径の小さい金ワイヤーを用いることによって微細なバンプを比較的容易に形成することができる。
【００５１】
センサー素子２０は、例えば、圧電材料である水晶を基材（主要部分を構成する材料）として形成されている。水晶は、電気軸と呼ばれるＸ軸、機械軸と呼ばれるＹ軸及び光学軸と呼ばれるＺ軸を有している。
水晶を用いて形成されるセンサー素子２０は、水晶結晶軸において直交するＸ軸及びＹ軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するＺ軸方向に所定の厚みを有している。なお、所定の厚みは、発振周波数（共振周波数）、外形サイズ、加工性などにより適宜設定される。
【００５２】
また、センサー素子２０を成す平板は、水晶からの切り出し角度の誤差を、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各々につき多少の範囲で許容できる。例えば、Ｘ軸を中心に０度から２度の範囲で回転して切り出したものを使用することができる。Ｙ軸及びＺ軸についても同様である。
本実施形態のセンサー素子２０は、支持部２１と、支持部２１から並行させて延出された一対の振動部（振動腕）２２，２２とを有する所謂音叉型の振動片である。このような形状のセンサー素子２０は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）により形成されている。なお、センサー素子２０は、１枚の水晶ウエハーから複数個取りすることが可能である。
【００５３】
図示はしないが、センサー素子２０の振動部２２には、駆動電極（励振電極）及び検出電極が設けられている。また、センサー素子２０の支持部２１のＩＣチップ１０と対向する側の面には、上記駆動電極及び検出電極から引き出された引き回し配線に接続された外部接続端子が設けられている。外部接続端子は、上述したＩＣチップ１０のマウント電極と電気的及に接続されるものであり、この外部接続端子とマウント電極とが、接合部材９７を介して接合される。
【００５４】
上記のように、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が接合された基板２上には、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うようにキャップ状の蓋体９が接合されている。蓋体９は、セラミックなどにより形成することができるが、本実施形態では、コバールなどの金属を用いた蓋体９を使用する。
蓋体９は、基板２の筒状の第３の金属支柱５の第１の面２ａ上にシームリングなどを介したシーム溶接などの接合方法により電気的な接続を図りながら接合されている。これにより、基板２と蓋体９とにより形成される空間が気密に封止される。このとき、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が収容された空間が、センサー素子２０の振動が阻害されないように、真空状態（真空度が高い状態）あるいは不活性ガス雰囲気に保持されていることが望ましく、蓋体９を接合する封止工程では、前記空間から外部に脱気を行いながら封止したり、あるいは窒素（Ｎ2）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを注入して封止したりする。
【００５５】
上記第１の実施形態のセンサーデバイス１によれば、この構成によれば、ＩＣチップ１０とセンサー素子２０とを蓋体９により封止してセンサーデバイス１を構成する際に、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を搭載する基板２を、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができる。
これにより、従来のセンサーデバイス（振動デバイス）で基板として用いられるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、ＩＣチップやセンサー素子２０の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、低コスト化が図られたセンサーデバイス１を提供することができる。
【００５６】
〔センサーデバイスの製造方法〕
次に、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の製造方法について説明する。
図２は、センサーデバイス１の製造方法を示すフローチャートである。
また、図３及び図４は、センサーデバイス１の製造方法において各工程の態様を模式的に説明する正断面図である。
また、図５は、センサーデバイス１の製造方法において金属板シートに複数のセンサーデバイス１が縦横に並べて形成された過程を示す平面図である。
【００５７】
本実施形態のセンサーデバイス１の製造方法では、一つの金属板に複数個の基板２を平面視で並べて形成し、夫々の基板にＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を接合して蓋体９で封止し、その後、ダイシングすることにより個片のセンサーデバイス１を一括して複数個得る方法をとる。図４及び図５は、一つのセンサーデバイス１が形成される領域を示す部分断面図となっている。
【００５８】
まず、図３（ａ）に示すように、センサーデバイス１を複数個形成することが可能な面積を有する金属板シート２Ａの第１の面２ａ及び第２の面２ｂに第１めっき層３５及び第２めっき層３６を形成（第１めっき工程）した後に、第１めっき層３５と第２めっき層３６とのそれぞれをパターニングすることにより、複数の金属支柱を形成するためのエッチングマスクを形成する。
具体的には、まず、第１めっき工程にて、電解めっき法などにより、金属板シート２Ａの第１の面全面に第１めっき層３５を形成し、第２の面全面に第２めっき層３６を形成する。第１めっき層３５及び第２めっき層３６を同時に形成することができる。
次に、フォトリソグラフィーを利用して第１めっき層３５及び第２めっき層３６の一部を除去することにより、図３（ａ）に示すように、複数の金属支柱を形成するためのエッチングマスクパターンとなる第１めっき層３５と第２めっき層３６とを、第１の面２ａまたは第２の面２ｂに形成する（図２のステップＳ−１）。
なお、第１めっき層３５及び第２めっき層３６によるエッチングマスクパターンの形成は、金属板シート２Ａの第１の面２ａ及び第２の面２ｂの夫々に、フォトリソフラフィーを用いて形成されたフォトレジストによるめっきマスクパターンを形成し、第１めっき層３５および第２めっき層を選択的に形成した後にフォトレジストを剥離する方法によっても形成することができる。
【００５９】
次に、図３（ｂ）に示すように、金属板シート２Ａの第１の面２ａから、第１めっき層３５をエッチングマスクとして利用して部分的にエッチングすることにより、複数の金属支柱の一部となる複数の凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａを形成する第１エッチングを行う（図２のステップＳ２）。即ち、複数の凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａ間で金属板シート２Ａが完全にエッチングされて無くなる前（即ち、貫通前）の所定の深さまでエッチングしたところでエッチングを止める。このハーフエッチングにより、第１の金属支柱３の一部となる凸部３ａ、第２の金属支柱４Ａ、４Ｂ´夫々の一部となる凸部４Ａａ，４Ｂ´ａ、第３の金属支柱５の一部となる凸部５ａ、及び、第４の金属支柱６Ａの一部となる凸部６Ａａが形成される。
なお、図３及び図４の断面では、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´、及び、第４の金属支柱６Ａの夫々と対をなす第２の金属支柱４Ｂ，４Ａ´、及び、第４の金属支柱６Ｂが図示されないが、これらの一部となる凸部も同時に形成され、以降の工程でも同時に加工が進められていく（以下、説明は省略する）。
また、この第１エッチング工程では、金属配線部７Ｂ、及びそれと対をなす金属配線部７Ａ（図示されず）の一部も同時に形成される。
【００６０】
金属板シート２Ａには、例えば銅（Ｃｕ）を用いることができる。第１エッチング工程において銅板のハーフエッチングを行う場合は、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。また、エッチング液には、例えば塩化第２鉄溶液、又は、アルカリ性のエッチング溶液（以下、アルカリ溶液という。）を用いる。
なお、第１めっき層３５が例えばニッケル／パラジウム／金（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）、又は、ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）からなる場合は、上記エッチング液にアルカリ溶液を用いることが好ましい。Ｎｉはアルカリ溶液に溶けにくいので、図３（ｂ）に示すように、第１めっき層３５は、各凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａの表面（第１の面２ａ）からそれぞれ外側へはみ出すように残って形成される。
【００６１】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１エッチング工程での凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａの形成に伴って形成される凹部に、絶縁体３３を充填して固化させる絶縁体形成を行う。本実施形態では、当初は常温で流動性を有する絶縁性の無機物からなる絶縁体３３形成材料を前記凹部に充填してから、焼成して絶縁体３３を固化させる（図２のステップＳ３）。
なお、本実施形態のように、焼成することにより固化する絶縁体３３を用いる場合は、焼成によって金属板シート２Ａの物性が劣化しないように、比較的低い焼成温度の絶縁体３３材料を用いることが好ましい。
【００６２】
次に、図３（ｄ）に示すように、金属板シート（２Ａ）を第２の面２ｂから前記凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより、各凸部３，４Ａ，４Ｂ´ａ，５，６Ａから第２の面２ｂに延びる複数の金属支柱を形成する第２エッチングを行う。これにより、金属板シート（２Ａ）に平面視で複数並んだセンサーデバイス（１）の基板２が形成される（図２のステップＳ４）。
【００６３】
第２エッチング工程では、上記のめっき・パターニング工程で第１の面２ａの第１めっき層３５による各凸部形成用のエッチングマスクパターンと同時に、金属板シート２Ａの第２の面２ｂに形成した第２めっき層３６によるエッチングマスクパターンをエッチングマスクとして利用して行う。この第２エッチング工程により、筒状の第３の金属支柱５、及び、その第３の金属支柱５に囲まれるようにして、且つ、絶縁体３３によって一体に保持され互いに電気的に独立して設けられる複数の金属支柱、即ち、第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ、及び、第２の金属支柱４Ｂ´と第４の金属支柱６Ａとを電気的に接続する金属配線部７Ｂが形成される。
ここで、第３の金属支柱５と、金属配線部７Ｂとの第２の面２ｂには第２めっき層３６によるエッチングマスクパターンは形成されていないので、第３の金属支柱５、及び金属配線部７Ｂの第２の面２ｂは、上記したように、他の金属支柱の第２の面２ｂよりも第１の面２ａ側までエッチングされる。
【００６４】
次に、図４（ａ）に示すように、第１の金属支柱３の第１の面２ａに、電極パッド（１１）を有するＩＣチップ１０の能動面１０ａの反対側の面を対向させてダイアタッチ材などの接合部材９５による接合する半導体回路素子接合工程としてのＩＣダイアタッチを行う（図２のステップＳ５）。そして、複数の電極パッド（１１）と、対応する第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´とを、導電性部材としてのボンディングワイヤー９９により電気的に接続するボンディング工程としてのワイヤーボンディングを行う（図２のステップＳ６）。
【００６５】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１０の能動面１０ａにセンサー素子２０を電気的に接続させるとともに固定する振動片接続工程としてのセンサー素子２０接続を行う。センサー素子２０の電気的な接続及び固定は、ＩＣチップ１０の能動面１０ａの図示しない上記マウント電極上に設けられたスタッドバンプなどの接合部材９７を介して行う。これにより、センサー素子２０とＩＣチップ１０の集積回路とが接続されるとともに、接合部材９７によって、間に隙間が設けられた状態でＩＣチップ１０上にセンサー素子２０が保持される（図２のステップＳ７）。
【００６６】
次に、基板２にＩＣチップ１０とともに接合されたセンサー素子２０の周波数調整を行う（図２のステップＳ８）。周波数調整は、センサー素子２０の電極の一部をレーザートリミングにより除去して質量を減少させることによる方法や、蒸着やスパッタリングなどセンサー素子２０に質量を付加させることによる方法、あるいは、ＩＣチップ１０のデーターの書き換えによる方法などにより行うことができる。
【００６７】
次に、図４（ｃ）に示すように、基板２上に接合されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うように蓋体９を接合して、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を基板２と蓋体９とにより形成される内部空間に封止する（図２のステップＳ９）。具体的には、コバールなどの金属を用いた蓋体９を、基板２の筒状の第３の金属支柱５の第１の面２ａ上にシームリングなどを介したシーム溶接などの接合方法により接合する。このとき、内部空間から外部に脱気を行いながら封止したり、窒素（Ｎ2）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを注入しながら封止することにより、センサー素子２０の安定した振動特性が保持される。
これにより、図５に示すように、金属板シート２Ａに平面視で縦横等間隔に並んで連結された複数のセンサーデバイス１が形成される。
【００６８】
次に、図５に破線で示す切断線に沿ってダイシングすることにより、金属板シート２Ａに複数形成されたセンサーデバイス１を個片化する（図２のステップＳ１０）。
次に、センサーデバイス１の外観的特性や電気的特性を検査する特性検査を行って、各特性が規格内に入っている良品と、規格外となる不良品とを選別して（図２のステップＳ１１）、一連のセンサーデバイス１の製造を終了する。
【００６９】
上記製造方法により製造されるセンサーデバイス１によれば、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を搭載する基板２を、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができる。これにより、従来のセンサーデバイス（振動デバイス）で基板として用いるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、ＩＣチップやセンサー素子の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、低コストにてセンサーデバイス１を提供することができる。
【００７０】
また、上記実施形態のセンサーデバイス１は、ＩＣチップ１０の電極パッド１１とボンディングワイヤーを介して接続される２対の第２の金属支柱のうち、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´は、金属配線部７Ａ，７Ｂを介して第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに接続され、これら第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂにより外部基板との接続を図る構成として。
このように、ＩＣチップ１０の電極パッド１１と電気的に接続される第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´を、金属配線部７Ａ，７Ｂを介して、外部基板との接続を図る第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに再配置する再配置配線を形成することにより、ＩＣチップ１０の電極パッドの配置の変更や外部基板の設計変更に対して比較的容易に対応することができる。これにより、複数の前記金属支柱は第４の金属支柱を含み、前記第２の金属支柱と前記第４の支柱とを電気的に接続する金属配線部を有し、前記金属配線部の前記第２の面が、前記第１の金属支柱、前記第２の金属支柱、及び前記第４の金属支柱の前記第２の面よりも前記第１の面側にあることを特徴とする。
【００７１】
また、上記実施形態では、基板２の各金属支柱は、金属板を、第１めっき層３５をエッチングマスクにして第１の面２ａ側からエッチングする第１エッチング工程と、第２めっき層３６をエッチングマスクにして第２の面２ｂ側からエッチングする第２エッチング工程により形成した。
これによれば、第１エッチング工程及び第２エッチング工程においてエッチングマスクとして利用した第１めっき層３５及び第２めっき層３６を、各金属支柱において、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０、あるいは外部基板との電気的な接続を図る際の接点金属としてそのまま利用できるので、センサーデバイス１の低コスト化に顕著な効果を奏する。
【００７２】
また、上記実施形態のセンサーデバイス１は、金属を用いた蓋体９を第３の金属支柱５の第１の面２ａに電気的な接続を図りながら接合して、基板２に接合されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を封止する構成とした。
これにより、ＩＣチップ１０やセンサー素子２０を覆うように接合される蓋体９がシールド効果を奏して、外部の電磁波の影響によりＩＣチップ１０が誤動作したり、ＩＣチップ１０の不要な電磁波が外部に悪影響を及ぼしたりする不具合を回避することができる。
【００７３】
また、は、上記実施形態のセンサーデバイス１の製造方法によれば、金属板シート２Ａに複数個の基板２を平面視で並べて形成し、夫々の基板２にＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を接合して蓋体９で封止し、その後、ダイシングすることにより個片のセンサーデバイス１を一括して複数個得る方法をとっている。
これにより、製造効率が向上して製造コストを顕著に低減することができる。
【００７４】
（第２の実施形態）
以下、センサーデバイスの第２の実施形態について説明する。
図６は、センサーデバイスの第２の実施形態の概略構成を示す模式図であり、図１における図１（ｂ）と同じ断面を示す断面図である。
なお、第２の実施形態のセンサーデバイスは、基板の第１の面及び第２の面に形成されるめっき層以外の構成は、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１と同じであるため、上記第１の実施形態との共通部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００７５】
図６において、第２の実施形態のセンサーデバイス１０１は、複数の金属支柱、及び、それら金属支柱を互いに電気的に独立させた状態で一体に固定する絶縁体３３を備えた基板１０２と、基板１０２に搭載されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を封止する蓋体９と、を有している。
金属板を加工することにより形成された基板１０２は、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の基板２（図１、図３、図４を参照）と概ね同じ構成を有している。即ち、基板１０２は、第１の金属支柱３、二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ、及び、第２の金属支柱４Ｂ´と第４の金属支柱６Ａとを夫々電気的に接続する金属配線部７Ｂ、これらの金属支柱及び金属配線部を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱５が、絶縁体３３によって一体に固定されて形成されている。
【００７６】
各金属支柱及び金属配線部７Ｂの第１の面２ａには、第１めっき層８５が形成されている。また、各金属支柱及び金属配線部７Ｂの第２の面２ｂ、及び、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂとは異なる面には第２のめっき層８６が備えられている。ここで、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂとは異なる面とは、第２の面２ｂからエッチングを行う第２エッチング工程で形成されるエッチング面のことを指し、各金属支柱または金属配線部７Ａ，７Ｂの側面の一部である。換言すれば、本実施形態の基板１０２の絶縁体３３から露出した第１の面２ａの全てが第１めっき層８５に覆われているとともに、第２の面２ｂ側の金属板の露出面の全てに第２めっき層が備えられている。
【００７７】
上記構成の基板１０２上には、上記第１の実施形態と同じ態様でＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が搭載され、それらＩＣチップ１０及びセンサー素子が蓋体９により安定した雰囲気の空間に封止されている。
【００７８】
第２の実施形態のセンサーデバイス１０１において、基板１０２の各金属支柱及び金属配線部７Ｂの第２の面２ｂ、及び、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂと異なる面に備わる第２のめっき層は、後述する製造方法において、金属板の第２の面２ｂからエッチングして各金属支柱及び金属配線部７Ｂを形成した後で、無電解めっき法により形成されるものである。
これによれば、基板１０２の金属板の露出面の全てに第１めっき層８５または第２めっき層が形成されているので、金属板の金属面が露出された場合に比して耐蝕性が向上する。
また、例えば、半田接合によりセンサーデバイス１０１を外部基板に実装する際に、半田などの接合部材が各金属支柱の第２の面２ｂだけでなく側面にまで濡れ広がって良好なフィレットを形成することができる。
したがって、接続信頼性の高いセンサーデバイス１０１を提供することができる。
【００７９】
次に、第２の実施形態のセンサーデバイス１０１の製造方法について図面に沿って説明する。
図７は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法を示すフローチャートである。
また、図８及び図９は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図である。
なお、本実施形態のセンサーデバイス１０１は、基板１０２以外の構成は上記第１の実施形態のセンサーデバイス１と同じであるため、上記実施形態と同じ工程については同一符号を付して説明を省略する。また、図７及び図８には基板の製造過程のみを示す。
【００８０】
本第２の実施形態のセンサーデバイス１の製造方法では、まず、図８（ａ）に示すように、金属板シート２Ａの第１の面２ａにフォトレジストを塗布した後に、そのフォトレジストをパターニングすることにより、複数の金属支柱の第１の面２ａ側の一部を形成するためのエッチングマスク（フォトレジストパターン）８８を形成する（図７のステップＳ２１）。
【００８１】
次に、図８（ｂ）に示すように、金属板シート２Ａの第１の面２ａから、エッチングマスク８８を利用してハーフエッチングすることにより、複数の金属支柱及び金属配線部７Ｂ（及び７Ａ）の一部となる複数の凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａを形成する第１エッチングを行う（図７のステップＳ２２）。
次に、図８（ｃ）に示すように、第１エッチング工程で凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａの形成に伴って形成される凹部に、絶縁体３３を充填して固化させる絶縁体形成を行う（図２のステップＳ２３）。
【００８２】
次に、図８（ｄ）に示すように、金属板シート２Ａの第２の面２ｂにフォトレジストを塗布した後に、そのフォトレジストをパターニングすることにより、複数の金属支柱の第２の面２ｂ側の一部を形成するためのエッチングマスク８９を形成する（図７のステップＳ２４）。
【００８３】
次に、図９（ａ）に示すように、金属板シート（２Ａ）を第２の面２ｂからエッチングマスク８９を利用して前記凹部と連通するようにハーフエッチングすることにより、各凸部から第２の面２ｂに延びる複数の金属支柱を形成する第２エッチングを行う（図７のステップＳ２５）。
【００８４】
次に、上記の工程を経て複数の基板１０２の外形が形成された金属板シート２Ａからエッチングマスク８９を剥離してから（図９（ｂ）を参照）、無電解めっき液に浸漬して無電解めっきすることにより、露出した金属面に第２めっき層８６を形成する。これにより、図９（ｃ）に示すように、基板１０２の各金属支柱及び金属配線部の第１の面２ａに第１めっき層８５が形成され、第２の面２ｂ、及び、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂとは異なる面に第２めっき層８６が形成される。
ここまでの工程により、金属板シート２Ａに平面視で並んで連結された複数の基板１０２が形成される（図７のステップＳ２６）。
【００８５】
上記のように形成された基板１０２を用いて、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の製造方法（図２〜図５を参照）と同様に、図７に示すステップＳ５〜Ｓ１１の工程を経て、基板１０２上に搭載されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が蓋体９により気密に封止されたセンサーデバイス１０１を製造することができる
【００８６】
上記実施形態で説明したセンサーデバイスは、以下の変形例として実施することも可能である。
【００８７】
（変形例）
以下、センサーデバイスの変形例について図面を参照して説明する。
図１０は、センサーデバイスの変形例の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。なお、上記実施形態との共通部分については同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる構成を中心に説明する。
【００８８】
図１０に示す本変形例のセンサーデバイス２０１は、複数の金属支柱、及び、それら金属支柱を互いに電気的に独立させた状態で一体に固定する絶縁体３３を備えた基板２０２と、基板２０２に搭載されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を封止する平板状の蓋体２０９と、を有している。
金属板を加工することにより形成された基板２０２は、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の基板２（図１、図３、図４を参照）と概ね同じ構成の複数の金属支柱を有している。即ち、基板２０２は、第１の金属支柱３、二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ，６Ｂ、及び、第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´と第４の金属支柱６Ａ，６Ｂとを夫々電気的に接続する金属配線部７Ａ，７Ｂ、これらの金属支柱及び金属配線部を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱２０５が、絶縁体３３によって一体に固定されて形成されている。
【００８９】
上記構成の基板２０２において、筒状の第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａは、他の金属支柱の第１の面２ａよりも上方にある。詳細には、第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａは、第１の金属支柱３の第１の面２ａに搭載されたＩＣチップ１０およびセンサー素子２０よりも上方にある。
このような構成の基板２０２を形成するには、まず、上記実施形態で述べたセンサーデバイスの製造方法の基板の製造工程において（図２、図３を参照）、第１エッチング工程で金属支柱の第１の面２ａ側の一部（凸部）を形成する前に、第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａとなる領域をマスクして金属板をハーフエッチングすることによって、第３の金属支柱２０５の上方の筒状の壁を形成する。その後で、上記実施形態のセンサーデバイスの製造方法に沿って基板２０２を形成し、その基板２０２上に上記第１の実施形態と同じ態様でＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を搭載する。そして、第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａに平板状の蓋体２０９を接合してＩＣチップ１０及びセンサー素子を封止することにより、本変形例のセンサーデバイス２０１を製造することができる。
【００９０】
この構成によれば、第１の金属支柱３上に搭載されるＩＣチップ１０及びセンサー素子２０や、ＩＣチップ１０と第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´とを電気的に接続する導電性部材としてのボンディングワイヤー９９などの接続部材を第３の金属支柱２０５によって囲むことができるので、従来のパッケージのような態様の基板２０２を構成することができる。即ち、基板２０２に搭載したＩＣチップ１０やセンサー素子２０を、平板状の蓋体２０９（リッド）によって封止することができる。
また、第３の金属支柱２０５によりＩＣチップ１０やセンサー素子２０が囲まれることにより、第３の金属支柱２０５がシールド効果を奏して電磁波を遮蔽することができるので、外部の電磁波の影響によるＩＣチップなどの誤動作や、ＩＣチップ１０の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避することができる。
なお、この構成において、蓋体２０９に金属を用いるか、または金属層を有する構成とすることによって、シールド効果をより顕著に得ることができる。
【００９１】
（第３の実施形態）
〔電子機器〕
上記実施形態及び変形例に記載のセンサーデバイスを搭載した電子機器は、低コスト化及び信頼性の向上が可能である。
例えば、図１１（ａ）は、デジタルビデオカメラへの適用例を示す。デジタルビデオカメラ２４０は、受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、及び表示ユニット１００１を備えている。このようなデジタルビデオカメラ２４０に、上記実施形態のセンサーデバイス１を備えたセンサーを搭載することにより、所謂手ぶれ補正機能を搭載することができる。
また、図１１（ｂ）は、電子機器としての携帯電話機、図１１（ｃ）は、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）への適用例をそれぞれ示すものである。
まず、図１１（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットと１００２を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、表示ユニット１００２に表示される画面がスクロールされる。
また、図１１（ｃ）に示すＰＤＡ４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニット１００３を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が表示ユニット１００３に表示される。
このような携帯電話機３０００やＰＤＡ４０００に、上記実施形態のセンサーデバイスを搭載することにより、様々な機能を付与することができる。例えば、図１１（ｂ）の携帯電話機３０００に、図示しないカメラ機能を付与した場合に、携帯電話機３０００に搭載されるセンサーデバイスとしてジャイロセンサーを用いることにより、手振れ補正を行うことができる。また、図１１（ｂ）の携帯電話機３０００や、図１１（ｃ）のＰＤＡ４０００にＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）として広く知られる汎地球測位システムを具備した場合に、上記実施形態のセンサーデバイスを搭載することにより、ＧＰＳにおいて、携帯電話機３０００やＰＤＡ４０００の位置や姿勢を認識させることができる。
これらの電子機器は、上記実施形態および変形例のセンサーデバイスを用いているので、低コスト化、及び、信頼性の向上を図ることが可能である。
【００９２】
なお、図１１に示す電子機器に限らず、本発明のセンサーデバイス及びモーションセンサーを適用可能な電子機器として、モバイルコンピューター、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ゲーム機などが挙げられる。
【００９３】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態及びその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００９４】
例えば、上記実施形態では、ＩＣチップ１０の電極パッド１１と電気的に接続される第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´を、金属配線部７Ａ，７Ｂを介して、外部基板との接続を図る第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに再配置する再配置配線を形成し、この第４の金属支柱６Ａ，６Ｂを介して電極パッド１１と外部基板との接続を行う構成を説明した。
これに限らず、例えば、ＩＣチップ１０の集積回路のデーター書き込みが可能な回路素子から引き出された電極パッド１１と、第２の金属支柱とを導電性部材（ボンディングワイヤー９９）により接続し、この第２の金属支柱と金属配線部により接続された第４の金属支柱を、ユーザー用の書き込み端子として利用することができる。このとき、第４の金属支柱の第２の面を書き込み端子として利用することに限らず、例えば、複数の金属支柱を取り囲むように配置された第３の金属支柱の一部をエッチング加工及び絶縁体による固定によって電気的に独立させ、この第３の金属支柱の一部、即ちセンサーデバイスの側面にユーザー用の書き込み端子を配置して提供することもできる。
【００９５】
また、上記第２の実施形態のセンサーデバイス１０１の製造方法では、フォトレジストをパターニングして形成したエッチングマスク８８を利用して第１エッチングを行い、第２エッチング後に全面無電解めっきを行うことにより、第１めっき層３５及び第２めっき層３６を同時形成する構成とした。
これに限らず、第１エッチングには第１の実施形態と同様に第１めっき層３５をエッチングマスクとして利用して、第２エッチング後には金属板の第２の面２ｂ側のみに無電解めっき法による第２めっき層を形成する構成としてもよい。
【００９６】
また、上記実施形態及び変形例では、振動片としてのセンサー素子形成材料として水晶を用いた例を説明したが、水晶以外の圧電体材料を用いることができる。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウムや五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの圧電体材料を積層させて構成された積層圧電基板、あるいはジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒｘ，Ｔｉ１−ｘ）Ｏ3）などの圧電セラミックスを用いることができる。
また、圧電体材料以外の材料を用いて振動片を形成することができる。例えば、シリコン半導体材料などを用いて振動素子を形成することもできる。
また、振動素子の駆動振動の励振方式や検出振動の検出方式は、圧電効果によるものだけに限らない。静電気力（クーロン力）を用いた静電駆動型や、磁力を利用したローレンツ駆動型などの振動片においても、本発明の構成及びその効果を発揮させることができる。
【００９７】
また、振動片としてのセンサー素子の形状は、上記実施形態及び変形例で説明したセンサー素子２０のような音叉型に限らない。振動部から延びる一つの振動部を備えたビーム形の振動片や、３つ以上の振動部を備えた振動片であってもよく、あるいは、ＭＥＭＳジャイロ素子のように櫛歯電極で静電検出する振動片においても、本発明の基板を用いた構成によれば、上述した実施形態及び変形例に記載したものと同様な効果を得ることができる。
【００９８】
また、センサーデバイスに備わる振動片としてのセンサー素子２０は、例えば、角速度感知素子や、加速度に反応する加速度感知素子、圧力に反応する圧力感知素子、重さに反応する重量感知素子など、種々の感知素子を用いることができる。
したがって、本発明のセンサーデバイスを利用したセンサーは、角速度を検出するジャイロセンサーや、角加速度、加速度、力、温度、磁気など、種々の物理量を検出するセンサーとして利用することができる。
【００９９】
また、本発明のセンサーデバイス（振動デバイス）に用いる振動片は、上記実施形態及び変形例で説明したセンサー素子２０に限らず、例えば共振子であってもよく、その共振子を用いて振動デバイスとしての発振器を構成してもよい。
【符号の説明】
【０１００】
１，１０１，２０１…振動デバイスとしてのセンサーデバイス、２，１０２，２０２…基板、２Ａ…金属板シート、２ａ，２０２ａ…第１の面、２ｂ…第２の面、３…第１の金属支柱、３ａ，４Ａａ，４Ｂａ´，５ａ，６Ａａ…凸部、４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´…第２の金属支柱、５，２０５…第３の金属支柱、６Ａ，６Ｂ…第４の金属支柱、７Ａ，７Ｂ…金属配線部、９，２０９…蓋体、１０…半導体回路素子としてのＩＣチップ、１０ａ…一方の主面としての能動面、１１…電極としての電極パッド、２０…振動片としてのセンサー素子、２１…支持部、２２…振動部、３３…絶縁体、３５，８５…第１めっき層、３６，８６…第２めっき層、８８，８９…エッチングマスク、９５…接合部材、９７…導電性の接合部材、９９…導電性部材としてのボンディングワイヤー、２４０…電子機器としてのデジタルビデオカメラ、２４１…受像部、２４２…操作部、２４３…音声入力部、１００１〜１００３…表示ユニット、３０００…電子機器としての携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…電子機器としてのＰＤＡ、４００１…複数の操作ボタン、４００２…電源スイッチ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動デバイス、振動デバイスの製造方法、及び、振動デバイスを搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度や角速度などをセンシングする振動デバイスとしてのモーションセンサーにおいては、振動片としてのセンサー素子と、該センサー素子を駆動する機能を有する半導体回路素子とを備えたセンサーデバイスを用いた構成が知られている。
例えば、特許文献１には、センサー素子としての振動ジャイロ素子（ジャイロ振動片）と、半導体回路素子としてのＩＣチップとを備えたセンサーデバイスが基板としてのパッケージに収納されたモーションセンサーとしてのジャイロセンサーが開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載のジャイロセンサーの構成では、ＩＣチップが支持基板に固着され、支持基板に形成されたリード配線部と電気的に接続されている。また、センサー素子（振動ジャイロ素子）は、支持基板に固着されたリード線に接続されることによって、半導体装置と空隙を保ち該半導体装置と平面視で重なるように配置されて、パッケージ内に封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２９２０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のジャイロセンサーのように、センサー素子（振動片）とＩＣチップ（半導体回路素子）とを基板に搭載して封止した構成の振動デバイスにおいて、従来より、基板にはセラミックパッケージが広く用いられている。
しかしながら、セラミックパッケージは一般に高価であり、振動デバイスの低コスト化のネックとなっていた。特に、ＩＣチップやセンサー素子の設計変更に際してパッケージを新規する際に比較的高いコストが掛かるという課題があった。
また、近年の電子機器への小型化のニーズの高まりに応えるための、小型化・微細化に対応可能なパッケージ製造メーカーが限られているために、小型化に対応するセラミックパッケージが入手し難いという課題を有している。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の振動デバイスは、第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、複数の金属支柱であって第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む前記金属支柱と、複数の前記金属支柱の前記第１の面及び前記第２の面とは異なる面の隙間に充填され複数の前記金属支柱を一体に固定する絶縁体と、を備えた基板と、第３の面に電極を有し、前記第３の面とは反対側の第４の面を前記第１の金属支柱の前記第１の面に対向させて前記第１の金属支柱に固定された半導体回路素子と、支持部と、前記支持部から延出された振動部とを有し、前記支持部を前記半導体回路素子の前記第３の面に接合することにより前記半導体回路素子に支持された振動片と、前記電極と前記第２の金属支柱とを電気的に接続する導電性部材と、前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように設けられた蓋体と、を有することを特徴とする。
【０００８】
上記構成の振動デバイスの基板は、金属板を第１の面から部分的にエッチングして複数の凸部を形成してから、凸部の形成に伴って形成される凹部に絶縁体を充填して固着させ、その後、金属板を第２の面から凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより形成することができる。即ち、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができるので、従来の振動デバイスで基板として用いるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、半導体回路素子や振動片の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、低コストにて振動デバイスを提供することができる。
【０００９】
〔適用例２〕上記適用例の振動デバイスにおいて、複数の前記金属支柱は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱を含み、前記絶縁体が前記第３の金属支柱の内壁面側に充填され、前記蓋体が前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合され、前記第３の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、筒状の第３の金属支柱内に第１の金属支柱及び第２の金属支柱が夫々電気的に独立した態様で絶縁体により固定された基板と、その基板に半導体回路素子と振動片とを搭載して蓋体により封止した振動デバイスを提供することができる。しかも、振動デバイスを外部基板に実装する際に電気的な接続には寄与しない第３の金属支柱の第２の面が、第１の金属支柱及び第２の金属支柱の第２の面よりも第１の面側にあるため、第３の金属支柱の第２の面が外部基板の配線と接触することが回避できるので、短絡するなどの不具合が回避でき、外部基板の配線レイアウトの自由度を大きくすることができる。
【００１１】
〔適用例３〕上記適用例の振動デバイスにおいて、複数の前記金属支柱は第４の金属支柱及び金属配線部を含み、前記金属配線部は前記第２の金属支柱と前記第４の支柱とを電気的に接続し、前記金属配線部の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱、前記第２の金属支柱、及び前記第４の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、外部基板と接触しない状態の金属配線部により第２の金属支柱と第４の金属支柱とを電気的に接続することから、導電性部材を介して半導体回路素子の電極と接続された第２の金属支柱を第４の金属支柱に再配置して外部基板に接続することが可能になるので、外部基板の設計変更に比較的容易に対応することができる。
【００１３】
〔適用例４〕上記適用例の振動デバイスにおいて、複数の前記金属支柱の前記第１の面に第１のめっき層を備え、前記第１のめっき層は前記第１の面から外側へはみ出していることを特徴とする。
【００１４】
上記構成の振動デバイスにおいて、金属支柱の第１の面から外側へはみ出した第１めっき層は、振動デバイスの製造工程で、金属板の第１の面側をエッチングして金属支柱の一部を形成する工程の前に第１のめっき層を形成し、その第１のめっき層をエッチングマスクとして利用してエッチングを行うことにより形成されたものである。
これによれば、エッチングマスクとして利用した第１めっき層を、半導体回路素子及び振動片と各金属支柱との電気的な接続を図る際の接点金属としてそのまま利用できるので、製造コストの低減に顕著な効果を奏する。
【００１５】
〔適用例５〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記金属支柱の前記第２の面、及び、前記第２の面側の前記第２の面とは異なる面に第２のめっき層を備えていることを特徴とする。
【００１６】
上記構成の振動デバイスにおいて、金属支柱の第２の面、及び、第２の面側の第２の面と異なる面に備わる第２のめっき層は、その製造方法において、金属板の第２の面からエッチングして金属支柱を形成した後で、無電解めっき法により形成されるものである。
これによれば、各金属支柱の第２の面と共に、第２の面とは異なるエッチング面にもめっき層を形成することができるので、金属支柱のエッチング面が露出された場合に比して耐蝕性が向上する。
また、例えば、半田接合により振動デバイスを外部基板に実装する際に、半田が各金属支柱のエッチング面にまで濡れ広がって良好なフィレットを形成することができる。
したがって、信頼性の高い振動デバイスを提供することができる。
【００１７】
〔適用例６〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記第３の金属支柱の前記第１の面が、他の前記金属支柱の前記第１の面よりも高い位置にあることを特徴とする。
【００１８】
上記構成の振動デバイスによれば、例えば、第１の金属支柱上に接合される半導体回路素子及び振動片が第３の金属支柱により囲まれた態様となることから、第３の金属支柱が奏するシールド効果によって電磁波を遮蔽することができるので、外部の電磁波の影響による誤動作や、半導体回路素子の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避することができる。
【００１９】
〔適用例７〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記第３の金属支柱の前記第１の面が、前記振動片よりも高い位置にあることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、半導体回路素子及び振動片が第３の金属支柱により水平方向に全て囲まれるので、第３の金属支柱によるシールド効果がより高く発揮される振動デバイスを提供することができる。
【００２１】
〔適用例８〕上記適用例の振動デバイスにおいて、前記蓋体は金属部分を含み、前記蓋体と前記第３の金属支柱とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２２】
この構成によれば、半導体回路素子や振動片を覆う蓋体がシールド効果を奏して、外部の電磁波の影響による誤動作や、半導体回路素子の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避され、優れた特性を有する振動デバイスを提供することができる。
【００２３】
〔適用例９〕本適用例の振動デバイスの製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有する金属板を前記第１の面から部分的にエッチングして複数の凸部を形成する第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程で前記凸部の形成に伴って形成される凹部に絶縁体を充填して固着させる絶縁体形成工程と、前記絶縁体形成工程の後で、前記金属板を前記第２の面から前記凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより、前記凸部から前記第２の面に延びる金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む複数の前記金属支柱を形成する第２エッチング工程と、前記第１の金属支柱の前記第１の面に、第３の面に電極を有する半導体回路そしの前記第３の面とは反対側の第４の面を対向させて接合する半導体回路素子接合工程と、前記半導体回路素子の前記第３の面に振動片を固定する振動片固定工程と、前記電極と前記第２の金属支柱とを導電性部材により電気的に接続するボンディング工程と、前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように蓋体を設ける封止工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、半導体回路素子と振動片とを蓋体により封止して振動デバイスを構成する際に、半導体回路素子及び振動片を搭載する基板を、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができる。
これにより、従来の振動デバイスで基板として用いるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、半導体回路素子や振動片の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、振動デバイスの低コスト化を図ることができる。
【００２５】
〔適用例１０〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１エッチング工程の前に前記第１の面に第１のめっき層を形成する第１めっき工程を含み、前記第１エッチング工程では、前記第１めっき層をエッチングマスクとして利用することを特徴とする。
【００２６】
この構成によれば、エッチングマスクとして利用した第１めっき層を、半導体回路素子及び振動片と、各金属支柱との電気的な接続を図る際の接点金属としてそのまま利用できるので、製造コストの低減に顕著な効果を奏する。
【００２７】
〔適用例１１〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法による第２めっき工程を有することを特徴とする。
【００２８】
この構成によれば、各金属支柱の第２の面と共に、第２の面とは異なるエッチング面にもめっき層を形成することができるので、金属支柱のエッチング面が露出された場合に比して耐蝕性が向上する。
また、例えば、半田接合により振動デバイスを外部基板に実装する際に、半田が各金属支柱のエッチング面にまで濡れ広がって良好なフィレットを形成することができる。
したがって、信頼性の高い振動デバイスを提供することができる。
【００２９】
〔適用例１２〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法により前記第１の面の前記第１めっき層及び前記第２の面の前記第２めっき層を同時に形成するめっき工程を有することを特徴とする。
【００３０】
この構成によれば、第２のエッチング工程までに加熱する工程が必要な場合に、その加熱工程の熱によりめっき層が酸化したり劣化したりすることを回避しながら、基板の第１の面の第１めっき層と共に、第２の面にも第２めっき層が設けられることにより信頼性の高い振動デバイスを提供することができる。
例えば、絶縁体としてアルミナなどの焼成を必要とする材料を用いた場合に、その焼成する際の熱にめっき層が曝されることがない。
【００３１】
〔適用例１３〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１のエッチング工程及び前記第２のエッチング工程により、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置され前記第２の面が前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第２の面よりも前記第１の面側にある筒状の第３の金属支柱を形成し、前記絶縁体形成工程では、前記絶縁体を前記第３の金属支柱の内壁面側に充填し、前記封止工程では、前記蓋体を前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合することを特徴とする。
【００３２】
この構成によれば、筒状の第３の金属支柱内に第１の金属支柱及び第２の金属支柱が夫々電気的に独立した態様で絶縁体により固定された基板と、その基板に半導体回路素子と振動片とを搭載して蓋体により封止した振動デバイスを提供することができる。しかも、振動デバイスを外部基板に実装する際に電気的な接続には寄与しない第３の金属支柱の第２の面が、第１の金属支柱及び第２の金属支柱の第２の面よりも第１の面側にあるため、第３の金属支柱の第２の面が外部基板の配線と接触することが回避できるので、短絡するなどの不具合が回避でき、外部基板の配線レイアウトの自由度が大きくなる。
【００３３】
〔適用例１４〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１のエッチング工程の前に、前記第３の金属支柱の前記第１の面となる領域をマスクして前記金属板を前記第１の面から所定量エッチングする工程を含むことを特徴とする。
【００３４】
この構成によれば、第１の金属支柱及び第２の金属支柱上に搭載される半導体回路素子、振動片、及び、それらを電気的に接続する導電性部材などの接続部材を第３の金属支柱によって囲むことができるので、従来のパッケージのような態様の基板を構成することができる。即ち、基板に搭載した半導体回路素子や振動片を、平板状の蓋体（リッド）により封止することができる。また、第３の金属支柱により半導体回路素子や振動片が囲まれることにより、第３の金属支柱が奏するシールド効果によって電磁波を遮蔽することができるので、外部の電磁波の影響による誤動作や、半導体回路素子の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避することができる。
なお、金属または金属層を有する蓋体を使用することにより、シールド効果をより顕著に得ることができる。
【００３５】
〔適用例１５〕上記適用例の振動デバイスの製造方法において、前記第１エッチング工程、前記絶縁体形成工程、及び前記第２エッチング工程では、複数の前記金属支柱を有する一個片の基板を一つの前記金属板に平面視で複数個並べて形成し、前記半導体回路素子接合工程では、複数個の前記回路素子を、前記複数個の前記基板の夫々に平面視で並べて接合し、前記振動片接続工程では、複数個の前記振動片を、前記複数個の半導体回路素子夫々の上に並べて接続し、前記ボンディング工程では、前記複数個の半導体回路素子の前記電極と前記複数個の基板の前記第２の金属支柱とを前記導電性部材で夫々接続し、前記封止工程では、前記複数個の基板ごとに接合された前記半導体回路素子及び前記振動片を複数の前記蓋体で一括して封止して、前記金属板に連結された複数の振動デバイスを形成し、前記封止工程の後で、前記連結された複数の振動デバイスを個片に切り出すダイシング工程を有することを特徴とする。
【００３６】
上記構成によれば、金属板に連結された複数の基板を形成し、夫々の基板に半導体回路素子及び振動片を接合した後に蓋体により一括して封止し、金属板に連結された複数の振動デバイスを個片に切り出して個片化するので、製造効率が向上して製造コストの低減が可能になる。
【００３７】
〔適用例１６〕本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一項に記載の振動デバイス、または、上記適用例のいずれかに記載された製造方法により製造された振動デバイスを備えていることを特徴とする。
【００３８】
上記構成の電子機器は、上記適用例の振動デバイス、または、上記適用例の製造方法により製造された振動デバイス、即ち、半導体回路素子や振動片の設計変更に対して対応が容易で低コストな振動デバイス、または、優れた感度や発振特性を有し、信頼性の高い振動デバイスを備えているので、高機能を有し、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】振動デバイスとしてのセンサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、半導体回路素子としてのＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、底面側（下側）から俯瞰した平面図。
【図２】センサーデバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、センサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、センサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図５】センサーデバイス１の製造方法において金属板シートに複数のセンサーデバイス１が縦横に並べて形成された過程を示す平面図。
【図６】センサーデバイスの第２の実施形態の概略構成を示す模式断面図。
【図７】第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図。
【図１０】センサーデバイスの変形例の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図。
【図１１】実施形態及び変形例のセンサーデバイス、または、ジャイロセンサー（モーションセンサー）を搭載した電子機器の例を示す模式図であり、（ａ）は、デジタルビデオカメラの斜視図、（ｂ）は、携帯電話機の斜視図、（ｃ）は、情報携帯端末（ＰＤＡ）の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００４１】
（第１の実施形態）
〔センサーデバイス〕
図１は、振動デバイスとしてのセンサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、半導体回路素子としてのＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、底面側（下側）から俯瞰した平面図である。
図１において、センサーデバイス１は、複数の金属支柱と、それら金属支柱を互いに電気的に独立させた状態で一体に固定する絶縁体３３と、を備えた基板２と、基板２に搭載されたＩＣチップ１０及び振動片としてのセンサー素子２０と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うように設けられた蓋体９と、を有している。
【００４２】
基板２は、第１の面２ａ、及び、第１の面２ａとは反対側を向く第２の面２ｂを有する金属板をエッチング加工して形成され互いに電気的に独立して設けられた複数の金属支柱を備えている。本実施形態の基板２は、ＩＣチップ１０が固定される第１の金属支柱３と、ＩＣチップ１０の電極としての電極パッド１１に導電性部材としてのボンディングワイヤー９９を介して電気的に接続される二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´と、前記二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´のうちの一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´と電気的に接続された第４の金属支柱６Ａ，６Ｂと、これら第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ，６Ｂを平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱５と、を有している。
これら複数の金属支柱、即ち、第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ，６Ｂ、及び第３の金属支柱５は、互いに電気的に独立するように隙間を介して配置され、各金属支柱間の隙間には、絶縁体３３が充填されて固化されている。これにより、筒状の第３の金属支柱５に囲まれて配置された第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂが一体に固定された基板２が形成される。
【００４３】
本実施形態の基板２は、ＩＣチップ１０の電極パッド１１にボンディングワイヤー９９を介して電気的に接続される第２の金属支柱（４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´）が二対備えられている。このうちの一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´は、金属配線部７Ａ，７Ｂを夫々介して第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに電気的に接続されている。具体的には、金属板をエッチング加工することにより一体に形成された第２の金属支柱４Ａ´、金属配線部７Ａ、第４の金属支柱６Ａと、同じく一体に形成された第２の金属支柱４Ｂ´、金属配線部７Ｂ、及び第４の金属支柱６Ｂとを有している。
ここで、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び金属配線部７Ａ，７Ｂの第２の面２ｂが、第１の金属支柱３、他方の一対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂよりも第１の面２ａ側にある。換言すると、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び金属配線部７Ａ，７Ｂの第１の面２ａと第２の面２ｂとの間の距離は、第１の金属支柱３、他方の一対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第１の面２ａと第２の面２ｂとの合いだの距離より短い。即ち、第１の金属支柱３、他方の一対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂは、センサーデバイス１を外部基板に実装する際に、外部基板と接触して電気的な接続を図るための実装端子になっており、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び金属配線部７Ａ，７Ｂは、外部基板に接触しないようになっている。ＩＣチップ１０の電極パッド１１とボンディングワイヤー９９を介して電気的に接続された一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´は、金属配線部７Ａ，７Ｂを経て電気的に接続された第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂ（実装端子）により外部基板との接続を図るようになっている。
【００４４】
また、基板２において、複数の金属支柱を囲むように配置されている筒状の第３の金属支柱５の第２の面２ｂも、外部基板との接続に供する第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂよりも第１の面２ａ側にあり、外部基板と接触しないようになっている。換言すると、第３の金属支柱の第１の面２ａと第３の面２ｂとの合いだの距離は、外部基板との接続に供する第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第１の面２ａと第２の面２ｂとの間の距離より短くなっている。この第３の金属支柱５の内壁面側に絶縁体３３が充填され、第３の金属支柱５の第１の面２ａには蓋体９が接合される。
このような構成の第３の金属支柱５を有することにより、筒状の第３の金属支柱５内に複数の金属支柱が夫々電気的に独立した態様で絶縁体３３により固定された基板２と、その基板２にＩＣチップ１０とセンサー素子とを搭載して蓋体９により封止したセンサーデバイス１を提供することができる。また、センサーデバイス１を外部基板に実装する際に電気的な接続には寄与しない第３の金属支柱５の第２の面２ｂが、外部基板との電気的な接続に供する第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ、及び第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面よりも第１の面２ａ側にあるため、第３の金属支柱５の第２の面２ｂが外部基板の配線に接触しないので、短絡するなどの不具合が回避でき、外部基板の配線レイアウトの自由度が増すという効果を奏する。
【００４５】
基板２の各金属支柱の第１の面２ａには第１めっき層３５が設けられ、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´及び筒状の第３の金属支柱５以外の金属支柱の第２の面２ｂには第２めっき層３６が設けられている。各金属支柱の第１の面２ａに設けられた第１のめっき層３５、及び、第２の面２ｂに設けられた第２めっき層３６は、各金属支柱の第１の面２ａ及び第２の面２ｂのそれぞれから外側へはみ出している。これは、後述するように、基板２の製造工程において、金属板をエッチング加工して各金属支柱を形成する際に、第１めっき層３５、及び、第２めっき層３６をエッチングマスクとして利用していることによる。
【００４６】
即ち、基板２の各金属支柱は、金属板を、第１めっき層３５をエッチングマスクにして第１の面２ａ側からエッチングする工程と、第２めっき層３６をエッチングマスクにして第２の面２ｂ側からエッチングする工程との２回のエッチングを経て形成される。各エッチング工程において、第１めっき層３５または第２めっき層３６をエッチングマスクにして金属板の第１の面２ａまたは第２の面２ｂのそれぞれからエッチングを行う際に、第１の面２ａ、または第２の面２ｂから金属板の中央にエッチングが進んでいく過程で、各金属支柱の第１めっき層３５または第２めっき層３６の周縁部直下の金属板がエッチングされていく所謂サイドエッチングが起こる。このサイドエッチングのために、各金属支柱の第１の面２ａの第１めっき層３５、及び、第２の面２ｂの第２めっき層３６が、各金属支柱から外側にはみ出す形態が形成されるものである。
【００４７】
絶縁体３３は、後述する基板２の製造工程において、金属板の第１の面２ａ側からのエッチングの後で、第２の面２ｂ側からのエッチングを行う前に形成される。即ち、金属板の第１の面２ａから部分的なエッチングを行うことにより各金属支柱の一部となる複数の凸部を形成した後で、それら凸部の形成に伴って形成される凹部に流動性を有する状態の絶縁体３３を充填してから固化させることにより、絶縁体３３が形成される。その後、金属板の第２の面２ｂから前記凹部の一部と連通するように部分的にエッチングを行うことにより、前記凸部の第１の面２ａから第２の面２ｂに延びる複数の金属支柱が、互いに電気的に独立しながら平面視で並んで設けられる。
【００４８】
基板２の第１の金属支柱３の第１の面２ａ上には、半導体回路素子としてのＩＣチップ１０が接合部材（ダイアタッチ材）を介して接合されている。
ＩＣチップ１０には、能動面１０ａ側にトランジスターやメモリー素子などの半導体素子を含んで構成される集積回路（図示せず）が形成されている。この集積回路には、例えば、センサー素子２０を駆動振動させるための駆動回路と、物理量が加わったときにセンサー素子２０に生じる検出振動を検出する検出回路とが備えられている。
ＩＣチップ１０は、能動面１０ａ側に設けられた複数の電極パッド１１と、センサー素子２０の上記外部接続端子と電気的に接続されるマウント電極とを備えている。
また、図示はしないが、ＩＣチップ１０の能動面１０ａ上には、パッシベーション膜となる絶縁膜が形成されており、この絶縁膜には、電極パッド１１とマウント電極とを外側に露出させる開口部が設けられている。絶縁膜は、酸化珪素（ＳｉＯ2）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機絶縁材料や、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）及びＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）などの樹脂を用いて形成することができる。
【００４９】
また、ＩＣチップ１０に形成された集積回路には、電極パッド１１以外にも、図示しない他の電極が形成されている。この他の電極は、電極パッド１１の場合と同様に配線が接続されている。本実施形態のＩＣチップ１０は、センサー素子２０に接続されるマウント電極を有している。
電極パッド１１やその他の電極は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、または、これらを含む合金などを用いて形成することができる。特に電極パッド１１については、ワイヤーボンディングの際の接合性を高めるため、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）のメッキを施しておくのが好ましい。このようにすることで、特にさびによる接触性、接合性の低下を防止することができる。
また、電極パッド１１やその他の電極は、ハンダメッキ、ハンダプリコートなどの最表面処理を施したものとしてもよい。
【００５０】
上記のような構成のもとに、ＩＣチップ１０に形成された集積回路は、上記マウント電極上に設けられた接合部材９７を介してセンサー素子２０と電気的に接続されるようになっている。これにより、センサー素子２０は、ＩＣチップ１０に保持されている。このとき、接合部材９７によって、センサー素子２０とＩＣチップ１０との間に隙間が設けられている。
接合部材９７は、ＩＣチップ１０とセンサー素子２０との間に隙間を設けるギャップ材としての厚みを有した導電性の接合部材９７であり、例えば、銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤や、金（Ａｕ）などにより形成されたスタッドバンプを用いることができる。スタッドバンプは、金ワイヤーを用いて放電加熱により金ボールを形成し、超音波を印加させるなどの方法により金ボールをＩＣチップのマウント電極上に接合させることにより形成するものであり、ワイヤー径の小さい金ワイヤーを用いることによって微細なバンプを比較的容易に形成することができる。
【００５１】
センサー素子２０は、例えば、圧電材料である水晶を基材（主要部分を構成する材料）として形成されている。水晶は、電気軸と呼ばれるＸ軸、機械軸と呼ばれるＹ軸及び光学軸と呼ばれるＺ軸を有している。
水晶を用いて形成されるセンサー素子２０は、水晶結晶軸において直交するＸ軸及びＹ軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するＺ軸方向に所定の厚みを有している。なお、所定の厚みは、発振周波数（共振周波数）、外形サイズ、加工性などにより適宜設定される。
【００５２】
また、センサー素子２０を成す平板は、水晶からの切り出し角度の誤差を、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各々につき多少の範囲で許容できる。例えば、Ｘ軸を中心に０度から２度の範囲で回転して切り出したものを使用することができる。Ｙ軸及びＺ軸についても同様である。
本実施形態のセンサー素子２０は、支持部２１と、支持部２１から並行させて延出された一対の振動部（振動腕）２２，２２とを有する所謂音叉型の振動片である。このような形状のセンサー素子２０は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）により形成されている。なお、センサー素子２０は、１枚の水晶ウエハーから複数個取りすることが可能である。
【００５３】
図示はしないが、センサー素子２０の振動部２２には、駆動電極（励振電極）及び検出電極が設けられている。また、センサー素子２０の支持部２１のＩＣチップ１０と対向する側の面には、上記駆動電極及び検出電極から引き出された引き回し配線に接続された外部接続端子が設けられている。外部接続端子は、上述したＩＣチップ１０のマウント電極と電気的及に接続されるものであり、この外部接続端子とマウント電極とが、接合部材９７を介して接合される。
【００５４】
上記のように、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が接合された基板２上には、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うようにキャップ状の蓋体９が接合されている。蓋体９は、セラミックなどにより形成することができるが、本実施形態では、コバールなどの金属を用いた蓋体９を使用する。
蓋体９は、基板２の筒状の第３の金属支柱５の第１の面２ａ上にシームリングなどを介したシーム溶接などの接合方法により電気的な接続を図りながら接合されている。これにより、基板２と蓋体９とにより形成される空間が気密に封止される。このとき、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が収容された空間が、センサー素子２０の振動が阻害されないように、真空状態（真空度が高い状態）あるいは不活性ガス雰囲気に保持されていることが望ましく、蓋体９を接合する封止工程では、前記空間から外部に脱気を行いながら封止したり、あるいは窒素（Ｎ2）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを注入して封止したりする。
【００５５】
上記第１の実施形態のセンサーデバイス１によれば、この構成によれば、ＩＣチップ１０とセンサー素子２０とを蓋体９により封止してセンサーデバイス１を構成する際に、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を搭載する基板２を、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができる。
これにより、従来のセンサーデバイス（振動デバイス）で基板として用いられるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、ＩＣチップやセンサー素子２０の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、低コスト化が図られたセンサーデバイス１を提供することができる。
【００５６】
〔センサーデバイスの製造方法〕
次に、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の製造方法について説明する。
図２は、センサーデバイス１の製造方法を示すフローチャートである。
また、図３及び図４は、センサーデバイス１の製造方法において各工程の態様を模式的に説明する正断面図である。
また、図５は、センサーデバイス１の製造方法において金属板シートに複数のセンサーデバイス１が縦横に並べて形成された過程を示す平面図である。
【００５７】
本実施形態のセンサーデバイス１の製造方法では、一つの金属板に複数個の基板２を平面視で並べて形成し、夫々の基板にＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を接合して蓋体９で封止し、その後、ダイシングすることにより個片のセンサーデバイス１を一括して複数個得る方法をとる。図４及び図５は、一つのセンサーデバイス１が形成される領域を示す部分断面図となっている。
【００５８】
まず、図３（ａ）に示すように、センサーデバイス１を複数個形成することが可能な面積を有する金属板シート２Ａの第１の面２ａ及び第２の面２ｂに第１めっき層３５及び第２めっき層３６を形成（第１めっき工程）した後に、第１めっき層３５と第２めっき層３６とのそれぞれをパターニングすることにより、複数の金属支柱を形成するためのエッチングマスクを形成する。
具体的には、まず、第１めっき工程にて、電解めっき法などにより、金属板シート２Ａの第１の面全面に第１めっき層３５を形成し、第２の面全面に第２めっき層３６を形成する。第１めっき層３５及び第２めっき層３６を同時に形成することができる。
次に、フォトリソグラフィーを利用して第１めっき層３５及び第２めっき層３６の一部を除去することにより、図３（ａ）に示すように、複数の金属支柱を形成するためのエッチングマスクパターンとなる第１めっき層３５と第２めっき層３６とを、第１の面２ａまたは第２の面２ｂに形成する（図２のステップＳ−１）。
なお、第１めっき層３５及び第２めっき層３６によるエッチングマスクパターンの形成は、金属板シート２Ａの第１の面２ａ及び第２の面２ｂの夫々に、フォトリソフラフィーを用いて形成されたフォトレジストによるめっきマスクパターンを形成し、第１めっき層３５および第２めっき層を選択的に形成した後にフォトレジストを剥離する方法によっても形成することができる。
【００５９】
次に、図３（ｂ）に示すように、金属板シート２Ａの第１の面２ａから、第１めっき層３５をエッチングマスクとして利用して部分的にエッチングすることにより、複数の金属支柱の一部となる複数の凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａを形成する第１エッチングを行う（図２のステップＳ２）。即ち、複数の凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａ間で金属板シート２Ａが完全にエッチングされて無くなる前（即ち、貫通前）の所定の深さまでエッチングしたところでエッチングを止める。このハーフエッチングにより、第１の金属支柱３の一部となる凸部３ａ、第２の金属支柱４Ａ、４Ｂ´夫々の一部となる凸部４Ａａ，４Ｂ´ａ、第３の金属支柱５の一部となる凸部５ａ、及び、第４の金属支柱６Ａの一部となる凸部６Ａａが形成される。
なお、図３及び図４の断面では、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´、及び、第４の金属支柱６Ａの夫々と対をなす第２の金属支柱４Ｂ，４Ａ´、及び、第４の金属支柱６Ｂが図示されないが、これらの一部となる凸部も同時に形成され、以降の工程でも同時に加工が進められていく（以下、説明は省略する）。
また、この第１エッチング工程では、金属配線部７Ｂ、及びそれと対をなす金属配線部７Ａ（図示されず）の一部も同時に形成される。
【００６０】
金属板シート２Ａには、例えば銅（Ｃｕ）を用いることができる。第１エッチング工程において銅板のハーフエッチングを行う場合は、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。また、エッチング液には、例えば塩化第２鉄溶液、又は、アルカリ性のエッチング溶液（以下、アルカリ溶液という。）を用いる。
なお、第１めっき層３５が例えばニッケル／パラジウム／金（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）、又は、ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）からなる場合は、上記エッチング液にアルカリ溶液を用いることが好ましい。Ｎｉはアルカリ溶液に溶けにくいので、図３（ｂ）に示すように、第１めっき層３５は、各凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａの表面（第１の面２ａ）からそれぞれ外側へはみ出すように残って形成される。
【００６１】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１エッチング工程での凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａの形成に伴って形成される凹部に、絶縁体３３を充填して固化させる絶縁体形成を行う。本実施形態では、当初は常温で流動性を有する絶縁性の無機物からなる絶縁体３３形成材料を前記凹部に充填してから、焼成して絶縁体３３を固化させる（図２のステップＳ３）。
なお、本実施形態のように、焼成することにより固化する絶縁体３３を用いる場合は、焼成によって金属板シート２Ａの物性が劣化しないように、比較的低い焼成温度の絶縁体３３材料を用いることが好ましい。
【００６２】
次に、図３（ｄ）に示すように、金属板シート（２Ａ）を第２の面２ｂから前記凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより、各凸部３，４Ａ，４Ｂ´ａ，５，６Ａから第２の面２ｂに延びる複数の金属支柱を形成する第２エッチングを行う。これにより、金属板シート（２Ａ）に平面視で複数並んだセンサーデバイス（１）の基板２が形成される（図２のステップＳ４）。
【００６３】
第２エッチング工程では、上記のめっき・パターニング工程で第１の面２ａの第１めっき層３５による各凸部形成用のエッチングマスクパターンと同時に、金属板シート２Ａの第２の面２ｂに形成した第２めっき層３６によるエッチングマスクパターンをエッチングマスクとして利用して行う。この第２エッチング工程により、筒状の第３の金属支柱５、及び、その第３の金属支柱５に囲まれるようにして、且つ、絶縁体３３によって一体に保持され互いに電気的に独立して設けられる複数の金属支柱、即ち、第１の金属支柱３、第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ、及び、第２の金属支柱４Ｂ´と第４の金属支柱６Ａとを電気的に接続する金属配線部７Ｂが形成される。
ここで、第３の金属支柱５と、金属配線部７Ｂとの第２の面２ｂには第２めっき層３６によるエッチングマスクパターンは形成されていないので、第３の金属支柱５、及び金属配線部７Ｂの第２の面２ｂは、上記したように、他の金属支柱の第２の面２ｂよりも第１の面２ａ側までエッチングされる。
【００６４】
次に、図４（ａ）に示すように、第１の金属支柱３の第１の面２ａに、電極パッド（１１）を有するＩＣチップ１０の能動面１０ａの反対側の面を対向させてダイアタッチ材などの接合部材９５による接合する半導体回路素子接合工程としてのＩＣダイアタッチを行う（図２のステップＳ５）。そして、複数の電極パッド（１１）と、対応する第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´とを、導電性部材としてのボンディングワイヤー９９により電気的に接続するボンディング工程としてのワイヤーボンディングを行う（図２のステップＳ６）。
【００６５】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１０の能動面１０ａにセンサー素子２０を電気的に接続させるとともに固定する振動片接続工程としてのセンサー素子２０接続を行う。センサー素子２０の電気的な接続及び固定は、ＩＣチップ１０の能動面１０ａの図示しない上記マウント電極上に設けられたスタッドバンプなどの接合部材９７を介して行う。これにより、センサー素子２０とＩＣチップ１０の集積回路とが接続されるとともに、接合部材９７によって、間に隙間が設けられた状態でＩＣチップ１０上にセンサー素子２０が保持される（図２のステップＳ７）。
【００６６】
次に、基板２にＩＣチップ１０とともに接合されたセンサー素子２０の周波数調整を行う（図２のステップＳ８）。周波数調整は、センサー素子２０の電極の一部をレーザートリミングにより除去して質量を減少させることによる方法や、蒸着やスパッタリングなどセンサー素子２０に質量を付加させることによる方法、あるいは、ＩＣチップ１０のデーターの書き換えによる方法などにより行うことができる。
【００６７】
次に、図４（ｃ）に示すように、基板２上に接合されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を覆うように蓋体９を接合して、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を基板２と蓋体９とにより形成される内部空間に封止する（図２のステップＳ９）。具体的には、コバールなどの金属を用いた蓋体９を、基板２の筒状の第３の金属支柱５の第１の面２ａ上にシームリングなどを介したシーム溶接などの接合方法により接合する。このとき、内部空間から外部に脱気を行いながら封止したり、窒素（Ｎ2）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを注入しながら封止することにより、センサー素子２０の安定した振動特性が保持される。
これにより、図５に示すように、金属板シート２Ａに平面視で縦横等間隔に並んで連結された複数のセンサーデバイス１が形成される。
【００６８】
次に、図５に破線で示す切断線に沿ってダイシングすることにより、金属板シート２Ａに複数形成されたセンサーデバイス１を個片化する（図２のステップＳ１０）。
次に、センサーデバイス１の外観的特性や電気的特性を検査する特性検査を行って、各特性が規格内に入っている良品と、規格外となる不良品とを選別して（図２のステップＳ１１）、一連のセンサーデバイス１の製造を終了する。
【００６９】
上記製造方法により製造されるセンサーデバイス１によれば、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を搭載する基板２を、周知のフォトリソグラフィー技術を利用して金属板をエッチング加工することにより形成することができる。これにより、従来のセンサーデバイス（振動デバイス）で基板として用いるセラミック基板やセラミックパッケージに比して、基板に用いる材料が安価であると共に、ＩＣチップやセンサー素子の設計変更に対して、フォトリソグラフィーのフォトマスクの変更のみで対応することができるので、低コストにてセンサーデバイス１を提供することができる。
【００７０】
また、上記実施形態のセンサーデバイス１は、ＩＣチップ１０の電極パッド１１とボンディングワイヤーを介して接続される２対の第２の金属支柱のうち、一方の一対の第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´は、金属配線部７Ａ，７Ｂを介して第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに接続され、これら第４の金属支柱６Ａ，６Ｂの第２の面２ｂにより外部基板との接続を図る構成として。
このように、ＩＣチップ１０の電極パッド１１と電気的に接続される第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´を、金属配線部７Ａ，７Ｂを介して、外部基板との接続を図る第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに再配置する再配置配線を形成することにより、ＩＣチップ１０の電極パッドの配置の変更や外部基板の設計変更に対して比較的容易に対応することができる。これにより、複数の前記金属支柱は第４の金属支柱を含み、前記第２の金属支柱と前記第４の支柱とを電気的に接続する金属配線部を有し、前記金属配線部の前記第２の面が、前記第１の金属支柱、前記第２の金属支柱、及び前記第４の金属支柱の前記第２の面よりも前記第１の面側にあることを特徴とする。
【００７１】
また、上記実施形態では、基板２の各金属支柱は、金属板を、第１めっき層３５をエッチングマスクにして第１の面２ａ側からエッチングする第１エッチング工程と、第２めっき層３６をエッチングマスクにして第２の面２ｂ側からエッチングする第２エッチング工程により形成した。
これによれば、第１エッチング工程及び第２エッチング工程においてエッチングマスクとして利用した第１めっき層３５及び第２めっき層３６を、各金属支柱において、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０、あるいは外部基板との電気的な接続を図る際の接点金属としてそのまま利用できるので、センサーデバイス１の低コスト化に顕著な効果を奏する。
【００７２】
また、上記実施形態のセンサーデバイス１は、金属を用いた蓋体９を第３の金属支柱５の第１の面２ａに電気的な接続を図りながら接合して、基板２に接合されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を封止する構成とした。
これにより、ＩＣチップ１０やセンサー素子２０を覆うように接合される蓋体９がシールド効果を奏して、外部の電磁波の影響によりＩＣチップ１０が誤動作したり、ＩＣチップ１０の不要な電磁波が外部に悪影響を及ぼしたりする不具合を回避することができる。
【００７３】
また、は、上記実施形態のセンサーデバイス１の製造方法によれば、金属板シート２Ａに複数個の基板２を平面視で並べて形成し、夫々の基板２にＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を接合して蓋体９で封止し、その後、ダイシングすることにより個片のセンサーデバイス１を一括して複数個得る方法をとっている。
これにより、製造効率が向上して製造コストを顕著に低減することができる。
【００７４】
（第２の実施形態）
以下、センサーデバイスの第２の実施形態について説明する。
図６は、センサーデバイスの第２の実施形態の概略構成を示す模式図であり、図１における図１（ｂ）と同じ断面を示す断面図である。
なお、第２の実施形態のセンサーデバイスは、基板の第１の面及び第２の面に形成されるめっき層以外の構成は、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１と同じであるため、上記第１の実施形態との共通部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００７５】
図６において、第２の実施形態のセンサーデバイス１０１は、複数の金属支柱、及び、それら金属支柱を互いに電気的に独立させた状態で一体に固定する絶縁体３３を備えた基板１０２と、基板１０２に搭載されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を封止する蓋体９と、を有している。
金属板を加工することにより形成された基板１０２は、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の基板２（図１、図３、図４を参照）と概ね同じ構成を有している。即ち、基板１０２は、第１の金属支柱３、二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ、及び、第２の金属支柱４Ｂ´と第４の金属支柱６Ａとを夫々電気的に接続する金属配線部７Ｂ、これらの金属支柱及び金属配線部を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱５が、絶縁体３３によって一体に固定されて形成されている。
【００７６】
各金属支柱及び金属配線部７Ｂの第１の面２ａには、第１めっき層８５が形成されている。また、各金属支柱及び金属配線部７Ｂの第２の面２ｂ、及び、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂとは異なる面には第２のめっき層８６が備えられている。ここで、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂとは異なる面とは、第２の面２ｂからエッチングを行う第２エッチング工程で形成されるエッチング面のことを指し、各金属支柱または金属配線部７Ａ，７Ｂの側面の一部である。換言すれば、本実施形態の基板１０２の絶縁体３３から露出した第１の面２ａの全てが第１めっき層８５に覆われているとともに、第２の面２ｂ側の金属板の露出面の全てに第２めっき層が備えられている。
【００７７】
上記構成の基板１０２上には、上記第１の実施形態と同じ態様でＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が搭載され、それらＩＣチップ１０及びセンサー素子が蓋体９により安定した雰囲気の空間に封止されている。
【００７８】
第２の実施形態のセンサーデバイス１０１において、基板１０２の各金属支柱及び金属配線部７Ｂの第２の面２ｂ、及び、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂと異なる面に備わる第２のめっき層は、後述する製造方法において、金属板の第２の面２ｂからエッチングして各金属支柱及び金属配線部７Ｂを形成した後で、無電解めっき法により形成されるものである。
これによれば、基板１０２の金属板の露出面の全てに第１めっき層８５または第２めっき層が形成されているので、金属板の金属面が露出された場合に比して耐蝕性が向上する。
また、例えば、半田接合によりセンサーデバイス１０１を外部基板に実装する際に、半田などの接合部材が各金属支柱の第２の面２ｂだけでなく側面にまで濡れ広がって良好なフィレットを形成することができる。
したがって、接続信頼性の高いセンサーデバイス１０１を提供することができる。
【００７９】
次に、第２の実施形態のセンサーデバイス１０１の製造方法について図面に沿って説明する。
図７は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法を示すフローチャートである。
また、図８及び図９は、第２の実施形態のセンサーデバイスの製造方法において各工程での態様を模式的に説明する正断面図である。
なお、本実施形態のセンサーデバイス１０１は、基板１０２以外の構成は上記第１の実施形態のセンサーデバイス１と同じであるため、上記実施形態と同じ工程については同一符号を付して説明を省略する。また、図７及び図８には基板の製造過程のみを示す。
【００８０】
本第２の実施形態のセンサーデバイス１の製造方法では、まず、図８（ａ）に示すように、金属板シート２Ａの第１の面２ａにフォトレジストを塗布した後に、そのフォトレジストをパターニングすることにより、複数の金属支柱の第１の面２ａ側の一部を形成するためのエッチングマスク（フォトレジストパターン）８８を形成する（図７のステップＳ２１）。
【００８１】
次に、図８（ｂ）に示すように、金属板シート２Ａの第１の面２ａから、エッチングマスク８８を利用してハーフエッチングすることにより、複数の金属支柱及び金属配線部７Ｂ（及び７Ａ）の一部となる複数の凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａを形成する第１エッチングを行う（図７のステップＳ２２）。
次に、図８（ｃ）に示すように、第１エッチング工程で凸部３ａ，４Ａａ，４Ｂ´ａ，５ａ，６Ａａの形成に伴って形成される凹部に、絶縁体３３を充填して固化させる絶縁体形成を行う（図２のステップＳ２３）。
【００８２】
次に、図８（ｄ）に示すように、金属板シート２Ａの第２の面２ｂにフォトレジストを塗布した後に、そのフォトレジストをパターニングすることにより、複数の金属支柱の第２の面２ｂ側の一部を形成するためのエッチングマスク８９を形成する（図７のステップＳ２４）。
【００８３】
次に、図９（ａ）に示すように、金属板シート（２Ａ）を第２の面２ｂからエッチングマスク８９を利用して前記凹部と連通するようにハーフエッチングすることにより、各凸部から第２の面２ｂに延びる複数の金属支柱を形成する第２エッチングを行う（図７のステップＳ２５）。
【００８４】
次に、上記の工程を経て複数の基板１０２の外形が形成された金属板シート２Ａからエッチングマスク８９を剥離してから（図９（ｂ）を参照）、無電解めっき液に浸漬して無電解めっきすることにより、露出した金属面に第２めっき層８６を形成する。これにより、図９（ｃ）に示すように、基板１０２の各金属支柱及び金属配線部の第１の面２ａに第１めっき層８５が形成され、第２の面２ｂ、及び、第２の面２ｂ側の第２の面２ｂとは異なる面に第２めっき層８６が形成される。
ここまでの工程により、金属板シート２Ａに平面視で並んで連結された複数の基板１０２が形成される（図７のステップＳ２６）。
【００８５】
上記のように形成された基板１０２を用いて、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の製造方法（図２〜図５を参照）と同様に、図７に示すステップＳ５〜Ｓ１１の工程を経て、基板１０２上に搭載されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０が蓋体９により気密に封止されたセンサーデバイス１０１を製造することができる
【００８６】
上記実施形態で説明したセンサーデバイスは、以下の変形例として実施することも可能である。
【００８７】
（変形例）
以下、センサーデバイスの変形例について図面を参照して説明する。
図１０は、センサーデバイスの変形例の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＩＣチップ側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。なお、上記実施形態との共通部分については同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる構成を中心に説明する。
【００８８】
図１０に示す本変形例のセンサーデバイス２０１は、複数の金属支柱、及び、それら金属支柱を互いに電気的に独立させた状態で一体に固定する絶縁体３３を備えた基板２０２と、基板２０２に搭載されたＩＣチップ１０及びセンサー素子２０と、ＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を封止する平板状の蓋体２０９と、を有している。
金属板を加工することにより形成された基板２０２は、上記第１の実施形態のセンサーデバイス１の基板２（図１、図３、図４を参照）と概ね同じ構成の複数の金属支柱を有している。即ち、基板２０２は、第１の金属支柱３、二対の第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´、第４の金属支柱６Ａ，６Ｂ、及び、第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´と第４の金属支柱６Ａ，６Ｂとを夫々電気的に接続する金属配線部７Ａ，７Ｂ、これらの金属支柱及び金属配線部を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱２０５が、絶縁体３３によって一体に固定されて形成されている。
【００８９】
上記構成の基板２０２において、筒状の第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａは、他の金属支柱の第１の面２ａよりも上方にある。詳細には、第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａは、第１の金属支柱３の第１の面２ａに搭載されたＩＣチップ１０およびセンサー素子２０よりも上方にある。
このような構成の基板２０２を形成するには、まず、上記実施形態で述べたセンサーデバイスの製造方法の基板の製造工程において（図２、図３を参照）、第１エッチング工程で金属支柱の第１の面２ａ側の一部（凸部）を形成する前に、第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａとなる領域をマスクして金属板をハーフエッチングすることによって、第３の金属支柱２０５の上方の筒状の壁を形成する。その後で、上記実施形態のセンサーデバイスの製造方法に沿って基板２０２を形成し、その基板２０２上に上記第１の実施形態と同じ態様でＩＣチップ１０及びセンサー素子２０を搭載する。そして、第３の金属支柱２０５の第１の面２０２ａに平板状の蓋体２０９を接合してＩＣチップ１０及びセンサー素子を封止することにより、本変形例のセンサーデバイス２０１を製造することができる。
【００９０】
この構成によれば、第１の金属支柱３上に搭載されるＩＣチップ１０及びセンサー素子２０や、ＩＣチップ１０と第２の金属支柱４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´とを電気的に接続する導電性部材としてのボンディングワイヤー９９などの接続部材を第３の金属支柱２０５によって囲むことができるので、従来のパッケージのような態様の基板２０２を構成することができる。即ち、基板２０２に搭載したＩＣチップ１０やセンサー素子２０を、平板状の蓋体２０９（リッド）によって封止することができる。
また、第３の金属支柱２０５によりＩＣチップ１０やセンサー素子２０が囲まれることにより、第３の金属支柱２０５がシールド効果を奏して電磁波を遮蔽することができるので、外部の電磁波の影響によるＩＣチップなどの誤動作や、ＩＣチップ１０の不要な電磁波が外部に及ぼす悪影響を回避することができる。
なお、この構成において、蓋体２０９に金属を用いるか、または金属層を有する構成とすることによって、シールド効果をより顕著に得ることができる。
【００９１】
（第３の実施形態）
〔電子機器〕
上記実施形態及び変形例に記載のセンサーデバイスを搭載した電子機器は、低コスト化及び信頼性の向上が可能である。
例えば、図１１（ａ）は、デジタルビデオカメラへの適用例を示す。デジタルビデオカメラ２４０は、受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、及び表示ユニット１００１を備えている。このようなデジタルビデオカメラ２４０に、上記実施形態のセンサーデバイス１を備えたセンサーを搭載することにより、所謂手ぶれ補正機能を搭載することができる。
また、図１１（ｂ）は、電子機器としての携帯電話機、図１１（ｃ）は、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）への適用例をそれぞれ示すものである。
まず、図１１（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットと１００２を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、表示ユニット１００２に表示される画面がスクロールされる。
また、図１１（ｃ）に示すＰＤＡ４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニット１００３を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が表示ユニット１００３に表示される。
このような携帯電話機３０００やＰＤＡ４０００に、上記実施形態のセンサーデバイスを搭載することにより、様々な機能を付与することができる。例えば、図１１（ｂ）の携帯電話機３０００に、図示しないカメラ機能を付与した場合に、携帯電話機３０００に搭載されるセンサーデバイスとしてジャイロセンサーを用いることにより、手振れ補正を行うことができる。また、図１１（ｂ）の携帯電話機３０００や、図１１（ｃ）のＰＤＡ４０００にＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）として広く知られる汎地球測位システムを具備した場合に、上記実施形態のセンサーデバイスを搭載することにより、ＧＰＳにおいて、携帯電話機３０００やＰＤＡ４０００の位置や姿勢を認識させることができる。
これらの電子機器は、上記実施形態および変形例のセンサーデバイスを用いているので、低コスト化、及び、信頼性の向上を図ることが可能である。
【００９２】
なお、図１１に示す電子機器に限らず、本発明のセンサーデバイス及びモーションセンサーを適用可能な電子機器として、モバイルコンピューター、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ゲーム機などが挙げられる。
【００９３】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態及びその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００９４】
例えば、上記実施形態では、ＩＣチップ１０の電極パッド１１と電気的に接続される第２の金属支柱４Ａ´，４Ｂ´を、金属配線部７Ａ，７Ｂを介して、外部基板との接続を図る第４の金属支柱６Ａ，６Ｂに再配置する再配置配線を形成し、この第４の金属支柱６Ａ，６Ｂを介して電極パッド１１と外部基板との接続を行う構成を説明した。
これに限らず、例えば、ＩＣチップ１０の集積回路のデーター書き込みが可能な回路素子から引き出された電極パッド１１と、第２の金属支柱とを導電性部材（ボンディングワイヤー９９）により接続し、この第２の金属支柱と金属配線部により接続された第４の金属支柱を、ユーザー用の書き込み端子として利用することができる。このとき、第４の金属支柱の第２の面を書き込み端子として利用することに限らず、例えば、複数の金属支柱を取り囲むように配置された第３の金属支柱の一部をエッチング加工及び絶縁体による固定によって電気的に独立させ、この第３の金属支柱の一部、即ちセンサーデバイスの側面にユーザー用の書き込み端子を配置して提供することもできる。
【００９５】
また、上記第２の実施形態のセンサーデバイス１０１の製造方法では、フォトレジストをパターニングして形成したエッチングマスク８８を利用して第１エッチングを行い、第２エッチング後に全面無電解めっきを行うことにより、第１めっき層３５及び第２めっき層３６を同時形成する構成とした。
これに限らず、第１エッチングには第１の実施形態と同様に第１めっき層３５をエッチングマスクとして利用して、第２エッチング後には金属板の第２の面２ｂ側のみに無電解めっき法による第２めっき層を形成する構成としてもよい。
【００９６】
また、上記実施形態及び変形例では、振動片としてのセンサー素子形成材料として水晶を用いた例を説明したが、水晶以外の圧電体材料を用いることができる。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウムや五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの圧電体材料を積層させて構成された積層圧電基板、あるいはジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒｘ，Ｔｉ１−ｘ）Ｏ3）などの圧電セラミックスを用いることができる。
また、圧電体材料以外の材料を用いて振動片を形成することができる。例えば、シリコン半導体材料などを用いて振動素子を形成することもできる。
また、振動素子の駆動振動の励振方式や検出振動の検出方式は、圧電効果によるものだけに限らない。静電気力（クーロン力）を用いた静電駆動型や、磁力を利用したローレンツ駆動型などの振動片においても、本発明の構成及びその効果を発揮させることができる。
【００９７】
また、振動片としてのセンサー素子の形状は、上記実施形態及び変形例で説明したセンサー素子２０のような音叉型に限らない。振動部から延びる一つの振動部を備えたビーム形の振動片や、３つ以上の振動部を備えた振動片であってもよく、あるいは、ＭＥＭＳジャイロ素子のように櫛歯電極で静電検出する振動片においても、本発明の基板を用いた構成によれば、上述した実施形態及び変形例に記載したものと同様な効果を得ることができる。
【００９８】
また、センサーデバイスに備わる振動片としてのセンサー素子２０は、例えば、角速度感知素子や、加速度に反応する加速度感知素子、圧力に反応する圧力感知素子、重さに反応する重量感知素子など、種々の感知素子を用いることができる。
したがって、本発明のセンサーデバイスを利用したセンサーは、角速度を検出するジャイロセンサーや、角加速度、加速度、力、温度、磁気など、種々の物理量を検出するセンサーとして利用することができる。
【００９９】
また、本発明のセンサーデバイス（振動デバイス）に用いる振動片は、上記実施形態及び変形例で説明したセンサー素子２０に限らず、例えば共振子であってもよく、その共振子を用いて振動デバイスとしての発振器を構成してもよい。
【符号の説明】
【０１００】
１，１０１，２０１…振動デバイスとしてのセンサーデバイス、２，１０２，２０２…基板、２Ａ…金属板シート、２ａ，２０２ａ…第１の面、２ｂ…第２の面、３…第１の金属支柱、３ａ，４Ａａ，４Ｂａ´，５ａ，６Ａａ…凸部、４Ａ，４Ｂ，４Ａ´，４Ｂ´…第２の金属支柱、５，２０５…第３の金属支柱、６Ａ，６Ｂ…第４の金属支柱、７Ａ，７Ｂ…金属配線部、９，２０９…蓋体、１０…半導体回路素子としてのＩＣチップ、１０ａ…一方の主面としての能動面、１１…電極としての電極パッド、２０…振動片としてのセンサー素子、２１…支持部、２２…振動部、３３…絶縁体、３５，８５…第１めっき層、３６，８６…第２めっき層、８８，８９…エッチングマスク、９５…接合部材、９７…導電性の接合部材、９９…導電性部材としてのボンディングワイヤー、２４０…電子機器としてのデジタルビデオカメラ、２４１…受像部、２４２…操作部、２４３…音声入力部、１００１〜１００３…表示ユニット、３０００…電子機器としての携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…電子機器としてのＰＤＡ、４００１…複数の操作ボタン、４００２…電源スイッチ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、複数の金属支柱であって第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む前記金属支柱と、複数の前記金属支柱の前記第１の面及び前記第２の面とは異なる面の隙間に充填され複数の前記金属支柱を一体に固定する絶縁体と、を備えた基板と、
第３の面に電極を有し、前記第３の面とは反対側の第４の面を前記第１の金属支柱の前記第１の面に対向させて前記第１の金属支柱に固定された半導体回路素子と、
支持部と、前記支持部から延出された振動部とを有し、前記支持部を前記半導体回路素子の前記第３の面に接合することにより前記半導体回路素子に支持された振動片と、
前記電極と前記第２の金属支柱とを電気的に接続する導電性部材と、
前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように設けられた蓋体と、
を有することを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の振動デバイスにおいて、
複数の前記金属支柱は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱を含み、
前記絶縁体が前記第３の金属支柱の内壁面側に充填され、
前記蓋体が前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合され、
前記第３の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする振動デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の振動デバイスにおいて、
複数の前記金属支柱は第４の金属支柱及び金属配線部を含み、
前記金属配線部は前記第２の金属支柱と前記第４の支柱とを電気的に接続し、
前記金属配線部の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱、前記第２の金属支柱、及び前記第４の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする振動デバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
複数の前記金属支柱の前記第１の面に第１のめっき層を備え、前記第１のめっき層は前記第１の面から外側へはみ出していることを特徴とする振動デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記金属支柱の前記第２の面、及び、前記第２の面側の前記第２の面とは異なる面に第２のめっき層を備えていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項６】
請求項２に記載の振動デバイスにおいて、
前記第３の金属支柱の前記第１の面が、他の前記金属支柱の前記第１の面よりも高い位置にあることを特徴とする振動デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の振動デバイスにおいて、
前記第３の金属支柱の前記第１の面が、前記振動片よりも高い位置にあることを特徴とする振動デバイス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記蓋体は金属部分を含み、前記蓋体と前記第３の金属支柱とが電気的に接続されていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項９】
第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有する金属板を前記第１の面から部分的にエッチングして複数の凸部を形成する第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程で前記凸部の形成に伴って形成される凹部に絶縁体を充填して固着させる絶縁体形成工程と、
前記絶縁体形成工程の後で、前記金属板を前記第２の面から前記凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより、前記凸部から前記第２の面に延びる金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む複数の前記金属支柱を形成する第２エッチング工程と、
前記第１の金属支柱の前記第１の面に、第３の面に電極を有する半導体回路素子の前記第３の面とは反対側の第４の面を対向させて接合する半導体回路素子接合工程と、
前記半導体回路素子の前記第３の面に振動片を固定する振動片固定工程と、
前記電極と前記第２の金属支柱とを導電性部材により電気的に接続するボンディング工程と、
前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように蓋体を設ける封止工程と、
を含むことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１エッチング工程の前に前記第１の面に第１のめっき層を形成する第１めっき工程を含み、
前記第１エッチング工程では、前記第１めっき層をエッチングマスクとして利用することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法による第２めっき工程を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法により前記第１の面の前記第１めっき層及び前記第２の面の前記第２めっき層を同時に形成するめっき工程を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１のエッチング工程及び前記第２のエッチング工程により、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置され前記第２の面が前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第２の面よりも前記第１の面側にある筒状の第３の金属支柱を形成し、
前記絶縁体形成工程では、前記絶縁体を前記第３の金属支柱の内壁面側に充填し、
前記封止工程では、前記蓋体を前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１のエッチング工程の前に、
前記第３の金属支柱の前記第１の面となる領域をマスクして前記金属板を前記第１の面から所定量エッチングする工程を含むことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか一項に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１エッチング工程、前記絶縁体形成工程、及び前記第２エッチング工程では、複数の前記金属支柱を有する一個片の基板を一つの前記金属板に平面視で複数個並べて形成し、
前記半導体回路素子接合工程では、複数個の前記回路素子を、前記複数個の前記基板の夫々に平面視で並べて接合し、
前記振動片接続工程では、複数個の前記振動片を、前記複数個の半導体回路素子夫々の上に並べて接続し、
前記ボンディング工程では、前記複数個の半導体回路素子の前記電極と前記複数個の基板の前記第２の金属支柱とを前記導電性部材で夫々接続し、
前記封止工程では、前記複数個の基板ごとに接合された前記半導体回路素子及び前記振動片を複数の前記蓋体で一括して封止して、前記金属板に連結された複数の振動デバイスを形成し、
前記封止工程の後で、前記連結された複数の振動デバイスを個片に切り出すダイシング工程を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の振動デバイス、または、請求項９〜１４のいずれか一項に記載された製造方法により製造された振動デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、複数の金属支柱であって第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む前記金属支柱と、複数の前記金属支柱の前記第１の面及び前記第２の面とは異なる面の隙間に充填され複数の前記金属支柱を一体に固定する絶縁体と、を備えた基板と、
第３の面に電極を有し、前記第３の面とは反対側の第４の面を前記第１の金属支柱の前記第１の面に対向させて前記第１の金属支柱に固定された半導体回路素子と、
支持部と、前記支持部から延出された振動部とを有し、前記支持部を前記半導体回路素子の前記第３の面に接合することにより前記半導体回路素子に支持された振動片と、
前記電極と前記第２の金属支柱とを電気的に接続する導電性部材と、
前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように設けられた蓋体と、
を有することを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の振動デバイスにおいて、
複数の前記金属支柱は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置された筒状の第３の金属支柱を含み、
前記絶縁体が前記第３の金属支柱の内壁面側に充填され、
前記蓋体が前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合され、
前記第３の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする振動デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の振動デバイスにおいて、
複数の前記金属支柱は第４の金属支柱及び金属配線部を含み、
前記金属配線部は前記第２の金属支柱と前記第４の支柱とを電気的に接続し、
前記金属配線部の前記第１の面と前記第２の面との間の距離は、前記第１の金属支柱、前記第２の金属支柱、及び前記第４の金属支柱の前記第１の面と前記第２の面との間の距離より短いことを特徴とする振動デバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
複数の前記金属支柱の前記第１の面に第１のめっき層を備え、前記第１のめっき層は前記第１の面から外側へはみ出していることを特徴とする振動デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記金属支柱の前記第２の面、及び、前記第２の面側の前記第２の面とは異なる面に第２のめっき層を備えていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項６】
請求項２に記載の振動デバイスにおいて、
前記第３の金属支柱の前記第１の面が、他の前記金属支柱の前記第１の面よりも高い位置にあることを特徴とする振動デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の振動デバイスにおいて、
前記第３の金属支柱の前記第１の面が、前記振動片よりも高い位置にあることを特徴とする振動デバイス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記蓋体は金属部分を含み、前記蓋体と前記第３の金属支柱とが電気的に接続されていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項９】
第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有する金属板を前記第１の面から部分的にエッチングして複数の凸部を形成する第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程で前記凸部の形成に伴って形成される凹部に絶縁体を充填して固着させる絶縁体形成工程と、
前記絶縁体形成工程の後で、前記金属板を前記第２の面から前記凹部と連通するように部分的にエッチングすることにより、前記凸部から前記第２の面に延びる金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を含む複数の前記金属支柱を形成する第２エッチング工程と、
前記第１の金属支柱の前記第１の面に、第３の面に電極を有する半導体回路素子の前記第３の面とは反対側の第４の面を対向させて接合する半導体回路素子接合工程と、
前記半導体回路素子の前記第３の面に振動片を固定する振動片固定工程と、
前記電極と前記第２の金属支柱とを導電性部材により電気的に接続するボンディング工程と、
前記半導体回路素子及び前記振動片を覆うように蓋体を設ける封止工程と、
を含むことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１エッチング工程の前に前記第１の面に第１のめっき層を形成する第１めっき工程を含み、
前記第１エッチング工程では、前記第１めっき層をエッチングマスクとして利用することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法による第２めっき工程を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第２エッチング工程の後に、無電解めっき法により前記第１の面の前記第１めっき層及び前記第２の面の前記第２めっき層を同時に形成するめっき工程を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１のエッチング工程及び前記第２のエッチング工程により、前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱を平面視で囲むように配置され前記第２の面が前記第１の金属支柱及び前記第２の金属支柱の前記第２の面よりも前記第１の面側にある筒状の第３の金属支柱を形成し、
前記絶縁体形成工程では、前記絶縁体を前記第３の金属支柱の内壁面側に充填し、
前記封止工程では、前記蓋体を前記第３の金属支柱の前記第１の面に接合することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１のエッチング工程の前に、
前記第３の金属支柱の前記第１の面となる領域をマスクして前記金属板を前記第１の面から所定量エッチングする工程を含むことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか一項に記載の振動デバイスの製造方法において、
前記第１エッチング工程、前記絶縁体形成工程、及び前記第２エッチング工程では、複数の前記金属支柱を有する一個片の基板を一つの前記金属板に平面視で複数個並べて形成し、
前記半導体回路素子接合工程では、複数個の前記回路素子を、前記複数個の前記基板の夫々に平面視で並べて接合し、
前記振動片接続工程では、複数個の前記振動片を、前記複数個の半導体回路素子夫々の上に並べて接続し、
前記ボンディング工程では、前記複数個の半導体回路素子の前記電極と前記複数個の基板の前記第２の金属支柱とを前記導電性部材で夫々接続し、
前記封止工程では、前記複数個の基板ごとに接合された前記半導体回路素子及び前記振動片を複数の前記蓋体で一括して封止して、前記金属板に連結された複数の振動デバイスを形成し、
前記封止工程の後で、前記連結された複数の振動デバイスを個片に切り出すダイシング工程を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の振動デバイス、または、請求項９〜１４のいずれか一項に記載された製造方法により製造された振動デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１８２７６５（Ｐ２０１２−１８２７６５Ａ）
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４５９９９（Ｐ２０１１−４５９９９）
【出願日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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