圧電発振器
【課題】 寄生容量を小さくし、負性抵抗を減少させない圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器（１００）は、一対の励振電極を有する圧電振動片（１０）と、圧電振動片を発振させる発振回路（２０）を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向にキャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージ（３０）と、キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリング（４１）と、シールリングで溶接される金属製リッド（５）と、キャビティの底面に形成され圧電振動片と発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極（３６ｂ）と、を備える。そして、圧電発振器（１００）は、キャビティ底面の法線方向から見て、一対の配線電極（３６ｂ）とシーリング（４３）とが重なる領域のセラミック壁はその内部に空洞（４３）が形成される。
【解決手段】 圧電発振器（１００）は、一対の励振電極を有する圧電振動片（１０）と、圧電振動片を発振させる発振回路（２０）を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向にキャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージ（３０）と、キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリング（４１）と、シールリングで溶接される金属製リッド（５）と、キャビティの底面に形成され圧電振動片と発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極（３６ｂ）と、を備える。そして、圧電発振器（１００）は、キャビティ底面の法線方向から見て、一対の配線電極（３６ｂ）とシーリング（４３）とが重なる領域のセラミック壁はその内部に空洞（４３）が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ等の電子部品を搭載した表面実装用の圧電発振器に関する。特に負性抵抗が減少することを防止したセラミックパッケージを有する圧電発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装用の水晶振動子は、セラミックパッケージとこのセラミックパッケージを封止する金属製蓋体とを溶接して形成される。一般に、金属製蓋体のシールリング材は金属材料であり、シールリング材はグランド電位に短絡されている。特許文献１の従来例として挙げられた水晶振動子では、入出力電極パッドが、ビアホール導体ではなく、セラミックパッケージの側面を経由して配線されている。つまり、セラミックパッケージに形成される水晶発振素子の入出力電極パッドと金属製蓋体のシールリングとの間にセラミック層が形成されている。このため、水晶発振素子の入出力端子とシールリングとの間に寄生容量が発生している。そこで、特許文献１の発明として開示された水晶振動子は、シーリングはグランドに接地し、入出力電極パッドは、水晶振動子の底面に配置された外部端子電極にビアホール導体で電気的に接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１３３８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１は発振回路を有するＩＣを備えた水晶発振器について開示していない。水晶発振器の出荷前に水晶振動片単体での振動状態を確認するために、セラミックパッケージの側面に測定用端子が設けられる。この測定用端子は、水晶発振器の製品出荷後には使用されないため、電源端子又はグランド端子などの端子のように、水晶発振器の底面に設けない。したがって、水晶発振器は、特許文献１に開示されるようにビアホール導体を形成して、測定用端子と水晶振動片用の入出力電極パッドとを導通させることができないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明は、寄生容量を小さくし、負性抵抗を減少させない圧電発振器を提供する。
【０００６】
第１の観点の圧電発振器は、一対の励振電極を有する圧電振動片と、圧電振動片を発振させる発振回路を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向にキャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージと、キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリングと、シールリングで溶接される金属製リッドと、キャビティの底面に形成され、圧電振動片と発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極と、を備える。そして、圧電発振器は、キャビティ底面の法線方向から見て、一対の配線電極とシーリングとが重なる領域のセラミック壁はその内部に空洞が形成される。
【０００７】
第２の観点の圧電発振器は、空洞の側面に配線電極の一部が形成される。
第３の観点の圧電発振器は、圧電振動片と発振回路とが同じキャビティ内に配置される。
第４の観点の圧電発振器は、圧電振動片と発振回路とが別のキャビティ内に配置される。
第５の観点の圧電発振器は、一対の配線電極はともにそれらの一部がセラミックパッケージの外壁にも形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の圧電発振器によれば、パッケージのセラミック壁内に空間部を設け、入出力端子とシールリングとの間にコンデンサを形成させないことにより、回路の負性抵抗を水晶振動子の等価抵抗より大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、第１水晶発振器１００のＡ−Ａ’断面図である。 （ｂ）は、水晶振動片１０及び電子回路素子２０の接続関係を示したパッケージ３０の平面図である。
【図２】外部電極と電子回路素子２０との接続関係を示したベースセラミック層３０ａの平面図である。
【図３】（ａ）は、水晶振動片１０の平面図である。 （ｂ）は、電子回路素子２０の平面図である。
【図４】水晶振動子に及ぼす出入力端子とシールリング間の容量を示す発振回路図である。
【図５】（ａ）は、第２水晶発振器２００のＢ−Ｂ’断面図である。 （ｂ）は、水晶振動片１０及び電子回路素子２０との接続関係を示したパッケージ２３０の第２層２３０ｂの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
＜第１水晶発振器１００の全体構成＞
第１水晶発振器１００の全体構成について、図１〜図３を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、第１水晶発振器１００のＡ−Ａ’断面図であり、（ｂ）は、パッケージ３０の平面図である。但し、図１（ｂ）は、理解を助けるため、リッド５が取り外されて描かれている。また図１（ｂ）は、理解を助けるため、水晶振動片１０が二点鎖線で、電子回路素子２０が点線で描かれている。
【００１１】
図２は、水晶振動片１０とＩＣ等の電子回路素子２０との接続関係を示したベースセラミック層３０ａの平面図である。台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃは描かれていない。図３（ａ）は、水晶振動片１０の平面図であり、（ｂ）は、電子回路素子２０の上から見た平面図である。
【００１２】
ここで、水晶振動片としてＡＴカットの水晶振動片１０が使われている。つまり、ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、第１実施形態ではＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をｙ’軸及びｚ’軸として用いる。すなわち、第１実施形態において第１水晶発振器１００の長手方向をｘ軸方向、第１水晶発振器１００の高さ方向をｙ’軸方向、ｘ及びｙ’軸方向に垂直な方向をｚ’として説明する。以下、第２実施形態において同様である。
【００１３】
図１（ａ）に示されるように、第１水晶発振器１００は、表面実装型の圧電発振器であり、プリント基板等に実装されて使用される。第１水晶発振器１００は、主に、水晶振動片１０と、電子回路素子２０と、パッケージ３０と、リッド５とにより構成されている。
【００１４】
水晶振動片１０は、図３（ａ）に示されるように、ＡＴカットされた水晶片１０１により構成され、その水晶片１０１の中央付近の両主面に一対の励振電極１５ａ、１５ｂが対向して配置されている。また、励振電極１５ａには水晶片１０１の底面（−ｙ’側）の−ｘ側まで伸びた引出電極１２及び電極パッド１４が接続され、励振電極１５ｂには水晶片１０１の底面（−ｙ’側）の−ｘ側まで伸びた引出電極１１及び電極パッド１３が接続されている。励振電極１５ａ、１５ｂ、引出電極１１，１２及び電極パッド１３，１４は例えば下地としてのクロム層が用いられ、クロム層の上面に金層が用いられる。水晶振動片１０の各電極パッド１３，１４は、導電性接着剤６０を介して、水晶振動片載置部３５の第２配線電極３６ｂに接合される。
【００１５】
ＩＣである電子回路素子２０は、図３（ｂ）に示されるように、−ｙ’軸側の面に６つの端子を有している。６つの端子は、水晶振動片１０に電気的に接続される２つの水晶端子２２及び４つの回路端子２１である。
【００１６】
パッケージ３０は、セラミック等の絶縁体からなる。パッケージ３０は、パッケージ３０の底面を形成するベースセラミック層３０ａと、ベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側に配置される台座セラミック層３０ｂと、台座セラミック層３０ｂの＋ｙ’軸側に配置される枠部セラミック層３０ｃとの３つの層により形成されている。パッケージ３０は、ベースセラミック層３０ａ、台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃでキャビティＣＴを形成する。キャビティＣＴは、水晶振動片１０及び電子回路素子２０を収納する。台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃには、図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、矩形形状のパッケージ３０の短辺にそれぞれ空洞４３が形成されている。
【００１７】
ベースセラミック層３０ａの−ｙ’軸側の面である実装面Ｍ１には、４つの外部電極５１，５２が形成されている。外部電極５１，５２は、タングステン（Ｗ）等に金（Ａｕ）メッキ等を施すことにより形成される。図２に示されるように、実装面Ｍ１の４つの角に外部電極５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂが形成されている。４箇所に形成されている第１配線電極３６ａは、それぞれ外部電極５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂに電気的に接続されている。外部電極５１ａは、電源が供給される電源端子（ＸＴ、Ｘｔｂａｒ）であり、外部電極５２ｂは、アースされたグランド端子（ＧＮＤ）であり、外部電極５１ｂは、発振周波数を出力する取出し端子であり、外部電極５２ａは、出力端子からの出力をオンオフするスタンバイ端子又は周波数を制御する周波数制御端子である。
【００１８】
またベースセラミック層３０ａの実装面Ｍ１の反対面には、第１配線電極３６ａが形成されている。図１（ｂ）に示されるように、第１配線電極３６ａは、ベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側の面に電子回路素子２０が載置される端子載置部３３ａ及び貫通部３７を有している。端子載置部３３ａは、図１（ａ）に示された金属バンプ５３を介して電子回路素子２０の回路端子２１と電気的に接続する。第１配線電極３６ａは、ベースセラミック層３０ａを貫通する貫通部３７を通り、ベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側の面から外部電極５１，５２に電気的に接続されている。
【００１９】
台座セラミック層３０ｂには第２配線電極３６ｂが形成されている。第２配線電極３６ｂは、その一部がベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側の面に形成されている。その電極は電子回路素子２０が載置される端子載置部３３ｂとつながっている。端子載置部３３ｂも、金属バンプ５３を介して電子回路素子２０の回路端子２１と電気的に接続する。
【００２０】
第２配線電極３６ｂは、台座セラミック層３０ｂの＋ｙ’軸側の面から、台座セラミック層３０ｂを貫通する空洞４３の側面内に配線されている。この第２配線電極３６ｂは、台座セラミック層３０ｂの＋ｙ’軸側の面に形成された水晶振動片載置部３５まで電気的に接続されている。つまり、第２配線電極３６ｂは、台座セラミック層３０ｂの水晶振動片載置部３５に形成される第２配線電極３６ｂと電気的に接続されている。つまり、第２配線電極３６ｂは空洞４３の側面内に配線されることで、わざわざ水晶振動片載置部３５用にビアホール等が形成されていない。水晶振動片１０は、導電性接着剤６０を介して水晶振動片載置部３５に載置される。
【００２１】
第２配線電極３６ｂは、さらに台座セラミック層３０ｂの外周にまで伸びている。そこに第２配線電極３６ｂと電気的に接続する測定電極３８が形成されている。測定端子３８は、ベースセラミック層３０ａの実装面Ｍ１に形成されない。第１水晶発振器１００が、プリント基板等に実装された際に、測定電極３８はハンダ等で接続されないからである。そのため、測定電極３８は台座セラミック層３０ｂの外周に形成されている。つまり測定電極３８につながる第２配線電極３６ｂは、後述するシールリング４１の下を必ず通過しなければならない。
【００２２】
図１（ｂ）に示されるように、電子回路素子２０は、点線で示されたように、第１配線電極３６ａの端子載置部３３ａ及び第２配線電極３６ｂの端子載置部３３ｂに載置される。水晶振動片１０は、二点鎖線で示されたように、導電性接着剤６０を介して第２配線電極３６ｂの水晶振動片載置部３５に載置される。
【００２３】
パッケージ３０に形成されるキャビティＣＴは、リッド５により密封されている。リッド５はシールリング４１を介してパッケージ３０の＋ｙ’軸側の面と接合されている。
【００２４】
リッド５は、キャビティＣＴを密封するようにシールリング４１を介してパッケージ３０の＋ｙ’軸側の面に溶接されている。シールリング４１は銀ろう又は金錫等からなる金属層である。シールリング４１は、図１（ｂ）に示されるように、キャビティＣＴの全周囲に配置されている。リッド５は、コバール合金（Ｆｅ５４％，Ｃｏ２９％，Ｎｉ１７％合金）等からなる。図１等では描かれていないが、シールリング４１及びリッド５は、接地（アース）されている。
【００２５】
さて、図１（ｂ）に示されるように、ｙ’軸方向から見て、シールリング４１と第２配線電極３６ｂとが重なる領域がある。この領域に、台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃの空洞４３が形成される。この空洞４３が形成される理由について図４を使って説明する。
【００２６】
図４は、水晶振動子に及ぼす出入力端子とシールリング間の容量を示す発振回路図であり、水晶振動子１０と発振回路との関係を示す図である。
【００２７】
図４に示されるように、点線で囲った発振回路である電子回路素子２０は、帰還抵抗Ｒｆ、インバータ回路、ドレイン容量ＣＤ及びゲート容量ＣＧを有している。また、第１水晶発振器１００の測定電極３８が台座セラミック層３０ｂの外周に形成されているため、第１水晶発振器１００は、第２配線電極３６ｂと金属層であるシールリング４１との間に寄生容量Ｃｓを有している。
【００２８】
この寄生容量Ｃｓは、第２配線電極３６ｂとシールリング４１との間に誘電体があることによって発生する。この寄生容量Ｃｓがドレイン容量ＣＤ及びゲート容量ＣＧに並列に配置される。寄生容量Ｃｓが大きいと、水晶振動片１０の負性抵抗が減少する。水晶振動子１０が安定して発振するためには、発振回路の負性抵抗値が水晶振動子の実効抵抗値より大きくなければならない。このため寄生容量Ｃｓができるだけ小さい方が好ましい。
【００２９】
本実施形態では、図１に示されたように、シールリング４１と第２配線電極３６ｂとの間に、空洞４３が形成されている。つまり、寄生容量Ｃｓは、シールリング４１（図１（ａ）を参照）と第１電極３６ｂ（図１（ｂ）を参照）との間のセラミック層が空気層（空洞４３）に代わることにより、減少させることができる。
【００３０】
シールリング４１と第１電極３６ｂとの間のセラミック層が空気層に代わると静電容量Ｃは、１／９に減少する。アルミナセラミックの誘電率は「９×１０−１２」、空気の誘電率は「１×１０−１２」である。例えば、誘電率をε、セラミック層の厚さをｄ「ｍｍ」、電極の面積をＳ「ｍｍ２」とした場合、寄生容量Ｃｓ（静電容量ｐＦ）は次の数式１が成り立つ。
Ｃｓ［ｐＦ］ ＝ ε × Ｓ／ｄ … 数式１
ここで、ε ：比誘電率×真空中の誘電率
Ｓ ： 平板の面積（ｍｍ２）
ｄ ： 平板間の距離 （ｍｍ）
【００３１】
シールリング４１と第１配線電極３６ａとの間のセラミック層が空気層に代わると寄生容量Ｃｓが小さくなり、負性抵抗値は増加する。
セラミック層の負性抵抗値をＲ，空気層の負性抵抗値をＲ’とすると次の数式２が成り立つ。
Ｒ ＝−ｇｍ／（ω２×（ＣＤ＋９Ｃ’）×（ＣＧ＋９Ｃ’）
Ｒ’＝−ｇｍ／（ω２×（ＣＤ＋Ｃ’）×（ＣＧ＋Ｃ’）
∴ Ｒ’≫ Ｒ …数式２
【００３２】
（第２実施形態）
＜第２水晶発振器２００の全体構成＞
第２水晶発振器２００の全体構成について、図５を参照しながら説明する。
第２実施形態として、２つのキャビティにそれぞれ水晶振動片１０と電子回路素子２０とが載置される第２水晶発振器２００を説明する。第２水晶発振器２００の水晶振動片１０はリッド５で封止され、電子回路素子２０は不図示の樹脂等で封止される。下の説明において、第１水晶発振器１００とその構成が同じ部分は第１水晶発振器１００と同じ番号を付してその説明を省略する。
【００３３】
図５（ａ）は、第２水晶発振器２００のＢ−Ｂ’断面図であり、（ｂ）は、水晶振動片１０及び電子回路素子２０との接続関係を示したパッケージ２３０の第２層２３０ｂの平面図である。但し、図５（ｂ）では、理解を助けるため、リッド５が取り外され、また、水晶振動片１０が二点鎖線で、電子回路素子２０が点線で描かれている。第２水晶発振器２００は、主に水晶振動片１０、電子回路素子２０、パッケージ２３０及びリッド５により構成されている。
【００３４】
パッケージ２３０は、第１層枠部２３０ａと、第１層枠部２３０ａの＋ｙ’軸側に配置される第２層ベース部２３０ｂと、第２層ベース部２３０ｂの＋ｙ’軸側に配置される第３層枠部２３０ｃとにより形成されている。第１層枠部２３０ａは、パッケージ２３０の底面を形成しており、第１層枠部２３０ａの−ｙ’軸側の面には外部電極２５１，２５２が形成されている。また、第１層枠部２３０ａと第２層ベース部２３０ｂとは、第２キャビティＣＴ２を形成する。第２キャビティＣＴ２には電子回路素子２０が載置されており、不図示の樹脂は電子回路素子２０を封止する。また、第２層ベース部２３０ｂと第３層枠部２３０ｃとは、第１キャビティＣＴ１を形成する。第１キャビティＣＴ１には水晶振動片１０が載置され、また第１キャビティＣＴ１はリッド５で密封される。
【００３５】
第２層ベース部２３０ｂは２層からなる。第１層の底部セラミック層２３１は台座セラミック層２３２を形成する。台座セラミック層２３２には水晶振動片載置部２３５が形成される。
【００３６】
底部セラミック層２３１の−ｙ’軸側の面に、第１電極２３６ａ及び第２電極２３６ｂの一部（図５（ｂ）を参照）が形成される。第１電極２３６ａは、第２層ベース部２３０ｂの−ｙ’軸側の面及び貫通部２３７ａに形成される。貫通部２３７ａは、第１層枠部２３０ａを貫通する。第１電極２３６ａは、さらに電子回路素子２０が載置される端子載置部２３３ａを有している。
【００３７】
第２電極２３６ｂは、第２層ベース部２３０ｂの−ｙ’軸側の面に、及び台座セラミック層２３２の＋ｙ’軸側の面に形成される。さらに第２配線電極２３６ｂは、底部セラミック層２３１及び台座セラミック層２３２を貫通する空洞２４３の側面内に配線されている。図５（ｂ）に示されるように、第２実施形態の空洞２４３は、図１（ｂ）に示された空洞４３よりも面積が大きい。このため２本の第２電極２３６ｂが空洞２４３の側面内に配線されている。第２電極２３６ｂの台座セラミック層２３２は、水晶振動片１０が載置される水晶振動片載置部２３５を有しており、水晶振動片１０の電極パッド１３，１４（図３（ａ）参照）は導電性接着剤６０を介して水晶振動片載置部２３５と電気的に接続される。つまり、第２配線電極２３６ｂは空洞２４３の側面内に配線されることで、わざわざ水晶振動片載置部２３５用にビアホール等が形成されていない。さらに第２電極２３６ｂは、電子回路素子２０が載置される端子載置部２３３ｂを有している。
【００３８】
電子回路素子２０は、端子載置部２３３ａ及び端子載置部２３３ｂに金属バンプ５３を介して回路端子２２に電気的に接続される。
【００３９】
図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第２配線電極２３６ｂは、さらに底部セラミック層２３１の外周にまで伸びている。そこに第２配線電極２３６ｂと電気的に接続する測定電極３８が形成されている。測定端子３８は、第１層枠部２３０ａに形成されない。第２水晶発振器２００が、プリント基板等に実装された際に、測定電極３８はハンダ等で接続されないからである。測定電極３８につながる第２配線電極３６ｂは、シールリング４１の下を必ず通過する。
【００４０】
空洞２４３が、第２層ベース部２３０ｂと第３層枠部セラミック層２３０ｃとの短辺壁部に形成される。空洞２４３は、第２配線電極３６ｂの上部に形成される。ｙ’軸方向から見て、シールリング４１と第２配線電極２３６ｂとが重なる領域がある。第２水晶発振器２００は、第２配線電極３６ｂと金属層であるシールリング４１との間に寄生容量Ｃｓを有している。空洞２４３が形成されるため、寄生容量Ｃｓは、シールリング４１と第１電極３６ｂとの間のセラミック層が空気層（空洞４３）に代わることにより、減少する。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００４２】
例えば、水晶振動片はＡＴカットの水晶振動片である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカットなどであっても同様に適用できる。また、音叉型水晶振動片についても適用できる。さらに水晶振動片は水晶材料のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材料に基本的に適用できる。
【符号の説明】
【００４３】
５ … リッド
１０ … 水晶振動片
１１、１２ … 引出電極
１３，１４ … 電極パッド
１５ａ、１５ｂ … 励振電極
２０ … 電子回路素子
２１ … 水晶端子
２２ … 回路端子
３０、２３０ … パッケージ
３０ａ … ベースセラミック層、３０ｂ … 台座セラミック層
３０ｃ … 枠部セラミック層
３３ａ、３３ｂ、２３３ａ、２３３ｂ … 端子載置部
３５、２３５ … 水晶振動片載置部
３６ａ、２３６ａ … 第１配線電極
３６ｂ、２３６ｂ … 第２配線電極
３７ａ、３７ｂ、２３７ａ … 貫通部
３８ … 測定電極
４１ … シールリング
４３ … 空間
５１ａ … 外部電極（ＶＤＤ端子）、 ５１ｂ … 外部電極（周波数取出し端子）
５２ａ … 外部電極（スタンバイ端子）、 ５２ｂ … 外部電極（グランド端子）
５３ … 金属バンプ
６０ … 導電性接着剤
１００、２００… 水晶発振器
１０１ … ＡＴカット水晶板
２３０ａ … パッケージ２３０の第１層枠部
２３０ｂ … パッケージ２３０の第２層ベース部
２３０ｃ … パッケージ２３０の第３層枠部
２３１ … ベース部２３０ｂの第１層
２３２ … ベース部２３０ｂの第２層台座部
Ｃｓ … 寄生容量、ＣＤ … ドレイン容量、 ＣＧ … ゲート容量
ＣＴ、ＣＴ１，ＣＴ２ … キャビティ
Ｍ１ … 実装面
ＲＤ … ドレイン抵抗、 Ｒｆ … 帰還抵抗
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ等の電子部品を搭載した表面実装用の圧電発振器に関する。特に負性抵抗が減少することを防止したセラミックパッケージを有する圧電発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装用の水晶振動子は、セラミックパッケージとこのセラミックパッケージを封止する金属製蓋体とを溶接して形成される。一般に、金属製蓋体のシールリング材は金属材料であり、シールリング材はグランド電位に短絡されている。特許文献１の従来例として挙げられた水晶振動子では、入出力電極パッドが、ビアホール導体ではなく、セラミックパッケージの側面を経由して配線されている。つまり、セラミックパッケージに形成される水晶発振素子の入出力電極パッドと金属製蓋体のシールリングとの間にセラミック層が形成されている。このため、水晶発振素子の入出力端子とシールリングとの間に寄生容量が発生している。そこで、特許文献１の発明として開示された水晶振動子は、シーリングはグランドに接地し、入出力電極パッドは、水晶振動子の底面に配置された外部端子電極にビアホール導体で電気的に接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１３３８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１は発振回路を有するＩＣを備えた水晶発振器について開示していない。水晶発振器の出荷前に水晶振動片単体での振動状態を確認するために、セラミックパッケージの側面に測定用端子が設けられる。この測定用端子は、水晶発振器の製品出荷後には使用されないため、電源端子又はグランド端子などの端子のように、水晶発振器の底面に設けない。したがって、水晶発振器は、特許文献１に開示されるようにビアホール導体を形成して、測定用端子と水晶振動片用の入出力電極パッドとを導通させることができないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明は、寄生容量を小さくし、負性抵抗を減少させない圧電発振器を提供する。
【０００６】
第１の観点の圧電発振器は、一対の励振電極を有する圧電振動片と、圧電振動片を発振させる発振回路を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向にキャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージと、キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリングと、シールリングで溶接される金属製リッドと、キャビティの底面に形成され、圧電振動片と発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極と、を備える。そして、圧電発振器は、キャビティ底面の法線方向から見て、一対の配線電極とシーリングとが重なる領域のセラミック壁はその内部に空洞が形成される。
【０００７】
第２の観点の圧電発振器は、空洞の側面に配線電極の一部が形成される。
第３の観点の圧電発振器は、圧電振動片と発振回路とが同じキャビティ内に配置される。
第４の観点の圧電発振器は、圧電振動片と発振回路とが別のキャビティ内に配置される。
第５の観点の圧電発振器は、一対の配線電極はともにそれらの一部がセラミックパッケージの外壁にも形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の圧電発振器によれば、パッケージのセラミック壁内に空間部を設け、入出力端子とシールリングとの間にコンデンサを形成させないことにより、回路の負性抵抗を水晶振動子の等価抵抗より大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、第１水晶発振器１００のＡ−Ａ’断面図である。 （ｂ）は、水晶振動片１０及び電子回路素子２０の接続関係を示したパッケージ３０の平面図である。
【図２】外部電極と電子回路素子２０との接続関係を示したベースセラミック層３０ａの平面図である。
【図３】（ａ）は、水晶振動片１０の平面図である。 （ｂ）は、電子回路素子２０の平面図である。
【図４】水晶振動子に及ぼす出入力端子とシールリング間の容量を示す発振回路図である。
【図５】（ａ）は、第２水晶発振器２００のＢ−Ｂ’断面図である。 （ｂ）は、水晶振動片１０及び電子回路素子２０との接続関係を示したパッケージ２３０の第２層２３０ｂの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
＜第１水晶発振器１００の全体構成＞
第１水晶発振器１００の全体構成について、図１〜図３を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、第１水晶発振器１００のＡ−Ａ’断面図であり、（ｂ）は、パッケージ３０の平面図である。但し、図１（ｂ）は、理解を助けるため、リッド５が取り外されて描かれている。また図１（ｂ）は、理解を助けるため、水晶振動片１０が二点鎖線で、電子回路素子２０が点線で描かれている。
【００１１】
図２は、水晶振動片１０とＩＣ等の電子回路素子２０との接続関係を示したベースセラミック層３０ａの平面図である。台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃは描かれていない。図３（ａ）は、水晶振動片１０の平面図であり、（ｂ）は、電子回路素子２０の上から見た平面図である。
【００１２】
ここで、水晶振動片としてＡＴカットの水晶振動片１０が使われている。つまり、ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、第１実施形態ではＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をｙ’軸及びｚ’軸として用いる。すなわち、第１実施形態において第１水晶発振器１００の長手方向をｘ軸方向、第１水晶発振器１００の高さ方向をｙ’軸方向、ｘ及びｙ’軸方向に垂直な方向をｚ’として説明する。以下、第２実施形態において同様である。
【００１３】
図１（ａ）に示されるように、第１水晶発振器１００は、表面実装型の圧電発振器であり、プリント基板等に実装されて使用される。第１水晶発振器１００は、主に、水晶振動片１０と、電子回路素子２０と、パッケージ３０と、リッド５とにより構成されている。
【００１４】
水晶振動片１０は、図３（ａ）に示されるように、ＡＴカットされた水晶片１０１により構成され、その水晶片１０１の中央付近の両主面に一対の励振電極１５ａ、１５ｂが対向して配置されている。また、励振電極１５ａには水晶片１０１の底面（−ｙ’側）の−ｘ側まで伸びた引出電極１２及び電極パッド１４が接続され、励振電極１５ｂには水晶片１０１の底面（−ｙ’側）の−ｘ側まで伸びた引出電極１１及び電極パッド１３が接続されている。励振電極１５ａ、１５ｂ、引出電極１１，１２及び電極パッド１３，１４は例えば下地としてのクロム層が用いられ、クロム層の上面に金層が用いられる。水晶振動片１０の各電極パッド１３，１４は、導電性接着剤６０を介して、水晶振動片載置部３５の第２配線電極３６ｂに接合される。
【００１５】
ＩＣである電子回路素子２０は、図３（ｂ）に示されるように、−ｙ’軸側の面に６つの端子を有している。６つの端子は、水晶振動片１０に電気的に接続される２つの水晶端子２２及び４つの回路端子２１である。
【００１６】
パッケージ３０は、セラミック等の絶縁体からなる。パッケージ３０は、パッケージ３０の底面を形成するベースセラミック層３０ａと、ベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側に配置される台座セラミック層３０ｂと、台座セラミック層３０ｂの＋ｙ’軸側に配置される枠部セラミック層３０ｃとの３つの層により形成されている。パッケージ３０は、ベースセラミック層３０ａ、台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃでキャビティＣＴを形成する。キャビティＣＴは、水晶振動片１０及び電子回路素子２０を収納する。台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃには、図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、矩形形状のパッケージ３０の短辺にそれぞれ空洞４３が形成されている。
【００１７】
ベースセラミック層３０ａの−ｙ’軸側の面である実装面Ｍ１には、４つの外部電極５１，５２が形成されている。外部電極５１，５２は、タングステン（Ｗ）等に金（Ａｕ）メッキ等を施すことにより形成される。図２に示されるように、実装面Ｍ１の４つの角に外部電極５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂが形成されている。４箇所に形成されている第１配線電極３６ａは、それぞれ外部電極５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂに電気的に接続されている。外部電極５１ａは、電源が供給される電源端子（ＸＴ、Ｘｔｂａｒ）であり、外部電極５２ｂは、アースされたグランド端子（ＧＮＤ）であり、外部電極５１ｂは、発振周波数を出力する取出し端子であり、外部電極５２ａは、出力端子からの出力をオンオフするスタンバイ端子又は周波数を制御する周波数制御端子である。
【００１８】
またベースセラミック層３０ａの実装面Ｍ１の反対面には、第１配線電極３６ａが形成されている。図１（ｂ）に示されるように、第１配線電極３６ａは、ベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側の面に電子回路素子２０が載置される端子載置部３３ａ及び貫通部３７を有している。端子載置部３３ａは、図１（ａ）に示された金属バンプ５３を介して電子回路素子２０の回路端子２１と電気的に接続する。第１配線電極３６ａは、ベースセラミック層３０ａを貫通する貫通部３７を通り、ベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側の面から外部電極５１，５２に電気的に接続されている。
【００１９】
台座セラミック層３０ｂには第２配線電極３６ｂが形成されている。第２配線電極３６ｂは、その一部がベースセラミック層３０ａの＋ｙ’軸側の面に形成されている。その電極は電子回路素子２０が載置される端子載置部３３ｂとつながっている。端子載置部３３ｂも、金属バンプ５３を介して電子回路素子２０の回路端子２１と電気的に接続する。
【００２０】
第２配線電極３６ｂは、台座セラミック層３０ｂの＋ｙ’軸側の面から、台座セラミック層３０ｂを貫通する空洞４３の側面内に配線されている。この第２配線電極３６ｂは、台座セラミック層３０ｂの＋ｙ’軸側の面に形成された水晶振動片載置部３５まで電気的に接続されている。つまり、第２配線電極３６ｂは、台座セラミック層３０ｂの水晶振動片載置部３５に形成される第２配線電極３６ｂと電気的に接続されている。つまり、第２配線電極３６ｂは空洞４３の側面内に配線されることで、わざわざ水晶振動片載置部３５用にビアホール等が形成されていない。水晶振動片１０は、導電性接着剤６０を介して水晶振動片載置部３５に載置される。
【００２１】
第２配線電極３６ｂは、さらに台座セラミック層３０ｂの外周にまで伸びている。そこに第２配線電極３６ｂと電気的に接続する測定電極３８が形成されている。測定端子３８は、ベースセラミック層３０ａの実装面Ｍ１に形成されない。第１水晶発振器１００が、プリント基板等に実装された際に、測定電極３８はハンダ等で接続されないからである。そのため、測定電極３８は台座セラミック層３０ｂの外周に形成されている。つまり測定電極３８につながる第２配線電極３６ｂは、後述するシールリング４１の下を必ず通過しなければならない。
【００２２】
図１（ｂ）に示されるように、電子回路素子２０は、点線で示されたように、第１配線電極３６ａの端子載置部３３ａ及び第２配線電極３６ｂの端子載置部３３ｂに載置される。水晶振動片１０は、二点鎖線で示されたように、導電性接着剤６０を介して第２配線電極３６ｂの水晶振動片載置部３５に載置される。
【００２３】
パッケージ３０に形成されるキャビティＣＴは、リッド５により密封されている。リッド５はシールリング４１を介してパッケージ３０の＋ｙ’軸側の面と接合されている。
【００２４】
リッド５は、キャビティＣＴを密封するようにシールリング４１を介してパッケージ３０の＋ｙ’軸側の面に溶接されている。シールリング４１は銀ろう又は金錫等からなる金属層である。シールリング４１は、図１（ｂ）に示されるように、キャビティＣＴの全周囲に配置されている。リッド５は、コバール合金（Ｆｅ５４％，Ｃｏ２９％，Ｎｉ１７％合金）等からなる。図１等では描かれていないが、シールリング４１及びリッド５は、接地（アース）されている。
【００２５】
さて、図１（ｂ）に示されるように、ｙ’軸方向から見て、シールリング４１と第２配線電極３６ｂとが重なる領域がある。この領域に、台座セラミック層３０ｂ及び枠部セラミック層３０ｃの空洞４３が形成される。この空洞４３が形成される理由について図４を使って説明する。
【００２６】
図４は、水晶振動子に及ぼす出入力端子とシールリング間の容量を示す発振回路図であり、水晶振動子１０と発振回路との関係を示す図である。
【００２７】
図４に示されるように、点線で囲った発振回路である電子回路素子２０は、帰還抵抗Ｒｆ、インバータ回路、ドレイン容量ＣＤ及びゲート容量ＣＧを有している。また、第１水晶発振器１００の測定電極３８が台座セラミック層３０ｂの外周に形成されているため、第１水晶発振器１００は、第２配線電極３６ｂと金属層であるシールリング４１との間に寄生容量Ｃｓを有している。
【００２８】
この寄生容量Ｃｓは、第２配線電極３６ｂとシールリング４１との間に誘電体があることによって発生する。この寄生容量Ｃｓがドレイン容量ＣＤ及びゲート容量ＣＧに並列に配置される。寄生容量Ｃｓが大きいと、水晶振動片１０の負性抵抗が減少する。水晶振動子１０が安定して発振するためには、発振回路の負性抵抗値が水晶振動子の実効抵抗値より大きくなければならない。このため寄生容量Ｃｓができるだけ小さい方が好ましい。
【００２９】
本実施形態では、図１に示されたように、シールリング４１と第２配線電極３６ｂとの間に、空洞４３が形成されている。つまり、寄生容量Ｃｓは、シールリング４１（図１（ａ）を参照）と第１電極３６ｂ（図１（ｂ）を参照）との間のセラミック層が空気層（空洞４３）に代わることにより、減少させることができる。
【００３０】
シールリング４１と第１電極３６ｂとの間のセラミック層が空気層に代わると静電容量Ｃは、１／９に減少する。アルミナセラミックの誘電率は「９×１０−１２」、空気の誘電率は「１×１０−１２」である。例えば、誘電率をε、セラミック層の厚さをｄ「ｍｍ」、電極の面積をＳ「ｍｍ２」とした場合、寄生容量Ｃｓ（静電容量ｐＦ）は次の数式１が成り立つ。
Ｃｓ［ｐＦ］ ＝ ε × Ｓ／ｄ … 数式１
ここで、ε ：比誘電率×真空中の誘電率
Ｓ ： 平板の面積（ｍｍ２）
ｄ ： 平板間の距離 （ｍｍ）
【００３１】
シールリング４１と第１配線電極３６ａとの間のセラミック層が空気層に代わると寄生容量Ｃｓが小さくなり、負性抵抗値は増加する。
セラミック層の負性抵抗値をＲ，空気層の負性抵抗値をＲ’とすると次の数式２が成り立つ。
Ｒ ＝−ｇｍ／（ω２×（ＣＤ＋９Ｃ’）×（ＣＧ＋９Ｃ’）
Ｒ’＝−ｇｍ／（ω２×（ＣＤ＋Ｃ’）×（ＣＧ＋Ｃ’）
∴ Ｒ’≫ Ｒ …数式２
【００３２】
（第２実施形態）
＜第２水晶発振器２００の全体構成＞
第２水晶発振器２００の全体構成について、図５を参照しながら説明する。
第２実施形態として、２つのキャビティにそれぞれ水晶振動片１０と電子回路素子２０とが載置される第２水晶発振器２００を説明する。第２水晶発振器２００の水晶振動片１０はリッド５で封止され、電子回路素子２０は不図示の樹脂等で封止される。下の説明において、第１水晶発振器１００とその構成が同じ部分は第１水晶発振器１００と同じ番号を付してその説明を省略する。
【００３３】
図５（ａ）は、第２水晶発振器２００のＢ−Ｂ’断面図であり、（ｂ）は、水晶振動片１０及び電子回路素子２０との接続関係を示したパッケージ２３０の第２層２３０ｂの平面図である。但し、図５（ｂ）では、理解を助けるため、リッド５が取り外され、また、水晶振動片１０が二点鎖線で、電子回路素子２０が点線で描かれている。第２水晶発振器２００は、主に水晶振動片１０、電子回路素子２０、パッケージ２３０及びリッド５により構成されている。
【００３４】
パッケージ２３０は、第１層枠部２３０ａと、第１層枠部２３０ａの＋ｙ’軸側に配置される第２層ベース部２３０ｂと、第２層ベース部２３０ｂの＋ｙ’軸側に配置される第３層枠部２３０ｃとにより形成されている。第１層枠部２３０ａは、パッケージ２３０の底面を形成しており、第１層枠部２３０ａの−ｙ’軸側の面には外部電極２５１，２５２が形成されている。また、第１層枠部２３０ａと第２層ベース部２３０ｂとは、第２キャビティＣＴ２を形成する。第２キャビティＣＴ２には電子回路素子２０が載置されており、不図示の樹脂は電子回路素子２０を封止する。また、第２層ベース部２３０ｂと第３層枠部２３０ｃとは、第１キャビティＣＴ１を形成する。第１キャビティＣＴ１には水晶振動片１０が載置され、また第１キャビティＣＴ１はリッド５で密封される。
【００３５】
第２層ベース部２３０ｂは２層からなる。第１層の底部セラミック層２３１は台座セラミック層２３２を形成する。台座セラミック層２３２には水晶振動片載置部２３５が形成される。
【００３６】
底部セラミック層２３１の−ｙ’軸側の面に、第１電極２３６ａ及び第２電極２３６ｂの一部（図５（ｂ）を参照）が形成される。第１電極２３６ａは、第２層ベース部２３０ｂの−ｙ’軸側の面及び貫通部２３７ａに形成される。貫通部２３７ａは、第１層枠部２３０ａを貫通する。第１電極２３６ａは、さらに電子回路素子２０が載置される端子載置部２３３ａを有している。
【００３７】
第２電極２３６ｂは、第２層ベース部２３０ｂの−ｙ’軸側の面に、及び台座セラミック層２３２の＋ｙ’軸側の面に形成される。さらに第２配線電極２３６ｂは、底部セラミック層２３１及び台座セラミック層２３２を貫通する空洞２４３の側面内に配線されている。図５（ｂ）に示されるように、第２実施形態の空洞２４３は、図１（ｂ）に示された空洞４３よりも面積が大きい。このため２本の第２電極２３６ｂが空洞２４３の側面内に配線されている。第２電極２３６ｂの台座セラミック層２３２は、水晶振動片１０が載置される水晶振動片載置部２３５を有しており、水晶振動片１０の電極パッド１３，１４（図３（ａ）参照）は導電性接着剤６０を介して水晶振動片載置部２３５と電気的に接続される。つまり、第２配線電極２３６ｂは空洞２４３の側面内に配線されることで、わざわざ水晶振動片載置部２３５用にビアホール等が形成されていない。さらに第２電極２３６ｂは、電子回路素子２０が載置される端子載置部２３３ｂを有している。
【００３８】
電子回路素子２０は、端子載置部２３３ａ及び端子載置部２３３ｂに金属バンプ５３を介して回路端子２２に電気的に接続される。
【００３９】
図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第２配線電極２３６ｂは、さらに底部セラミック層２３１の外周にまで伸びている。そこに第２配線電極２３６ｂと電気的に接続する測定電極３８が形成されている。測定端子３８は、第１層枠部２３０ａに形成されない。第２水晶発振器２００が、プリント基板等に実装された際に、測定電極３８はハンダ等で接続されないからである。測定電極３８につながる第２配線電極３６ｂは、シールリング４１の下を必ず通過する。
【００４０】
空洞２４３が、第２層ベース部２３０ｂと第３層枠部セラミック層２３０ｃとの短辺壁部に形成される。空洞２４３は、第２配線電極３６ｂの上部に形成される。ｙ’軸方向から見て、シールリング４１と第２配線電極２３６ｂとが重なる領域がある。第２水晶発振器２００は、第２配線電極３６ｂと金属層であるシールリング４１との間に寄生容量Ｃｓを有している。空洞２４３が形成されるため、寄生容量Ｃｓは、シールリング４１と第１電極３６ｂとの間のセラミック層が空気層（空洞４３）に代わることにより、減少する。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００４２】
例えば、水晶振動片はＡＴカットの水晶振動片である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカットなどであっても同様に適用できる。また、音叉型水晶振動片についても適用できる。さらに水晶振動片は水晶材料のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材料に基本的に適用できる。
【符号の説明】
【００４３】
５ … リッド
１０ … 水晶振動片
１１、１２ … 引出電極
１３，１４ … 電極パッド
１５ａ、１５ｂ … 励振電極
２０ … 電子回路素子
２１ … 水晶端子
２２ … 回路端子
３０、２３０ … パッケージ
３０ａ … ベースセラミック層、３０ｂ … 台座セラミック層
３０ｃ … 枠部セラミック層
３３ａ、３３ｂ、２３３ａ、２３３ｂ … 端子載置部
３５、２３５ … 水晶振動片載置部
３６ａ、２３６ａ … 第１配線電極
３６ｂ、２３６ｂ … 第２配線電極
３７ａ、３７ｂ、２３７ａ … 貫通部
３８ … 測定電極
４１ … シールリング
４３ … 空間
５１ａ … 外部電極（ＶＤＤ端子）、 ５１ｂ … 外部電極（周波数取出し端子）
５２ａ … 外部電極（スタンバイ端子）、 ５２ｂ … 外部電極（グランド端子）
５３ … 金属バンプ
６０ … 導電性接着剤
１００、２００… 水晶発振器
１０１ … ＡＴカット水晶板
２３０ａ … パッケージ２３０の第１層枠部
２３０ｂ … パッケージ２３０の第２層ベース部
２３０ｃ … パッケージ２３０の第３層枠部
２３１ … ベース部２３０ｂの第１層
２３２ … ベース部２３０ｂの第２層台座部
Ｃｓ … 寄生容量、ＣＤ … ドレイン容量、 ＣＧ … ゲート容量
ＣＴ、ＣＴ１，ＣＴ２ … キャビティ
Ｍ１ … 実装面
ＲＤ … ドレイン抵抗、 Ｒｆ … 帰還抵抗
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の励振電極を有する圧電振動片と、
前記圧電振動片を発振させる発振回路を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向に前記キャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージと、
前記キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリングと、
前記シールリングで溶接される金属製リッドと、
前記キャビティの底面に形成され、前記圧電振動片と前記発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極と、を備え、
前記法線方向から見て、前記一対の配線電極と前記シーリングとが重なる領域の前記セラミック壁はその内部に空洞が形成される圧電発振器。
【請求項２】
前記空洞の側面に前記配線電極の一部が形成される請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
前記圧電振動片と前記発振回路とが同じキャビティ内に配置される請求項１又は請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記圧電振動片と前記発振回路とが別のキャビティ内に配置される請求項１又は請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記一対の配線電極は、それらの一部が前記圧電振動片の測定用に前記セラミックパッケージの外壁にも形成される請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電発振器。
【請求項１】
一対の励振電極を有する圧電振動片と、
前記圧電振動片を発振させる発振回路を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向に前記キャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージと、
前記キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリングと、
前記シールリングで溶接される金属製リッドと、
前記キャビティの底面に形成され、前記圧電振動片と前記発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極と、を備え、
前記法線方向から見て、前記一対の配線電極と前記シーリングとが重なる領域の前記セラミック壁はその内部に空洞が形成される圧電発振器。
【請求項２】
前記空洞の側面に前記配線電極の一部が形成される請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
前記圧電振動片と前記発振回路とが同じキャビティ内に配置される請求項１又は請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記圧電振動片と前記発振回路とが別のキャビティ内に配置される請求項１又は請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記一対の配線電極は、それらの一部が前記圧電振動片の測定用に前記セラミックパッケージの外壁にも形成される請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電発振器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−３８６７２（Ｐ２０１３−３８６７２Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７４５９５（Ｐ２０１１−１７４５９５）
【出願日】平成２３年８月１０日（２０１１．８．１０）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１０日（２０１１．８．１０）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
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