説明

Fターム[3C081EA21]の内容

マイクロマシン (28,028) | 用途 (3,912) | 電気素子、電気機器 (732)

Fターム[3C081EA21]の下位に属するFターム

Fターム[3C081EA21]に分類される特許

1 - 20 / 200



【課題】組み立て時の手間を軽減しながら、一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることが可能なマイクロホン装置を提供する。
【解決手段】このMEMSマイク10(マイクロホン装置)は、音波により振動するダイアフラム141を含み、ダイアフラム141の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部14と、内部に振動部14を収容するとともに、ダイアフラム141の下面に音波を導く第1音道171と、ダイアフラム141の上面に音波を導く第2音道172とを含むマイクロホン筐体17とを備え、第1音道171には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第2音道172に対して音波を遅延させる音波遅延部121aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、ねじり振動する可動電極30と、可動電極30と間隙を介して形成された第1固定電極40および第2固定電極50と、を含み、可動電極30は、第1面32と、第1面32に接続され互いに反対を向く第2面34および第3面36と、を有し、第1固定電極40は、第1面32と対向する第4面42と、第2面34と対向する第5面44と、を有し、第2固定電極50は、第1面32と対向する第6面52と、第3面36と対向する第7面54と、を有し、第2面34と第5面44との間隔D2は、第1面32と第4面42との間隔D1よりも大きく、第3面36と第7面54との間隔D4は、第1面32と第6面52との間隔D3よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより金属酸化物又は金属となる液体材料を準備する第1工程と、基材上に液体材料を塗布することにより金属酸化物又は金属の前駆体組成物からなる前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層に対して凹凸型を用いて型押し加工を施すことにより前駆体組成物層に残膜を含む型押し構造を形成する第3工程と、型押し構造が形成された前駆体組成物層に対して大気圧プラズマ又は減圧プラズマによるアッシング処理を施すことにより残膜を処理する第4工程と、前駆体組成物層を熱処理することにより、前駆体組成物層から金属酸化物又は金属からなる型押し構造体を形成する第5工程とをこの順序で含む型押し構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】形状精度が高い微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る微細構造体の製造方法は、被加工材上に、開口部が形成され、上面が親水性であり前記開口部の側面が疎水性であるガイド膜を形成する工程と、疎水性部分及び親水性部分を含み、前記疎水性部分の長さが前記親水性部分の長さよりも長い両親媒性高分子を含有した溶液を、前記被加工材及び前記ガイド膜に被着させ、前記溶液を前記疎水性部分が集合した疎水性ブロックと前記親水性部分が集合した親水性ブロックとに分離させ、前記溶液を固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜から前記親水性ブロックを除去することにより、マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記被加工材に対して処理を施す工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】材料コストが安く、しかもパッケージとした際に、薄型化が可能で、異物の発生を抑制可能な電子部品素子搭載用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材14の一方の面が開放し他方の面が閉塞されて底部となる非貫通孔6と、この非貫通孔6の底部に設けられた電子部品素子搭載部12と、を有する配線基板2と、配線基板2の基材14の一方の面上に接着層4を介して配置され、電子部品素子搭載部12上に空隙部15を形成するスペーサ層3と、スペーサ層3上に接着層4を介して空隙部15を塞ぐように配置される蓋基板5と、を有する。 (もっと読む)


【課題】材料コストが安く、しかもパッケージとした際に、薄型化が可能で、異物の発生を抑制可能な電子部品素子搭載用基板及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】一方の面に設けられた内部接続端子と他方の面に設けられた外部接続端子とこれらの接続端子同士を電気的に接続する層間接続とを有する配線基板と、この配線基板の前記一方の面上に接着層を介して配置され、開口を有するキャビティ層と、このキャビティ層上に接着層を介して前記開口を塞ぐように配置される蓋基板とを有し、前記キャビティ層が補強材を有しない基材によって形成される電子部品素子搭載用基板及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板45の上面にバンプ接合パッド61を設け、回路素子43のバンプ70をバンプ接合パッド61に接続する。バンプ接合パッド61は、パターン配線64によってカバー44との対向面に設けられた基板側接合部69に接続されている。カバー44の下面にはマイクチップ42が実装される。カバー44の、基板45と対向する面には第1の接合用パッド(ボンディング用パッド48、カバー側接合部49)が設けられ、マイクチップ42はボンディングワイヤ50によって第1の接合用パッドに接続される。カバー44の第1の接合用パッドと基板45の基板側接合部69は導電性材料65によって接合されており、その結果マイクチップ42と回路素子43が電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】マイクチップと回路素子を縦積みにした半導体装置の耐ノイズ性を向上させる。
【解決手段】カバー44と基板45を上下に重ね合わせることによってパッケージを形成する。カバー44に設けた凹部46の天面にはマイクチップ42が実装され、基板45の上面には回路素子43が実装される。マイクチップ42はボンディングワイヤ50によってカバー下面のパッド48に接続され、回路素子43はボンディングワイヤによって基板上面のパッドに接続される。カバー下面のパッド48に導通したカバー側接合部49と基板上面のパッドに導通した基板側接合部69は、導電性材料86によって接合される。ボンディング用パッド48及びカバー側接合部49の近傍において、カバー44内には電磁シールド用の導電層55が埋め込まれている。 (もっと読む)


【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち1つのドーピング領域30にのみ連結された振動体32、34、振動体32、34に印加される入力信号が経由するPN接合ダイオード(第1ダイオード)、及び振動体32、34から出力される信号が経由するPN接合ダイオード(第2ダイオード)を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間60を含み、振動体32、34は、空間60に備えられてもよい。 (もっと読む)


【課題】高い周波数精度を有するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置され、開口部22が形成された第1絶縁層20と、開口部22を覆って、第1絶縁層20の上方に配置された第2絶縁層30と、第2絶縁層30の上方に配置された第1電極40と、第1電極40との間に空隙を有した状態で配置され、基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部52、梁部52の一端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第1支持部54、および梁部52の他端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第2支持部56を有する第2電極50と、を含み、基板10の厚み方向からの平面視において、開口部22の少なくとも一部は、第1支持部54と第2支持部56との間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置100は、基板10と、基板10の上方に形成された機能素子20と、機能素子20が配置された空洞部1を画成する包囲壁40と、基板10の上方に形成され、機能素子20に接続された配線層30,32と、を含み、配線層30,32は、基板10と包囲壁40との間を通って、包囲壁40の外側まで延出され、包囲壁40は、窒化シリコン層42と、金属層およびシリコン層の少なくとも1層である導電層と、を有し、配線層30,32と導電層44との間には、窒化シリコン層42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、周波数特性の管理が容易なMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置された第1電極20と、第1電極20との間に空隙を有した状態で配置され、基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部32、および梁部32を支持する支持部34を有する第2電極30と、を含み、第1電極20の側面22は、第1電極20の上面21に接続された第1面22aと、第1面22aおよび基板10の上面11に接続された第2面22bと、を有し、第1面22aは、基板10の上面11に対して傾斜し、基板10の上面11に対する第1面22aの角度は、第1角度αであり、基板10の上面11に対する第2面22bの角度は、第1角度αよりも大きい第2角度βである。 (もっと読む)


【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 (もっと読む)


【課題】周波数精度の高いMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置された第1電極20と、少なくとも一部が前記第1電極20との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部34、梁部34の一端34aを支持し基板10の上方に配置された支持部32を有する第2電極30と、を含み、支持部32の一端34aを支持する支持側面32aは、基板10の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端34aは、屈曲部を含む支持側面32aにより支持されている。 (もっと読む)


【課題】均一厚み寸法を有する機能膜を備えたMEMSデバイスを製造するMEMSデバイスの製造方法、MEMSデバイス、及び超音波トランスデューサーを提供する
【解決手段】MEMSデバイスの製造方法は、基板11の第一面11Aに、平坦な先端面と側面部とを有する凸部を形成する凸部形成工程と、第一面11Aに側壁部121及びメンブレン122を有する支持膜12を形成する成膜工程と、突出先端面と重なる位置に孔部31を有するマスク層を形成するマスク工程と、孔部から支持膜12のメンブレン122までを、厚み方向に沿ってエッチングした後、メンブレン122の表面に沿って側壁部121までをサイドエッチングしてキャビティCを形成するエッチング工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】枠体に支持された錘部に作用する複数の変位を許容できるバネ構造体、物理量センサー、電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明のバネ構造体10は、接続部12と、前記接続部12を中心に直交する軸を第1軸および第2軸としたときに、前記接続部から第1軸の方向に延出し、第1折曲部24で折り返され、端部に第1支持部26を有する第1バネ20と、前記接続部12から前記第2軸の方向に延出し、第2折曲部34で折り返され、端部に第2支持部36を有する第2バネ30と、前記第1軸および前記第2軸に平面視で交差する方向であり且つ前記第1及び第2バネ20,30から離間する斜め方向に、前記接続部12からビームが延出し、前記ビームは前記斜め方向に交差する方向に分岐され、一方のビームは第3折曲部44で折り曲げられ第3支持部45を端部に有し、他方のビームは第4折曲部46で折り曲げられ第4支持部47を端部に有する第3バネ40と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】寄生容量を低減して、ノイズの増大、帯域幅の減少や感度の低下を防止することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、基板7と、振動膜4と、基板7と振動膜4との間に間隙5が形成されるように振動膜4を支持する振動膜支持部6と、から構成されるセル1と、基板7に絶縁物11を介して配置されたセル1の引き出し配線12と、を有する。電気機械変換装置において、絶縁物11は振動膜支持部6の厚さよりも厚い。 (もっと読む)


【課題】マイクロ電気機械システムマイクを提供する。
【解決手段】 基板21は第一チャンバー21aを有する。マイクロ電気機械システム部品エリア22は、基板21の上方に位置し、かつ金属層22a、スルーホール層22b、絶縁材エリア22cおよび第二チャンバー22dを有する。遮蔽層23は、マイクロ電気機械システム部品エリア22の上方に位置する。第一キャップ25は、遮蔽層23の上方に固定され、かつ第二チャンバー22dに繋がる少なくとも一つの開口部を有する。第二キャップ26は基板21の下方に固定される。 (もっと読む)


【課題】 電気機械変換装置の振動膜の特性のばらつきを低減する。
【解決手段】 本発明の電気機械変換装置は、基板と、前記基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極と間隙を隔てて形成されたメンブレンと、前記メンブレン上に形成され前記第一の電極と対向する第二の電極と、を有する振動膜と、を備える電気機械変換装置であって、前記第一の電極は、表面粗さの二乗平均平方根値が6nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 20 / 200