【課題】 ＭＥＭＳスイッチでは、可動構造体を支持する「ばね」のばね定数を大きくすることが、特性向上、特に長期信頼性やスイッチング速度向上にとって有効な手段となっている。しかし、ばね定数を大きくすると、スイッチ駆動に必要な電圧も大きくなり、半導体回路との集積化が困難であった。このため、駆動電圧の低減化とＭＥＭＳスイッチ特性の向上を両立させることが要求されていた。
【解決手段】 可動構造体の機械的な振動を利用すると低い駆動電圧でも大きな振動振幅を得ることができ、プルインの誘起が容易となる。直流電圧と振動を励起する交流電圧を制御することにより、プルインとリリースの制御が可能であり、ＭＥＭＳスイッチのメイク動作、ブレーク動作を実現することができる。この結果、ばね定数を増大させても、駆動電圧の低減化が可能であり、スイッチ特性も向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】カプセル化構造（１００）を作製する方法を提供すること。
【解決手段】方法は、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な少なくとも１つの材料部分（１１０）を作製するステップであって、材料部分が、カプセル化構造の気密封止された空胴（１０２）の内側と連通する、ステップと、気体の少なくとも一部が空胴内の前記材料部分から放出されるように、前記材料部分のすべてまたは一部を加熱するステップとを含み、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な前記材料部分は、前記材料部分内に閉じ込められた要素を含み、前記閉じ込められた要素は、前記材料が加熱されると気体の状態で前記材料部分から放出される。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】静電アクチュエータと当該静電アクチュエータを駆動するための駆動集積回路を縦方向に集積することによって実装面積を小さくする。
【解決手段】
第１部材３２には静電アクチュエータ４６を設けている。第２部材３３には、静電アクチュエータ４６を駆動するための駆動用ＩＣ７２を設けている。第１部材３２と第２部材３３は、静電アクチュエータ４６を設けた面と駆動用ＩＣ７２を設けた面を対向させて、外周部の接合部３５と接合部３６で接合されている。第１部材３２、第２部材３３及び接合部３５、３６によって構成された空隙部３４内には、静電アクチュエータ４６と駆動用ＩＣ７２が気密的に封止されている。駆動用ＩＣ７２に用いられているコンデンサ７５は、コンデンサ７５に発生する電界の向きと静電アクチュエータ４６を駆動するための電界の向きとが交差、好ましくは直交するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）を基にした過電流モータ保護システムを提供する。
【解決手段】過電流保護システム１０が、電流の変化率が所定の値を超えていることを示す電気変化率信号を出力するように構成および配置された電流検知部材２０と、電流検知部材２０に機能的に接続された少なくとも１つのマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）装置３０と、電流検知部材２０と少なくとも１つのＭＥＭＳ装置３０とのそれぞれに電気的に結合されたコントローラ４０と、を含んでいる。コントローラ４０は、電気変化率信号に応答して少なくとも１つのＭＥＭＳ装置３０を開くように構成および配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減できる微細構造体の液体封入パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された微細構造体２の少なくとも一部を液体３で被覆し、この少なくとも液体３の表面を被覆する封止膜４を形成することによって、微細構造体２の液体封入パッケージを製造する。これにより、低圧環境下において液体３のハンドリングする必要がなくなり、結果として、製造工程が簡便となるために製造コストを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 電子装置の特性の劣化を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22を有するチップ部品２と、電子素子22を収容する空間Ｓを介してチップ部品２が搭載される配線基板３と、空間Ｓを囲むようにしてチップ部品２の上面及び側面から配線基板３の表面にかけて設けられる樹脂層４と、樹脂層４における配線基板３及びチップ部品２の側面との接着部分のみを覆うようにして設けられた封止補強用樹脂５とを有する電子装置１である。 （もっと読む）

【課題】磁性アモルファス金属で構成された可動部を有するマイクロアクチュエータを提供する。
【解決手段】表面側に一部をくり抜いた凹部２１１を有するベース２１０と、凹部２１１で回転自在な可動部２３０と、凹部２１１で仮想の直線上に配置され一端部をベース２１０に固定され他端部を可動部２３０ベースに固定された一対のトーションバー２２０，２２０と、可動部２３０に回転する力を与える駆動部２４０と、を備え、可動部２３０がトーションバー２２０，２２０の幅よりも幅広に形成された、マイクロアクチュエータ２であって、一対のトーションバー２２０と可動部２３０とが磁性アモルファス金属で形成されており、駆動部２４０が可動部２３０に磁界を与えることで、可動部２３０が回転する。 （もっと読む）

【課題】低い電圧で上部電極が可動してＯＮ，ＯＦＦし、かつ寒極温度が高く変化しても動作電圧に影響を与えるようなデバイスの形状変化が起こらないＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の上に形成される第１の支柱５と、第１の支柱５から間隔をおいて絶縁基板１の上に形成される第２の支柱６と、第１の支柱５に固定される固定端８ａと第２の支柱６の上に移動自在に配置される自由端８ｂとを有する第１の電極８と、絶縁基板１の上における第１の支柱５と第２の支柱６の間の領域で、第１の支柱５及び第２の支柱６より低い位置に形成される第２の電極４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】異方性及び形状復元性を有する複数のＣＮＴからなり、所望の位置に所望の形状で形成することのできる集合体及びそれを備える２端子スイッチを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ該基板の表面と平行な一方向に配向する複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層を備え、前記カーボンナノチューブ層は、純度；９８質量％以上、本数密度；1.0×10¹²〜4.0×10¹³本/cm²を備え、かつ形状復元性を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体。前記カーボンナノチューブ集合体を備える２端子スイッチ。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、プルイン電圧の低減、あるいはクリープ耐性の確保、あるいはホットスイッチング性の向上を実現できる静電アクチュエータを提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、基板と、電極部と、膜体部と、付勢部と、を備えた静電アクチュエータが提供される。前記電極部は、前記基板上に設けられている。前記膜体部は、前記電極部と対向して設けられ導電性を有する。前記付勢部は、前記基板と接続された接続部と、前記接続部と前記膜体部とのあいだに設けられた弾性部と、を有し前記膜体部を支持する。前記電極部と前記膜体部とは、前記電極部に印加される電圧に応じて接触した状態と離隔した状態とが可能とされている。前記弾性部は、前記接続部に接続された一端と、前記膜体部に接続された複数の他端と、のあいだに分岐部を有する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板１にカンチレバー（可動部分）４ｘを形成する工程と、カンチレバー４ｘの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５を形成する工程と、電極膜２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｇ、２５の上に第１の保護膜３１を形成する工程と、第１の保護膜３１の上に、該第１の保護膜３１よりも段差被覆性の良い第２の保護膜３２を形成することにより、第２の保護膜３２で隙間ｇを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】
カンチレバーを利用したマイクロスイッチに新たな構造を採用しようと試みたところ、新たな問題が生じた。
【解決手段】
ＭＥＭＳスイッチは、支持Ｓｉ基板上に活性Ｓｉ層がボンディング酸化膜を介して結合されたＳＯＩ基板と、活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって活性Ｓｉ層内に画定されたカンチレバー領域と、カンチレバー領域下方のボンディング酸化膜を除去することにより、カンチレバー領域と支持Ｓｉ基板との間に形成されたキャビティと、カンチレバー領域を取り囲む固定部と、カンチレバー領域から固定部に延在する可動コンタクト電極と、キャビティに隣接し、結合領域を除いて活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって取り囲まれ、結合領域を介して、固定部の隣接する領域の活性Ｓｉ層に連続する活性Ｓｉ層の第１領域と、活性Ｓｉ層の第１領域に支持され、可動コンタクト電極上方にオーバーハングする部分を有する固定コンタクト電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接点同士が凝着しないように剛性をもたせたアクチュエータ
【解決手段】第１接点が設けられた接点部と、第２接点を移動させて第１接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、積層された第１圧電膜および第２圧電膜と、第１圧電膜における第２圧電膜とは反対の面側に設けられた第１絶縁層と、第２圧電膜における第１圧電膜とは反対の面側に設けられた第２絶縁層と、を有するスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アレイを含む電力切替システムを提供すること。
【解決手段】切替システム（４）は、ダイオードブリッジを形成する複数のダイオードと、複数のダイオードに接近して結合された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイ（１２）とを含む。ＭＥＭＳスイッチアレイ（１２）は（Ｍ×Ｎ）アレイをなして電気的に接続される。（Ｍ×Ｎ）アレイは、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）に並列に電気的に接続された第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）を含む。第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）は直列に電気的に接続された第１の複数のＭＥＭＳダイを含み、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）は直列に電気的に接続された第２の複数のＭＥＭＳダイを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電気機械技術の成膜プロセス方法とその方法で製造された装置を提供する。
【解決手段】基板３０８に、電極３１０とその上に配置された接点３０２とを設けることができる。次に、二酸化ケイ素の層３３０を例えば蒸着によって成膜し、パターン化して電極３１０と接点３０２を包囲する。次いで、薄い接着層３３２、シード層３３４、及び金属層３３６を電気メッキによって成膜することができる次に、フォトレジストの層３３８を設け、パターン化し、その後金属、シード、及び接着層３３６、３３４、３３２をエッチングして梁３０４を形成した後、フォトレジストを除去する。最後に、二酸化ケイ素の層３３０を除去する。スイッチ構造体装置は、保護性のキャップ３４０により封入し気密に封止し得る。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板２０の上に下地膜２１を形成する工程と、下地膜２１の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体２５ｂを形成する工程と、封止体２５ｂを加熱することにより、該封止体２５ｂをキュアする工程と、基板１に形成されたスイッチ素子１９に封止体２５ｂを貼付することにより、封止体２５ｂでスイッチ素子１９を封止する工程と、封止の後、下地膜２１を境にして封止体２５ｂから基板１を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳスイッチの第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１６ｂは、これらとは別要素である変形ガイド２５ａにより可動端子１５に向けて押圧されることによって、各々の端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が可動端子１５から徐々に離れた形状に変形しており、前記可動端子１５は導通状態において第１固定端子１６ａの端縁及び第２固定端子１７ａの端縁に線接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】モータ・スタータ及び電流遮断装置等の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）方式のスイッチング・システムについて障害状態での効率のよいエネルギ吸収を提供しつつ装置の複雑さ、費用、及び寸法を縮小する。
【解決手段】電流を制御する装置が、制御回路と、該制御回路と連絡しており、制御回路に応答して電流の遮断を容易にするＭＥＭＳスイッチと、該ＭＥＭＳスイッチと電気的に連絡して配設されており、ＭＥＭＳスイッチが閉状態から開状態へ状態を変化させるのに応答してＭＥＭＳスイッチからの電気エネルギの転移を受け取るハイブリッド無電弧制限技術（Hybrid Arcless Limiting Technology、ＨＡＬＴ）電弧抑制回路であって、容量部分を含んでいるＨＡＬＴ電弧抑制回路と、該ＨＡＬＴ電弧抑制回路の容量部分と並列に電気的に連絡して構成されており、転移された電気エネルギの一部を発散させる可変抵抗とを含んでいる。 （もっと読む）