【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、第１電極２０との間の静電力によって基板１０の厚み方向に振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極と、を含み、第２電極３０は、梁部３２を複数有する。 （もっと読む）

【課題】ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子において、当該ディスク振動子の小型化を図ること。
【解決手段】平面で見た時に第１の電極２１、２１を結ぶと共に振動板１０の中心を通る直線をＬとすると、この直線とのなす角度θが４５°となる位置において振動板１０に貫通孔１１を形成し、即ち振動板１０の振動の節となる位置（振動板１０の振動を阻害しない位置）に貫通孔１１を形成し、この貫通孔１１の内壁面とベース基板１（導電膜５）との間を接続するように支持部３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】振動の減衰時間を減少させ、機械振動子の動作を高速化する。
【解決手段】微小機械振動子は、基板（１０４）上に形成された２つの支持部（１１３，１１４）と、２つの異なる振動モードを有する両持ち梁部（１０８）と、両持ち梁部を第１の振動モードで励振する励振手段となる交流電源（４１１）と、両持ち梁部を第１の振動モードおよび第２の振動モードが混合した状態で振動させる混合手段となる交流電源（４１３）と、両持ち梁部を第１の振動モードで励振する状態から、第１の振動モードおよび第２の振動モードが混合した状態に切り換える切換手段となるスイッチ（４１２，４１４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】真空の空洞内にＭＥＭＳ構造体が封止されたＭＥＭＳ素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体２０１が、基板３０１および積層構造体１２０により、空洞１１０内に気密封止されているＭＥＭＳ素子５００において、積層構造体１２０を構成する、２つの層の間に界面封止層１０１、１０２、１０３を設けて、気体が基板３０１の表面と平行な方向において、２つの層の界面を通過して空洞１１０内に侵入することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子１０１と、前記振動子１０１を振動可能に支持する支持部と、空隙１０３を介して前記振動子１０１と対向する面を有する少なくとも１つの電極１０２とを有し、前記振動子１０１の振動により発生する電流を前記振動子１０１又は前記少なくとも１つの電極１０２に接続された出力端子を介して出力するＭＥＭＳ共振器２００であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子１０１および前記電極１０２の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子１０１において、前記電極１０２に対向する面を含む表面部分１１１は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された機能素子２０と、機能素子２０が収容された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１に連通する第１貫通孔５２および第１貫通孔５２よりも大きい第２貫通孔５４を有し、かつ空洞部１の上方に配置される第１被覆層５０と、第１被覆層５０の上方に配置され、第１貫通孔５２および第２貫通孔５４を塞ぐ第２被覆層５８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】数の振動体に対して並行して試験を行える試験装置を提供すること。
【解決手段】時間的な周波数分布を持つ出力信号Ｓを出力する信号出力回路１０と、第１の振動体１０１が接続された場合に、第１の振動体１０１に出力信号Ｓを出力する第１端子２１と、第２の振動体１０２が接続された場合に、第２の振動体１０２に出力信号Ｓを出力する第２端子２２と、を含む。出力信号Ｓの周波数分布の範囲は、第１の振動体１０１及び第２の振動体１０２の固有振動周波数が含まれる範囲である。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対し安定した周波数特性を有するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１００と、基板１００の表面に形成された第１ベース層３０と、第１ベース層３０の表面に固定された固定電極８０と、基板１００の表面に形成された第２ベース層４０と、固定電極８０と対向する梁部９１を備え、梁部９１を支持し第２ベース層４０の表面に固定されたアンカー部９２とを備えた可動電極と、を含み、第２ベース層４０は第１ベース層３０よりも熱膨張係数の大きい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波数で動作する振動子の振動検出が容易な機械共振器を提供する。
【解決手段】機械共振器は、基板上に形成されたドレイン１と、基板上に形成されたソース２と、一端がドレイン１に接続され、他端がソース２に接続された伝導部３と、伝導部３と対向するように配置され、伝導部３の伝導度を電界効果により制御するゲート６，７とを備える。伝導部３とゲート６，７のうち少なくとも一方は、基板から浮いた状態で支持される。ゲート６，７に一定のバイアス電圧が印加された状態で、伝導部３とゲート６，７のうち少なくとも一方が振動子として振動したときに、伝導部３とゲート６，７との距離が変化することにより、ドレイン１とソース２間の出力電圧が変調される。 （もっと読む）

【課題】入出力特性の悪化を招くことなく、振動子と半導体基板との間に、ギャップを精度良く形成する。
【解決手段】共振器は、半導体基板１の上に形成された第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂと、第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの上に形成された第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂと、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの上に形成された固定電極６Ａ，６Ｂと、振動子３Ｘとを備えている。振動子３Ｘと第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂ及び固定電極６Ａ，６Ｂとの間には、第１のギャップ７Ａ，７Ｂが形成されている。振動子３Ｘと半導体基板１との間には、第２のギャップ８が形成されている。第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの端面は第２のギャップ８に露出し、且つ、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの端面は第１のギャップ７Ａ，７Ｂに露出している。 （もっと読む）

【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 電子装置の特性の劣化を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22を有するチップ部品２と、電子素子22を収容する空間Ｓを介してチップ部品２が搭載される配線基板３と、空間Ｓを囲むようにしてチップ部品２の上面及び側面から配線基板３の表面にかけて設けられる樹脂層４と、樹脂層４における配線基板３及びチップ部品２の側面との接着部分のみを覆うようにして設けられた封止補強用樹脂５とを有する電子装置１である。 （もっと読む）

【課題】振動子内に共振周波数制御機構を組み込むことが容易で、かつ広い周波数帯域での共振周波数制御が可能な微小機械振動子を提供する。
【解決手段】微小機械振動子は、シリコン基板１上に形成されたシリコン酸化膜２と、シリコン酸化膜２上に形成された電極４，５と、一端が電極４に接続され、電極４およびシリコン酸化膜２で固定されていない一部が開口部６内に突出するように形成される振動子部７と、一端が電極５に接続され、電極５およびシリコン酸化膜２で固定されていない方の先端部が開口部６内に突出した振動子部７の先端部と対向するように形成される制御極部８とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路２０と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０と、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０と、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０とを含む。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子４０は、空洞の外部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＢＡＷモードで共振するＭＥＭＳ共振子について、製造後に周波数などを測定しながら、大量かつ安価に周波数調整が可能で、位相雑音やジッタの少ないＭＥＭＳ共振子を提供する。
【解決手段】バルク・アコースティック・ウェーブモードで共振する板状の共振子を備えたＭＥＭＳ共振子において、共振子が、密度とヤング率の比がそれぞれ異なる材料が積層した積層構造となっている。この積層構造の表面の一部を除去することにより、共振周波数の調整を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】接合ガラスの一方の面に溝を精度よく、かつ効率よく形成する。
【解決手段】接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側から接合材２３を撮像することで、一方の面５０ｂ側から接合ガラス６０に照射可能なレーザー光Ｒ２を接合材２３に合焦させる第１焦点調整工程と、第１焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２の焦点を、接合ガラス６０の厚さ方向に沿った接合ガラス６０の一方の面５０ｂ側に向けて、照射がなされるガラス基板５０の推定厚さ分、移動させる第２焦点調整工程と、第２焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を照射して一方の面５０ｂに被検出部Ｄを形成する被検出部形成工程と、一方の面５０ｂ側から被検出部Ｄを撮像することで、レーザー光Ｒ２を被検出部Ｄに合焦し直す第３焦点調整工程と、第３焦点調整工程の後、レーザー光Ｒ２を切断予定線に沿って照射して、一方の面５０ｂに溝Ｍ’を形成する溝形成工程とを有する接合ガラスの切断方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路（反転増幅回路２０）と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路（反転増幅回路２０）とを接続する接続回路３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板側の電極表面と振動部材の下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、ねじり振動を利用するＭＥＭＳデバイスを容易に製造する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基材と、浮き構造体と、浮き構造体の一部の領域に対して離隔対向するかさ上げ対向部とを備える、ＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、ＳＯＩ基板を用意する工程Ｓ１と、第１シリコン層をパターニングすることによって、かさ上げ対向部、支持梁部などを形成する工程Ｓ２と、第１領域を厚み方向の途中までエッチング除去する工程Ｓ３と、中間絶縁層の少なくとも一部をエッチングしてかさ上げ対向部と第２シリコン層との間の接続を断つ工程Ｓ４と、基材を貼り付ける工程Ｓ５と、第２シリコン層をパターニングすることによって浮き構造体を形成するとともに、かさ上げ対向部を外枠部から分離させる工程とを含む。 （もっと読む）