【課題】本発明は、ジュール発熱を利用して、従来のナノ材料接合方法では接合が困難なナノ材料および箇所においても接合を実現できる簡便なナノ材料接合方法およびナノ材料接合装置を提供する。また、ジュール発熱を利用してナノ材料を所望の位置において切断する簡便なナノ材料切断方法およびナノ材料切断装置を提供する。
【解決手段】ナノ材料同士、若しくはナノ材料と寸法を問わない材料とを接触させた後、接触部に電流を付与してジュール熱を発生せしめ、これにより接触部を局所的に溶融した後、接触部を冷却して当該材料同士を接合する。また、ナノ材料に別の微細材料を接触させ、ナノ材料と微細材料との接触部に電流を付与してジュール熱を発生せしめ、これにより接触部を局所的に溶融して当該ナノ材料を切断する。 （もっと読む）

内部を通過するチャネルを有する物品の製造方法は：少なくとも１つのマクロチャネルを画定する延性構造物を提供するステップであって、マクロチャネルが塩を含有するステップと；少なくとも１つのマクロチャネルの軸線方向に延性構造物を延伸してマクロチャネルの直径を減少させるステップと；塩を溶媒と接触させて塩を溶解させ、少なくとも１つのマイクロチャネルを有する物品を作製するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】キャップを薄型化できるようにすることにより、半導体力学量センサの薄型化が図れるようにでき、かつ、真空度の維持も容易に行えるようにする。
【解決手段】ＳＯＩ基板１を用い、ＳＯＩ基板１をセンサウェハ１１に貼り合わせてから単結晶シリコン基台２および埋め込み酸化膜４を除去し、単結晶シリコン層３がキャップ層となるようにする。つまり、最初から薄膜のキャップ層を用意してセンサウェハ１１に貼り合わせるのではなく、貼り合わせるときまでは厚いＳＯＩ基板１にてウェハ状態を保ちつつ、貼り合わせ後にそれを薄膜化する。これにより、キャップ層を最初から薄膜とした場合のように、割れ等を防いでウェハ状態を保つために、キャップ層をある程度の厚みにしておく必要がない。また、キャップ層をポリイミド樹脂フィルムで構成する場合のように撓んで真空度の維持が困難になるなどの問題も発生しない。 （もっと読む）

本発明は、ガスを吸収する事ができるプラスチック材料又はエラストマー材料で作製された、流体マイクロシステムのコンポーネント（１０）に形成されたマイクロチャネル（１２）を充填する方法に関する。本方法は、コンポーネント（１０）を脱気し、次いで液体（２４）をマイクロチャネル（１２）の供給孔（１４）に導入することからなり、液体は、マイクロチャネル（１２）に含まれるガスの吸収によって生じる吸い込みによりマイクロチャネル（１２）に充填される。
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【課題】比較的簡単且つ安価で、対象とした微細構造又は微細材料の改質に適した方法を提供する。
【解決手段】対象物の材料上及び／又は材料内の微細構造の表面改質及び／又は体積修正の方法が開示される。始めに微細構造を材料上及び／又は材料内に生成し、そして材料の微細構造の相対構造寸法を減少させるべく、その次に材料の体積を収縮する。この発明の方法は、比較的簡単で低コストな態様で非常に細かい微細構造を製造するのに用いられる。 （もっと読む）

本発明の１つの実施の形態は、シールされたマイクロデバイスパッケージの内部における真空レベルを一定に維持するためのゲッタを含んだマイクロデバイスパッケージに関する。複数のマイクロデバイスパッケージを含んだ積層ウエファアセンブリが、下側カバーウエファと中心のウエファとの位置を合わせた形で形成される。下側カバーウエファは、１つ以上のゲッタを収容するために１つ以上のボンドパッドを有する。中心のウエファは１つ以上の経路を、前記１つ以上のボンドパッドにほぼ位置を合わせられ、これに対応する形で有している。１つ以上のゲッタが、その１つ以上の経路に挿入される。積層ウエファアセンブリは、上側カバーウエファを下側カバーウエファに対向する形で位置合わせし、その間に中心のウエファを挟むことで完成する。ウエファの位置合わせをするステップと、ゲッタを活性化するステップと、そしてマイクロデバイスパッケージをシールするステップとを所定の順序で行うことにより、マイクロデバイスパッケージの内部における真空レベルは一定に維持される。
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