【課題】製造時に任意の引張応力に設定可能な微小機械振動子を簡易なプロセスで実現する。
【解決手段】シリコン基板１上に２つのエッチングマスクパターン２および２本の両持ち梁型パターン３を形成する（図１（Ａ）、図１（Ｂ））。シリコンのウェットエッチングを行う（図１（Ｃ）、図１（Ｄ））。シリコン基板１を純水で洗浄して、大気中で自然乾燥させる。自然乾燥工程において、水の表面張力により２本の両持ち梁型パターン３が互いに引き合い、接触して固着する。シリコン基板１上に形成された２つの支持部１０と、一部の箇所が接触して固着し、両端が２つの支持部１０で固定されることによってシリコン基板１から浮いた状態で支持される２本の梁部１１とを備えた微小機械振動子が完成する（図１（Ｅ）、図１（Ｆ））。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、射出成形で得られる樹脂基板をマイクロ流路デバイスとして用いる場合であってもウェルドラインの発生が問題とならないようなマイクロ流路デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のマイクロ流路デバイスの製造方法は、一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、前記接合体を加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子機械システムを提供すること。
【解決手段】圧電アクチュエータ（１０４）を有する構造体を備えたマイクロ電子機械システムについて説明する。複数の圧電アイランドは、複数のチャネル（２０５）を有するボディ（２００）に支持される。圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット（１４５）を形成し、それを取り扱い基板に一時的に結合し、カットされた圧電レイヤ（１０７）をエッチング形成構造を持つ前記ボディ（２００）に取り付け、圧電レイヤをカット（１４０）の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。導電材料（１５８、２１０）を圧電レイヤ上に形成して電極（１０６、１１２）を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】均一性の高い離型層をテンプレート表面に形成する。
【解決手段】本実施形態によれば、テンプレートの表面処理方法は、凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートの表面を水酸化するか又は前記表面に水を吸着させて、前記表面にＯＨ基を分布させる工程と、前記ＯＨ基が分布したテンプレート表面にカップリング剤を結合させる工程と、を備える。これらの処理は、アミンが所定濃度以下に管理された環境で行われる。 （もっと読む）

【課題】 短時間で確実にデポ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 錘部と、錘部を開口部を挟んで囲むように配置された外枠支持部と、錘部と支持部とを連結する梁部とを備える半導体装置の製造方法であって、支持基板をエッチングして錘部と支持部とを形成する基板加工工程と、基板加工工程のエッチングで生じたデポ膜に接する錘部及び支持部各々の開口部側の側壁を変質させる変質工程と、変質工程後、側壁の変質箇所をデポ膜と共に錘部及び支持部各々から除去するデポ膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の伸びとマイクロ構造体の伸びの差などによる応力の弾性支持部への伝達が低減されたマイクロ構造体を提供する。
【解決手段】マイクロ構造体１８は、電極基板などの基板９と、基板９に支持部１を固定する１つのポスト１０と、支持部１の外周に枠状に配置される可動部５と、可動部５と支持部１とを弾性的に連結する弾性支持部２、３、４を有する。弾性支持部２、３、４は、支持部１に対して枠状の可動部５を可動に支持する。弾性支持部は、ねじりバネ２、４、弾性変形可能な連結部３などにより構成される。 （もっと読む）

【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

【課題】圧電材料を用いたアクチュエータ素子におけるスティッキング（素子の貼り付き）を防止する。
【解決手段】電極対(33,26)に挟まれた圧電体（30）が接合された振動板(24)を含んだ可動部に対向してベース基板(10)が配置される。電極対(33,26)に駆動電圧が印加されることにより可動部がベース基板(10)に近づく方向に変位する。圧電体(30)の分極（Ｐｒ）−電界（Ｅ）ヒステリシス特性は電界に対して偏っており、電極対（33,26）に前記駆動電圧とは逆方向の電圧が印加されることにより、可動部がベース基板(10)から離れる方向に変位する。この逆方向の駆動により、素子の貼り付きを防止する。当該貼り付き防止駆動時の印加電界は、圧電体(30)の抗電界以下、好ましくは抗電界の１０〜８０％とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、シリコン基板を良好な寸法精度で加工することのできるシリコン基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるシリコン基板の加工方法は、シリコン基板１０の主面をスパッタリングする表面処理工程と、シリコン基板１０の主面にマスク層２０を形成するマスク層形成工程と、マスク層２０をパターニングしてマスクパターン２２を形成するパターニング工程と、マスクパターン２２の形状に従ってシリコン基板１０をウエットエッチングするエッチング工程と、を含み、マスク層２０は、クロムを含有し、表面処理工程およびマスク層形成工程は、同一のチャンバーＣ内で行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間の短縮を図ることができる洗浄方法、洗浄システム、及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】希釈硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、高濃度の無機酸溶液と、前記酸化性溶液と、を洗浄対象物の表面に、個別に、順次または略同時に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造時に機能性デバイスの破損などがなく量産性に優れ、性能を向上しえる機能性デバイスの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板（基板）１の一表面側に形成された機能性薄膜２の一部を空間的に分離する空洞５がシリコン基板１に形成された機能性デバイス１０の製造方法であって、基礎となるシリコンウェハ（ウェハ）３の前記一表面側に機能性デバイス１０を形成し分離するにあたり、シリコンウェハ３の前記一表面側に存在する有機物を除去し、前記一表面側に仮固定シート６を貼り付け、他表面側にダイシングシート７が貼り付けられたシリコンウエハ３を仮固定シート６側から仮固定シート６ごと切断した後、仮固定シート６を機能性デバイス１０から剥離し、各機能性デバイス１０の表面に存在する有機物を除去する機能性デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、第１の銅素子を第２の銅素子に接着させる方法であって、その方法によってこれらの素子が接触されるであろう、第１および第２のそれぞれの素子の表面のそれぞれの上に、酸素に富む銅の結晶性層を形成させる段階であり、それら２層の合計厚さが６ｎｍ未満である段階を含む方法であり、前記段階が、ａ）１ｎｍ ＲＭＳ未満の粗さおよび親水性表面が得られるように、これらの表面を研磨する少なくとも１つの段階； ｂ）研磨工程からの何らかの粒子および大部分の腐食抑制剤を除去するために、前記表面を洗浄する少なくとも１つの段階；およびｃ）その２つの、酸素に富む銅の結晶性層を接触させる段階を含む方法に関する。
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【課題】電極へのウェハ溶着を無くして、ウェハ搬入・搬出時におけるウェハ破損を防止する。
【解決手段】例えば、ＭＥＭＳデバイスにおけるウェハの裏面エッチング方法では、加工されたウェハ２０の表面の全面にポジ形ホトレジストからなる保護膜（保護レジスト）２５を形成する保護膜形成工程と、前記保護レジスト２５をポストベークにより乾燥させて前記保護レジスト２５の表面を硬化する保護膜硬化工程と、前記ウェハ２０の表面側を下部電極３０上に載置し、プラズマエッチング法により、前記ウェハ２０の裏面を所定のパターンにエッチングするエッチング工程と、前記ウェハ２０の表面側を前記下部電極３０から剥がして前記ウェハ２０を回収するウェハ回収工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いて作製されるミラー構造体の両面に、より容易に所望とする形状の金属膜が形成できるようにする。
【解決手段】金属膜１０６の表面に電着レジストを電着することで、電着レジスト層１０７を形成し、電着レジスト層１０７をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ミラー部１３１の金属パターン１４１と対向する領域に、電着レジストパターン１７１を形成する。電着レジストパターン１７１は、ミラー部１３１の裏面側の金属パターン１４１に対向して形成する金属パターンの領域を被覆するように形成する。 （もっと読む）

【課題】微小空間を用いた精密なマイクロ化学装置での均一な大きさの微小粒子生成や、反応溶液の均一な送液を、長期間に渡り、連続、繰り返し可能とするための微小流路構造体を用いたマイクロ化学装置および微粒子製造方法を提供する。
【解決手段】２以上の流体を導入する流体導入口と、２以上の流体が交わり、流体の化学処理あるいは微粒子や気泡を生成する微小流路を有し、化学処理を行った流体あるいは生成した微粒子を含有する流体を排出する流体排出口を有する微小流路構造体を用い、微小流路構造体に２以上の流体を供給するための手段と、微小流路構造体で流体に対し化学処理を行って生成した生成物、あるいは流体により生成した微粒子を回収するための手段と、微小流路構造体の少なくとも排出側に圧力計測手段１Ｃを備えたマイクロ化学装置、その洗浄方法及び微粒子製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機樹脂からなる犠牲層を用いて構造体を形成する場合に発生する残渣を、より容易に除去できるようにする。
【解決手段】犠牲層１０５を除去した後、下部電極１４１および上部電極構造体１７１が形成されている基板１０１を、フッ化水素ガス中に所定の時間配置する。例えば、密閉可能な所定の容器内に基板１０１を配置し、この容器にフッ化水素ガスを導入すれば、基板１０１の上に形成された下部電極１４１および上部電極構造体１７１などに付着している残渣１１１を、フッ化水素ガスに晒すことができる。これにより、フッ化水素を残渣１１１に作用させ、残渣１１１をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】曲線を含む輪郭からなるシリコン単結晶微細構造を基板空洞上に形成するに際して，ドライエッチングを使わず１回のフォトリソグラフィだけで形成可能なシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン窒化膜３０１を介し２枚のシリコン基板２０、３０を貼り合わせた後一方の基板を微小構造体の厚さにあわせて薄膜化する．特定の結晶異方性エッチング液で薄膜部をエッチングすることにより曲線輪郭の構造体を加工する。その後，ＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に微細構造体表面に形成しこれを保護膜として，通常の結晶異方性エッチング液で構造体下部のエッチングを行ことにより，１枚のフォトマスクのみで膜厚を制御した構造体の加工ができる。 （もっと読む）

【課題】製造時に機能性デバイスの破損等がなく量産性に優れ、性能を向上しえる機能性デバイスの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板（基板）１の一表面側に形成された機能性薄膜２の一部を空間的に分離する空洞５がシリコン基板１に形成された機能性デバイス１０の製造方法であって、基礎となるシリコンウエハ（ウエハ）３の一表面側に機能性デバイス１０を形成し分離するにあたり、シリコンウエハ３の他表面側にダイシングシート７を貼り付けると共に、一表面側に仮固定シート６を直接貼り付け、仮固定シート６側からシリコンウエハ３を切断した後、仮固定シート６を機能性デバイス１０から剥離し、各機能性デバイス１０の表面に存在する有機物をドライ処理により除去する機能性デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】製造時に機能性デバイスの破損等がなく量産性に優れた機能性デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板（基板）１の一表面側に形成された機能性薄膜２と、機能性薄膜２の一部とシリコン基板１とを空間的に分離する空洞５とを有する機能性デバイス１０の製造方法であって、シリコン基板１の基礎となるシリコンウエハ（ウエハ）３の一表面側に形成した機能性薄膜２にレジストを塗布硬化することでレジスト膜６を形成し、その後、シリコンウエハ３の一部をエッチングすることより複数の空洞５を形成し、続いてシリコンウエハ３に形成された機能性薄膜２上のレジスト膜６に仮固定シート７を貼り付けてから、仮固定シート側７からシリコンウエハ３をダイシングした後、仮固定シート７の剥離、レジスト膜６の除去を行う機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】活性化された酸素を含む照射処理をした後でも、レジストパターンが開口しているシード層、あるいは、金属構造体の表面に対し、メッキの堆積が均一で、且つ、制御性よく行えるようにする。
【解決手段】Ｏ₂プラズマ（ＲＦパワー：１００Ｗ）による照射処理を６分間行うことで、レジストパターン１０４の開口領域におけるシード層１０３の表面に付着している有機物（残渣）が除去された状態とする。この有機物の残渣の処理において、シード層１０３の上にシード層１０３を構成している金の酸化物などからなる表面層１０３ａが形成される。この表面層１０３ａを、塩酸溶液などの酸の溶液（ｐＨ３以下）による浸漬処理（表面処理）を１分間行うことで除去する。 （もっと読む）