【課題】温度変化に対し安定した周波数特性を有するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１００と、基板１００の表面に形成された第１ベース層３０と、第１ベース層３０の表面に固定された固定電極８０と、基板１００の表面に形成された第２ベース層４０と、固定電極８０と対向する梁部９１を備え、梁部９１を支持し第２ベース層４０の表面に固定されたアンカー部９２とを備えた可動電極と、を含み、第２ベース層４０は第１ベース層３０よりも熱膨張係数の大きい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】クリープによる変形を抑えることができるアクチュエータを提供する。
【解決手段】基板の上に配置された下部電極と、前記下部電極に対向する可動の上部電極と、前記上部電極を基板に対して支持すると共に上部電極よりもクリープ耐性の高い支持体と、前記下部電極と上部電極との間に駆動電圧を供給する駆動部とを備え、前記上下両電極間の電位差の絶対値を増加させたときに上下両電極が接触し始める駆動電圧であるプルイン電圧を印加したときの前記下部電極と上部電極との間の静電容量をプルイン静電容量としたとき、前記電位差の絶対値をプルイン電圧以上に増加させたときにプルイン静電容量に対する静電容量の比率の変化率が急激に変化する第１の領域と、前記電位差の絶対値をさらに増加させたときに前記変化率が前記第１の領域よりも緩やかに変化する第２の領域とが存在し、前記駆動部は前記第２の領域における前記駆動電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】静電力が可動部の揺動方向に働く位置関係に容易に電極を配置できる静電型アクチュエータを得る。
【解決手段】鏡面１２４と同じ方向を向く可動部側電極１２３ａの面と、裏面１２５と同じ方向を向く可動部側電極１２３ｂの面には、可動部膜１２７ａ、１２７ｂが蒸着される。可動部膜１２７ａ、１２７ｂはＳｉ_３Ｎ_４から成る。Ｓｉ_３Ｎ_４は所定の条件下で２１０ＭＰａの引張応力を発生する。そのため、可動部側電極１２３ａは、その先端が裏面１２５の方向へ向くように湾曲し、可動部側電極１２３ｂは、その先端が鏡面１２４の方向へ向くように湾曲する。同様に、固定部側電極１１１ａと固定部側電極１１１ｂも固定部膜１１２ａ、１１２ｂが蒸着されて湾曲する。 （もっと読む）

【課題】乱流が起こりにくい流体吐出構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この流体吐出構造体１は、上面２ａに垂直な方向に形成された上流側の流路２０を有する板状部材２と、複数の薄膜３０が積層され、上流側の流路２０の中心線２０ａに対して中心線３１ａが傾斜した下流側の流路３１を有する積層体３とを備える。薄膜３０には、下流側の流路３１を構成する部分流路３２が形成され、部分流路３２の位置は、薄膜３０が板状部材２から離れるに従って図１（ｂ）において右方向へΔＬずつずれている。 （もっと読む）

【課題】 アクチュエータアレイ用の基板とミラー面用の基板を別に製造することなく、効率の良く形状可変ミラーを製造する。
【解決手段】 形状可変ミラーの製造方法において、圧電膜と、圧電膜の下に配置された第１の電極と、圧電膜の上に配置された第２の電極と、を有する圧電アクチュエータが基板上に複数配置されたアクチュエータアレイを準備する工程と、最終的に除去される犠牲層を形成する工程と、犠牲層に孔を形成し第２の電極の少なくとも一部を露出させる工程と、露出した第２の電極の上に柱部を形成するために、犠牲層に形成された孔を柱部用材料で埋没させる工程と、犠牲層及び柱部の上面を平坦化させる工程と、平坦化した犠牲層及び柱部の上面にミラー面を形成する工程と、ミラー面が形成された後，犠牲層をエッチング法により除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 マイクロマシンの振動を抑えることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
マイクロマシン装置１は、基板１１，１２と、基板１１，１２に設けられ、電界の作用により変形する機構を備え、該変形に伴って電気特性を変化させるＭＥＭＳ素子１６と、前記基板１１，１２の主面上に設けられ、気体を収容した中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに、中空部１７側と外部側とを連通する第１開口形状部２１ａを有し、中空部１７側と外部側の圧力差により変形可能な第１封止体２１と、第１封止体２１上の第１開口形状部２１ａを塞ぐとともに、第１開口形状部２１ａからオフセットした位置に中空部１７側と外部側とを連通する第２開口形状部２２ａを備える第２封止体２２と、第２封止体２２上に成膜され、第１開口形状部２１ａ及び第２開口形状部２２ａを密封する第３封止体２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 マイクロマシンの振動を抑えることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
マイクロマシン装置１は、主面上に信号用配線１５が設けられた基板１１，１２と、前記主面上に設けられ、信号用配線１５を跨ぐ梁部１６ａを有し、この梁部１６ａが電界の作用により信号用配線１５に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるＭＥＭＳ素子１６と、梁部１６ａの信号用配線１５と反対側に配置され、信号用配線１５から離れた一端がＭＥＭＳ素子１６に結合されて支持されるとともに、他端が信号用配線１５側に向かって張り出す片持梁状を成し、信号用配線１５から離間する梁部１６ａの変形を規制する規制ブリッジ１８と、基板１１、１２の主面上に設けられ、中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を覆う封止体２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新規なマイクロセラミックスコイル及びその簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロサイズの主としてセラミックスからなるコイル。例えば、コイルの幅は０．１μｍ〜１００μｍ、厚さは１ｎｍ〜１０μｍである。このコイルは、パターニングされたレジスト上に主としてセラミックスからなる薄膜を形成し、前記レジストを剥離液で溶解させて作製できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に基板上構造体がブリッジ状に浮いていて、かつ、高い強度を備えた構造を有する、シリコン構造体を提供する。このようなシリコン構造体を製造する上で、エッチングによってシリコン基板の基板上構造体の直下部分が除去される際に、基板上構造体が受ける衝撃が少ない、シリコン構造体製造方法を提供する。
【解決手段】曲線状の基板上構造体の下部のシリコン基板に異方性エッチングを施す。この時、曲線状の基板上構造体の各部位において、結晶方位の各面に対する方向によって、異方性エッチングの進行速度は大きく異なる。エッチング時間を調節してエッチング速度が遅い部分を残し、シリコン基板の上にブリッジ状に浮いた基板上構造体を下から支える支柱とする。また、曲線状の基板上構造体の方向を連続的に変化させて、曲線状の基板上構造体のうち、ブリッジ状に浮く部分を、シリコン基板から徐々に分離させる。 （もっと読む）

【課題】バイアス電圧、及び振動子と電極との対向面積を大きくすることなく、また、振動子及び電極間の離間距離を小さくすることなく、大きな出力電流を得る。
【解決手段】基体１１の主面１１ａに平行な面内で振動する発振子振動部２１を含む発振子１３と、主面に平行な面内で振動する電極振動部２７を含む電極１５とを具える。これら発振子と電極とは、互いに離間して配置されており、電極振動部は、発振子振動部の延在方向に対して平行に配置されている。そして、発振子振動部と電極振動部は、質量、長さ、幅、厚み、及び基体の主面からの離間距離が等しく設定されている。更に、発振子振動部と電極振動部は、互いに面対称に配置されている。 （もっと読む）

【課題】センサ基板の残留応力が少なくて所望のセンサ特性を有するセンサ素子の製造歩留まりを高めることができるセンサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１と各パッケージ用基板２，３との互いの接合面それぞれを清浄・活性化する活性化工程と、活性化工程の後でセンサ基板１と各パッケージ用基板２，３とを互いの接合面を突き合せて接合する接合工程とを備え、接合工程では、センサ基板１と第２のパッケージ用基板３とをＳｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_２−ＳｉＯ_２、Ｓｉ−Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４−Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２−Ｓｉ_３Ｎ_４の群から選択される１組の組み合わせの常温接合により接合し、その後、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９と第１のパッケージ用基板２の第２の電気接続用金属層２９とを常温接合するとともに、センサ基板１と第１のパッケージ用基板２との封止用金属層１８，２８同士を常温接合する。 （もっと読む）

【課題】流路への流入口および流出口において流体をスムーズに流通させることが可能なマイクロ流路体を提供することにある。
【解決手段】マイクロ流路体１は、基体２の内部に、流体が流通される流路２ａを有し、流路２ａに流体を流入させる流入口２ｂまたは流出させる流出口２ｃが基体２と一体の基体２の表面から突出する筒状部２ｄとされている。流入口２ａまたは流出口２ｄが基体２と一体に形成されているので、流入口２ａまたは流出口２ｄを後で取り付けることによって生じる乱流を少なくできる。 （もっと読む）

【課題】基板の反りの発生が防止された可動素子を提供する。
【解決手段】チルトミラー素子１００はミラー基板１１０とＭＣＭ基板１３０とから構成されている。ミラー基板１１０とＭＣＭ基板１３０はパッド１５０によって接合されている。ミラー基板１１０は、ミラー支持外枠１１１と、ミラー支持外枠１１１の内側に位置しているミラー支持内枠１１３と、ミラー支持外枠１１１とミラー支持内枠１１３を接続している二本のねじりばね１１２と、ミラー支持内枠１１３の内側に位置しているミラープレート１１５と、ミラー支持内枠１１３とミラープレート１１５を接続している二本のねじりばねとから構成されている。ミラー支持外枠１１１は二つのシリコン層１２１，１２２と酸化シリコン膜１２３とから構成されている。酸化シリコン膜１２３は、ミラープレート１１５に面したミラー支持外枠１１１の端面の近傍のみに形成されている。 （もっと読む）

本発明によれば、マイクロマシン構成素子を実現するための安価な技術が提供されており、前記構成素子は、少なくとも１つの対抗エレメント（１３）と上側に少なくとも１つのダイヤフラム（１２）とを備えた層構造を有しており、前記ダイヤフラム（１２）と対抗エレメント（１３）との間に中空室が形成されていて、前記対抗エレメントが、この対抗エレメントの背面スペースに通じる少なくとも１つの貫通開口（４）を有している。前記背面スペースは、前記対抗エレメント（１３）の下側の閉じられた別の中空室（６）によって形成されており、該別の中空室（６）が、少なくとも１つの圧力補償開口（５）を介して層構造の上側に接続されている。このような構成素子構造は、マイクロマシンセンサ機能と電子評価装置とを１つのチップ上に積層することを可能とし、しかも、大量生産のために適している。
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支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法
ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。
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集積空間光変調器を製造する方法。該方法は、ボンディング表面を含む第１の基板を提供するステップと、デバイス基板を処理して少なくとも１つの電極層を形成するステップであって、該電極層が複数の電極を含むステップと、該電極層上にスタンドオフ層を堆積するステップとを含んでいる。該方法はさらに、該スタンドオフ層からスタンドオフ構造を形成するステップと、該第１の基板の該ボンディング表面を該デバイス基板の該スタンドオフ構造に接合するステップとを含んでいる。具体的な実施形態では、該方法はさらに、スタンドオフ層を堆積する該ステップの後に、該スタンドオフ層の化学的機械的研磨を実行して該スタンドオフ層の上部表面を平坦化するステップを含んでいる。 （もっと読む）

二点固定型熱アクチュエータは、対向する固定端を有する凹部を備えて形成された基盤要素を有する。対向する固定端の位置で基盤要素に取り付けられた変形要素が、低い熱膨張係数を有する第１の材料から成る第１の層と高い熱膨張係数を有する第２の材料から成る第２の層とを含む平面状の積層体として構築される。この変形要素は固定端に隣接する固定部分と該固定部分間の中心部分とを有し、固定部分の曲げ剛性は中心部分の曲げ剛性より実質的に低くされる。
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２点係止式熱アクチュエータ（９０）は、対向するアンカー（１４）を有する凹部が形成されたベース部材（１０）を含む。ベース部材に、対向する係止縁部にて取り付けられる変形可能な部材（２０）は、低い熱膨張係数を有する第１の材料の第１の層（２２）と高い熱膨張係数を有する第２の材料の第２の層（２４）とを有する平らな積層体として構成される。変形可能な部材は、係止縁部の近傍に係止部（２４ａ）、及び、係止部間に中央部を有し、係止部の曲げ剛性が中央部の曲げ剛性よりも実質的に低い。
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【課題】微小電気機械システムデバイス内における構造物の電気機械的動作を制御すること。
【解決手段】
一実施形態においては、本発明は、微小電気機械システムデバイスを製造する方法を提供する。前記方法は、特徴的な電気機械的反応、及び特徴的な光学的反応を有する膜を具備する第１の層を製造することであって、前記特徴的な光学的反応は望ましく、前記特徴的な電気機械的反応は望ましくないことと、前記電気機械システムデバイスの起動中に蓄積される電荷を少なくとも減少させることによって前記特徴的な電気機械的反応を修正すること、とを具備する。
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本発明は、表面層（２）、少なくとも一つの埋め込み層（４）、及び支持体から構成される半導体構造体の形成方法に関する。本方法は、第一の支持体上に第一の材料からなる第一の層（４４）を形成し、更に第一の層の内部に、第一の材料よりエッチング速度の大きい第二の材料からなる少なくとも一つの領域（２６、２８）を形成する第一のステップと、第二の支持体の上に構造体を組み立てることにより表面層（２）を形成し、二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化する第二のステップとを含む。
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