基板の開口又は凹部の上方に隔膜が設けられている上側を有する基板を具備するセンサー装置において、前記隔膜は熱的及び電気的に絶縁性であり、抵抗材料層を備える加熱素子の上面に設けられており、加熱素子との電気的接続は隔膜及び／又は基板に埋め込まれており、かつ基板の下側に電気端子を提供する、航空機の外部における風速を検出するためのセンサー装置。加熱素子は雰囲気中にさらされるが、残りの電気部品はさらされていない。 （もっと読む）

本発明の目的は、静電力および電磁力を活用して作動するＮＥＭを提供することである。一つのナノ静電実施形態においては、ナノスケールビームが電界に張られる。帯電されたレールがビームの周りに置かれる。ビームがレールに接触するときには、ビームは電界の中を特定の方向に動かされる。一つのナノ電磁実施形態においては、ナノスケールビームが磁界に張られる。ビームの付近にレールが置かれており、極性の異なる電荷がレールおよびビームに加えられる。この形態において、ビームおよびレールが互いに接触するときには、ビームとレールとの間に電流が流れ得る。この電流は磁界と相互作用し、その結果ビームを特定の方向に動かす。
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マイクロ流体装置は、その内部で注入チャンバー、任意の反応チャンバー、および少なくとも１つの検出チャンバーが流体連通するフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下に配置される支持体と、フォトレジスト層の上に配置されるカバーを装備する。装置は、さらに、最後尾の検出チャンバーの下流に一連の吸収チャンバーを備える。生体または免疫活性物質を反応チャンバーおよび検出チャンバーに内蔵させる。液体試料を注入チャンバーに入れると、試料液が毛管作用によって装置内に引き込まれる。検出方法としては、電気化学検出、比色検出、蛍光検出が挙げられる。
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高感度の素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）を有する表面実装型の電気的素子を提案する。この電気的素子は、２つの基板（５１，５２）の表側に構成される。これらの基板は表側で相互に対向して接続されており、その際には、前記素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）に対して空洞（ＡＮ）が形成される。すべての素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）に対する電気的な外部端子（ＡＡ）は両基板のうち１つの表面上に設けられており、とりわけ、上方の基板の裏面または下方の基板の表側に設けられている。両基板間に、適切に構造化された中間層（ＺＳ）が配置されており、該中間層はスペーサとしても、空洞ケーシングを封止するためにも使用される。
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マイクロマシン加工の流体センサ装置およびその製造方法に関する。流体センサ装置は、バイパス流路、好ましくは、流体センサ装置に一体化されたバイパス流路を備える。これにより、装置内に導入された大量の流体のうち、限られた一部が、装置内の流路を通って、１つ以上の流体特性（例えば、密度、比重、化学的濃度が挙げられるが、これらに限定されない）が測定される。当該装置は、燃料電池の燃料混合体における燃料濃度を監視するために好適である。
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半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法であって、その方法は、半導体デバイスを提供する工程（Ｓ１）であって、半導体デバイスは半導体デバイスの空洞と半導体デバイスの外部表面との間に連続的に配置される半導体酸化物区域を含む工程と、半導体デバイスを、第１の温度で所定の時間の間、希ガスを有する周囲雰囲気に曝露する工程（Ｓ３）と、その所定の時間が経過した後、第１の温度と異なる第２の温度を設定する工程（Ｓ５）とを含み、半導体酸化物区域は、第２の温度に比べて第１の温度で希ガスに対してより高い透過率を示す、方法。 （もっと読む）

本発明は集積回路及び保護カバーのような重ねられた微細構造の集合的製作に関する。
各々が重ねられた第一と第二の要素を備えた個々の構造は集合的に製作される。第一の要素（例えば集積回路チップ）は第一の板（１０）上に用意され、第二の要素（例えば透明カバー）は第二の板（４０）の上に用意される。板はそれらの対向面の主要部分にわたって互いに接着されているが、付着のない限られた区域（ＺＤ_n）では接着されない。個々の構造は次に一方で上端部を経由し、他方で底部を経由して、付着のない区域を通る異なった平行な切断線（ＬＨ１_n、ＬＨ２_n、ＬＤ_n）に沿って切り取られ、切り取り後に第一の要素が第二の要素によって覆われない表面部分（平行な切断線の間にある部分）を保有するようにする。接続端子（ＰＬ_n）は従ってこの場所においてアクセス可能なまま残り得る。
ガラス板で覆われたイメージセンサ又はディスプレイの製作へだけでなく、一般にあらゆる種類の微細加工された構造（ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ）にも適用される。 （もっと読む）

本発明は、設定値の特定の経過に関して、動力学系の物理変数を制御／調整する方法に関する。このため、上記物理変数の制御あるいは調整を達成する一連の離散変調信号を生成するパルス変調器が用いられる。以下に示すステップは、繰り返し実行される：ａ）上記物理変数の瞬時設定値及び瞬時実際値の間の差の正確な値あるいは近似値を決定する、ｂ）瞬時変調信号の維持あるいは他の変調信号への移動という結果になる上記差における各々の変化を決定する、ｃ）上記瞬時設定値の最も良い近似値に導く変調信号を生成する。
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カソードからのとるに足らないスパッタリングと、その後のキャビティ内の不活性ガスを葬ることを最小にすることにより、検出器の長い寿命を生じさせ、高圧キャビティ（２６）を可能にし、カソード（１８）とアノード（１５）との間の小さなギャップを備えた光検出器（１０）を有するセンサ。検出器は、ＭＥＭＳ技術で作られる。センサは、光センサ（１０）のアレイを包含しうる。検出器のいくつかは、ＵＶ検出器であって良い。
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ＭＥＭＳジャイロスコープのレートバイアス誤差及びスケールファクタ誤差を減らすデバイス及び方法を開示する。本発明の例示的実施形態によるＭＥＭＳアクチュエータデバイスには、１つ又は複数の水平駆動電極（９２、９４、９６、９８、１４０）を含む少なくとも１つの基板（６８、７０）と、１つ又は複数の水平駆動電極（９２、９４、９６、９８、１４０）から垂直に間隔をあけられ、これに隣接する可動電極（６４、６６）とを含めることができる。水平駆動電極（９２、９４、９６、９８、１４０）及び／又は可動電極（６４、６６）は、デバイスの感知軸（７２）の方向での可動電極（６４、６６）の変位から生じるレートバイアス誤差及びスケールファクタ誤差をなくすか減らすように構成することができる。
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