【課題】電子デバイスをカプセル化する構造体およびこのような構造体を作る方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの電子デバイスをカプセル化するための構造体であって、支持体および前記支持体上に提供された少なくとも１つのキャップで囲まれた少なくとも１つの第１キャビティを含み、前記電子デバイスはカプセル化され、少なくとも１つの開口部は、前記キャップを通過し、前記第１キャビティ内部と前記支持体上に配置され前記第１キャビティに隣接する少なくとも１つの第２キャビティに提供されたゲッター材料の少なくとも一部分とを連通し、ゲッター材料の前記部分の少なくとも一部分は、前記支持体上および／または第１キャビティの少なくとも１つの外側壁に接して提供され、前記第１キャビティおよび前記第２キャビティが密封して密封体積をともに形成する、構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】一体化されたＭＥＭＳおよび半導体電気回路センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。本発明の一実施形態において、上記第一の層内にインプラントエリアがさらに備えられ得る。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２と、半導体基体２を実装する基体１と、半導体基体２を基体１側に接合する接合部３とを備えた電子デバイス１０の製造方法であって、接合部３がＡｕを含む接合材料からなり、半導体基体２の接合部３側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体１に設けた接合部３を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Ａｕと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体２を基体１側に接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素を用いたＭＥＭＳの一層の小型化を実現する。
【解決手段】半導体素子１は、半絶縁性の支持基板１１と、支持基板１１の表面における一部の領域に形成されたドープ層１２と、支持基板１１の表面を覆うとともにドープ層１２の一部が露呈されるようにドープ層１２を覆うグラフィン層１３と、グラフィン層１３の支持基板１１が配置される表面の反対の表面に形成された電極層２１，２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】 本願には多くの発明が記載されており且つ例示されている。１つの特徴では、本発明は、最終パッケージ前に機械構造がチャンバ内に封緘されたＭＥＭＳ装置及びその製造技術に関する。
【解決手段】 付着させたときに機械構造を封緘する材料は、一体化に列挙する特性のうちの１つ又はそれ以上を備えている。即ち、引張応力が低く、ステップカバレッジが良好であり、続くプロセスが加えられたときにその一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び／又は悪影響を及ぼさず（付着中に材料でコーティングされていない場合）、及び／又は高性能集積回路との一体性を容易にする。一実施形態では、機械構造を封緘する材料は、例えば、シリコン（ドーピングされた又はドーピングがなされていない多晶質、非晶質、又は多孔質）、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れ、且つ、デバイス特性のより一層の向上を図れる強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】強誘電体デバイスは、シリコン基板１０の上記一表面側に形成された下部電極１４ａと、下部電極１４ａにおける第１の基板１０側とは反対側に形成された強誘電体膜１４ｂと、強誘電体膜１４ｂにおける下部電極１４ａ側とは反対側に形成された上部電極１４ｃとを備え、強誘電体膜１４ｂが、シリコンとは格子定数差のある強誘電体材料により形成されている。下部電極１４ａの直下に、シリコンに比べて強誘電体膜１４ｂとの格子整合性の良い材料からなる緩衝層１４ｄが設けられ、第１の基板１０に、緩衝層１４ｄにおける下部電極１４ａ側とは反対の表面を露出させる空洞１０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】センサ素子にダメージを与えることなく、キャップ接合に用いる接着樹脂の残渣を低減できるセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサ素子を形成した基板上に、該センサ素子を囲繞する平面形状の感光性接着樹脂を介して、前記センサ素子の上方を覆うキャップを接合してなるセンサの製造方法において、感光性接着樹脂の塗布前に、上記センサ素子を含む基板表面全体に、感光性接着樹脂の現像液に可溶の材料からなる下地層を形成しておく。そして、この下地層上に塗布した感光性接着樹脂を露光及び現像し、感光性接着樹脂の現像液によって、感光性接着樹脂の露光した領域と該露光領域の下に位置する下地層とを一緒に除去する。 （もっと読む）

【課題】 熱コンダクタンスを低減させる連結構造または支持構造の加工に最適なＭＥＭＳの製造方法等を低起用すること。
【解決手段】 固定部６０上に形成された、第１空洞部３０を有する被エッチング層２２を加工するＭＥＭＳの製造方法は、被エッチング層２２の露出面のうち、被エッチング層２２が第１空洞部３０に臨む少なくとも側壁２２Ａに、マスク層２４を形成する第１工程と、マスク層２４の表面２４Ａ側の第１空洞部３０内に供給されたエッチャントを、マスク層２４の裏面２４Ｂ側に導いて被エッチング層２２を等方性エッチングして、第１空洞部３０に連通する第２空洞部３２をマスク層２４の裏面２４Ｂ側に形成して被エッチング層２２を加工する第２工程とを有する。被エッチング層２２はアンダーカット形状またはアーチ形状に加工される。 （もっと読む）

本発明は、ＭＥＭＳチップ及びＡＳＩＣチップを備える小型化した電気的デバイスに関する。ＭＥＭＳチップ及びＡＳＩＣチップは互いに上下に配置する。これら両チップの内部接続部は、ＭＥＭＳチップ又はＡＳＩＣチップを貫通するビアを介して電気的デバイスの電気的外部接続端子に接続する。 （もっと読む）

【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

集積回路の温度を検知するためのメムス（ＭＥＭＳ）共振器の製造方法および装置である。中間接続層において共振器を作成することで、製造工程のばらつきに対して寛容な温度検知手段を備える方法を提供する。センサー読み出し回路と制御回路は、望むならば、シリコン上に存在し得る。例えば、共振器と一体となった発振器を形成するポジティブフィードバックアンプや、発振器周波数をカウントするカウンターといったものである。
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次の工程を含む、ホールに少なくとも部分的に閉塞部を挿入するための方法：ａ）１μｍ〜３００μｍの最大寸法を有する少なくとも１つのホールを備えた少なくとも１つの基材（２）を与える工程；ｂ）前記少なくとも１つのホールよりも大きな寸法を有する材料片（１）を与える工程；ｃ）前記材料片（１）を前記ホールに対して道具を用いて押圧して、閉塞部を形成する工程であって、前記材料片（１）の少なくとも一部を前記ホールに圧入する工程；及びｄ）前記道具を前記材料片（１）から取り除く工程。この方法によって作成された閉塞ホールを、さらに開示している。１つの実施態様の１つの利点は、産業上利用可能なワイヤーボンディング技術を、様々なキャビティを封止するために使用できることである。既存のワイヤーボンディング技術は、この閉塞化を早くかつ安価にする。 （もっと読む）

【課題】キャップ−基板間への異物混入を防止するＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサ素子を形成した基板上に、該ＭＥＭＳセンサ素子の上方を覆うキャップを接合してなるＭＥＭＳセンサにおいて、基板とキャップを接合する接合部をキャップ全周縁に沿って設け、この接合部の外囲面を、キャップ周縁の外囲面の延長面を基準として、該延長面と面一に位置させるかまたは該延長面より外側に位置させる。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】製造時に機能性デバイスの破損などがなく量産性に優れ、性能を向上しえる機能性デバイスの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板（基板）１の一表面側に形成された機能性薄膜２の一部を空間的に分離する空洞５がシリコン基板１に形成された機能性デバイス１０の製造方法であって、基礎となるシリコンウェハ（ウェハ）３の前記一表面側に機能性デバイス１０を形成し分離するにあたり、シリコンウェハ３の前記一表面側に存在する有機物を除去し、前記一表面側に仮固定シート６を貼り付け、他表面側にダイシングシート７が貼り付けられたシリコンウエハ３を仮固定シート６側から仮固定シート６ごと切断した後、仮固定シート６を機能性デバイス１０から剥離し、各機能性デバイス１０の表面に存在する有機物を除去する機能性デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

赤外線放射マイクロデバイス、このようなデバイス用の被覆材、及びその製造方法であって、該デバイスが、基板及び被覆材及び赤外線放射線検出、放射または反射赤外線マイクロユニットを有し、赤外線マイクロユニットが、基板と被覆材との間に画定されたキャビティ内に配置され、被覆材が、赤外線放射線の透過率を高める反射防止表面テクスチャを有し、付加的なプロセスにおいて、被覆材の基板側及び／または基板の被覆材側上に形成された分離フレームが、基板と被覆材との間に配置される。
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【課題】製造時に機能性デバイスの破損等がなく量産性に優れ、性能を向上しえる機能性デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板（基板）１の一表面側に形成された機能性薄膜２と、シリコン基板１の他表面側に形成され空洞５と、を備えた機能性デバイス１０の製造方法であって、基礎となるシリコンウエハ（ウエハ）３における一表面側に機能性薄膜２を形成し、シリコンウエハ３から複数個の機能性デバイス１０を分離するための分離予定領域６に沿って、シリコンウエハ３の前記一表面側に分離溝７を形成し、シリコンウエハ３の他表面側に分離予定領域６および空洞形成領域８を除いて金属層９を形成し、シリコンウエハ３の他表面側から金属層９をマスクとして分離予定領域６および空洞形成領域８をエッチングして空洞５の形成および機能性デバイス１０の分離をする。 （もっと読む）

【課題】多数の生物個体に取り付けて、健康や環境のモニタリングを行うことに適するセンサを実現するための技術を提供する。
【解決手段】本発明によるバイモルフ素子は、ＭＥＭＳテクノロジによって製造されるＭＥＭＳデバイスであり、互いに向かい合うように、且つ、変位方向が相手に接近する方向となるように配される、２枚のバイモルフ板を有することを特徴とする。実施形態によっては、これら２枚のバイモルフ板は、いずれも、その板面が、前記バイモルフ板を支持する基体の底面及び／又は頂面に対して垂直になるように配されてもよい。実施形態によっては、バイモルフ板の上側部は前記基体の高さを超えず、その下側部は前記基体の底面の高さより低くはならないように配されてもよい。 （もっと読む）