【課題】音響検知部と振動検知部との間における機械的振動の伝達効率を向上させることによって音響センサのノイズ除去効果を高めることにある。
【解決手段】シリコン基板２８に、表裏に貫通する縦孔部３１ａと水平に伸びた横孔部３１ｂからなるバックチャンバ３１を形成する。縦孔部３１ａの上端はシリコン基板２８の上面で開口し、横孔部３１ｂの先端はシリコン基板２８によって塞がれている。シリコン基板２８の上面には、縦孔部３１ａの上面開口を覆うように形成された振動電極板３３ａと振動電極板３３ａに対向する固定電極板３４ａによって音響検知部２９を作製する。音響検知部２９の固定電極板３４ａには、音響振動を通過させるための音響孔４３ａを開口する。また、横孔部３１ｂの上方において、シリコン基板２８の上面に、振動電極板３３ｂと振動電極板３３ｂに対向する固定電極板３４ｂによって振動検知部３０を作製する。 （もっと読む）

【課題】射出光の波長を可変させた場合でも、高透過率および高分解能を実現可能な波長可変干渉フィルター、測色センサー、および測色モジュールを提供する。
【解決手段】エタロン５は、第一基板５１と、第一基板５１に接合され、可動部５２２、およびこの可動部５２２を基板対向方向に移動可能に保持する連結保持部５２３を有する変位部５２１を備えた第二基板５２と、第一基板５１に固定される固定ミラー５６と、可動面５２２Ａに固定される可動ミラー５７と、固定ミラー５６および前記可動ミラー５７を囲う位置に設けられ、静電引力により可動部５２２を基板対向方向に変位させる第一静電アクチュエーター５４と、第一静電アクチュエーター５４の内側で、固定ミラー５６および可動ミラー５７を囲う位置に設けられ、可動部５２２に変位方向と逆方向に応力を付与する第二静電アクチュエーター５５と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単位エネルギー当たりの光輻射力の発生効率及び検出効率を高く保ちつつ、外部からの光の入力を容易にする光学微小機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】所定間隔１２を有して対向して配置された２枚のフォトニック結晶スラブ、１１を有し、
前記所定間隔は、前記２枚のフォトニック結晶スラブの定在波モードの波長の光が前記フォトニック結晶スラブの面上に照射されたときに、該定在波モードが結合して結合モードとなる距離であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜構造部の膜強度の低下を防止することができると共に、薄膜構造部に覆われた空洞部への汚染物質等の侵入を防止する。
【解決手段】シリコン基板１０は、一面１１側に形成されると共に空洞部１４とシリコン基板１０の外部とを繋ぐための孔部１５を有している。この孔部１５は、一面１１において、薄膜構造部３１の上部を流れるであろう流体の向きに対して直交するように延設されている。これによると、空洞部１４を覆う薄膜構造部３１に開口部を設けていないので、薄膜構造部３１の膜強度の低下を防止することができる。また、孔部１５の開口部がシリコン基板１０の一側面１２に露出し、流体は孔部１５の開口部に直接当たらないので、当該一側面１２の面方向に流れる流体が孔部１５に入りにくくなる。したがって、孔部１５を通じて空洞部１４への汚染物質や水滴の侵入を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】集積化センサ装置を提供すること。
【解決手段】集積化センサ装置は、表面部分を含む第１の基板および積層構成で第１の基板の表面部分に結合される第２の基板を備え、そこでは空洞が、第１の基板と第２の基板との間に規定される。集積化センサ装置はまた、第１の基板内に少なくとも部分的に設置される１つまたは複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを備え、そこではＭＥＭＳセンサは空洞と連通する。集積化センサ装置はさらに、１つまたは複数のセンサを備える。 （もっと読む）

【課題】厚さの薄い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に、無線通信の機能を有する半導体素子層と、センサの機能を有する微小構造体と、半導体素子層及び微小構造体を電気的に接続する配線とを有する半導体装置、及び、第１の基板上に、互いに密着性の弱い第１の層及び第２の層を形成し、第２の層上に無線通信の機能を有する半導体素子層及び絶縁層を形成し、絶縁層上に半導体素子層と電気的に接続される第１の配線、犠牲層、第２の配線を形成し、第１の層と第２の層とを分離することにより、基板から半導体素子層、絶縁層、第１の配線、犠牲層、第２の配線を分離した後、第２のフレキシブル基板に貼り合わせ、犠牲層を除去して、第１の配線、第２の配線、第１の配線と第２の配線との間に空間を有し、センサの機能を有する微小構造体を作製する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】保護シートがセンサ構造体に触れないようにし、センサ構造体が破損することを防止する。
【解決手段】治具４によって保護シート１のキャップ部５の形状を保持した状態でダイシング装置への搬送およびダイシング工程を行う。そして、半導体基板１１の裏面側からダイシングカットを行う。これにより、搬送時やダイシング工程の際に保護シート１が変形することを防止でき、保護シート１がセンサ構造体１０に触れないようにできるため、センサ構造体１０が破損することを防止することができる。そして、半導体基板１１の裏面側からダイシングカットを行っているため、治具４を保護シート１から取り外さなくても、治具４がダイシングブレード１３と干渉して邪魔になることなく、確実にダイシング工程を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板のダイシングされる部分にアンダーカットを発生させることなくセンサチップを製造するセンサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ１００の製造方法は、以下の工程を備えている。第１主表面１ａを有する基板１が準備される。第１主表面１ａ上に第１の膜２ａが形成される。第１の膜２ａ上に第１の膜２ａとは異なる材質からなる絶縁膜３（第１絶縁膜）が形成される。絶縁膜３（第１絶縁膜）上に導電性の抵抗部４が形成される。抵抗部４が形成されていない絶縁膜３（第１絶縁膜）の部分がエッチングされて開口部６が形成され第１の膜２ａが露出される。開口部６から露出された第１の膜２ａがエッチングされて基板１の第１主表面１ａが露出される。開口部６から露出された基板１の部分が切断される。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのビーム型エレメント（２１０）を有するマイクロメカニカルシステム（２００）に関しており、このビーム型エレメントは、自由端部（２１１）を有しており、またその他方の端部（２１２）がマイクロメカニカルシステム（２００）の別のエレメントに連結されている。本発明ではマイクロメカニカルシステム（２００）の機械的な特性を最適化するため、ビーム型エレメント（２１０）に凹部（２１３）を設けて、このビーム型エレメント（２１０）の質量を自由端部（２１１）に向かって減少させる。さらに本発明には、少なくとも１つのビーム型エレメント（２１０）を有するマイクロメカニカルシステム（２００）を作製する方法が含まれている。
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【課題】相対的に大きな力学量が加わっても、破損することなく被検知対象である傾斜を検知することができる力学量検出センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサである傾斜センサは、基材上に立設された導電性の固定接点柱１１ｂと、前記基材上であって固定接点柱１１ｂの外側に設けられた枠体１１ａと、前記枠体１１ａに対して梁１１ｄを介して設けられ、前記枠体１１ａと前記固定接点柱１１ｂとの間で揺動可能である導電性の可動部材１１ｃと、を具備し、前記枠体１１ａ及び前記可動部材１１ｃは、前記基材側の第１層と前記第１層よりも上層の第２層とを含み、前記第２層に前記梁１１ｄが設けられており、前記第１層が前記梁１１ｄの下方に部分的に延在部１１ｅを有することを特徴とする。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイスは、第１主表面とその反対面である第２主表面とを有する基板１０１と、前記基板１０１に形成された貫通孔１１０と、前記第１主表面の上側に前記貫通孔１１０を覆うように形成された振動膜１０５とを備えている。前記第１主表面及び前記第２主表面は共に（１１０）結晶面であり、前記第２主表面における前記貫通孔１１０の形状は実質的に菱形である。 （もっと読む）

【課題】ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法を提供する。
【解決手段】基板１０２上に配置されているマイクロ電子デバイス１００を封入する方法であって、ａ）マイクロ電子デバイス１００の少なくとも一部を覆う犠牲材料を形成し、該犠牲材料の一部分の体積が、デバイス１００が封入されることになるキャビティ１１４の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、ｂ）少なくとも１つのゲッタ材料を基礎とする層１０８を蒸着させて、犠牲材料の一部分の少なくとも一部を覆うステップと、ｃ）少なくともゲッタ材料層１０８を貫通する少なくとも１つの開口部１１２を形成して、犠牲材料の一部分への進入路を形成するステップと、ｄ）開口部１１２を経由して犠牲材料の一部分を除去して、マイクロ電子デバイス１００が封入されるキャビティ１１４を形成するステップと、ｅ）キャビティ１１４を密閉するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ベース基板の素子上に密封キャップが配置されてなる半導体装置およびその製造方法であって、小型で安価に製造することができ、フェースダウンボンディングも可能で実装面での制約が少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが表層部に形成されてなるベース基板Ｂ１と、ベース基板Ｂ１に貼り合わされる導電性を有したキャップ基板Ｃ１であって、当該キャップ基板Ｃ１を貫通する絶縁分離トレンチ３１により、複数個のキャップ導電領域Ｃｅが形成されてなるキャップ基板とを有してなり、ベース基板Ｂ１における所定領域Ｒ１とキャップ基板Ｃ１における凹部３２とで構成される空間２３，３２が密封されると共に、所定のキャップ導電領域Ｃｅ１，Ｃｅ２が、所定のベース半導体領域Ｂｓ１，Ｂｓ２に電気的に接続されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

本発明は、マイクロマシニング型の構成素子のための製造方法、相応の構成素子複合体、及び相応のマイクロマシニング型の構成素子に関する。本発明に係る方法は、以下のステップ、すなわち、第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）及び第１の背面側の表面（Ｒ１；Ｒ１′；Ｒ１′′；Ｒ１′′′）を備える、多数の半導体チップ（ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３；ＳＣ２′′；ＳＣ１′′′，ＳＣ２′′′；ＳＣ３′′′）の第１の複合体（Ｗ１；Ｗ１′；Ｗ１′′；Ｗ１′′′）を用意するステップと、第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）及び第２の背面側の表面（Ｒ２；Ｒ２′′′）を備える、対応する多数のキャリア基板（ＳＳ１，ＳＳ２，ＳＳ３；ＳＳ１′′′，ＳＳ２′′′，ＳＳ３′′′）の第２の複合体（Ｗ２；Ｗ２′）を用意するステップと、前記第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）及び／又は前記第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）に、排気通路（ＳＫ，ＫＧ）を備える構造化された付着層（ＳＧ）を印刷するステップと、前記第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）と、前記第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）とを、それぞれ１つの半導体チップ（ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３；ＳＣ２′′；ＳＣ１′′′，ＳＣ２′′′；ＳＣ３′′′）及び対応するキャリア基板（ＳＳ１，ＳＳ２，ＳＳ３；ＳＳ１′′′，ＳＳ２′′′，ＳＳ３′′′）を備える多数のマイクロマシニング型の構成素子に対応するようにアライメント調整するステップと、前記第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）と、前記第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）とを、前記構造化された付着層（ＳＧ）を介して、圧力を印加した状態で結合するステップであって、各々の半導体チップ（ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３；ＳＣ２′′；ＳＣ１′′′，ＳＣ２′′′；ＳＣ３′′′）が前記対応するキャリア基板（ＳＳ１，ＳＳ２，ＳＳ３；ＳＳ１′′′，ＳＳ２′′′，ＳＳ３′′′）に、それぞれのマイクロマシニング型の構成素子に対応するように結合され、このとき、周囲雰囲気のガスが前記排気通路（ＳＫ，ＫＧ）を通して外部に逃げることができるように結合するステップと、マイクロマシニング型の構成素子を個別化するステップと、を有する。
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【課題】メカニカルに動作（振動）する可動構造体を、より高い機械的強度で支持された状態とし、振動のＱ値や共振周波数の低下などが抑制できるようにする。
【解決手段】基部パターン１０３ｂの基板１０１の露出部との境界線を含む基板１０１の平面に垂直な平面に平行な第１方向より反応性イオン１０４を基板１０１に入射させることで基板１０１をエッチングし、ストライプパターン１０３ａの延在方向に垂直な方向の第１の側より基板１０１に第１空間１１１を形成する。第１方向を、ストライプパターン１０３ａの中心部に向かう側に基板１０１の平面の法線と所定の角度とする。例えば、法線と４５°の角度を成して、反応性イオン１０４を基板１０１に入射させる。このことにより、第１空間１１１が、ストライプパターン１０３ａの下部にかけて形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術あるいはＮＥＭＳ技術を用いて形成された可動構造を有する微小３次元構造体要素が膜状弾性体内へ配置された３次元構造体において、所望の位置に微小３次元構造体要素を配置することで様々な仕様に対応することができるとともに、その製造における取り扱い性を良好なものとする。
【解決手段】基板部材に固定された微小３次元構造体要素を覆うようにその内部に配置するとともに、基板部材に固定された弾性体を有する複数の３次元構造体構成用素子が、互いの基板部材を離間させて状態にて膜状弾性体内に配置させて３次元構造体を構成することにより、膜状弾性体内にて、複数の３次元構造体構成用素子を、所望の配置間隔や位置に配置することができ、様々な仕様に対応することができる。 （もっと読む）

【課題】構成の煩雑化を回避しつつ、ＳｉマイクなどのＭＥＭＳセンサと半導体素子とを１チップに収めることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２に形成されたソース領域３およびドレイン領域４と、半導体基板２上に形成されたゲート電極６とは、ＭＯＳＦＥＴを構成する。また、半導体基板２上には、下電極１５および上電極１６を備えるＭＥＭＳセンサ１２が設けられている。そして、ゲート電極６と下電極１５とが同一層に形成され、ソース配線８と上電極１６とが同一層に形成されている。これにより、構成の煩雑化を回避しつつ、ＭＥＭＳセンサ１２とＭＯＳＦＥＴとを１チップに収めることができる。 （もっと読む）

【課題】揺動体の中立位置を調整して、それによる反射光ビームの照射位置の調整やそれと対象物間の距離の調整などを可能とした揺動体装置を提供することである。
【解決手段】揺動体装置は、中立位置を挟んで揺動軸2の回りに揺動可能に支持された揺動体1と、駆動手段4、5、6と、位置調整手段4、7、8とを有する。駆動手段は、揺動体1を揺動軸2の回りに揺動させるための手段であり、位置調整手段は、揺動体1の中立位置を調整するための手段である。 （もっと読む）

【課題】微小構造体を破損することなく簡単に保護膜の剥離ができ、製造プロセスが簡素化できる微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微小構造体デバイスの製造方法は、基板２０に構造体１５を形成する工程と、基板２０の構造体１５を形成した面と反対側の面にエッチングマスク層１２を形成する工程と、構造体１５の上に保護膜１４より容易に溶解可能な犠牲膜１３を形成する工程と、構造体１５を保護する保護膜１４を犠牲膜１３の上に形成する工程と、基板２０をエッチング処理する工程と、基板２０をチップ形状に切り出す工程と、犠牲膜１３を溶解する工程と、保護膜１４を除去する工程と、を備える。特に、犠牲膜１３は、膜応力が保護膜１４より小さく、構造体１５が可動部を有する場合、該可動部の機械強度よりも弱い。さらに、犠牲膜１３は、構造体１５に密着して充填され、表面が平面となる。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械素子（ＭＥＭＳ素子）の特性劣化を回避し、信頼性に優れた微小電気機械装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に形成されたＭＥＭＳ素子３と、ＭＥＭＳ素子３との間に空洞５を形成するとともに該素子３を四角錘台状に覆い、その上面の一部に貫通孔９が形成された空洞形成膜６と、空洞形成膜６内の貫通孔９直下のみに配置され、貫通孔９を塞いでＭＥＭＳ素子３を空洞５内に封止する封止層７とを備えている。封止層７は、エアロゾルデポジション法で形成されている。 （もっと読む）