【課題】良好な電気絶縁性、及び半導体材料との良好な適合性を有する電子デバイス用の誘電体材料を提供することである。
【解決手段】電子デバイスは、（ａ）半導体層と、（ｂ）低ｋ誘電体ポリマー及び高ｋ誘電体ポリマーを含む誘電体構造物と、を含み、半導体層に最も近い誘電体構造物の領域において、低ｋ誘電体ポリマーは、高ｋ誘電体ポリマーよりも低濃度であることを特徴とする。また、半導体層に最も近い誘電体構造物の領域において、低ｋ誘電体ポリマーは、約４０〜約１０重量％の範囲の濃度であり、高ｋ誘電体ポリマーは、約６０〜約９０％重量の範囲の濃度であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は発光効率よく及びむらなく発光する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、ｐｎ接合するｐ型半導体部及びｎ型半導体部を少なくとも上面に有する基板と、前記基板の上に設けられかつ発光体を内部に有する透光性の絶縁体層と、前記絶縁体層の上に設けられた透光性電極と、前記ｐ型半導体部の表面でありかつ上に前記絶縁体層が設けられていない部分の上に設けられた第１電極と、前記ｎ型半導体部の表面でありかつ上に前記絶縁体層が設けられていない部分の上に設けられた第２電極とを備え、前記基板の上面の前記ｐ型半導体部及び前記ｎ型半導体部がｐｎ接合した部分の上に前記絶縁体層および前記透光性電極がこの順で設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、量子ドット発光素子およびその製造方法に関し、正孔輸送層に接する面と電子輸送層に接する面とが互いに異なる有機リガンド分布を有する量子ドット発光層を含んで量子ドット発光層のバンドレベルを調節することで、ターンオン電圧および駆動電圧が低くて輝度および発光効率に優れた量子ドット発光素子を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動し発光輝度が高く、寿命が長い発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子は、一対の第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光部と、を備え、前記発光部は、第１伝導型の半導体の部分と第２伝導型の半導体の部分とを有する発光粒子が前記第１電極及び第２電極の間に配置されて構成されており、前記発光粒子は、粒子表面に露出した前記第１伝導型の半導体の一部が前記第１電極と接していると共に、粒子表面に露出した前記第２伝導型の半導体の一部が前記第２電極に接しており、前記第１電極は、前記発光粒子の前記第１伝導型の半導体と接する部分以外の部分が絶縁体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率および耐久性をもつ無機ＥＬ素子の提供。
【解決手段】少なくとも１対の電極およびその間に形成される発光層を有する積層構造を有し、前記発光層が第２−１６族化合物および第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも１種、またはそれらの混晶を母体材料とし、発光中心を形成する元素を少なくとも１種含有し、該母体材料は１６族元素を複数種類含有し、前記発光層が、第１６族元素のうちの１種の濃度が前記発光層の厚み方向で３倍以上異なる組成勾配を有する層であることを特徴とする無機ＥＬ素子。 （もっと読む）

【課題】コロイド物質の製造方法、コロイド物質およびその光学機器製造での使用
【解決手段】得られるコロイド材料は式Ａ_nＸ_mで表される（Ａは周期表のＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ族から選択される元素であり、Ｘは周期表のＶ又はＶＩ族から選択される金属、（Ａ、Ｘ）のペアの選択においては周期表のＡ及びＸの族はそれぞれ（ＩＩ族、ＶＩ族）、（ＩＩＩ族、Ｖ族）、（ＩＶ族、ＶＩ族）からなる群から選択され、ｎ及びｍはＡ_nＸ_mが中性化合物とするような数。本発明方法で得られるコロイド化合物の例はＣｄＳ、ＩｎＰ、ＰｂＳである。本発明方法は非配位又は弱配位溶媒中でＸと式Ａ（Ｒ−ＣＯＯ）_pで表されるカルボキシレートとの混合液を液相分解する段階と、酢酸塩又は酢酸をこの混合液に加える段階とを含む（ｐは１又は２の整数、Ｒは直鎖または分岐Ｃ_1-30アルキル基）本発明のコロイド材料は例えばレーザーや光電子工学デバイスの製造に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電荷注入により発光させる無機ＥＬ素子用の発光材料として有用であり、発光輝度に優れ長寿命を有する半導体の提供。
【解決手段】第１２−１６族化合物の少なくとも１種または２種以上の混晶を母体材料とする半導体であって、母体材料を構成する第１６族元素とは異なる第１６族元素をドーパントとして含むことを特徴とする、半導体。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率および耐久性をもつ無機ＥＬ素子の提供。
【解決手段】少なくとも１対の電極およびその間に形成される発光層を有する積層構造を有し、前記発光層が第２−１６族化合物および第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも１種、またはそれらの混晶を母体材料とし、発光中心を形成する元素を少なくとも１種含有し、前記発光層がさらにＣｕを含み、母体材料に対するＣｕ濃度が前記発光層の厚み方向で１０倍以上異なる組成勾配を有する無機蛍光体材料層であることを特徴とする無機ＥＬ素子。 （もっと読む）

【課題】金属元素が母体材料中に充分にドープされ、十分な発光効率が得られる無機蛍光体粒子、それを用いる発光素子の提供。
【解決手段】第２−１６族化合物、および、第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも１種、またはそれらの混晶を母体材料とする無機蛍光体粒子であって、発光中心を形成する元素として、周期律表の第６族〜第１１族の第２遷移系列に属する金属元素および第３遷移系列に属する金属元素のうちの少なくともいずれかを含有し、且つ、全粒子のうち３０％以上の粒子が面状の積層欠陥を５ｎｍ以下の間隔で１０枚以上有する粒子であることを特徴とする無機蛍光体粒子。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ高輝度で発光する無機蛍光体、およびそれを用いた発光素子の提供。
【解決手段】周期律表の第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも一種、またはそれらの混晶を母体材料とする無機蛍光体であって、結晶構造が母体材料からなるウルツ鉱構造と母体材料からなる岩塩型構造を含み、かつ母体材料中のウルツ鉱構造に対する岩塩型構造の比率が０．１％〜１０％であること、を特徴とする、無機蛍光体、それを用いた発光素子。 （もっと読む）

【課題】高い白色発光効率を有し、輝度の低下が少ないエレクトロルミネッセンス材料、及び、簡便かつ局所的に非晶質薄膜を形成することができるエレクトロルミネッセンス材料の製造方法を提供することにある。
【解決手段】所定の基板１１上又は該基板上に必要に応じて形成した中間層上に、非晶質のSiO_xC_y（ｘ≧0、ｙ≧0、ｘ＋ｙ＝2）薄膜１３を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新たな発光中心を有し、直流、交流のいずれでも駆動可能な発光素子に適用でき、十分な発光効率が得られ照明用途などで十分な輝度を有し、特に青色で高輝度に発光する無機蛍光体、それを用いる発光素子および直流薄膜型無機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】本発明の無機蛍光体は、第２−１６族化合物および第１２−１６族化合物から選ばれる少なくとも１種、またはそれらの混晶を母体材料とする無機蛍光体であって、ＣｕおよびＭｎを含有せず、周期律表の第６族〜第１１族の第２遷移系列に属する金属元素および第３遷移系列に属する金属元素のうちの少なくとも１種と、母体材料を構成する元素以外の第１６族元素のうち少なくとも１種とを含有することを特徴とし、発光素子、特に直流薄膜型無機ＥＬ素子に好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】低いターン‐オン電圧にて動作可能な発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００の製造方法では、ドープされた半導体または金属の底部電極１０２を供給し、高密度プラズマ化学気相成長法を用いて、シリコン絶縁膜が３０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の厚さにて、上記半導体または金属の底部電極１０２上に堆積される。また、上記シリコン絶縁膜はアニール処理され、その結果、シリコンナノ結晶が上記シリコン絶縁膜内に形成され、ナノ結晶性シリコン含有シリコン絶縁膜１０４が形成される。その後、透明な金属電極１０８がナノ結晶性シリコン含有シリコン絶縁膜１０４上に形成される。上記ナノ結晶性シリコン含有ＳｉＯ_Ｘ膜は、６０ｎｍ未満の厚さおよび１８％のシリコン体積充填率を有する膜に対して、０．０３Ｗ／ｍ^２を超える表面放射出力に関して規定された２０ボルト未満のターン‐オン電圧を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する方法を、高品質かつ信頼性の高い提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する製造方法は、下部電極を準備し、準備した下部電極を被覆するように、ＮおよびＣからなる群より選択される元素を含む半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を堆積する。次いでアニール処理することにより、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの０．０１〜１．０の範囲の減衰係数（ｋ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。他の態様では、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの１．８〜３．０の範囲の屈折率（ｎ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化物ＥＬ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＥＬ装置の製造方法は、基板底部電極の形成、および、基板底部電極上へのシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層（ＳｉＯｘ膜層：ｘは０より大きく２未満）の多層形成を含む。各シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、約５〜３０％のシリコン過剰濃度を有する。シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、外側の層が内側の層を挟持しており、内側の層ほど、シリコンナノ結晶が低濃度である。また、外側の層は、外側の層によって挟持された内側の層よりも、導電率が高い。シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜上には、透明上部電極を形成する。多層のシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、ＨＤＰＥＣＶＤプロセスにより堆積する。ＨＤＰＥＣＶＤプロセスは、シリコン酸化膜層の堆積後、アニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】単純なプロセスで、歩留り良く量産可能なカーボンナノチューブ発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０、２２上に複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１４を含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）薄膜１２を形成し、その上に電極１６、１８を形成するか、又は、基板１０、２２上に電極１６、１８を形成し、その上に複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１４を含む、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）薄膜１２を形成することで、複数のカーボンナノチューブ１４が含まれるカーボンナノチューブ薄膜１２と、電極１６、１８を備えたカーボンナノチューブ発光素子を得る。 （もっと読む）

電源２を発光ダイオード３に結合する装置１は、電源２から第１の電圧信号及び第１の電流信号を受け取る第１の部分と、第２の電圧信号及び第２の電流信号をランプ３に供給する第２の部分とを有する。前記第１の部分は、前記第１の電圧信号及び前記第１の電流信号のうちの少なくとも一方（例えば、前記第１の電圧信号）における第１の振幅減少を検出する検出部１１を有しており、前記第２の部分は、検出結果に応じて、第２の振幅減少を前記第２の電圧信号及び前記第２の電流信号のうちの少なくとも一方（例えば、前記第２の電流信号）に導入する導入部１２を有する。結果として、前記第１の部分は、電源２によってもたらされる第１の調光状態を検出し、前記第２の部分は、前記第１の調光状態を検出していた前記第１の部分に応じて、第２の調光状態を導入し、当該装置１は、グリッド安定性を保持するための、自動調光機能を有する。
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【課題】発光体粒子の粒径バラツキを許容し、面内の輝度均一性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられている発光層と、を備え、前記発光層は、複数の発光体粒子と、前記発光体粒子と実質的に同じ抵抗率を有する媒体部材と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】従来の分散型交流駆動エレクトロルミネッセンス素子では、２００Ｖから４００Ｖという高い交流電圧が必要で消費電力が大きく、さらに駆動電圧により発光色が変化し色再現が不安定になるという課題があった。
【解決手段】ガラス基板上に陰極として透明電極を設け、透明電極上にＡｌを添加したＺｎＯ層を設け、ＺｎＯ層上にＣｕとＡｌを添加したＺｎＳ層設け、ＺｎＳ層上にイオン化ポテンシャルが５．３ｅＶ以上かつ、５．６ｅＶ以下の正孔輸送層を設け、正孔輸送層上に陽極を設けた積層構造とすることで直流駆動が可能となり、ＺｎＳ層をキャリア注入によるドナー・アクセプタペア発光させることで電圧に対して安定な単色発光を行うことが可能となる。また、直流駆動であるため駆動時に無効電力が発生することがないため、駆動回路を簡素化でき消費電力を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度が低下しにくい発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子３１は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、電極２と発光層４との間に配置された、ｐ型半導体酸化物層３と、を備え、ｐ型半導体酸化物層３は、Ｏ−Ｃｕ−Ｏのダンベル構造を有する化合物を一種以上含んでなる酸化物層、又は、ＭＯｘ（ただし、ＭはＮｉ、Ｇａ、Ｍｏのうちの一種類の金属を示し、ｘは金属原子と酸素原子との個数比を示す。）で表される化合物を一種以上含んでなる酸化物層を有することを特徴とする。 （もっと読む）