【課題】歩留まりの向上する有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光素子３０は、基板１と、基板１上に配置した有機発光層３と、有機発光層３を覆うように配置した樹脂膜６と、樹脂膜６上の周縁部に配置した下駄部６ｂと、樹脂膜６を介して有機発光層３を封止する封止板７とを備える。樹脂膜６は、軟化した状態で封止板７を押圧して有機発光層３と接着させ、下駄部６ｂの領域に、はみ出し部６ａを有し、はみ出し部６ａ以外の樹脂膜６の周縁部にへこみ部６ｋを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低い電圧で駆動可能で、発光効率が高く、駆動安定性が高い、有機電界発光素子及びそれを備えた有機ＥＬディスプレイを提供することを課題とする。
【達成手段】 基板上に、陽極、第一の有機層、発光層、及び陰極をこの順に有し、第一の有機層、及び発光層は湿式成膜法で形成された有機電界発光素子であって、下記式（１）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子。
０≦Ａ／Ｂ＜１６ （１）
（式（１）中、
Ａは、第一の有機層を構成する材料１ｇに含まれるｓｐ３炭素原子の量（ｍｍｏｌ／ｇ）、
Ｂは、発光層を構成する材料１ｇに含まれるｓｐ３炭素原子の量（ｍｍｏｌ／ｇ）
を表す。） （もっと読む）

【課題】 本発明は、低い電圧で駆動可能で、発光効率が高く、さらに駆動寿命が長い有機電界発光素子、並びにそれを備えた有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板と、該基板上に設けられた陽極、複数の有機層、及び陰極とを備えた有機電界発光素子であって、該複数の有機層が、湿式成膜法で形成された第一の有機層及び第二の有機層を含み、第一の有機層のハロゲン原子濃度（重量％）が２重量％以上であり、さらに第二の有機層のハロゲン原子濃度（重量％）の２０倍以上であることを特徴とする、有機電界発光素子。 （もっと読む）

【課題】短絡の発生を抑制することが可能な有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】第１電極２１と第２電極２６との間に、第１電極２１側から順に、発光層２２Ｃを含む第１有機層２２と、厚さ３ｎｍ以上６ｎｍ以下の半透過反射膜２３と、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）からなる第２有機層２４と、酸化ニオブからなる抵抗層２５とを含む。第１電極２１側から順に各層を形成する場合に、第１電極２１上に、異物が存在すると、第１電極２１上に第１有機層２２により覆われてない非被覆部分が形成されやすくなる。非被覆部分は、続いて形成される抵抗層２５により覆われる。 （もっと読む）

【課題】高効率、長寿命かつ低電圧駆動が可能な有機電界発光素子の提供。
【解決手段】２種以上の有機電界発光素子材料および溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物であって、該有機電界発光素子材料のうち、少なくとも１種は電荷輸送性材料であり、該電荷輸送性材料として下記式（１）で表される化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子用組成物。好ましくは、溶剤として、沸点が１１０℃以上の極性または非極性の溶剤を少なくとも１種含み、該溶剤のうち少なくとも１種が、飽和または不飽和の炭化水素からなる環状構造とカルボニル構造を分子内に有する溶剤を含む。
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【課題】有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴのドレイン領域との間を容易に電気接続することができるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子と、ＴＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴとの間に、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】配線基板のキャパシタや配線の交差部に生じた層間短絡を修正することが可能な表示装置の製造方法、および配線基板のキャパシタの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を修正する。層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３を除去し、開口部を形成する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となる。層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】従来、大面積にすると大電流駆動が必要になり、配線抵抗による弊害が大きくなった。また、欠陥による素子短絡によって画素が非発光になり、表示品質を著しく悪化させることがあった。そこで、駆動電流を小さく抑えて配線抵抗の弊害を小さくし、かつ素子短絡による表示品質悪化を最小限に留めた有機エレクトロルミネッセンス表示素子を提供するものである。
【解決手段】少なくとも複数の第一電極ラインと該第一電極ラインと交差する方向に伸びる複数の第二電極ラインを有し、交点の画素を対応する第一電極ラインと第二電極ラインとで駆動する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、各交点の画素が複数の有機エレクトロルミネッセンス単素子からなり、それらが直列接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子とした。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、駆動中の電圧の上昇を抑制し、活性ガス種による素子耐久性の低下を抑制することが可能な有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の有機電界発光素子の製造方法は、少なくとも、非酸化性ガスの少なくとも１種を用いて陽極の表面処理を行う表面処理工程と、前記表面処理工程により表面処理された陽極の表面にｐドープされた正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下部電極または画素分離絶縁膜と有機層との位置ズレを小さくすることが可能な表示装置の製造方法、および、接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】接続孔１２Ａの側面を順テーパー形状とすると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３を形成する。接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡を抑えると共に開口率を向上させる。有機層１５は、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成することにより画素分離絶縁膜を不要としてもよい。下部電極材料膜をエッチングするためのフォトレジスト膜を、蒸着マスクを用いて露光する。または、下部電極１３を、蒸着マスクを用いた電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により形成する。下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、基板の上の基板電極と、対電極及び少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層を有するエレクトロルミネセント積層を含む後続層の少なくとも１つの堆積と、を有する層システムを含み、前記エレクトロルミネセント積層は前記基板電極と対電極との間に配置され、少なくとも１つ電気的シャント手段が、基板電極に亘る電流分布を改善するために、前記基板電極の上に適用され、前記電気的シャント手段は、少なくとも１つの電気的接続手段を介して前記基板電極に適用され、前記電気的接続手段及び前記シャント手段は、前記後続層の前記堆積の外側に配置される、エレクトロルミネセント素子に関する。本発明はさらに、電気的シャント手段によりエレクトロルミネセント素子の基板電極をシャントする方法に関する。
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本発明は、エレクトロルミネッセンス装置（１０）に関し、該装置（１０）は：基板と前記基板上の基板電極（２０）と、対向電極と前記基板電極と前記対向電極（３０）の間に設けられる、少なくともひとつの有機エレクトロルミネッセンス層（５０）を持つエレクトロルミネッセンス層スタックと、及び少なくとも前記エレクトロルミネッセンス層スタックを被包する被包手段（９０）とを含み、前記エレクトロルミネッセンス装置（１０）が、前記対向電極（３０）と電源を電気的に接続するための少なくともひとつの接触手段（６０）を含む。又は本発明は、前記基板電極（２０）上に少なくともひとつの保護手段（７０）が設けられ、前記保護手段（７０）が非導電性であり、前記接触手段（６０）の下の領域を少なくとも完全にカバーするエレクトロルミネッセンス装置に関する。
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本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。前記装置は、
基板（４０）と、前記基板（４０）上の基板電極（２０）と、対向電極（３０）と、前記基板電極（２０）と前記対向電極（３０）の間に設けられる少なくともひとつの有機エレクトロルミネッセンス層を持つエレクトロルミネッセンス層スタック（５０）と、被包手段（９０）であって、前記被包手段が、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層スタック（５０）と、前記基板電極（２０）に、前記被包手段（９０）を機械的に支持し、前記機械的支持の際に前記基板電極（２０）と前記対向電極（３０）間の電気的短絡を抑制するために設けられる、少なくともひとつの非導電性スペーサ手段（７０）とを被包する、被包手段とを含み、前記スペーサ手段（７０）が、少なくともひとつの光拡散手段（８０）を含み、前記基板（４０）にトラップされる光の少なくとも一部の光の方向を変える、装置である。また、本発明は、かかる被包されたエレクトロルミネッセンス装置の製造に関する。さらに本発明は、かかる非導電性スペーサ手段のアレイ、好ましくは六角形アレイの使用に関する。
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【課題】有機ＥＬ素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程でロールツーロール方式により製造する時、ウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを分断することなく、且つ成膜原料の量に影響されることなく、ドライ成膜工程で連続して成膜することが出来る有機ＥＬ素子の製造方法の提供。
【解決手段】有機ＥＬ素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程を使用し、ロールツーロール方式で製造する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記ドライ成膜工程は、成膜条件を独立に制御し得る成膜室と、気圧調整室と、加熱蒸発室とを有する気相成膜ユニットを使用し、前記気相成膜ユニットは前記成膜室の真空を維持し、前記加熱蒸発室と、前記成膜室とを分離及び接合が可能であり、連続して成膜を行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に有機発光層等の薄膜を成膜する際に、この基板上の異物に対する薄膜の回り込みを改善することにより、電極間のリーク等の異物に起因する不具合を防止することができ、異物に起因する暗点欠陥等の欠陥が生じる虞の無い薄膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、基板Ｗを水平に保持した状態で搬送し収納する真空容器２と、この真空容器２内に基板Ｗの成膜領域Ｗ１の下方かつ基板Ｗの搬送方向と直交する方向に配設され蒸着材料Ｍを収納するルツボ３、４とを備え、これらのルツボ３、４は、基板Ｗ上の成膜領域Ｗ１より外側の位置に、それぞれ配設されている。 （もっと読む）

【課題】容量素子と接続されるトランジスタの数を減らすことを課題とする。
【解決手段】容量素子と、一つのトランジスタとを有し、容量素子の一方の電極は配線と接続され、容量素子の他方の電極はトランジスタのゲートと接続される構成とする。当該配線には、クロック信号が入力されるので、クロック信号は容量素子を介してトランジスタのゲートに入力される。そして、トランジスタの導通状態は、クロック信号に同期した信号によって制御され、トランジスタはオンになる期間とオフになる期間とを繰り返す。こうして、トランジスタの劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】水分バリア性を確保するとともに薄型化が可能であり、さらに自己修復を行って短絡の発生を抑制可能な有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】透光性電極４と、透光性電極４上に形成され少なくとも有機発光層を含む機能層７と、機能層７上に形成される背面電極９と、を備えてなる有機ＥＬ素子３である。機能層７と背面電極９との間あるいは背面電極９内に、少なくとも水分バリア性を有するバリア層８を形成してなることを特徴とする。バリア層８は、膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする。バリア層８は、機能層７と背面電極９との間に形成され、伝導帯エネルギー準位が２．０〜５．５ｅＶであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜欠損を生じさせることなく発光層を形成することができ、製造が容易で、得られる素子の寿命特性を良好なものとすることのできる有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子、照明装置、面状光源、及び表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に、陰極、陽極、前記陰極と陽極との間に配置された発光層、および前記陽極および前記発光層の間に配置された金属ドープモリブデン酸化物層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記基板の厚み方向の一方から見て前記発光層が設けられる画素領域を囲って隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記基板に対して前記隔壁が設置された側から、有機溶媒によって表面を処理する表面処理工程と、前記表面処理工程の後、前記隔壁に囲まれた画素領域に有機発光材料を含むインキを供給して前記発光層を形成する発光層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタのゲートと有機ＥＬ素子のカソードとが画素内で電気的にショートしにくい配線構造を採用し、欠陥画素や線状の欠陥が発生しないようにすること。
【解決手段】本発明は、有機ＥＬ素子１Ｄ、書き込みトランジスタ１Ａ、駆動トランジスタ１Ｂ、保持容量１Ｃ、補助容量１Ｊを備える画素が行列状に配置される構成において、保持容量１Ｃと補助容量とが隣接して配置され、保持容量１Ｃの駆動トランジスタ１Ｂのゲート電極と導通する配線と、補助容量１Ｊの有機ＥＬ素子１Ｄのカソードと導通する配線とが異なる層に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタのゲートと有機ＥＬ素子のカソードが画素内で電気的にショートした場合であっても、輝度変動エリアが線状の欠陥として視認されないようにすること。
【解決手段】本発明は、有機ＥＬ素子１Ｄ、書き込みトランジスタ１Ａ、駆動トランジスタ１Ｂ、保持容量１Ｃを備える画素が行列状に配置される構成において、前段の画素行の駆動期間内で走査線に走査信号が与えられる間、信号線ＤＴＬに映像信号基準電位を与え、自画素における駆動トランジスタ１Ｂの閾値補正を行うにあたり、映像信号基準電位と有機ＥＬ素子１Ｄのカソード電位１Ｈとが同電位Ｖａになっている表示装置である。 （もっと読む）