本発明は、（ａ）下部電極上に絶縁層を形成するステップと、（ｂ）前記絶縁層をエッチングし、前記絶縁層の上面から前記下部電極に至る開口部を形成するステップであり、最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造が形成されるように開口部を形成するステップと、（ｃ）前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に導電層を形成するステップと、（ｄ）前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に有機物層を形成するステップと、（ｅ）前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法、これによって製造された有機発光素子、および前記有機発光素子を含む電子装置を提供する。
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【課題】フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができるメタルマスクを提供する。
【解決手段】メタルマスク１１は、３層の金属層１２，１３，１４で構成され、中央の金属層１３はメッシュ状に形成されている。金属層１３を挟んで両側に設けられた金属層１２，１４は、それぞれ幅Ｗが同じに形成されたストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する。３層の金属層１２，１３，１４は、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態に積層され、かつ重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になるように積層されている。メタルマスク１１は、熱膨張係数が小さい金属、例えば、インバーで形成されている。また、メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】親液性を有するバンク層の外部に薄膜が形成されることを防止すると共に、基板上に形成された複数の薄膜を所望の厚さで均一に形成したデバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられて基板２を区画する開口が形成された隔壁４１と、基板２上のうち隔壁４１で区画された領域内に設けられ、基板２上に形成される正孔注入層６３と発光層６４とを有する発光機能層６１を備え、隔壁は、親液層５１、５３と撥液層５２、５４とを交互に積層すると共に、最上段が撥液層５４であり、開口５１ａ〜５４ａが平面視で互いに一致し、正孔注入層６３の上面が親液層５１の上面と一致すると共に、発光層６４の上面が親液層５３の上面と一致する。 （もっと読む）

【課題】親液性を有するバンク層の外部に薄膜が形成されることを防止して画素領域外における発光を抑制できるデバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられて基板２を区画する開口４２ａ、４３ａが形成された隔壁４１と、基板２上のうち隔壁４１で区画された領域内に形成される正孔注入層５５とを備え、隔壁４１は、基板２上に形成された親液層４２と親液層４２上に形成されて親液層よりも正孔注入層形成材料溶液に対する撥液性の高い撥液層４３とを有すると共に、開口４２ａと開口４３ａとが平面視で互いに一致する。 （もっと読む）

本発明は、それぞれ、複数のサブ画素から構成される複数の画素を含む光電子ディスプレイであって、前記光電子ディスプレイは２次元のアレイにおいて複数の区分された領域を提供するようにパターニングされた色形成層から構成され、前記区分された領域をアドレスするためにアドレスアレイが供給され、前記区分された色形成領域の少なくともいくつかは前記アドレスアレイによって独立してアドレス可能な部分を有し、前記各部分が前記光電子ディスプレイのサブ画素を規定する光電子ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、高品質の有機ＥＬ表示パネルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることである。
【解決手段】ＴＦＴ駆動基板６に複数のアノード電極１５をパターニングし、全てのアノード電極１５を被覆するように酸化シリコン下地膜９’を形成し、酸化シリコン下地膜９’一面にレジスト膜８’を形成する。次に、レジスト膜８’を露光した後に現像液で除去することで、レジスト膜８’の残留した部分が隔壁８となる。次に、隔壁８をマスクとして、Ｃ₄Ｆ₈ガスで酸化シリコン下地膜９’をドライエッチングすると、酸化シリコン下地膜９’の残った部分が下地層９となる。ここで、ドライエッチングによって、隔壁８の表層に撥液層１０が成膜される。次に、隔壁８に囲繞された囲繞領域に成膜装置５０で有機ＥＬ層１６を成膜して、有機ＥＬ層１６上にカソード電極１７を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 色変換フィルタ層から有機ＥＬ層への水分および酸素の侵入を確実に阻止して、ダークスポットの発生を防止することができる有機ＥＬ表示素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 第２のパッシベーション層３０が、第１の電極２０ｃを有機ＥＬ層６０に接続して画素領域を形成するための第１の開口部３０ａと、第２の引き出し電極２０ｃを第２の電極７０に接続するための第２の開口部３０ｂと、第１および第２の引き出し電極２０ｂ，２０ｃを外部駆動回路にそれぞれ接続するための第３および第４の開口部３０ｃ，３０ｄとを有すると共に、第１の電極２０ａ、第１の引き出し電極２０ｂ、および第２の引き出し電極２０ｃの各電極の肩部を被覆している。 （もっと読む）

【課題】封止膜とともに封止部材を用いて有機ＥＬ素子部の封止を行う場合でも、封止部材による封止を良好に行えるＥＬ装置の技術を提供する。
【解決手段】回路部が基板上に形成されたＥＬ装置であって、前記回路部上に形成された回路保護膜と、発光層が含まれた有機層を有する有機ＥＬ素子部と、前記回路保護膜の一部を露出するように形成され、前記有機ＥＬ素子部を封止するように形成された封止膜と、前記封止膜で被覆されていない回路保護膜上に形成されるシール剤を介して接着された封止部材とを備え、前記回路保護膜は、前記封止膜の成膜温度より高温で成膜されている。 （もっと読む）

【課題】画素回路上に形成された保護絶縁膜（平坦化膜）をドライエッチングにより容易にパターニングすることができる製造方法、及び、該製造方法により製造された表示装置を提供する。
【解決手段】表示画素ＰＩＸに設けられる画素電極１５として反射金属層１５ａと酸化金属層１５ｂとからなる電極構造を有する表示パネルにおいて、当該画素電極１５に表示データに応じた発光駆動電流を供給する画素駆動回路ＤＣの発光駆動トランジスタ（トランジスタＴｒ１３）との接続構造の製造方法として、非感光性有機膜１４ｂをエッチングしてコンタクトホールＨＬdbを形成するためのメタルマスク１５ｘを除去することなく、画素電極１５の下層側の反射金属層１５ａとしてそのまま適用する。 （もっと読む）

【課題】製造設備を大型化することなく、薄い保護膜を介して封止基板を貼り合わせる構成であってもダークスポットの発生を充分に防止でき、これによりトップエミッション型に適する有機ＥＬディスプレイを低コストで歩留まり良好に得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】素子基板１上に有機電界発光素子３を形成する。有機電界発光素子３を覆う状態で素子基板１上に、充分な封止能力を有する保護膜５を成膜する。次に、充分な光透過性を有する程度に保護膜５をエッチングして薄膜化する。このエッチングと連続して管理された不活性な雰囲気内において保護膜５側に接着性樹脂７を介して封止基板９を貼り合わせ、表示装置１１を得る。 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】塗布法により基板の全面に発光性有機機能層を成膜することで形成される有機ＥＬ表示装置において、発光領域以外の不要な発光性有機機能層をプラズマによるドライエッチングにより除去する場合、発光領域を含む陰極上に保護部材を設けることで、発光領域内の発光層を含む有機機能層は発光領域以外の有機機能層の除去工程時に発生するプラズマによる有機機能層へのダメージを防ぐことが出来る。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された自発光部を効率よく封止すること、引出し配線と配線基板や外部回路等との接続不良を防止すること、封止工程に要する時間を短縮すること、等。
【解決手段】基板１上に、一対の電極（下部電極２，上部電極４）により狭持された発光層（成膜層３）を備える自発光素子５を一つ又は複数個配置してなる自発光部６を形成し、当該自発光部６を接着層３００を介して封止用部材３１により封止して自発光パネル１００を製造する際に、自発光部６の封止時に、基板１上に形成された自発光部６を覆う接着層３００を形成する第１工程と、自発光部６上に接着層３００を介して、自発光部より大きい封止用部材３１を配置する第２工程と、封止用部材３１と基板１間に自発光部６及び接着層３００が形成された状態で封止用部材３１と基板１間以外の接着層３００を除去して、自発光部６を封止する第３工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の低減を実現し、低消費電力化、発熱の抑制、及び輝度の均一化を達成
できる有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方
法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１電極４１ａ上に、第１隔壁４２ａ及び第２隔壁４５に囲まれた発光機能
層４７を備える有機エレクトロルミネッセンス装置１の製造方法であって、層間絶縁膜３
０上に第１電極材料４１と第１隔壁材料４２を順に成膜する工程と、前記第１電極材料４
１及び前記第１隔壁材料４２を同一形状のマスクＰＲでパターニングして前記第１電極４
１ａと前記第１隔壁４２ａを形成する工程と、前記層間絶縁膜３０上及び前記第１隔壁材
料４２上に前記第２隔壁４５を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着特性を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素領域Iと画素領域I以外の領域である非画素領域IIとを備えた基板３００と、画素領域Iの基板３００上に形成され、半導体層３２０と、ゲート電極３４０ａと、ソース／ドレイン電極３６０ａ，３６０ｂとを含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に連結されている第１電極３８０と、第１電極３８０上に位置する画素定義膜３９０と、第１電極３８０及び画素定義膜３９０上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層４００と、有機膜層４００上に位置する第２電極４１０と、基板３００上に形成される少なくとも１つの無機膜３７０と、基板３００を封止する封止基板４２０と、非画素領域IIの無機膜３７０上に位置し、基板３００と封止基板４２０とを封止するためのフリット４３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フリットと接触する基板の表面を凹凸部に形成し、基板と封止基板との間の接着特性を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フリットと接触する基板の表面を凹凸部に形成し、接着特性を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。本発明による有機電界発光表示装置は、少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と前記画素領域の外縁に形成される非画素領域を有し、前記非画素領域の一領域には凹凸部が形成された第１基板、前記有機発光ダイオードが少なくとも密封されるように、前記第１基板と合着して形成された第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板の間に介在され、前記凹凸部と接触して形成されたフリットを備える。 （もっと読む）

本発明は、発光装置のための透明なカプセル材シート（１０）の製造方法であって、前記方法は、発光装置を受け入れるため透明材料シート（１０）の一方側面に複数の穴（１２）を形成する工程であって、前記穴におけるマイクロクラックが存在するざらついた表面（１４）を形成する工程を含む工程、前記透明なカプセル材シート（１０）を形成するために、前記ざらついた表面（１４）を低粘性材料（１８）でコーティングし、これによって前記ざらついた表面（１４）のマイクロクラックを低粘性材料（１８）で充填する工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光層の不要な部分を効率的に除去する。
【解決手段】発光装置は、基板１０と封止体３２との間に封止された発光体１６を有する。この発光装置の製造方法は、発光材料からなる発光層Ｌを基板１０の表面上に形成する工程と、発光層Ｌを部分的に被覆する封止体３２を形成する工程と、発光層Ｌのうち封止体３２によって被覆されていない部分を、当該封止体３２をマスクとしたプラズマ処理によって除去して発光体１６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好なウェッティングコントラストを生産する能力を向上させる。
【解決手段】
本発明の第１の実施態様は、親水性および／または親油性の異なる隣接する領域を含む表面を備える基板を作成する方法を提供する。該方法は、重合体マトリクスに埋め込まれた無機粒子を含有する基板前駆体の表面層の領域から重合体をエッチングして流す工程を含む。該エッチングは表面で無機粒子を露出して、該隣接する領域のうち一つを形成する。
さらに本発明は、電子機能材料をこのような基板に堆積することを伴うマイクロ電子部品を生産する方法を提供する。
さらに本発明は、基板および基板前駆体を提供する。 （もっと読む）

本発明は、有機電子装置構造であって、前記構造は、基板、前記基板によって支持され、有機電子材料の溶液−系蒸着のためのウェルの底部を規定する底部層、前記基板上に形成された１または２以上のスペーサー層、前記ウェルの側面を規定する前記スペーサー層上に形成されるバンク層を含み、前記底部層に隣接する前記ウェルの端部の下層が切除されて前記基板上の棚を形成し、前記棚は前記有機電子材料を受け入れるくぼみを規定することを特徴とする有機電子装置構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】工程短縮及び工程費用の減少が可能なＣＭＯＳ薄膜トランジスタ及びそれを用いたＯＥＬＤ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２ＴＦＴ領域を有する基板を提供する段階と、基板上にゲート電極を形成する段階と、ゲート電極を含んだ基板全面上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜の所定領域上にマスクを利用して半導体層を形成する段階と、ゲート電極を利用してマスクを背面露光する段階と、背面露光されたマスクを利用して第１及び第２ＴＦＴ領域の半導体層にｎ型不純物イオンを注入してチャネル領域及びソース／ドレイン領域を形成する段階と、背面露光されたマスクの両側面を灰化する段階と、灰化されたマスクを利用して、第１及び第２ＴＦＴ領域の半導体層に低濃度不純物イオンを注入してＬＤＤ領域を形成する段階、及び第２ＴＦＴ領域の半導体層にｐ型不純物イオンを注入してソース／ドレイン領域を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）